JPH0661835A - スリーステートバッファ回路 - Google Patents

スリーステートバッファ回路

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Publication number
JPH0661835A
JPH0661835A JP4209893A JP20989392A JPH0661835A JP H0661835 A JPH0661835 A JP H0661835A JP 4209893 A JP4209893 A JP 4209893A JP 20989392 A JP20989392 A JP 20989392A JP H0661835 A JPH0661835 A JP H0661835A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
level
state
input
state buffer
tri
Prior art date
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Pending
Application number
JP4209893A
Other languages
English (en)
Inventor
Kouji Takamasu
広司 高増
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd filed Critical NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Priority to JP4209893A priority Critical patent/JPH0661835A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】スリーステートバッファ回路を用いた内部バス
ラインを、ダイレクトにイニシャライズを行い、バスラ
インのフローティングを防止し、テストパターンを簡略
化すること。 【構成】内部信号a,cとコントロール信号b,dとを
持つスリーステートバッファ1,1′のコントロール信
号b,dとは別のテスト信号を設け、2入力ANDゲー
ト2,2′の入力となし、前記2入力ANDゲート2,
2′の出力を前記スリーステートバッファ1,1′のコ
ントロール信号とし、前記テスト信号をゲート入力とす
るPchMOSトランジスタ3を有し、そのドレインを
前記スリーステートバッファ1,1′の出力に接続す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はスリーステートバッファ
回路に関し、特に半導体集積回路に搭載するスリーステ
ートバッファ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のスリーステートバッファ回路の一
例は、図3に示すように、入力信号k,mとコントロー
ル信号l,nとを有しており、使用する場合は次段のト
ランジスタがフローティングとならないように少なくと
も2個以上はスリーステートバッファ11′,11の出
力同士をショートさせ、必ずどちらかが常に信号を出す
ようにしている。
【0003】次に動作について説明する。入力信号kが
Hレベルでコントロール信号lがHレベル,入力信号m
がLレベルでコントロール信号nがLレベルの条件で
は、スリーステートバッファ11はイネーブルとなって
おり、スリーステートバッファ11′はディゼーブルと
なっている。したがって、出力信号としては、信号k
を、スルーで伝達されて、得れらる。
【0004】また、従来例のもう1つの例として、図4
に示したように、スリーステートバッファ12,12′
とインバータ13,13′を有するスリーステート回路
があるが、次にこの動作について説明する。図4の動作
は、図3と全く同じであるが、バスラインのフローティ
ング防止のため、インバータ13,13′によるラッチ
回路を有している。内部信号o,q,コントロール信号
p,rがある。
【0005】次に、テスト方法を説明する。図3,図4
も同様であるが、半導体集積回路に搭載した場合、スリ
ーステートバッファ回路単一ではなく、少なくとも2個
以上の出力端子をショートさせたバス構成で使用され
る。この場合、コントロール端子は出力端子のレベルが
Hレベル,Lレベルとショートしないようにコントロー
ルしたり、出力端子のレベルがすべてハイインピーダン
ス状態になり、バスラインがフローティングしないよう
にコントロールする必要がある。
【0006】実際には、スリーステートバッファ回路が
搭載された半導体集積回路(以下LSIと称す)をLS
Iテスタでテストする場合、前述したコントロール端子
は入力端子からの制御により設定されるが、スリーステ
ートバッファ回路の本数が多くなる場合や、コントロー
ル端子が他の搭載回路から影響される場合等は、その制
御がきわめて複雑になる。
【0007】また、LSIの基本特性である電源電圧測
定(以下IDD測定と称す)の場合もコントロール端子
を制御し、バスフローティングやバスファイトが生じな
いようにする必要がある。
【0008】更に、他の回路の入力信号の設定も制御し
てIDDの流れない入力状態設定をする必要があるが、
その制御がきわめて複雑である。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のスリ
ーステートバッファ回路では、前述したように、内部バ
ス構成として使用するため、スリーステートバッファ回
路の本数が増加するに従ってコントロール信号も増加す
る。
【0010】またコントロール信号に順序回路が接続さ
れた場合には、バスラインをイニシャライズするための
テストパターンが膨大な長さになり、かつ複雑になると
いう問題点があった。
【0011】特に図4に示したスリーステートバッファ
12,12′では、ゲートフローティング防止には有効
であるが、負荷となるラッチ回路があるため、スリース
テートバッファ回路のスピードを遅くするという問題点
があった。
【0012】本発明の目的は、前記問題点を解決し、制
御が簡単で、スピードも低下しないようにしたスリース
テートバッファ回路を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明のスリーステート
バッファ回路の構成は、少なくとも1個のスリーステー
トバッファを有し、前記スリーステートバッファを制御
する信号を出力するAND又はNANDゲートを設け、
前記AND又はNANDゲートの第1の入力となるテス
ト信号が印加される端子を設け、前記AND又はNAN
Dゲートの第2の入力としてコントロール信号が印加さ
れ、前記テスト信号がゲートに入力されるトランジスタ
を設け、前記トランジスタのドレイン又はソースを前記
スリーステートバッファの出力に接続したことを特徴と
する。
【0014】
【実施例】図1は本発明の第1の実施例のスリーステー
トバッファ回路をバス構成して表わした回路図である。
【0015】図1において、本実施例によると、テスト
信号を入力するテスト端子eを1つと、スリーステート
バッファ(以下スリーステートと略す)1,1′と、2
入力ANDゲート2,2′と、スリーステート1,1′
の出力端子に接続したPchMOSトランジスタ3とを
含み、構成されている。
【0016】さらに、テスト端子eとPchMOSトラ
ンジスタ3のゲートとの間には、入力バッファ4,イン
バータ5とがあり、入力信号としては、内部信号a,
c,コントロール信号b,dとがある。
【0017】そして、この内部バスは、テスト端子eに
Hレベルが入力される時に、2入力ANDゲート2,
2′の出力をLレベルに設定し、スリーステート1,
1′の出力をHz状態とする。
【0018】また、テスト端子eから入力された入力信
号は、入力バッファ4,インバータ5を経て、PchM
OSトランジスタ3のゲートに伝達され、スリーステー
ト1,1′がHz状態にあると同時に、PchMOSト
ランジスタ3はONすることになる。
【0019】従って、バスラインは、Hレベルに固定す
ることができる。これは、入力信号a,c,コントロー
ル信号b,dがいかなる値を持っていてもテスト端子e
にHレベルを入力することにより、強制的にスリーステ
ート1,1′の出力をHz状態にすることが出来、更に
PchMOSトランジスタ3によりバスラインをフロー
ティングさせることなく、強制的にHクランプすること
ができる。
【0020】即ち、本実施例のスリーステートバッファ
回路は、入力信号とコントロール信号を持つスリーステ
ートバッファ回路のコントロール信号と別のテスト信号
を設け、2入力AND回路の入力となし、前記2入力A
ND回路の出力を前記スリーステートバッファ回路のコ
ントロール信号とし、前記テスト信号をゲート入力とす
るPchMOSトランジスタを設け、そのドレインを前
記スリーステートバッファ回路に接続したことを特徴と
する。
【0021】図2は本発明の第2の実施例の回路図であ
る。図2において、本実施例は、スリーステート6,
6′をLアクティブに変更し、テスト端子jからの信号
を、図1の2入力ANDゲート2,2′から2入力NA
NDゲート7,7′に変換した回路である。
【0022】さらに、入力バッファ9,インバータ1
0,PchMOSトランジスタ8があり、ローアクティ
ブのスリーステートバッファ6,6′等に直接又は間接
的に入力される内部信号f,h,コントロール信号g,
iがある。こういった回路であっても、1本のテスト端
子jにより、強制的にスリーステート6,6′の出力を
Hz状態に決めることができ、またPchMOSトラン
ジスタ8でバスラインをHクランプすることができる。
また、PchMOSトランジスタ8をNchMOSトラ
ンジスタに変更しても、論理変換さえ行えば、同様の効
果を得ることができる。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、テスト
端子を用いることにより、容易に入力信号やコントロー
ル信号等がいかなるレベルであっても、強制的にスリー
ステートバッファの出力をHz状態に決めるとともに、
Hクランプすることができるため、コントロール信号に
順序回路が接続していたとしても、バスラインをダイレ
クトにイニシャライズすることができ、またバスライン
にフローティング防止用ラッチ回路を必要としないた
め、従来と同等のスピードを維持することができるとい
う効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例のスリーステートバッフ
ァ回路を示す回路図である。
【図2】本発明の第2の実施例のスリーステートバッフ
ァ回路を示す回路図である。
【図3】従来の一例のスリーステートバッファ回路を示
す回路図である。
【図4】従来の他例のスリーステートバッファ回路を示
す回路図である。
【符号の説明】
1,1′,11,11′,12,12′ スリーステ
ートバッファ 2,2′ 2入力ANDゲート 3,8 PchMOSトランジスタ 4,9 入力バッファ 5,10 インバータ 6 スリーステートバッファ(ローアクティブ) 7,7′ 2入力NANDゲート a,c,f,h,k,m,o,q 入力信号 b,d,g,i,l,p コントロール信号 e,j テスト端子

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも1個のスリーステートバッフ
    ァを有し、前記スリーステートバッファを制御する信号
    を出力するAND又はNANDゲートを設け、前記AN
    D又はNANDゲートの第1の入力となるテスト信号が
    印加される端子を設け、前記AND又はNANDゲート
    の第2の入力としてコントロール信号が印加され、前記
    テスト信号がゲートに入力されるトランジスタを設け、
    前記トランジスタのドレイン又はソースを前記スリース
    テートバッファの出力に接続したことを特徴とするスリ
    ーステートバッファ回路。
  2. 【請求項2】 複数のスリーステートバッファがある場
    合には、これらスリーステートバッファの出力同士が互
    いに接続され、各バッファごとに前記AND又はNAN
    Dゲートが設けられる請求項1に記載のスリーステート
    バッファ回路。
JP4209893A 1992-08-06 1992-08-06 スリーステートバッファ回路 Pending JPH0661835A (ja)

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JP4209893A JPH0661835A (ja) 1992-08-06 1992-08-06 スリーステートバッファ回路

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JP4209893A JPH0661835A (ja) 1992-08-06 1992-08-06 スリーステートバッファ回路

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JPH0661835A true JPH0661835A (ja) 1994-03-04

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ID=16580396

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JP4209893A Pending JPH0661835A (ja) 1992-08-06 1992-08-06 スリーステートバッファ回路

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19990622