JPH0665148B2

JPH0665148B2 - 高周波加熱装置

Info

Publication number: JPH0665148B2
Application number: JP21225786A
Authority: JP
Inventors: 直芳前原; 孝広松本; 大介別荘; 慈楠木
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1986-09-09
Filing date: 1986-09-09
Publication date: 1994-08-22
Anticipated expiration: 2009-08-22
Also published as: JPS6366893A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、電子レンジ等のいわゆる誘電加熱により食品
や液体などを加熱するための高周波加熱装置の改良に関
し、さらに詳しく言えば、トランジスタ等の半導体スイ
ッチを用いたインバータにより高周波電力を発生し、マ
グネトロンに高圧電力およびヒータ電力を供給するよう
構成した高周波加熱装置の改良に関するものである。

従来の技術このような方式の高周波装置は、その電源トランスの小
型・軽量・低コスト化の為に様々な構成のものが提案さ
れている。

第７図は従来の高周波加熱装置の回路図であり、特願昭
５１−９９８９２号に示されたものと同等の作用を有す
るものである。

図に於て、商用電源１、ダイオードブリッジ２、コンデ
ンサ３によりインバータ４の電源部５が構成され、イン
バータ４は、リセットインダクタ６、サイリスタ７、ダ
イオード８、共振コンデンサ９などより構成されてい
る。サイリスタ７は、インバータ制御回路１０により定
められた周波数_ｏでトリガされ、その結果昇圧トラン
ス１１の１次巻線１２と共振コンデンサ９との直列共振
回路とリセットインダクタ６とで構成された弛張発振型
インバータが動作周波数_ｏで動作し、昇圧トランス１
１の高圧２次巻線１３とヒータ巻線１４とにはそれぞれ
高圧電力Ｐ_Ｏおよびヒータ電力Ｐ_Ｈが発生する。高圧２
次巻線１３に生じる高圧電力Ｐ_Ｏは、高圧ダイオード１
５、１６、コンデンサ１７、１８により整流されてグネ
トロン１９に供給される。また、ヒータ巻線１４はコン
デンサ２０と共振回路を構成しており、マグネトロン１
９のカソードヒータにこの共振回路を介してヒータ電力
Ｐ_Ｈが供給されるように構成されている。２１は起動制
御回路であり、インバータの起動時、一定の時間インバ
ータ制御回路１０を制御してそのトリガ周波数_ｏを低
下させるよう構成されている。これは起動時にマグネト
ロン１９のカソードがヒートアップするまでの間に高圧
２次巻線１３に生じる無負荷電圧を低く押えるためであ
る。

第８図は、このインバータ４の動作周波数_ｏに対する
高圧電力Ｐ_Ｏ、ヒータ電力Ｐ_Ｈ、無負荷時のマグネトロ
ン１９のアノード電圧Ｖ_ＡＫＯの変化を示す図である。
_ｏが定められた定常時の周波数_ｏＩのとき、Ｐ_Ｏお
よびＰ_Ｈはそれぞれ定格値の１KWおよび４０Ｗとなるよ
う構成されている。起動時において、この_ｏＩでイン
バータ４を起動すると、無負荷時アノード電圧Ｖ_ＡＫＯ
は、２０KV以上にも達し、絶縁耐圧処理が技術的にも、
またコスト面でも難しいものになる。そのため、起動時
の一定の時間_ｏを_ｏＳまで低下させるよう起動制御
回路２１でインバータ制御回路１０を制御する構成とな
っている。_ｏ＝_ｏＳのとき、Ｖ_ＡＫＯは１０KV以下
の低い値とすることができ、一方、ヒータ回路に設けら
れたコンデンサ２０の共振作用によりＰ_Ｈは、あまり低
下せず約３０Ｗとなる。したがって、Ｐ_Ｈ＝４０Ｗの定
格時に比べてカソード加熱完了までの時間が長くなるけ
れども、異常に高いＶ_ＡＫＯを発生することなく、高周
波加熱装置を起動することができるものである。

第９図、(a)、(b)、(c)は、この高周波加熱装置の動作
周波数_ｏ、マグネトロンのアノード電圧Ｖ_ＡＫ、アノ
ード電流Ｉ_Ａが、起動時にどのように変化するかを示す
図である。同図(a)に示すように時刻ｔ＝０からｔ＝ｔ
_１までの間は、_ｏ＝_ｏＳに制御され、その後、ｔ＝
ｔ_２で、_ｏ＝_ｏＩとなるよう起動制御回路２１はイ
ンバータ制御回路１０を制御する。このため、同図(b)
のようにＶ_ＡＫはＶ_{ＡＫＯｍａｘ}＜１０KVに制御され、
同図(c)のようにｔ_１＜ｔ＜ｔ_２の間にアノード電流Ｉ
_Ａが立ち上がりＩ_ＡＩに達し定格高圧出力Ｐ_Ｏ＝１KWが
得られる。すなわち、領域Ａのプレヒート期間を経て領
域Ｂの遷移期間を経た後、領域Ｃの定常状態に達するよ
う構成されているのである。

このように_ｏを起動時に_Ｏｓに低下させること、お
よび、ヒータ回路に設けたコンデンサ２０の共振作用と
を両立させることにより、初めて起動時の異常高圧発生
を防止し、安定な起動を可能とする高周波加熱装置を実
現することができるものであった。

発明が解決しようとする問題点しかしながらこのような従来の高周波加熱装置には、次
のような欠点があった。

ヒータ電力Ｐ_Ｈは、高圧電力Ｐ_Ｏを出力する高圧２次巻
線１３と同一のコアに施されたヒータ巻線１４より供給
される構成となっている。このため、第８図に示すよう
にＰ_Ｈを_ｏに対して一定に保つことは困難であり、共
振コンデンサ２０を設けてもＰ_Ｏに比例してＰ_Ｈが変化
するのを防止できる程度であり、同図に破線で示すよう
な曲線の特性にすることができる程度であった。すなわ
ち、_ｏ＝_ｏＳまで_ｏを下げた時、Ｐ_Ｈ＝３０Ｗに
することができる程度であった。

第１０図は、ヒータ電力Ｐ_Ｈと、Ｐ_Ｈが供給されてから
カソードが十分加熱されマグネトロンが発振開始するま
での時間、すなわち発振開始時間ｔ_ｓとの関係の例を示
す図である。このように従来の技術では、異常高圧の発
生は防止できるが、起動時に十分なヒータ電力Ｐ_Ｈを供
給することが困難であるので発振開始時間ｔ_ｓが大きく
なり、定格のＰ_Ｈ（＝４００Ｗ）を供給する場合に比べ
て、数倍の時間になってしまうという欠点があった。す
なわち、第９図(c)に示した領域Ａが長くなってしまう
という結果となり、特に電子レンジなどの秒速調理がそ
の特徴である高周波加熱装置にこの技術を適用する場
合、重大な機能低下を余儀なくされるというものであっ
た。

また、第１１図(a)において、ｔ＝ｔ_１からｔ＝ｔ_２ま
での間は、ヒータ電力Ｐ_Ｈが徐々に増加していく期間で
あると同時にマグネトロンへの高圧電力Ｐ_Ｏ（すなわち
アノード電力Ｉ_Ａ）も同図(c)のように増加していく期
間である。第１１図(a)、(b)、(c)はこの_ｏが_ｏＳ
から_ｏＩに立ち上がる時にヒータ電力Ｐ_Ｈ、カソード
温度Ｔ_Ｃ、高圧電力Ｐ_Ｏがどのような関係で立ち上がる
かを示す図である。同図より明らかなように、Ｐ_Ｈの増
加に対してカソードの温度Ｔ_Ｃそのものは一定の熱時定
数を持っているのでτだけ遅れて立ち上がりｔ＝ｔ_３で
定格の温度になる。一方、Ｐ_ＯはＰ_Ｈと同時に増加して
いくのでこの間、すなわち、領域Ｂは、カソードのエミ
ッション不足又は、それに近い状態に陥りやすい期間で
ある。そして、このような領域が長く存在することは、
マグネトロンのカソードの寿命を著しく低下させる結果
となるという極めて重大な欠点があった。

また、マグネトロン１９のヒータ回路にコンデンサ２０
を設けて共振回路を構成すること自体も、カソードイン
ピーダンスが小さいこと、高電位であることなどから極
めて面倒であった。

問題点を解決するための手段本発明は、このような従来の問題点を解決するためにな
されたものであり、以下に述べる構成からなる高周波加
熱装置である。

すなわち、商用電源などから得られる電源部と、１つあ
るいはそれ以上の半導体スイッチを有するインバータ
と、このインバータにより付勢され、マグネトロンに高
圧およびヒータ電力を供給する昇圧トランスと、前記マ
グネトロンのカソードに直列に接続されたインダクタン
ス要素と、前記半導体スイッチの導通時間などを制御す
るインバータ制御部と、前記インバータの起動時に前記
インバータ制御部に変調指令を与える起動制御部とを備
え、この変調指令により前記半導体スイッチの導通時間
を定常時より小さくし、かつ、その非導通時間を定常時
より大きく制御して実質上インバータの動作周波数を低
下させるよう前記インバータ制御部を構成したものであ
る。

作用本発明は以上に述べた構成により以下に述べる作用を有
するものである。

すなわち、インバータの起動時において、起動制御部の
変調指令信号がインバータ制御部に送られ、このインバ
ータ制御部が、半導体スイッチの導通時間を定常時の導
通時間より小さくし、同時に、半導体スイッチの非導通
時間を定常時の非導通時間より大きくしてインバータの
動作周波数を低下させるものである。

半導体スイッチの導通時間が小さくなるので昇圧トラン
スの出力電圧は低く押えられ、高圧出力電圧およびヒー
タ出力電圧は共に低く制御されるが、非導通時間が大き
くなって動作周波数が低下するよう制御されるので、マ
グネトロンのカソードに直列に設けられたインダクタン
ス要素のインピーダンスが低下し、カソードに流れる電
流は、定常時の値と同等もしくはそれ以上の適切な値に
制御されるものである。従って、起動時の異常高圧発生
を防止すると同時にヒータ電力を定常時の値と同等又は
それ以上の適切な値に制御することができる。

実施例以下、本発明の一実施例について、図面と共に説明す
る。

第１図は、本発明の一実施例を示す高周波加熱装置のブ
ロック図である。同図において、電源部３１は商用電源
あるいはバッテリーなどより得られる直流または脈流電
圧の単方向電源であり、トランジスタ等の半導体スイッ
チ３２の１つ又は複数個備えたインバータ３３に電力を
供給する。インバータ制御部３４は、半導体スイッチ３
２を定められた導通時間と非導通時間とで動作させ、昇
圧トランス３５の１次巻線３６に高周波電力を供給す
る。従って昇圧トランス３５の高圧２次巻線３７とヒー
タ巻線３８には高圧電力Ｐ_Ｏとヒータ電力Ｐ_Ｈが発生
し、それぞれマグネトロン３９のアノードカソード間お
よびカソードヒータ４０に供給されるよう構成されてい
る。

カソードヒータ４０（すなわちカソード）には直列にイ
ンダクタンス要素４１が設けられ、ヒータ巻線３８の負
荷はインダクタンス要素４１とカソードヒータ４０の直
列回路となっている。

起動制御部４２は、インバータ３３の起動時に変調指令
をインバータ制御部３４に与えるものであり、この変調
指令によりインバータ制御部３４は起動時に半導体スイ
ッチ３２の導通時間を定常時より小さく、かつ、非導通
時間を定常時より大きく制御することによりインバータ
３３の出力電圧と動作周波数とを同時に低下させ、イン
ダクタンス要素４１のインピーダンスを小さくして実質
的にカソードヒータ４０に流れる電流を定常時の電流と
同等またはそれ以上の適切な値の電流にせしめるもので
ある。

この構成により、高圧２次巻線３７に発生する電圧は異
常な高電圧とならず、かつ、カソードヒータ４０には、
安定で良好な動作を保証することができるヒータ電流
（すなわちヒータ電力Ｐ_Ｈ）を供給することができる。
したがって、ヒータ回路に面倒な共振回路を構成するこ
となく、マグネトロン３９の発振開始時間を十分小さく
してスピーディーな誘電加熱開始を可能とすると共に、
カソードのエミッション不足が生じやすい状態の発生を
防止して寿命が長く、極めて高い信頼性を保証すること
ができる高周波加熱装置を実現することができる。

第２図は、第１図に示した本発明の一実施例を示す高周
波加熱装置のさらに詳しい一実施例を示す回路図であ
り、第１図と同符号のものは相当する構成要素であり説
明を省略する。

第２図に於て、商用電源５１は運転スイッチ５２を介し
てダイオードブリッジ５３に接続されると共にインバー
タ制御部３４に接続される。従って、運転スイッチ５２
が投入されるとインダクタンス５４、コンデンサ５５を
介し単方向電力がインバータ３３に供給され、同時にイ
ンバータ制御部３４および起動制御部４２が作動する。

インバータ３３は共振コンデンサ５６と、バイポーラト
ランジスタ５７、ＭＯＳＦＥＴ５８、ダイオード５９よ
り成る複合半導体スイッチ３２とにより構成され、バイ
ポーラトランジスタ５７は直流電源６０により付勢され
ＭＯＳＦＥＴ５８はインバータ制御部３４の同期発振器
６１にてその導通時間と非導通時間を制御される。

起動制御部４２は運転スイッチ５２が投入された時一定
の時間、インバータ制御部３４の同期発振器６１の動作
に変調指令を与えるものである。

ここで、第２図の実施例の動作について、第３図を参照
して説明する。

第３図は、(a)、(b)、(c)、(d)、および(e)は、複合半
導体スイッチに流れる電流Ｉc/d、それにかかる電圧Ｖ
_ＣＥ、ＭＯＳＦＥＴ５８のゲートに加えられる制御電圧
Ｖ_Ｇ、マグネトロン３９のアノードカソード間電圧Ｖ
_ＡＫ、アノード電流Ｉ_Ａの波形図である。

同期発振器６１は、同図(b)に示す点Ｐ、すなわち、コ
ンデンサ５５の電圧Ｖ_ＣＣとＶ_ＣＥがクロスした点を検
出し、その後一定時間Ｔｄだけ遅れてＭＯＳＦＥＴ５８
にＶ_Ｇを与えるよう構成され、共振コンデンサ５６と昇
圧トランス３５の１次巻線３６との共振により発生する
電圧Ｖ_ＣＥが零になるタイミングと同期してＭＯＳＦＥ
Ｔ５８をオンにする（同期制御）ものであり、スイッチ
ングロスを大幅に低減することができるよう構成されて
いる。

インバータ３３の出力は、このＭＯＳＦＥＴ５８の導通
時間Ｔｏｎと非導通時間Ｔｏｆｆの比を制御することに
より調整することができる。実際には、前述の同期制御
によりＴｏｆｆは、前記共振回路の回路定数によって決
定されるので、Ｔｏｎを制御することで、インバータ３
３の出力を調整することができる。

また、コンデンサ５５の電圧は、脈流電圧であるので、
第３図(a)、(b)のＩc/d、Ｖ_ＣＥは、同図(f)、(g)のよ
うな包絡線を持った波形となっている。

このように定常時は、同期制御により、インバータ３３
は同期発振動作を行う。しかしながら、同期発振器６１
が、インバータ３３の起動時の一定時間（例えば１〜２
秒）、起動制御部４２の変調指令により次のような変調
動作を行う。

第４図は、この変調動作時におけるＩc/d、Ｖ_ＣＥ、Ｖ
_Ｇの波形を示すものであり、第３図(a)、(b)、(c)のよ
うな同期制御は行われず、非同期制御を行うよう構成さ
れており、インバータ３３は、非同期発振動作を行うの
である。

この時のＭＯＳＦＥＴ５８の導通時間Ｔｏｎ′は、定常
時のＴｏｎに比べて小さく制御され、同時に、非導通時
間Ｔｏｆｆ′は、定常時のＴｏｆｆに比べて大きくなる
よう制御されている。そして、くり返し同期Ｔｏ′は、
定常のＴｏと比べてＴｏ＜Ｔｏ′となるよう制御されて
いる。これらＴｏｎ′、Ｔｏｎ、Ｔｏｆｆ′、Ｔｏｆ
ｆ、Ｔｏ、Ｔｏ′は、マグネトロン３９のヒータ回路に
設けられたインダクタンス要素４１ａ、および４１ｂの
インピーダンスとカソードヒータのインピーダンスとの
比をどの程度に選ぶかによって適切に設計することがで
きる。

例えば、一例を示すと次のようになる。今、第２図に示
すように、ヒータ回路のインダクダンス要素４１ａ、４
１ｂは、マグネトロンのＴＶノイズ制御用のフィルタを
構成するチョークコイルと兼用するよう構成されてい
る。従ってそのインダクタンスそれぞれは、１．８μＨ
程度に選ばれている。また、カソードヒータのインピー
ダンスは０．３Ω程度でよく実用に供されている。

このような条件のマグネトロンを用いた発明者らの実験
によれば、同期発振器６１を起動制御部４２により次の
ように変調させることにより、起動時のアノードカソー
ド間電圧Ｖ_ＡＫＯを１０KV以下に維持したうえで、起動
時のヒータ電流Ｉ_Ｈ′を、定常のＩ_Ｈより大きくするこ
とが可能であった。

すなわち、Ｔｏ＝４０μＳ、Ｔｏｎ＝９２μＳ、Ｔｏｆ
ｆ＝１１μＳに対して、Ｔｏ′＝６３μＳ、Ｔｏｎ′＝
８μＳ、Ｔｏｆｆ′＝５５μＳに変調させることによ
り、Ｉ_Ｈ＝１０．５ＡでＩ_Ｈ′＝１２Ａを実現し、極め
て安定な起動を実現することができた。

したがって、起動時のヒータ電力Ｐ_Ｈ′は、定常時のＰ
_Ｈに比べて、Ｐ_Ｈ′／Ｐ_Ｈ＝（１２Ａ／１０．５Ａ）２
≒１．３となり、極めてすみやかなヒータの加熱を実現
できるのである。

第５図は、上述の起動時の状態を示す図であり、同図
(a)〜(f)はそれぞれインバータの動作周波数_ｏ（＝１
／Ｔｏ）、Ｔｏｎ、Ｔｏｆｆ，Ｉ_Ｈ、Ｖ_ＡＫ、Ｉ_Ａが、
起動時から定常時にかけてどのように変化するかを示し
たものである。

起動制御部４２によりＴｏｎ、ＴｏｆｆがＴｏｎ′、Ｔ
ｏｆｆ′に制御されている時間ｔｓ＝１．５秒の間は、
インバータ出力が低くおさえられて、Ｖ_ＡＫＯ＝８KVに
制限されるにもかかわらず、Ｉ_Ｈ′は定常時のＩ_Ｈ＝１
０．５Ａより大きい１２Ａに制御されている。

以上のように制御することにより、高電位になるヒータ
回路に面倒な共振回路を構成することなく、異常高電圧
の発生を防止したうえでスピーディーなマグネトロンの
発振開始を実現することができ、しかも、カソードのエ
ミッション不足が生じることを防止して、極めて高い信
頼性を実現した高周波加熱装置を実現することが可能で
ある。

第６図は第２図のインバータ制御部３４、起動制御部４
２のさらに詳しい一実施例を示す回路図であり、第２図
と同符号のものは相当する機能の構成要素であり詳しい
説明を省略する。

インバータ制御部３４の同期発振器６１と、起動制御部
４２の具体的構成例を示すものであり、第３図(b)に示
した同期信号を得るために、コンデンサ５５の電圧Ｖ
_ＣＣとバイポーラトランジスタ５７のコレクタ電圧と
が、それぞれ抵抗器１００、１０１および１０２、１０
３による分割電圧としてコンパレータ１０４で検出され
る。コンパレータ１０４の立ち上り出力は、遅延回路１
０５、微分回路１０６とでパルス信号となり、オア回路
１０７を介してＲＳ−ＦＦ１０８をリセットする。ＲＳ
−ＦＦの出力はＭＯＳＦＥＴ５８のゲートを駆動し、
同時にＴｏｎを決定するオン時間タイマを起動する。オ
ン時間タイマは抵抗器１０９〜１１１、コンデンサ１１
２、ダイオード１１３、コンパレータ１１４、基準電圧
源１１５より構成されている。１１６はインバータバッ
ファでありコンパレータ１１４の出力はこれを介してＲ
Ｓ−ＦＦのＳ入力に加えられる。従って、出力がＨｉ
になってから基準電圧源１１５で決まるＴｏｎが経過す
るとがＬｏになるようにＦＦがセットされる。

ＦＦの出力Ｑは、抵抗器１１７〜１１９、コンデンサ１
２０、ダイオード１２１、コンパレータ１２２より成る
オフ時間タイマを起動するよう構成され、Ｔｏｆｆの最
大値を決定する。すなわち、コンパレータ１２２の出力
は、インバータバッファ１２３、ビブン回路１２４を介
してオア回路１０７に供給されており、ＱがＨｉ（すな
わちがＬｏでＭＯＳＦＥＴ５８がオフ）になってから
一定時間が経過しても同期信号がコンパレータ１０４に
て検出されなかった場合、ＲＳ−ＦＦを強制的にリセッ
トしをＨｉにするものである。なお、１２５はスター
ト回路でインバータの起動時１パルスだけオア回路１０
７にパルスを与え、ＲＳ−ＦＦをリセットし、この回路
を起動させるものである。

インバータ３３の定常動作時は、コンパレータ１０４よ
り同期パルスがＲＳ−ＦＦに与えられ、前述した同期発
振を行いインバータの各動作波形は第３図のようにな
る。

インバータの起動時は、抵抗器１２５〜１２８、コンデ
ンサ１２９、コンパレータ１３０、インバータバッファ
１３１、ダイオード１３２、１３３、抵抗器１３４より
成る起動制御部４２により、この同期発振状態が阻止さ
れて非同期発振状態に制御されると同時に、Ｔｏｎは定
常動作時より小さい値に制御される。

すなわち、インバータの起動時は、一定の時間ｔｓ
（１．５秒）の間、コンパレータの出力はＨｉであるの
で、抵抗器１０３は実質上短絡されてしまい、コンパレ
ータ１０４は同期信号を検出することができなくなる。
このためインバータは非同期状態となり、ＭＯＳＦＥＴ
５８の非導通時間Ｔｏｆｆはコンパレータ１２２などよ
り成るオフ時間タイマで決定される。このオフ時間を例
えば５５μＳとしておけば、第５図(c)のような状態を
実現できるわけである。

また、コンパレータ１３０の出力は同時に抵抗器１３４
により基準電圧源１１５の電圧を抵抗器１１０とで分割
してコンパレータ１１４に与えるよう動作する。したが
って、ｔｓの間のＴｏｎはこのオン時間タイマの設定時
間が小さくなるので、定常時より小さくなり、例えば、
このオン時間タイマの設定を８μＳとすることで、第５
図(b)の状態を実現できるわけである。

このように、非導通時間を制限するタイマを有する同期
発振型のインバータ制御部を構成し、インバータの起動
時に一定時間ｔｓの間、同期信号を遮断し、同時にＴｏ
ｎを定常時のＴｏｎより小さく制御することで、従来の
不都合を解消し、面倒な共振回路をヒータ回路に設ける
ことなく、スピーディーな立ち上がりと高信頼性を保証
することができる高周波加熱装置を実現することができ
る。

発明の効果以上に述べたように、本発明は、インバータの出力を昇
圧トランスを介してマグネトロンのアノードカソード間
とカソードヒータとに供給する構成とし、カソードとヒ
ータの直列にインダクタンス要素を設けると共に、イン
バータの起動時に変調指令を与える起動制御部を設け、
この変調指令によりインバータ制御部が半導体スイッチ
の導通時間を定常時より小さくし、かつ、非導通時間を
大きくすることにより実質上インバータの動作周波数を
低下させるよう構成したので、高電位になるヒータ回路
に面倒な共振回路を設けることなく、起動時の異常高電
圧の発生を防止し、しかもスピーディーなマグネトロン
の発振開始を実現することができる。さらに、起動時に
十分なカソードのプレヒートができるのでカソードのエ
ミッション不足現象の発生を防止し、カソードの劣化を
防ぐことができるので、高い信頼性を保証した高周波加
熱装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す高周波加熱装置のブロ
ック図、第２図は同装置のさらに詳しい回路を示す回路
図、第３図は同回路の各部動作波形図、第４図は同回路
の起動時における各部動作波形図、第５図は同回路の各
動作パラメータの起動時の変化を示す図、第６図は同回
路のインバータ制御部および起動制御部のさらに詳しい
回路を示す回路図、第７図は従来の高周波加熱装置の回
路図、第８図は同装置の欠点を説明する動作特性図、第
９図は同装置の起動特性図、第１０図は同装置のヒータ
電力と発振開始時間の特性図、第１１図は同装置のカソ
ード温度立ち上りの特性図である。３１……電源部、３２……半導体スイッチ、３３……イ
ンバータ、３４……インバータ制御部、３５……昇圧ト
ランス、３９……マグネトロン、４０……カソードヒー
タ、４１……インダクタンス要素、４２……起動制御
部。

フロントページの続き (72)発明者楠木慈大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (56)参考文献特開昭53−24649（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−66892（ＪＰ，Ａ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】商用電源等より得られる電源部と、少なく
とも１つの半導体スイッチを有するインバータと、前記
インバータにより付勢され、マグネトロンに高圧および
ヒータ電力を供給する昇圧トランスと、前記マグネトロ
ンのカソードに直列に接続されたインダクタンス要素
と、前記半導体スイッチの導通時間などを制御するイン
バータ制御部と、前記インバータの起動時に前記インバ
ータ制御部に変調指令を与える起動制御部とを備え、こ
の変調指令により前記半導体スイッチの導通時間を定常
時より小さく制御し、かつその非導通時間を定常時より
大きく制御することにより前記インバータの動作周波数
を低くするよう前記インバータ制御部を構成した高周波
加熱装置。
【請求項２】インダクタンス要素を前記マグネトロンの
カソードに直列に設けたノイズフィルタ用チョークコイ
ルと兼用する特許請求の範囲第１項記載の高周波加熱装
置。
【請求項３】インバータの定常動作時に、前記インダク
タンス要素のインピーダンスが前記マグネトロンのカソ
ードのインピーダンスと同等もしくはそれ以上のインピ
ーダンスとなる前記インダクタンス要素を構成した特許
請求の範囲第１項または第２項記載の高周波加熱装置。