JPH0662549U - 複合半導体装置 - Google Patents
複合半導体装置Info
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- JPH0662549U JPH0662549U JP964393U JP964393U JPH0662549U JP H0662549 U JPH0662549 U JP H0662549U JP 964393 U JP964393 U JP 964393U JP 964393 U JP964393 U JP 964393U JP H0662549 U JPH0662549 U JP H0662549U
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- composite semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複合半導体装置の運転中に生じる配線導体板
の熱膨張、収縮によるストレスが半導体チップに加わら
ないようにすること。 【構成】 配線導体板20にスリット26を設けること
により複合半導体装置の運転中に発生する熱膨張、収縮
を該スリット26で吸収することができる。従って、配
線導体板20の下部の内部端子を介して半導体チップに
ストレスを加わるのを防止することができ、複合半導体
装置自体の信頼性を向上させることができる。
の熱膨張、収縮によるストレスが半導体チップに加わら
ないようにすること。 【構成】 配線導体板20にスリット26を設けること
により複合半導体装置の運転中に発生する熱膨張、収縮
を該スリット26で吸収することができる。従って、配
線導体板20の下部の内部端子を介して半導体チップに
ストレスを加わるのを防止することができ、複合半導体
装置自体の信頼性を向上させることができる。
Description
【0001】
本考案は、絶縁ケース内に半導体チップが封入される複合半導体装置に関する ものであり、特にその外部導出端子の構造に関するものである。
【0002】
この種の複合半導体装置の概略構造を図4及び図5に示す。 なお、図4はケースを外した状態の複合半導体装置の平面図、図4はその側面 図である。 これらの図において、放熱板1上に、メタライズ層2を介してセラミック等か ら成る絶縁基板3が載置・固定されている。この絶縁基板3上に、メタライズ層 4を介して外部導出端子5が固着されている。これらの外部導出端子5の水平部 5a上には、ヒートスプレッダ6が固着され、このヒートスプレッダ6上に半導 体チップ7が固着されている。この半導体チップ7の上面に設けられた電極面に は、所定の形状の内部端子8が固着されている。これらの内部端子8同士は、平 面形状略T字状の配線導体板9及び平面形状略短冊状の配線導体板10により接 続されている。
【0003】 これらの各部材を包囲するように両端開口の絶縁ケース11が放熱板1上に固 着され、該絶縁ケース11の内部に、流動化された封止樹脂が充填され、その後 硬化される。 以上のような構造を有する複合半導体装置は、図示を省略した外部部材に放熱 板1の両端に設けた透孔1aを介して取り付けて使用される。しかし、上記従来 の複合半導体装置の構造には次のような問題点がある。
【0004】
すなわち、従来の複合半導体装置では、半導体チップ7の電極面の内部端子8 ,8間を跨ぐように接続した配線導体板9,10が、複合半導体装置の運転中に 熱膨張、収縮を受け、内部端子8を介して接続された半導体チップ7にストレス を加えてしまい複合半導体装置自体の信頼性を低下させてしまうという解決すべ き課題があった。
【0005】
本考案は、上記のような課題を解決するためになされたもので、複合半導体装 置の運転中の熱膨張、収縮を吸収し得るスリットを配線導体板に設け、半導体チ ップにはそれら熱膨張、収縮によるストレスが加わらないようにして、信頼性を 向上させた複合半導体装置を提供することを目的とするものである。
【0006】
本考案の複合半導体装置は、放熱板上に絶縁基板が積層され、該絶縁基板の上 面にはんだ固着される外部導出端子を備え、さらに、該絶縁基板の上面に複数の 半導体チップがはんだ固着され、該半導体チップ間を跨ぐように配線導体板によ り接続した複合半導体装置において、前記配線導体板の長手方向に沿ってスリッ トを形成したことを特徴とするものである。
【0007】
本考案の複合半導体装置は、配線導体板にその長手方向に沿ってスリットを設 けたので、複合半導体装置の運転中に生じる熱膨張、収縮を該スリットで吸収す ることができる。従って、該配線導体板の下部に位置する半導体チップにはスト レスを加えず、複合半導体装置自体の信頼性を向上させることができる。
【0008】
以下に、本考案の実施例を図を参照して詳細に説明する。 図1は本考案の一実施例を示す複合半導体装置に使用する配線導体板の斜視図 である。 図において、配線導体板20には、図2及び図3に示す内部端子8への接続部 となる水平部21と、この水平部21から段差を有するように折曲げられた水平 延在部22と、この水平延在部22から略直角に折曲げられた端子部23とが一 体的に形成されている。上記水平部21には、内部端子8(図3参照)の突起に 挿通するための透孔24が設けられている。また、端子部23にも外部部材をね じ止めするための透孔25が設けられている。 上記水平部21及び水平延在部22に対し、その中央部長手方向に沿ってスリ ット26が形成されている。
【0009】 上記のように構成の配線導体板20を使用して図2及び図3に示すような複合 半導体装置を組み立てる。 すなわち、従来と同様に放熱板1上に、メタライズ層2を介してセラミック等 から成る絶縁基板3が載置・固定される。この絶縁基板3上に、メタライズ層4 を介して外部導出端子5が固着される。これらの外部導出端子5上には、ヒート スプレッダ6が固着され、このヒートスプレッダ6上に半導体チップ7が固着さ れる。この半導体チップ7の上面に設けられた電極面には、所定の形状の内部端 子8が固着される。この内部端子8同士は、スリット26を有する平面形状略T 字状の配線導体板20及び平面形状略短冊状の配線導体板10により接続される 。
【0010】 これらの各部材を包囲するように両端開口の絶縁ケース11が放熱板1上に固 着され、該絶縁ケース11の内部に、封止樹脂が充填され硬化される。 上記のようなスリット26を有する配線導体板20を使用することにより複合 半導体装置の運転中に生じる熱膨張、収縮を該スリット26で吸収できるように なる。このため、内部端子8を介して固着された下部の半導体チップ7へストレ スを加えることががなくなり複合半導体装置自体の信頼性が向上する。 なお、上記の実施例において、平面形状略短冊状の配線導体板10に対しても 幅方向のスリット10aを形成するようにしても良く、この場合にも上記と同様 に熱膨張、収縮を吸収する効果が生じる。
【0011】
【考案の効果】 以上のように、本考案の複合半導体装置は、配線導体板にスリットを設けたの で、複合半導体装置の運転中に発生する熱膨張、収縮を該スリットで吸収するこ とができる。従って、配線導体板の下部の半導体チップにストレスを加わるのを 防止することができ、複合半導体装置自体の信頼性を向上させることができる。
【図1】本考案の複合半導体装置に使用する配線導体板
の斜視図である。
の斜視図である。
【図2】絶縁ケースを外した状態の本考案の複合半導体
装置の平面図である。
装置の平面図である。
【図3】上記複合半導体装置の一部を断面とした側面図
である。
である。
【図4】絶縁ケースを外した状態の従来の複合半導体装
置の平面図である。
置の平面図である。
【図5】上記従来の複合半導体装置の一部を断面とした
側面図である。
側面図である。
1 放熱板 2,4 メタライズ層 3 絶縁基板 5 外部導出端子 6 ヒートスプレッダ 7 半導体チップ 8 内部端子 9,10 配線導体板 11 絶縁ケース 20 配線導体板 21 水平部 22 水平延在部 23 垂直部 24,25 透孔 26 スリット
Claims (1)
- 【請求項1】 放熱板上に絶縁基板が積層され、該絶縁
基板の上面にはんだ固着される外部導出端子を備え、さ
らに、該絶縁基板の上面に複数の半導体チップがはんだ
固着され、該半導体チップ間を跨ぐように配線導体板に
より接続した複合半導体装置において、前記配線導体板
の長手方向に沿ってスリットを形成したことを特徴とす
る複合半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1993009643U JP2605434Y2 (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 複合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1993009643U JP2605434Y2 (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 複合半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0662549U true JPH0662549U (ja) | 1994-09-02 |
JP2605434Y2 JP2605434Y2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=11725908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1993009643U Expired - Lifetime JP2605434Y2 (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 複合半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2605434Y2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011014818A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-02-12 JP JP1993009643U patent/JP2605434Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011014818A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2605434Y2 (ja) | 2000-07-17 |
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