JPH0677109A - レジストパターンの評価方法 - Google Patents
レジストパターンの評価方法Info
- Publication number
- JPH0677109A JPH0677109A JP2402452A JP40245290A JPH0677109A JP H0677109 A JPH0677109 A JP H0677109A JP 2402452 A JP2402452 A JP 2402452A JP 40245290 A JP40245290 A JP 40245290A JP H0677109 A JPH0677109 A JP H0677109A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- line width
- resist
- resist pattern
- extraction
- Prior art date
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- Granted
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】半導体装置製造の際の写真食刻工程で、現像後
パターン形成されたレジストパターンの線幅評価のため
に使用される線幅測定用パターン及び線幅評価方法を提
供する。 【構成】線幅測定用レジスト線パターンの両側にそれと
同程度の幅を持つレジスト抜けパターンを配置すると共
に、その外側に２倍以上の線幅を持つレジストパターン
を配置する。レジストパターンの線幅はＬ４の測定で得
られるため、隣接パターンとの距離も許容最短距離とな
り、回路パターン内線幅により近い値の測定が可能とな
る。同様にレジストパターンの抜け線幅を測定する場合
も、レジスト抜けパターンの両側に抜けパターンの抜け
線幅移動を防ぐためのレジスト抜けパターンの２倍以上
の線幅のレジストパターンを配置する。Ｓ４を測定する
ため隣接パターン線幅Ｌ５を適当な値にしておけば、回
路パターン内の抜け線幅に十分近い値が得られる。
パターン形成されたレジストパターンの線幅評価のため
に使用される線幅測定用パターン及び線幅評価方法を提
供する。 【構成】線幅測定用レジスト線パターンの両側にそれと
同程度の幅を持つレジスト抜けパターンを配置すると共
に、その外側に２倍以上の線幅を持つレジストパターン
を配置する。レジストパターンの線幅はＬ４の測定で得
られるため、隣接パターンとの距離も許容最短距離とな
り、回路パターン内線幅により近い値の測定が可能とな
る。同様にレジストパターンの抜け線幅を測定する場合
も、レジスト抜けパターンの両側に抜けパターンの抜け
線幅移動を防ぐためのレジスト抜けパターンの２倍以上
の線幅のレジストパターンを配置する。Ｓ４を測定する
ため隣接パターン線幅Ｌ５を適当な値にしておけば、回
路パターン内の抜け線幅に十分近い値が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造での写
真飾刻工程において、現像後のパターン形成されたレジ
ストパターンの線幅の評価方法に関し、特にその評価の
ために用いられる線幅測定用パターンに関する。
真飾刻工程において、現像後のパターン形成されたレジ
ストパターンの線幅の評価方法に関し、特にその評価の
ために用いられる線幅測定用パターンに関する。
【０００２】
【従来の技術】レジストパターンの線幅は、レジスト塗
布の膜厚、予備加熱の温度及び時間、露光装置の条件、
現像液の種類、現像時の条件等によって異なる。その適
正条件出しのためにレジストパターンの線幅を正確に測
定する必要がある。一般には、用いられている最少の線
幅を測定することが多いが、従来の測定方法は、回路パ
ターンとは離れた位置に孤立して設けられたＹ字型パタ
ーンにより測定が行われていた。これを図５に示す。し
かしながら、現像時においてレジストパターンの線幅は
隣接するパターンの大きさ、及び、隣接パターンとの距
離に依存する。これをパターンサイズ効果と称し、この
影響を受けて、近隣接パターンを持たない従来の測定用
Ｙ字型パターンの線幅は、マスクでは同じ寸法のパター
ンでも、近隣接パターンを多く持つ回路内のパターンの
線幅と異なる値を示すことになる。
布の膜厚、予備加熱の温度及び時間、露光装置の条件、
現像液の種類、現像時の条件等によって異なる。その適
正条件出しのためにレジストパターンの線幅を正確に測
定する必要がある。一般には、用いられている最少の線
幅を測定することが多いが、従来の測定方法は、回路パ
ターンとは離れた位置に孤立して設けられたＹ字型パタ
ーンにより測定が行われていた。これを図５に示す。し
かしながら、現像時においてレジストパターンの線幅は
隣接するパターンの大きさ、及び、隣接パターンとの距
離に依存する。これをパターンサイズ効果と称し、この
影響を受けて、近隣接パターンを持たない従来の測定用
Ｙ字型パターンの線幅は、マスクでは同じ寸法のパター
ンでも、近隣接パターンを多く持つ回路内のパターンの
線幅と異なる値を示すことになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】パターンサイズ効果の
具体例を以下に述べる。図１（ａ）（ｂ）において、斜
線部分がレジストである。図１（ａ）上の線分ＡＡ’で
の断面図が図１（ｂ）にあたる。レジストの抜け線幅Ｓ
1が隣接レジストパターンの幅Ｌ1によって受ける影響を
グラフに示したのが図２である。レジストの抜けパター
ンのマスク寸法を３μｍとして一定にした場合、隣接レ
ジストパターンのマスク寸法を３μｍとした測定結果が
点ｃ、１０μｍとした測定結果が点ｄである。図２に示
す如く、隣接レジストパターンの幅が広い方が、レジス
ト抜け線幅Ｓ1は小さな値を示す。点ｃと点ｄとで、Ｓ1
の値の差は約０．２μｍ。３μｍに対して０．２μｍの
幅がせばまるのであるから、その率は７％と非常に大き
い。もちろん露光装置、使用するレジストの種類、レジ
ストを塗布する基板の種類等によってパターンサイズ効
果の影響の大きさは、ばらつきがあるが、傾向としては
同じである。
具体例を以下に述べる。図１（ａ）（ｂ）において、斜
線部分がレジストである。図１（ａ）上の線分ＡＡ’で
の断面図が図１（ｂ）にあたる。レジストの抜け線幅Ｓ
1が隣接レジストパターンの幅Ｌ1によって受ける影響を
グラフに示したのが図２である。レジストの抜けパター
ンのマスク寸法を３μｍとして一定にした場合、隣接レ
ジストパターンのマスク寸法を３μｍとした測定結果が
点ｃ、１０μｍとした測定結果が点ｄである。図２に示
す如く、隣接レジストパターンの幅が広い方が、レジス
ト抜け線幅Ｓ1は小さな値を示す。点ｃと点ｄとで、Ｓ1
の値の差は約０．２μｍ。３μｍに対して０．２μｍの
幅がせばまるのであるから、その率は７％と非常に大き
い。もちろん露光装置、使用するレジストの種類、レジ
ストを塗布する基板の種類等によってパターンサイズ効
果の影響の大きさは、ばらつきがあるが、傾向としては
同じである。
【０００４】図３においても斜線部がレジストパターン
である。中央に示すレジストパターンのマスク寸法を一
定とし、隣接レジストパターンとの距離を変化させた場
合の測定例を図４のグラフに示す。レジストパターンの
マスク寸法を５μｍとし、レジスト抜けパターンのマス
ク寸法を３μｍとした場合の測定結果を点ｅ、５μｍと
した場合を点ｆに示す。点ｅと点ｆとのＬ2の値の差は
０．２μｍで、率としては１％である。図４から、隣接
パターンとの距離が近い程、レジスト線幅Ｌ2は大きな
値を示すことがわかる。
である。中央に示すレジストパターンのマスク寸法を一
定とし、隣接レジストパターンとの距離を変化させた場
合の測定例を図４のグラフに示す。レジストパターンの
マスク寸法を５μｍとし、レジスト抜けパターンのマス
ク寸法を３μｍとした場合の測定結果を点ｅ、５μｍと
した場合を点ｆに示す。点ｅと点ｆとのＬ2の値の差は
０．２μｍで、率としては１％である。図４から、隣接
パターンとの距離が近い程、レジスト線幅Ｌ2は大きな
値を示すことがわかる。
【０００５】以上、パターンサイズ効果をまとめると、
隣接するパターンが大きい程、レジストパターンの線幅
は小さくなる傾向を持ち、又、隣接するパターンとの距
離が近いほど、レジストパターンの線幅は太る傾向を持
つ。このパターンサイズ効果の影響を考慮すれば、パタ
ーン密度の非常に高い所にある回路パターンの線幅と、
全く孤立して設けられた測定用Ｙ字型パターンの線幅と
は著しい相違があり、測定用パターンとして致命的欠点
を持つ。
隣接するパターンが大きい程、レジストパターンの線幅
は小さくなる傾向を持ち、又、隣接するパターンとの距
離が近いほど、レジストパターンの線幅は太る傾向を持
つ。このパターンサイズ効果の影響を考慮すれば、パタ
ーン密度の非常に高い所にある回路パターンの線幅と、
全く孤立して設けられた測定用Ｙ字型パターンの線幅と
は著しい相違があり、測定用パターンとして致命的欠点
を持つ。
【０００６】本発明は、かかる欠点を取り除き、パター
ン密度の高い所にあるパターン線幅に、十分近い値を示
すよう考え出された測定用パターンである。
ン密度の高い所にあるパターン線幅に、十分近い値を示
すよう考え出された測定用パターンである。
【０００７】
【課題を解決する為の手段】本発明は、パターン形成さ
れたレジストパターンの線幅を線幅測定用レジスト抜け
パターンの抜け線幅の測定により評価してなるレジスト
パターンの評価方法に於いて、前記線幅測定用レジスト
抜けパターンとして、線幅測定用レジスト抜けパターン
の両側に当該線幅測定用レジスト抜けパターンの抜け線
幅変動を防止するためのレジストパターンを配置したパ
ターンを用いてなることを特徴とする。
れたレジストパターンの線幅を線幅測定用レジスト抜け
パターンの抜け線幅の測定により評価してなるレジスト
パターンの評価方法に於いて、前記線幅測定用レジスト
抜けパターンとして、線幅測定用レジスト抜けパターン
の両側に当該線幅測定用レジスト抜けパターンの抜け線
幅変動を防止するためのレジストパターンを配置したパ
ターンを用いてなることを特徴とする。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を図６に示す。斜線部がレジ
ストパターンである。本発明の効果を従来の測定用Ｙ字
型パターン図５と対比しながら説明する。レジストパタ
ーンの線幅は、図５の場合、Ｌ3を測定していた。隣接
するレジストパターンは実質上存在せず、隣接パターン
との距離（図３ Ｓ2）は無限大となり、同じマスク寸法
からできるレジストパターン中最も幅が狭いものが得ら
れる。
ストパターンである。本発明の効果を従来の測定用Ｙ字
型パターン図５と対比しながら説明する。レジストパタ
ーンの線幅は、図５の場合、Ｌ3を測定していた。隣接
するレジストパターンは実質上存在せず、隣接パターン
との距離（図３ Ｓ2）は無限大となり、同じマスク寸法
からできるレジストパターン中最も幅が狭いものが得ら
れる。
【０００９】それに対して、実施例においては、線幅測
定用レジスト線パターンの両側にレジスト線パターンと
同程度の幅を持つレジスト抜けパターンを配置すると共
にその外側に２倍以上の線幅を持つレジストパターンを
配置し、レジストパターンの線幅を図６ Ｌ4の測定によ
って得るため、隣接パターンとの距離も許される最も短
い距離となり、回路パターン内の線幅により近い値を測
定することが可能となる。同様に、レジストパターンの
抜け線幅を測定する場合も、従来のパターンでは図５
Ｓ3を測定するものであるが、隣接パターン線幅が狭い
ため適正な値が得られなかった。本発明では、レジスト
抜けパターンの両側にレジスト抜けパターンの抜け線幅
変動を防止するためのレジストパターンを配置する。本
発明ではこれをレジスト抜けパターンの２倍以上の線幅
のレジストパターンとし、図５ Ｓ４を測定するため、
隣接パターン線幅図６ Ｌ5を適当な値にしておけば、
回路パターン内の抜け線幅に十分近い値が得られる。
定用レジスト線パターンの両側にレジスト線パターンと
同程度の幅を持つレジスト抜けパターンを配置すると共
にその外側に２倍以上の線幅を持つレジストパターンを
配置し、レジストパターンの線幅を図６ Ｌ4の測定によ
って得るため、隣接パターンとの距離も許される最も短
い距離となり、回路パターン内の線幅により近い値を測
定することが可能となる。同様に、レジストパターンの
抜け線幅を測定する場合も、従来のパターンでは図５
Ｓ3を測定するものであるが、隣接パターン線幅が狭い
ため適正な値が得られなかった。本発明では、レジスト
抜けパターンの両側にレジスト抜けパターンの抜け線幅
変動を防止するためのレジストパターンを配置する。本
発明ではこれをレジスト抜けパターンの２倍以上の線幅
のレジストパターンとし、図５ Ｓ４を測定するため、
隣接パターン線幅図６ Ｌ5を適当な値にしておけば、
回路パターン内の抜け線幅に十分近い値が得られる。
【００１０】
【発明の効果】上記に示したように、本発明は、レジス
トパターンの線幅、及び、レジストパターンの抜け線幅
の両者に対し、より適正な測定値を得ることができる。
さらに、従来のＹ字型パターンと比して、構造も、さほ
ど複雑とはならず、占める面積の増加も最小にとどめて
ある。パターンサイズ効果はパターンの微細化が進むに
従い、その影響が大きくなるため、本発明は、より高精
度な線幅の測定を必要とする微細化パターンに対し、極
めて有用な測定用パターンである。
トパターンの線幅、及び、レジストパターンの抜け線幅
の両者に対し、より適正な測定値を得ることができる。
さらに、従来のＹ字型パターンと比して、構造も、さほ
ど複雑とはならず、占める面積の増加も最小にとどめて
ある。パターンサイズ効果はパターンの微細化が進むに
従い、その影響が大きくなるため、本発明は、より高精
度な線幅の測定を必要とする微細化パターンに対し、極
めて有用な測定用パターンである。
【図１】
【図３】パターンサイズ効果の実験用パターンの例を示
す図で、図１（ｂ））は図１（ａ）に於けるＡＡ’での
断面図。斜線部はすべて、レジストを示す。
す図で、図１（ｂ））は図１（ａ）に於けるＡＡ’での
断面図。斜線部はすべて、レジストを示す。
【図２】
【図４】パターンサイズ効果曲線を示す図。縦軸、横軸
共に１目盛りが１μｍを示す。
共に１目盛りが１μｍを示す。
【図５】従来の線幅測定用パターンを示す図。
【図６】本発明の線幅測定用パターンを示す図。
Ｌ1，Ｌ2・・・レジストパターン線幅 Ｓ1，Ｓ2・・・レジストパターン抜け線幅 Ｌ3，Ｌ4・・・測定用のレジストパターン線幅 Ｓ3，Ｓ4・・・測定用のレジストパターン抜け線幅 Ｌ5・・・・・・隣接レジストパターン線幅
Claims (1)
- 【請求項１】 パターン形成されたレジストパターンの
線幅を線幅測定用レジスト抜けパターンの抜け線幅の測
定により評価してなるレジストパターンの評価方法に於
いて、前記線幅測定用レジスト抜けパターンとして、線
幅測定用レジスト抜けパターンの両側に当該線幅測定用
レジスト抜けパターンの抜け線幅変動を防止するための
レジストパターンを配置したパターンを用いてなること
を特徴とするレジストパターンの評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40245290A JPH0727858B2 (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | レジストパターンの評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40245290A JPH0727858B2 (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | レジストパターンの評価方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56199797A Division JPS58101425A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | レジストパターンの評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677109A true JPH0677109A (ja) | 1994-03-18 |
| JPH0727858B2 JPH0727858B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=18512273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40245290A Expired - Lifetime JPH0727858B2 (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | レジストパターンの評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727858B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5375768A (en) * | 1976-12-17 | 1978-07-05 | Fujitsu Ltd | Size check pattern |
| JPS5494346U (ja) * | 1977-12-16 | 1979-07-04 |
-
1990
- 1990-12-14 JP JP40245290A patent/JPH0727858B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5375768A (en) * | 1976-12-17 | 1978-07-05 | Fujitsu Ltd | Size check pattern |
| JPS5494346U (ja) * | 1977-12-16 | 1979-07-04 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0727858B2 (ja) | 1995-03-29 |
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