JPH0667988A - Ras機能付半導体記憶装置 - Google Patents

Ras機能付半導体記憶装置

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Publication number
JPH0667988A
JPH0667988A JP4221853A JP22185392A JPH0667988A JP H0667988 A JPH0667988 A JP H0667988A JP 4221853 A JP4221853 A JP 4221853A JP 22185392 A JP22185392 A JP 22185392A JP H0667988 A JPH0667988 A JP H0667988A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
memory
semiconductor disk
ras
sum check
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4221853A
Other languages
English (en)
Inventor
Masato Sato
正人 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Facom Corp
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Facom Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd, Fuji Facom Corp filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP4221853A priority Critical patent/JPH0667988A/ja
Publication of JPH0667988A publication Critical patent/JPH0667988A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体ディスク装置の記憶データの正常性の確
認ができるようにして、この装置を用いたコンピュータ
システムの信頼性を高める。 【構成】半導体ディスク装置01内に、本来のデータ格
納領域としての半導体ディスク1のほかに、RASデー
タとしてのサムチェック2a,書込回数2bを格納する
RAS用メモリ2を設ける。そしてCPU02が半導体
ディスク1へデータを書込む際、予め書込回数2bを調
べ制限回数以下であることを確認したうえデータ書込み
を行って、RASメモリ2内の書込回数2bの値をイン
クリメントし、同時に半導体ディスク1への書込データ
のサムチェック値を演算回路3を介して求め、メモリ2
にサムチェック2aとして書込む。以後は周期的にディ
スク1内のデータとサムチェック2aとを照合し、ディ
スク1内のデータの正常値を監視する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はコンピュータ装置などの
補助記憶装置として使用される、いわゆる半導体ディス
ク装置としての半導体記憶装置、特に高信頼性を要求さ
れるRAS機能付の半導体記憶装置に関する。なおここ
でRAS機能とは記憶データの信頼性を維持するための
機能をいい、また以下RASデータとはこの信頼性を確
認するためのデータをいう。
【0002】
【従来の技術】従来の『書込回数に制限があるメモリ』
や『内容を部分的に変更することができないメモリ』を
使用した半導体ディスク装置にはサムチェック機能や書
込回数管理機能等のRAS機能が搭載されていない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の半導
体ディスク装置にはサムチェック機能が無いために、半
導体ディスク装置内のデータが壊れてしまっている場合
でも、データの正否の判定ができずに、コンピュータ装
置などが異常な動作をする恐れがあった。また、書込回
数に制限があるメモリを使用する半導体ディスク装置で
は、書込回数管理機能が無いために、書込回数が制限回
数を越えている場合でもそれを判定することができなか
った。(なお書込回数に制限があるメモリは、制限回数
を越えた場合は、もし正常に書込できても将来的にその
データは保証されない。)そこで本発明はこの問題を解
消できるRAS機能付半導体記憶装置を提供することを
課題とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、請求項1の半導体記憶装置は、書込回数に制限が
あるメモリを(半導体ディスク1などとして)使用した
半導体記憶装置であって、このメモリの劣化を判定する
ために、前記メモリへの書込回数(2bなど)を格納す
るRAS用メモリ(2など)を備えたものとする。
【0005】また請求項2の半導体記憶装置は、内容を
部分的に変更することができないメモリを(半導体ディ
スク1などとして)使用した半導体記憶装置であって、
このメモリ内のデータの信頼性を確認するために、(演
算回路3などを介して求めた)前記データのサムチェッ
ク(2aなど)を格納するRAS用メモリ(2など)を
備えたものとする。
【0006】
【作用】半導体ディスク装置にデータを書込む時に、書
込データのサムチェック値を計算し記録する。また書込
回数も同時に記録する。この書込んだサムチェック値と
半導体ディスク装置のデータを周期的に比較し、データ
の正常性を確認する。また書込回数は、再度半導体ディ
スク装置に書込みを行う時に読込み、制限回数を越えて
いないか確認する。このようにサムチェック機能を使用
する事により、半導体ディスク装置内のデータの正常性
の判定ができる。また書込回数管理機能を使用すること
により、半導体ディスク装置の寿命(書込制限回数オー
バ)の判定ができる。
【0007】
【実施例】図1は本発明の一実施例としての構成を示
す。同図において、01は半導体ディスク装置、02は
このディスク装置01の読み書きを行うCPUである。
次に半導体ディスク装置01内において、1は本来のデ
ータ格納領域としての半導体ディスク、2はRASデー
タとしてのサムチェック2a,同じくRASデータとし
ての書込回数2b等を格納する領域としてのRAS用メ
モリ、3はサムチェック等を演算するための演算回路、
4はデータバスである。
【0008】次に図1の動作を説明する。以下〜は
この動作の手順を示す。 CPU02はデータバス4を介し半導体ディスク装置
01内の半導体ディスク1に書込みを行う前に先ず、R
AS用メモリ2内の書込回数2bのデータを読込む。そ
して この読込んだ回数データにより、半導体ディスク1が
書込制限回数を越えていない事を確認する。但し書込制
限回数を越えている場合には書込みを中止する。
【0009】次に半導体ディスク1にデータの書込み
を行う。この時、書込データのサムチェック値を演算回
路3で計算しRAS用メモリ2内にサムチェック2aと
して書込む。 そしてRAS用メモリ2内の書込回数2bに1を加算
する。 また周期的にRAS用メモリ2内のサムチェック2a
値と半導体ディスク1のデータを照合し正常であること
を確認する。
【0010】
【発明の効果】本発明によれば、半導体ディスク装置0
1内に半導体ディスク1とは別にRAS用メモリ2を設
けて、半導体ディスク1の書込データについてのサムチ
ェック値2aや半導体ディスク1の書込回数2bなどを
格納するようにしたので、コンピュータ装置等でこの半
導体ディスク装置を使用する場合、半導体ディスク1内
の書込データとサムチェック2aとの照合により、該書
込データの正常性を常に監視することができるので、も
し半導体ディスク1内のデータが破壊されている時にも
事前に異常を検知してCPU02の誤動作を防ぐ事がで
きる。また書込回数2bをチェックすることで半導体デ
ィスク1の劣化を事前に判断し異常が発生する前に交換
等の対処をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例としての構成図
【符号の説明】
01 半導体ディスク装置 02 CPU 1 半導体ディスク 2 RAS用メモリ 2a サムチェック 2b 書き込み回数 3 演算回路 4 データバス

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】書込回数に制限があるメモリを使用した半
    導体記憶装置であって、このメモリの劣化を判定するた
    めに、前記メモリへの書込回数を格納するRAS用メモ
    リを備えたことを特徴とするRAS機能付半導体記憶装
    置。
  2. 【請求項2】内容を部分的に変更することができないメ
    モリを使用した半導体記憶装置であって、このメモリ内
    のデータの信頼性を確認するために、前記データのサム
    チェックを格納するRAS用メモリを備えたことを特徴
    とするRAS機能付半導体記憶装置。
JP4221853A 1992-08-21 1992-08-21 Ras機能付半導体記憶装置 Pending JPH0667988A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4221853A JPH0667988A (ja) 1992-08-21 1992-08-21 Ras機能付半導体記憶装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP4221853A JPH0667988A (ja) 1992-08-21 1992-08-21 Ras機能付半導体記憶装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0667988A true JPH0667988A (ja) 1994-03-11

Family

ID=16773217

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4221853A Pending JPH0667988A (ja) 1992-08-21 1992-08-21 Ras機能付半導体記憶装置

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JP (1) JPH0667988A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113345476A (zh) * 2020-03-03 2021-09-03 株式会社东芝 磁盘装置以及磁盘装置的存储管理方法

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