JP2605434Y2 - 複合半導体装置 - Google Patents
複合半導体装置Info
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- JP2605434Y2 JP2605434Y2 JP1993009643U JP964393U JP2605434Y2 JP 2605434 Y2 JP2605434 Y2 JP 2605434Y2 JP 1993009643 U JP1993009643 U JP 1993009643U JP 964393 U JP964393 U JP 964393U JP 2605434 Y2 JP2605434 Y2 JP 2605434Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- composite semiconductor
- wiring conductor
- conductor plate
- slit
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、絶縁ケース内に半導体
チップが封入される複合半導体装置に関するものであ
り、特にその外部導出端子の構造に関するものである。
チップが封入される複合半導体装置に関するものであ
り、特にその外部導出端子の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の複合半導体装置の概略構造を図
４及び図５に示す。なお、図４はケースを外した状態の
複合半導体装置の平面図、図５はその側面図である。こ
れらの図において、放熱板１上に、メタライズ層２を介
してセラミック等から成る絶縁基板３が載置・固定され
ている。この絶縁基板３上に、メタライズ層４を介して
外部導出端子５が固定されている。これらの外部導出端
子５の水平部５ａ上には、ヒートスプレッダ６が固着さ
れ、このヒートスプレッダ６上に半導体チップ７が固着
されている。この半導体チップ７上の上面に設けられた
電極面には、所定の形状の内部端子８が固着されてい
る。これらの内部端子８同士は、平面形状略Ｔ字状の配
線導体板９及び平面形状略短冊状の配線導体板１０によ
り接続されている。
４及び図５に示す。なお、図４はケースを外した状態の
複合半導体装置の平面図、図５はその側面図である。こ
れらの図において、放熱板１上に、メタライズ層２を介
してセラミック等から成る絶縁基板３が載置・固定され
ている。この絶縁基板３上に、メタライズ層４を介して
外部導出端子５が固定されている。これらの外部導出端
子５の水平部５ａ上には、ヒートスプレッダ６が固着さ
れ、このヒートスプレッダ６上に半導体チップ７が固着
されている。この半導体チップ７上の上面に設けられた
電極面には、所定の形状の内部端子８が固着されてい
る。これらの内部端子８同士は、平面形状略Ｔ字状の配
線導体板９及び平面形状略短冊状の配線導体板１０によ
り接続されている。
【０００３】これらの各部材を包囲するように両端開口
の絶縁ケース１１が放熱板１上に固着され、該絶縁ケー
ス１１の内部に、流動化された封止樹脂が充填され、そ
の後硬化される。以上のような構造を有する複合半導体
装置は、図示を省略した外部部材に放熱板１の両端に設
けた透孔１ａを介して取り付けて使用される。しかし、
上記従来の複合半導体装置の構造には次のような問題点
がある。
の絶縁ケース１１が放熱板１上に固着され、該絶縁ケー
ス１１の内部に、流動化された封止樹脂が充填され、そ
の後硬化される。以上のような構造を有する複合半導体
装置は、図示を省略した外部部材に放熱板１の両端に設
けた透孔１ａを介して取り付けて使用される。しかし、
上記従来の複合半導体装置の構造には次のような問題点
がある。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】すなわち、従来の複合
半導体装置では、半導体チップ７の電極面の内部端子
８，８間を跨ぐように接続した配線導体板９，１０が、
複合半導体装置の運転中に熱膨張、収縮を受け、内部端
子８を介して接続された半導体チップ７にストレスを加
えてしまい複合半導体装置自体の信頼性を低下させてし
まうという解決すべき課題があった。
半導体装置では、半導体チップ７の電極面の内部端子
８，８間を跨ぐように接続した配線導体板９，１０が、
複合半導体装置の運転中に熱膨張、収縮を受け、内部端
子８を介して接続された半導体チップ７にストレスを加
えてしまい複合半導体装置自体の信頼性を低下させてし
まうという解決すべき課題があった。
【０００５】
【考案の目的】本考案は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、複合半導体装置の運転中の熱膨
張、収縮を吸収し得るスリットを配線導体板に設け、半
導体チップにはそれら熱膨張、収縮によるストレスが加
わらないようにして、信頼性を向上させた複合半導体装
置を提供することを目的とするものである。
ためになされたもので、複合半導体装置の運転中の熱膨
張、収縮を吸収し得るスリットを配線導体板に設け、半
導体チップにはそれら熱膨張、収縮によるストレスが加
わらないようにして、信頼性を向上させた複合半導体装
置を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本考案の複合半導体装
置は、放熱板上に絶縁基板が積層され、該絶縁基板の上
面に半田固着される外部導出端子を備え、さらに、該絶
縁基板の上面に複数の半導体チップが半田固着され、該
半導体チップ間を跨ぐように配線導体板により接続した
複合半導体装置において、前記配線導体板の長手方向に
沿ってスリットが形成され、該スリットにより分割され
た一方の水平部は、前記半導体チップの一つに接続さ
れ、他方の水平部は、他方の半導体チップの一つに接続
されたことを特徴とするものである。
置は、放熱板上に絶縁基板が積層され、該絶縁基板の上
面に半田固着される外部導出端子を備え、さらに、該絶
縁基板の上面に複数の半導体チップが半田固着され、該
半導体チップ間を跨ぐように配線導体板により接続した
複合半導体装置において、前記配線導体板の長手方向に
沿ってスリットが形成され、該スリットにより分割され
た一方の水平部は、前記半導体チップの一つに接続さ
れ、他方の水平部は、他方の半導体チップの一つに接続
されたことを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】本考案の複合半導体装置は、配線導体板にその
長手方向に沿ってスリットを設けたので、複合半導体装
置の運転中に生じる熱膨張、収縮を該スリットで吸収す
ることができる。従って、該配線導体板の下部に位置す
る半導体チップにはストレスを加えず、複合半導体装置
自体の信頼性を向上させることができる。
長手方向に沿ってスリットを設けたので、複合半導体装
置の運転中に生じる熱膨張、収縮を該スリットで吸収す
ることができる。従って、該配線導体板の下部に位置す
る半導体チップにはストレスを加えず、複合半導体装置
自体の信頼性を向上させることができる。
【０００８】
【実施例】以下に本考案の実施例を、図を参照して詳細
に説明する。図１は、本考案の一実施例を示す複合半導
体装置に使用する配線導体板の斜視図である。図におい
て、配線導体板２０には、図２及び図３に示す内部端子
８への接続部となる水平部２１と、この水平部２１から
段差を有するように折り曲げられた水平延在部２２と、
この水平延在部２２から略直角に折り曲げられた端子部
２３とが一体的に形成されている。上記水平部２１に
は、内部端子８（図３参照）の突起に挿通するための透
孔２４が設けられている。また、端子部２３にも外部部
材をねじ止めするための透孔２５が設けられている。上
記水平部２１及び水平延在部２２に対し、その中央部長
手方向に沿ってスリット２６が形成されている。従っ
て、水平部２１及び水平延在部２２は、スリットにより
分割されていることになる。
に説明する。図１は、本考案の一実施例を示す複合半導
体装置に使用する配線導体板の斜視図である。図におい
て、配線導体板２０には、図２及び図３に示す内部端子
８への接続部となる水平部２１と、この水平部２１から
段差を有するように折り曲げられた水平延在部２２と、
この水平延在部２２から略直角に折り曲げられた端子部
２３とが一体的に形成されている。上記水平部２１に
は、内部端子８（図３参照）の突起に挿通するための透
孔２４が設けられている。また、端子部２３にも外部部
材をねじ止めするための透孔２５が設けられている。上
記水平部２１及び水平延在部２２に対し、その中央部長
手方向に沿ってスリット２６が形成されている。従っ
て、水平部２１及び水平延在部２２は、スリットにより
分割されていることになる。
【０００９】上記のように構成の配線導体板２０を使用
して図２及び図３に示すような複合半導体装置を組み立
てる。すなわち、従来と同様に放熱板１上、メタライズ
層２を介してセラミック等から成る絶縁基板３が載置・
固定される。この絶縁基板３上に、メタライズ層４を介
して外部導出端子５が固定される。これらの外部導出端
子５上には、ヒートスプレッダ６が固着され、このヒー
トスプレッダ６上に半導体チップ７が固着されている。
この半導体チップ７の上面に設けられた電極面には、所
定の形状の内部端子８が固着される。この内部端子８同
士は、スリット２６を有する平面形状略Ｔ字状の配線導
体板２０及び平面形状略短冊状の配線導体板１０により
接続される。スリットにより分割された水平部２１の一
方の水平部には、一つの半導体チップが、他方の水平部
には、他方の半導体チップの一つが接続される。
して図２及び図３に示すような複合半導体装置を組み立
てる。すなわち、従来と同様に放熱板１上、メタライズ
層２を介してセラミック等から成る絶縁基板３が載置・
固定される。この絶縁基板３上に、メタライズ層４を介
して外部導出端子５が固定される。これらの外部導出端
子５上には、ヒートスプレッダ６が固着され、このヒー
トスプレッダ６上に半導体チップ７が固着されている。
この半導体チップ７の上面に設けられた電極面には、所
定の形状の内部端子８が固着される。この内部端子８同
士は、スリット２６を有する平面形状略Ｔ字状の配線導
体板２０及び平面形状略短冊状の配線導体板１０により
接続される。スリットにより分割された水平部２１の一
方の水平部には、一つの半導体チップが、他方の水平部
には、他方の半導体チップの一つが接続される。
【００１０】これらの各部材を包囲するように両端開口
の絶縁ケース１１が放熱板１上に固着され、該絶縁ケー
ス１１の内部に、封止樹脂が充填され硬化される。上記
のようなスリット２６を有する配線導体板２０を使用す
ることにより複合半導体装置の運転中に生じる熱膨張、
収縮を該スリット２６で吸収できるようになる。このた
め、内部端子８を介して固着された下部の半導体チップ
７へストレスを加えることががなくなり複合半導体装置
自体の信頼性が向上する。なお、上記の実施例におい
て、平面形状略短冊状の配線導体板１０に対しても幅方
向のスリット１０ａを形成するようにしても良く、この
場合にも上記と同様に熱膨張、収縮を吸収する効果が生
じる。
の絶縁ケース１１が放熱板１上に固着され、該絶縁ケー
ス１１の内部に、封止樹脂が充填され硬化される。上記
のようなスリット２６を有する配線導体板２０を使用す
ることにより複合半導体装置の運転中に生じる熱膨張、
収縮を該スリット２６で吸収できるようになる。このた
め、内部端子８を介して固着された下部の半導体チップ
７へストレスを加えることががなくなり複合半導体装置
自体の信頼性が向上する。なお、上記の実施例におい
て、平面形状略短冊状の配線導体板１０に対しても幅方
向のスリット１０ａを形成するようにしても良く、この
場合にも上記と同様に熱膨張、収縮を吸収する効果が生
じる。
【００１１】
【考案の効果】以上のように、本考案の複合半導体装置
は、配線導体板にスリットを設けたので、複合半導体装
置の運転中に発生する熱膨張、収縮を該スリットで吸収
することができる。従って、配線導体板の下部の半導体
チップにストレスを加わるのを防止することができ、複
合半導体装置自体の信頼性を向上させることができる。
は、配線導体板にスリットを設けたので、複合半導体装
置の運転中に発生する熱膨張、収縮を該スリットで吸収
することができる。従って、配線導体板の下部の半導体
チップにストレスを加わるのを防止することができ、複
合半導体装置自体の信頼性を向上させることができる。
【図１】本考案の複合半導体装置に使用する配線導体板
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２】絶縁ケースを外した状態の本考案の複合半導体
装置の平面図である。
装置の平面図である。
【図３】上記複合半導体装置の一部を断面とした側面図
である。
である。
【図４】絶縁ケースを外した状態の従来の複合半導体装
置の平面図である。
置の平面図である。
【図５】上記従来の複合半導体装置の一部を断面とした
側面図である。
側面図である。
１ 放熱板 ２，４ メタライズ層 ３ 絶縁基板 ５ 外部導出端子 ６ ヒートスプレッダ ７ 半導体チップ ８ 内部端子 ９，１０ 配線導体板 １１ 絶縁ケース ２０ 配線導体板 ２１ 水平部 ２２ 水平延在部 ２３ 垂直部 ２４，２５ 透孔 ２６ スリット
Claims (1)
- 【請求項１】 放熱板上に絶縁基板が積層され、該絶縁
基板の上面に半田固着される外部導出端子を備え、さら
に、該絶縁基板の上面に複数の半導体チップが半田固着
され、該半導体チップ間を跨ぐように配線導体板により
接続した複合半導体装置において、 前記配線導体板の長手方向に沿ってスリットが形成さ
れ、該スリットにより分割された一方の水平部は、前記
半導体チップの一つに接続され、他方の水平部は、他方
の半導体チップの一つに接続されたことを特徴とする複
合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993009643U JP2605434Y2 (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 複合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993009643U JP2605434Y2 (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 複合半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0662549U JPH0662549U (ja) | 1994-09-02 |
| JP2605434Y2 true JP2605434Y2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=11725908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1993009643U Expired - Lifetime JP2605434Y2 (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 複合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2605434Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5532708B2 (ja) * | 2009-07-06 | 2014-06-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-02-12 JP JP1993009643U patent/JP2605434Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0662549U (ja) | 1994-09-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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