JPH0677223A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH0677223A JPH0677223A JP27643391A JP27643391A JPH0677223A JP H0677223 A JPH0677223 A JP H0677223A JP 27643391 A JP27643391 A JP 27643391A JP 27643391 A JP27643391 A JP 27643391A JP H0677223 A JPH0677223 A JP H0677223A
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- Japan
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- conductor film
- film
- wiring
- resin
- insulating film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型半導体装置において、樹脂で生じ
る応力が原因とされる配線の信頼性低下を防止する。 【構成】 半導体チップ１１の周辺部に配設された配線
用導体膜１８の隣接する位置に下層側ダミー用導体膜１
６を形成し、この下層側ダミー用導体膜１６で形成され
る段差で配線用導体膜１８の側部を覆う。この段差によ
って配線用導体膜１８及びその保護用絶縁膜２３に加え
られる応力を緩和し、保護用絶縁膜２３のクラックや配
線用導体膜１８のスライドの発生を防止する。
る応力が原因とされる配線の信頼性低下を防止する。 【構成】 半導体チップ１１の周辺部に配設された配線
用導体膜１８の隣接する位置に下層側ダミー用導体膜１
６を形成し、この下層側ダミー用導体膜１６で形成され
る段差で配線用導体膜１８の側部を覆う。この段差によ
って配線用導体膜１８及びその保護用絶縁膜２３に加え
られる応力を緩和し、保護用絶縁膜２３のクラックや配
線用導体膜１８のスライドの発生を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、特に半導体装置の周辺部における配線用導体膜の
応力を緩和して配線の信頼性を高めた配線構造に関す
る。
関し、特に半導体装置の周辺部における配線用導体膜の
応力を緩和して配線の信頼性を高めた配線構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の樹脂封止型半導体装置
は、図４（ａ）及び（ｂ）に夫々平面図とＤ−Ｄ線拡大
断面図を示すように、半導体チップ１１の一主面にフィ
ールド酸化膜１２及び半導体素子領域１３を形成し、第
１の層間絶縁膜１４を介してアルミニウム等の第１の配
線用導体膜１５を形成し、更に第２の層間絶縁膜１７を
介してアルミニウム等の第２の配線用導体膜１８をボン
ディングパッド部２０を含めて形成する。又、この上を
リンシリケートガラス、シリコンナイトライド膜等の保
護用絶縁膜２３で覆った後、ボンディングパッド部２０
のみをエッチングして露出させる構造となっていた。２
１はコンタクトホール、２２はスルーホールである。
は、図４（ａ）及び（ｂ）に夫々平面図とＤ−Ｄ線拡大
断面図を示すように、半導体チップ１１の一主面にフィ
ールド酸化膜１２及び半導体素子領域１３を形成し、第
１の層間絶縁膜１４を介してアルミニウム等の第１の配
線用導体膜１５を形成し、更に第２の層間絶縁膜１７を
介してアルミニウム等の第２の配線用導体膜１８をボン
ディングパッド部２０を含めて形成する。又、この上を
リンシリケートガラス、シリコンナイトライド膜等の保
護用絶縁膜２３で覆った後、ボンディングパッド部２０
のみをエッチングして露出させる構造となっていた。２
１はコンタクトホール、２２はスルーホールである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止型
半導体装置は、例えば＋150 ℃〜−65℃の温度サイクル
試験を行った場合、樹脂の伸び縮みにより応力が発生
し、特に半導体装置周辺の四隅には大きい応力が加わ
る。このため、図４（ａ）のように半導体チップの角部
に第２の配線用導体膜１８が配置された場合には、図４
（ｂ）に示した矢印のように導体膜１８の段差部に直接
応力が加わり、保護用絶縁膜２３にクラックが発生した
りクラックの進行により第２の配線用導体膜１８のスラ
イド（移動）が発生する等、配線の信頼性を低下させる
様な問題点があった。
半導体装置は、例えば＋150 ℃〜−65℃の温度サイクル
試験を行った場合、樹脂の伸び縮みにより応力が発生
し、特に半導体装置周辺の四隅には大きい応力が加わ
る。このため、図４（ａ）のように半導体チップの角部
に第２の配線用導体膜１８が配置された場合には、図４
（ｂ）に示した矢印のように導体膜１８の段差部に直接
応力が加わり、保護用絶縁膜２３にクラックが発生した
りクラックの進行により第２の配線用導体膜１８のスラ
イド（移動）が発生する等、配線の信頼性を低下させる
様な問題点があった。
【０００４】更に、クラックの発生が進行すると、第１
及び第２の配線用導体膜１５，１８の交差部（図４
（ａ）のＥ部）における第２の層間絶縁膜１７にクラッ
クが発生し、電源線として使用される第２の配線用導体
膜１８の内側の導体膜と、グランド線として使用される
外側の導体膜とが第１の配線用導体膜１５を介してショ
ートしてしまうという問題点があった。本発明の目的
は、樹脂で生じる応力が原因とされる配線の信頼性低下
を防止した半導体装置を提供することにある。
及び第２の配線用導体膜１５，１８の交差部（図４
（ａ）のＥ部）における第２の層間絶縁膜１７にクラッ
クが発生し、電源線として使用される第２の配線用導体
膜１８の内側の導体膜と、グランド線として使用される
外側の導体膜とが第１の配線用導体膜１５を介してショ
ートしてしまうという問題点があった。本発明の目的
は、樹脂で生じる応力が原因とされる配線の信頼性低下
を防止した半導体装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体チップの周辺部に配設された配線用導体膜の隣接
する位置に下層側ダミー用導体膜を形成し、この下層側
ダミー用導体膜で形成される段差で配線用導体膜の側部
を覆うように構成する。
半導体チップの周辺部に配設された配線用導体膜の隣接
する位置に下層側ダミー用導体膜を形成し、この下層側
ダミー用導体膜で形成される段差で配線用導体膜の側部
を覆うように構成する。
【０００６】
【作用】本発明によれば、下層側ダミー用導体膜で形成
される段差によって配線用導体膜の側部を覆うことで、
配線用導体膜及びその保護用絶縁膜に加えられる応力を
段差によって緩和し、クラックやスライドの発生を防止
する。
される段差によって配線用導体膜の側部を覆うことで、
配線用導体膜及びその保護用絶縁膜に加えられる応力を
段差によって緩和し、クラックやスライドの発生を防止
する。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施例の半
導体チップ角部の平面図及びそのＡ−Ａ線拡大断面図で
ある。半導体チップ１１の一主面に膜厚 1.0μｍのフィ
ールド酸化膜１２及び半導体素子領域１３を形成し、こ
の上に膜厚 1.0μｍのリンシリケートガラス膜等の第１
の層間絶縁膜１４を介して膜厚 0.5μｍのアルミニウム
等の第１の配線用導体膜１５及び下層側ダミー用導体膜
１６を形成する。この場合、下層側ダミー用導体膜１６
は、後工程で製造される第２の配線用導体膜１８の隣接
する位置に形成する。
る。図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施例の半
導体チップ角部の平面図及びそのＡ−Ａ線拡大断面図で
ある。半導体チップ１１の一主面に膜厚 1.0μｍのフィ
ールド酸化膜１２及び半導体素子領域１３を形成し、こ
の上に膜厚 1.0μｍのリンシリケートガラス膜等の第１
の層間絶縁膜１４を介して膜厚 0.5μｍのアルミニウム
等の第１の配線用導体膜１５及び下層側ダミー用導体膜
１６を形成する。この場合、下層側ダミー用導体膜１６
は、後工程で製造される第２の配線用導体膜１８の隣接
する位置に形成する。
【０００８】この上に膜厚 1.0μｍのプラズマ酸化膜等
の第２の層間絶縁膜１７を介して膜厚 1.0μｍのアルミ
ニウム等の第２の配線用導体膜１８及びダミー用導体膜
１９をボンディングパッド部２０を含めて形成する。更
に、この上に膜厚 1.0μｍのリンシリケートガラス、シ
リコンナイトライド膜等の保護用絶縁膜２３を被覆した
後、ボンディングパッド部２０のみをエッチングして露
出させている。尚、２１はコンタクトホール、２２はス
ルーホールである。
の第２の層間絶縁膜１７を介して膜厚 1.0μｍのアルミ
ニウム等の第２の配線用導体膜１８及びダミー用導体膜
１９をボンディングパッド部２０を含めて形成する。更
に、この上に膜厚 1.0μｍのリンシリケートガラス、シ
リコンナイトライド膜等の保護用絶縁膜２３を被覆した
後、ボンディングパッド部２０のみをエッチングして露
出させている。尚、２１はコンタクトホール、２２はス
ルーホールである。
【０００９】この構成によれば、半導体チップの周辺部
に配置される第２の配線用導体膜１８の隣接する位置に
下層側ダミー用導体膜１６が形成され、更にこの下層側
ダミー用導体膜１６によって生じた段差の部分にダミー
用導体膜１９が形成されることにより、前記第２の配線
用導体膜１８は段差の底部に位置され、その側部は段差
によって覆われることになる。これにより、樹脂からの
応力は直接ダミー用導体膜１９に加えられるようにな
り、第２の配線用導体膜１８を覆う保護用絶縁膜２３に
直接応力が加えられることはなくなる。
に配置される第２の配線用導体膜１８の隣接する位置に
下層側ダミー用導体膜１６が形成され、更にこの下層側
ダミー用導体膜１６によって生じた段差の部分にダミー
用導体膜１９が形成されることにより、前記第２の配線
用導体膜１８は段差の底部に位置され、その側部は段差
によって覆われることになる。これにより、樹脂からの
応力は直接ダミー用導体膜１９に加えられるようにな
り、第２の配線用導体膜１８を覆う保護用絶縁膜２３に
直接応力が加えられることはなくなる。
【００１０】又、この時ダミー用導体膜１９の幅を狭く
形成すると、ダミー用導体膜１９の変形によって応力を
吸収するため、大きい応力を受けた場合でも保護用絶縁
膜２３のクラックの発生や第２の配線用導体膜１８のス
ライド等を防止することができる。因に、実際に形成さ
れるダミー用導体膜１９の幅と、保護される第２の配線
用導体膜１８との間隔は、導体膜がアルミニウムの場
合、各々５μｍ，３〜５μｍ程度が適当で効果も大き
い。
形成すると、ダミー用導体膜１９の変形によって応力を
吸収するため、大きい応力を受けた場合でも保護用絶縁
膜２３のクラックの発生や第２の配線用導体膜１８のス
ライド等を防止することができる。因に、実際に形成さ
れるダミー用導体膜１９の幅と、保護される第２の配線
用導体膜１８との間隔は、導体膜がアルミニウムの場
合、各々５μｍ，３〜５μｍ程度が適当で効果も大き
い。
【００１１】図２（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実
施例の半導体チップ角部の平面図、及びそのＢ−Ｂ線拡
大断面図である。半導体チップ１１の一主面に膜厚 1.0
μｍのフィールド酸化膜１２及び半導体素子領域１３を
形成する。この時、ＭＯＳトランジスタのゲート等に使
用される例えば膜厚 0.4μｍのポリシリコンなどの下層
側ダミー用導体膜２４を含めて形成する。この下層側ダ
ミー用導体膜２４は後工程で形成する第２の配線用導体
膜１８に隣接する位置に設けることは第１実施例と同じ
である。そして、この上に第１の層間絶縁膜１４を形成
し、その上に順次導体膜と絶縁膜を形成する工程は、前
記図１の実施例と同じである。尚、この場合下層側ダミ
ー用導体膜１６は前記下層側ダミー用導体膜２４の上に
形成する。
施例の半導体チップ角部の平面図、及びそのＢ−Ｂ線拡
大断面図である。半導体チップ１１の一主面に膜厚 1.0
μｍのフィールド酸化膜１２及び半導体素子領域１３を
形成する。この時、ＭＯＳトランジスタのゲート等に使
用される例えば膜厚 0.4μｍのポリシリコンなどの下層
側ダミー用導体膜２４を含めて形成する。この下層側ダ
ミー用導体膜２４は後工程で形成する第２の配線用導体
膜１８に隣接する位置に設けることは第１実施例と同じ
である。そして、この上に第１の層間絶縁膜１４を形成
し、その上に順次導体膜と絶縁膜を形成する工程は、前
記図１の実施例と同じである。尚、この場合下層側ダミ
ー用導体膜１６は前記下層側ダミー用導体膜２４の上に
形成する。
【００１２】この実施例においては、下層側ダミー用導
体膜２４，１６の２層により段差を形成し、この段差を
図１の実施例よりも大きくすることでその底部に位置す
る第２の配線用導体膜１８への樹脂による応力の影響を
更に減少させることができる。又、この実施例ではダミ
ー用導体膜１９を複数本設けており、これにより応力を
一層緩和することができる。
体膜２４，１６の２層により段差を形成し、この段差を
図１の実施例よりも大きくすることでその底部に位置す
る第２の配線用導体膜１８への樹脂による応力の影響を
更に減少させることができる。又、この実施例ではダミ
ー用導体膜１９を複数本設けており、これにより応力を
一層緩和することができる。
【００１３】図３（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３の実
施例の半導体チップ角部の平面図及びそのＣ−Ｃ線拡大
断面図である。この構造では、図２の実施例と同様に下
層側ダミー用導体膜２４を形成した後、膜厚 1.0μｍの
リンシリケートガラス膜等の層間絶縁膜２５を形成し、
この上に膜厚 1.0μｍのアルミニウム等の配線用導体膜
１８Ａ及びダミー用導体膜１９をボンディングパッド部
２０を含めて形成する。更に、この上に保護用絶縁膜２
３を形成することは前記各実施例と同じである。
施例の半導体チップ角部の平面図及びそのＣ−Ｃ線拡大
断面図である。この構造では、図２の実施例と同様に下
層側ダミー用導体膜２４を形成した後、膜厚 1.0μｍの
リンシリケートガラス膜等の層間絶縁膜２５を形成し、
この上に膜厚 1.0μｍのアルミニウム等の配線用導体膜
１８Ａ及びダミー用導体膜１９をボンディングパッド部
２０を含めて形成する。更に、この上に保護用絶縁膜２
３を形成することは前記各実施例と同じである。
【００１４】この実施例は、１層配線構造の半導体チッ
プに適用したものであり、１層配線構造であってもＭＯ
Ｓトランジスタのゲート等に使用されるポリシリコン等
の一部を利用して下層側ダミー導体膜２４を形成し、こ
れによって生じる段差を用いて配線用導体膜１８Ａを囲
むことで、保護用絶縁膜２３に直接応力を受けることを
無くし、絶縁膜２３のクラックの発生や導体膜１８Ａの
スライドの発生を防止することができる。尚、前記各実
施例はチップの隅部について説明しているが、15mm□を
越える様な大チップを樹脂封止した場合には、チップの
周辺部においても同様の問題が生じるため、本発明をチ
ップ辺周辺部においても同様に適用できることは言うま
でもない。
プに適用したものであり、１層配線構造であってもＭＯ
Ｓトランジスタのゲート等に使用されるポリシリコン等
の一部を利用して下層側ダミー導体膜２４を形成し、こ
れによって生じる段差を用いて配線用導体膜１８Ａを囲
むことで、保護用絶縁膜２３に直接応力を受けることを
無くし、絶縁膜２３のクラックの発生や導体膜１８Ａの
スライドの発生を防止することができる。尚、前記各実
施例はチップの隅部について説明しているが、15mm□を
越える様な大チップを樹脂封止した場合には、チップの
周辺部においても同様の問題が生じるため、本発明をチ
ップ辺周辺部においても同様に適用できることは言うま
でもない。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体チ
ップの周辺部に配設された配線用導体膜の側部を下層側
ダミー用導体膜によって生じる段差によって覆うように
構成しているので、配線用導体膜を覆う保護用絶縁膜が
樹脂からの応力を直接受けることがなくなり、保護用絶
縁膜のクラックや配線用導体膜のスライド及び層間ショ
ートが防止でき、配線の信頼性を著しく向上させる効果
がある。
ップの周辺部に配設された配線用導体膜の側部を下層側
ダミー用導体膜によって生じる段差によって覆うように
構成しているので、配線用導体膜を覆う保護用絶縁膜が
樹脂からの応力を直接受けることがなくなり、保護用絶
縁膜のクラックや配線用導体膜のスライド及び層間ショ
ートが防止でき、配線の信頼性を著しく向上させる効果
がある。
【図１】本発明の第１実施例を示し、（ａ）は半導体チ
ップの角部の平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ線拡大断面図
である。
ップの角部の平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ線拡大断面図
である。
【図２】本発明の第２実施例を示し、（ａ）は半導体チ
ップの角部の平面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ線拡大断面図
である。
ップの角部の平面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ線拡大断面図
である。
【図３】本発明の第３実施例を示し、（ａ）は半導体チ
ップの角部の平面図、（ｂ）はそのＣ−Ｃ線拡大断面図
である。
ップの角部の平面図、（ｂ）はそのＣ−Ｃ線拡大断面図
である。
【図４】従来の半導体装置を示し、（ａ）は半導体チッ
プの角部の平面図、（ｂ）はそのＤ−Ｄ線拡大断面図で
ある。
プの角部の平面図、（ｂ）はそのＤ−Ｄ線拡大断面図で
ある。
１１ 半導体チップ １２ フィールド酸化膜 １４ 第１の層間絶縁膜 １５ 第１の配線用導体膜 １６ 下層側ダミー用導体膜 １７ 第２の層間絶縁膜 １８，１８Ａ 第２の配線用導体膜 １９ ダミー用導体膜 ２０ ボンディングパッド部 ２１ コンタクトホール ２２ スルーホール ２３ 保護用絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】 周辺部に配線用導体膜が配設された半導
体チップを樹脂で封止してなる半導体装置において、前
記配線用導体膜の隣接する位置に下層側ダミー用導体膜
を形成し、この下層側ダミー用導体膜で形成される段差
で前記配線用導体膜の側部を覆うようにしたことを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27643391A JPH0677223A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27643391A JPH0677223A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677223A true JPH0677223A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=17569356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27643391A Pending JPH0677223A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677223A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659202A (en) * | 1996-01-26 | 1997-08-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with a pair of dummy electrodes below an inner lead |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP27643391A patent/JPH0677223A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659202A (en) * | 1996-01-26 | 1997-08-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with a pair of dummy electrodes below an inner lead |
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