JPS6323508B2 - - Google Patents
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- JPS6323508B2 JPS6323508B2 JP58022970A JP2297083A JPS6323508B2 JP S6323508 B2 JPS6323508 B2 JP S6323508B2 JP 58022970 A JP58022970 A JP 58022970A JP 2297083 A JP2297083 A JP 2297083A JP S6323508 B2 JPS6323508 B2 JP S6323508B2
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- circuit
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- clock
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Links
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- KIWSYRHAAPLJFJ-DNZSEPECSA-N n-[(e,2z)-4-ethyl-2-hydroxyimino-5-nitrohex-3-enyl]pyridine-3-carboxamide Chemical compound [O-][N+](=O)C(C)C(/CC)=C/C(=N/O)/CNC(=O)C1=CC=CN=C1 KIWSYRHAAPLJFJ-DNZSEPECSA-N 0.000 description 3
- 206010065929 Cardiovascular insufficiency Diseases 0.000 description 1
- 238000006880 cross-coupling reaction Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/15—Arrangements in which pulses are delivered at different times at several outputs, i.e. pulse distributors
- H03K5/151—Arrangements in which pulses are delivered at different times at several outputs, i.e. pulse distributors with two complementary outputs
- H03K5/1515—Arrangements in which pulses are delivered at different times at several outputs, i.e. pulse distributors with two complementary outputs non-overlapping
Description
【発明の詳細な説明】
〔本発明の分野〕
本発明は、一般的には、クロツク回路に関する
ものであり、特に、レベル・センシテイブ・スキ
ヤン・デザイン(LSSD)に適合するクロツク・
ドライバ回路に関するものである。
ものであり、特に、レベル・センシテイブ・スキ
ヤン・デザイン(LSSD)に適合するクロツク・
ドライバ回路に関するものである。
交差結合されたラツチ型のクロツク・ドライバ
回路を有する集積回路をテストするための、
LSSD技術の実施には、問題が生じている。テス
ト・モードでは、クロツク・ドライバのラツチ機
能は、内部のシフト回路がLSSDテストの間中テ
ストが実行されるように、テスト入力に対して透
過でなければならない。LSSDテスト技術は、例
えば、米国特許第3761695号に示されている。
回路を有する集積回路をテストするための、
LSSD技術の実施には、問題が生じている。テス
ト・モードでは、クロツク・ドライバのラツチ機
能は、内部のシフト回路がLSSDテストの間中テ
ストが実行されるように、テスト入力に対して透
過でなければならない。LSSDテスト技術は、例
えば、米国特許第3761695号に示されている。
選択的に透過になる、即ち、ある条件下で迂回
され得る論理回路を提供する試みが、従来、なさ
れてきた。例えば、米国特許第4286173号は、第
1のANDゲートを付勢し、そしてその他のAND
ゲートを滅勢すべく、制御線を選択的にターン・
オンすることにより、論理ブロツクを迂回するこ
とができるような、論理ブロツクへの論理回路入
力を開示している。論理回路を選択的に迂回する
他の試みが、米国特許第4241307号、第3882390号
及び第3815025号に、示されている。しかしなが
ら、先行技術のこれらの試みはいずれも、LSSD
テスト技術に適合できるような、選択的に透過に
なるクロツク・ドライバ・ラツチ動作回路を、提
供するものではない。
され得る論理回路を提供する試みが、従来、なさ
れてきた。例えば、米国特許第4286173号は、第
1のANDゲートを付勢し、そしてその他のAND
ゲートを滅勢すべく、制御線を選択的にターン・
オンすることにより、論理ブロツクを迂回するこ
とができるような、論理ブロツクへの論理回路入
力を開示している。論理回路を選択的に迂回する
他の試みが、米国特許第4241307号、第3882390号
及び第3815025号に、示されている。しかしなが
ら、先行技術のこれらの試みはいずれも、LSSD
テスト技術に適合できるような、選択的に透過に
なるクロツク・ドライバ・ラツチ動作回路を、提
供するものではない。
それ故に、本発明の目的は、LSSDテスト技術
に適合できるように選択的に透過になるラツチ動
作のクロツク・ドライバ回路を提供することであ
る。
に適合できるように選択的に透過になるラツチ動
作のクロツク・ドライバ回路を提供することであ
る。
本発明の目的、特徴及び利点は、以下に示され
るクロツク・ドライバ回路により達成される。そ
れは、LSSDテストの実行を可能にする、交差結
合されたラツチ型のクロツク・ドライバ回路であ
る。通常の動作では、回路は、1組の入力クロツ
ク波形が重複しないように働らく。これは、低い
状態を制御信号入力へ印加することにより達成さ
れる。即ち、この低い状態は、入力クロツク波形
に接続される第1及び第2のNOR論理素子の間
に、導通した交差結合の接続を提供することによ
り、回路に入力クロツク波形でラツチ動作を実行
させる。それで、NOR素子の出力は、確実に重
複しないことになる。テスト・モードでは、
LSSDテストが実行されるようにするため、入力
クロツク波形は、ラツチされてはならない。これ
は、高い状態を制御信号入力へ印加することによ
り達成される。即ち、この高い状態は、NOR論
理素子間の交差結合された接続を使用禁止にす
る。それで、回路は、入力クロツク波形に対して
透過になり、テスト動作が実行され得る。回路の
通常のモードからテスト・モードへの変換は、不
注意な電流サージを防ぐために、段階的に生じる
遅延動作で、実行される。
るクロツク・ドライバ回路により達成される。そ
れは、LSSDテストの実行を可能にする、交差結
合されたラツチ型のクロツク・ドライバ回路であ
る。通常の動作では、回路は、1組の入力クロツ
ク波形が重複しないように働らく。これは、低い
状態を制御信号入力へ印加することにより達成さ
れる。即ち、この低い状態は、入力クロツク波形
に接続される第1及び第2のNOR論理素子の間
に、導通した交差結合の接続を提供することによ
り、回路に入力クロツク波形でラツチ動作を実行
させる。それで、NOR素子の出力は、確実に重
複しないことになる。テスト・モードでは、
LSSDテストが実行されるようにするため、入力
クロツク波形は、ラツチされてはならない。これ
は、高い状態を制御信号入力へ印加することによ
り達成される。即ち、この高い状態は、NOR論
理素子間の交差結合された接続を使用禁止にす
る。それで、回路は、入力クロツク波形に対して
透過になり、テスト動作が実行され得る。回路の
通常のモードからテスト・モードへの変換は、不
注意な電流サージを防ぐために、段階的に生じる
遅延動作で、実行される。
LSSDテストの実行を可能にする、交差結合さ
れたラツチ型のクロツク・ドライバ回路が示され
る。通常の動作では、信号T0は低く、それ故
に、インバータ5はFET装置6及び7のゲート
に正の信号を印加し、それで、NOR2とNOR4
の間の交差結合された接続の導通は、維持され
る。テスト・モードでは、T0は高く、これは、
NOR2とNOR4の間の交差結合された接続を使
用禁止にする。従つて、第1図の交差結合された
ラツチ型のクロツク・ドライバ回路は、通常モー
ドの間、第2図の論理図に従つて動作するが、し
かし、テスト・モードの間は、第3図に示された
ような透過な回路素子へ変換され得る。
れたラツチ型のクロツク・ドライバ回路が示され
る。通常の動作では、信号T0は低く、それ故
に、インバータ5はFET装置6及び7のゲート
に正の信号を印加し、それで、NOR2とNOR4
の間の交差結合された接続の導通は、維持され
る。テスト・モードでは、T0は高く、これは、
NOR2とNOR4の間の交差結合された接続を使
用禁止にする。従つて、第1図の交差結合された
ラツチ型のクロツク・ドライバ回路は、通常モー
ドの間、第2図の論理図に従つて動作するが、し
かし、テスト・モードの間は、第3図に示された
ような透過な回路素子へ変換され得る。
第1図のクロツク・ドライバ回路は、第2図に
示されているように、通常の適用において第1及
び第2の回路入力IN1及びIN2の2つのクロツ
ク波形A0及びB0の信号状態を、第1及び第2
の回路出力OUT1及びOUT2でラツチするため
に、通常の動作モードを選択的に実行することが
できる。第1図のクロツク・ドライバ回路は、代
わつて、第3図に示されているように、テストの
適用の間入力から出力へクロツク波形を転送する
ために、テスト・モードを実行することができ
る。以下の説明では、FET装置は、正のゲート
対ソース電位によつて導通されるNチヤンネル型
のものである。しかしながら、Pチヤンネルの
FET装置も使用でき、反対の極性の信号が用い
られる。
示されているように、通常の適用において第1及
び第2の回路入力IN1及びIN2の2つのクロツ
ク波形A0及びB0の信号状態を、第1及び第2
の回路出力OUT1及びOUT2でラツチするため
に、通常の動作モードを選択的に実行することが
できる。第1図のクロツク・ドライバ回路は、代
わつて、第3図に示されているように、テストの
適用の間入力から出力へクロツク波形を転送する
ために、テスト・モードを実行することができ
る。以下の説明では、FET装置は、正のゲート
対ソース電位によつて導通されるNチヤンネル型
のものである。しかしながら、Pチヤンネルの
FET装置も使用でき、反対の極性の信号が用い
られる。
第1図の回路の第1NORゲート2は、インバー
タ1を介して第1の回路入力IN1に接続された
第1入力12、第2入力14及び第1の回路出力
OUT1に接続された出力を有する。
タ1を介して第1の回路入力IN1に接続された
第1入力12、第2入力14及び第1の回路出力
OUT1に接続された出力を有する。
第2NORゲート4は、インバータ3を介して第
2の回路入力IN2に接続された第1入力16、
第2入力18及び第2の回路出力OUT2に接続
された出力を有する。
2の回路入力IN2に接続された第1入力16、
第2入力18及び第2の回路出力OUT2に接続
された出力を有する。
第1NORゲート2の出力を第2NORゲート4の
第2入力18へ選択的に印加するために、第
1FETスイツチング装置6が、第1NORゲート2
の出力と第2NORゲート4の第2入力18との間
に接続され、インバータ5を介して制御入力T0
へ接続された制御端子を有している。
第2入力18へ選択的に印加するために、第
1FETスイツチング装置6が、第1NORゲート2
の出力と第2NORゲート4の第2入力18との間
に接続され、インバータ5を介して制御入力T0
へ接続された制御端子を有している。
第2NORゲート4の出力を第1NORゲート2の
第2入力14へ選択的に印加するために、第
2FETスイツチング装置7が、第2NORゲート4
の出力と第1NORゲート2の第2入力14との間
に接続され、インバータ5を介して制御入力T0
へ接続された制御端子を有している。
第2入力14へ選択的に印加するために、第
2FETスイツチング装置7が、第2NORゲート4
の出力と第1NORゲート2の第2入力14との間
に接続され、インバータ5を介して制御入力T0
へ接続された制御端子を有している。
通常の動作モードでは、制御入力T0が低い状
態にあつて、第1及び第2のFETスイツチング
装置6及び7のゲートに高い信号を印加するの
で、これらの装置は、導通する。これによつて、
第2図の通常動作モードでは、第1及び第2の
NORゲート2及び4が交差結合されて、2つの
クロツク波形の信号状態をラツチすることにな
る。
態にあつて、第1及び第2のFETスイツチング
装置6及び7のゲートに高い信号を印加するの
で、これらの装置は、導通する。これによつて、
第2図の通常動作モードでは、第1及び第2の
NORゲート2及び4が交差結合されて、2つの
クロツク波形の信号状態をラツチすることにな
る。
LSSDテストが実行されるべきときは、制御入
力T0が高い状態にあつて、第1及び第2の
FETスイツチング装置6及び7のゲートに低い
信号を印加するので、これらの装置を導通させな
いことにより、テスト・モードが使用可能にされ
る。これによつて、NORゲート2及び4の間の
交差結合が中断され、第3図に示されているよう
に、ラツチ機能をクロツク入力に対して透過にす
ることになる。
力T0が高い状態にあつて、第1及び第2の
FETスイツチング装置6及び7のゲートに低い
信号を印加するので、これらの装置を導通させな
いことにより、テスト・モードが使用可能にされ
る。これによつて、NORゲート2及び4の間の
交差結合が中断され、第3図に示されているよう
に、ラツチ機能をクロツク入力に対して透過にす
ることになる。
通常モードからテスト・モードへの変換は、回
路における不所望の電流サージを防ぐような順序
正しい(orderly)方法で行なわれなければなら
ない。これは、遅延素子として働らくように、遅
延装置としてのインバータ8の入力をFET装置
6及び7のゲートに接続することにより、達成さ
れる。インバータ8の出力は、FET装置9及び
10のゲートに接続される。FET装置9は、接
地電位とNOR2の入力14の間に接続されたソ
ース/ドレイン・パスを有している。FET装置
10は、接地電位とNOR4の入力18の間に接
続されたソース/ドレイン・パスを有している。
インバータ8からの正の出力は、FET装置9及
び10を導通させ、NOR2及び4の各入力14
及び18を接地電位にし、第3図に2′及び4′と
して夫々示されているように、NOR2及び4を
夫々簡単なインバータとして機能させる。もし、
FET装置6及び7がまだ導通である間に、NOR
2及び4の入力14及び18が接地電位されるな
ら、NOR2及び4の出力から接地電位へ、電流
サージが生じることになる。これは、FET装置
9及び10がターン・オンされる前に、FET装
置6及び7をターン・オフする信号を使用可能に
する、インバータ8により提供される遅延機能
で、避けられる。この順序正しい変換は、重要で
ある。なぜなら、大抵、テストされるべき集積回
路が初めに通常モードでパワー・アツプされ、そ
れから、テスト・モードへの変換が行なわれるか
らである。テスト完了後、集積回路は、大抵、パ
ワー・ダウンされ、テスト結果が評価される。本
発明の回路により提供される順序正しい変換がな
いならば、深刻な電流サージが、結果として、誤
つたテスト結果を生じる。このように、回路は、
通常データの適用については通常モードで、
LSSDテストの適用についてはテスト・モードで
動作するように、選択的に適応され得る。
路における不所望の電流サージを防ぐような順序
正しい(orderly)方法で行なわれなければなら
ない。これは、遅延素子として働らくように、遅
延装置としてのインバータ8の入力をFET装置
6及び7のゲートに接続することにより、達成さ
れる。インバータ8の出力は、FET装置9及び
10のゲートに接続される。FET装置9は、接
地電位とNOR2の入力14の間に接続されたソ
ース/ドレイン・パスを有している。FET装置
10は、接地電位とNOR4の入力18の間に接
続されたソース/ドレイン・パスを有している。
インバータ8からの正の出力は、FET装置9及
び10を導通させ、NOR2及び4の各入力14
及び18を接地電位にし、第3図に2′及び4′と
して夫々示されているように、NOR2及び4を
夫々簡単なインバータとして機能させる。もし、
FET装置6及び7がまだ導通である間に、NOR
2及び4の入力14及び18が接地電位されるな
ら、NOR2及び4の出力から接地電位へ、電流
サージが生じることになる。これは、FET装置
9及び10がターン・オンされる前に、FET装
置6及び7をターン・オフする信号を使用可能に
する、インバータ8により提供される遅延機能
で、避けられる。この順序正しい変換は、重要で
ある。なぜなら、大抵、テストされるべき集積回
路が初めに通常モードでパワー・アツプされ、そ
れから、テスト・モードへの変換が行なわれるか
らである。テスト完了後、集積回路は、大抵、パ
ワー・ダウンされ、テスト結果が評価される。本
発明の回路により提供される順序正しい変換がな
いならば、深刻な電流サージが、結果として、誤
つたテスト結果を生じる。このように、回路は、
通常データの適用については通常モードで、
LSSDテストの適用についてはテスト・モードで
動作するように、選択的に適応され得る。
交差結合されたラツチ型のクロツク・ドライバ
回路を有する集積回路について、LSSDテスト技
術を選択的に実行することに関する問題は、通常
の動作モードでは交差結合されたラツチ型のクロ
ツク・ドライバ機能を実行するが、しかし、
LSSDテスト・モードではクロツク・パルスに対
して透過となる、本発明による回路装置によつ
て、解決された。
回路を有する集積回路について、LSSDテスト技
術を選択的に実行することに関する問題は、通常
の動作モードでは交差結合されたラツチ型のクロ
ツク・ドライバ機能を実行するが、しかし、
LSSDテスト・モードではクロツク・パルスに対
して透過となる、本発明による回路装置によつ
て、解決された。
さて、第4図を参照するに、この図は、回路の
第2図の通常モードから第3図のテスト・モード
への変換を示す波形図を表わしている。
第2図の通常モードから第3図のテスト・モード
への変換を示す波形図を表わしている。
A0波形は、入力IN1におけるデータ信号で
あり、B0波形は、入力IN2へのデータ信号で
ある。実際のシステム環境では、波形A0及びB
0は、必ずしも非重複波形とはかぎらないであろ
うが、A0及びB0のクロツク波形により駆動さ
れるべきシフト・レジスタ回路は、非重複クロツ
ク信号を必要とする。第1図のラツチ動作クロツ
ク・ドライバ回路は、通常モードで動作するとき
は、出力OUT1及びOUT2の信号が常に非重複
であることを保証するように働らき、これらの出
力に接続されるシフト・レジスタをクロツクする
のに必要な条件を満足する。第4図からわかるよ
うに、波形A0は、時刻t1で低い状態から高い
状態へ上昇する。インバータ1及びNORゲート
2は、わずかな遅延を入力信号A0に与えるの
で、出力信号OUT1は、第4図に示されている
ように、後の時刻t2で上昇し始める。第1図の
回路は、通常モードで動作しているので、第4図
に示されているように、制御信号T0は、低い状
態にある。それ故に、インバータ5の出力におけ
る波形20は、高い状態にあり、FET装置6及
び7を導通モードに保つことになる。従つて、出
力OUT1の信号が低い状態から高い状態へ変わ
るときに、第1図に示された線18もまた、第4
図に示されているように、時刻t2で低い状態か
ら高い状態へ変化する。線18における上昇変化
が、NORゲート4の入力の1つに高い状態の信
号を与え、これにより、第2出力OUT2につい
ての出力状態が低くなることが保証される。この
条件は、入力IN2における第2入力波形B0の
状態にかかわらず、実施されるので、出力OUT
1及びOUT2に必要とされる非重複波形を保証
することになる。
あり、B0波形は、入力IN2へのデータ信号で
ある。実際のシステム環境では、波形A0及びB
0は、必ずしも非重複波形とはかぎらないであろ
うが、A0及びB0のクロツク波形により駆動さ
れるべきシフト・レジスタ回路は、非重複クロツ
ク信号を必要とする。第1図のラツチ動作クロツ
ク・ドライバ回路は、通常モードで動作するとき
は、出力OUT1及びOUT2の信号が常に非重複
であることを保証するように働らき、これらの出
力に接続されるシフト・レジスタをクロツクする
のに必要な条件を満足する。第4図からわかるよ
うに、波形A0は、時刻t1で低い状態から高い
状態へ上昇する。インバータ1及びNORゲート
2は、わずかな遅延を入力信号A0に与えるの
で、出力信号OUT1は、第4図に示されている
ように、後の時刻t2で上昇し始める。第1図の
回路は、通常モードで動作しているので、第4図
に示されているように、制御信号T0は、低い状
態にある。それ故に、インバータ5の出力におけ
る波形20は、高い状態にあり、FET装置6及
び7を導通モードに保つことになる。従つて、出
力OUT1の信号が低い状態から高い状態へ変わ
るときに、第1図に示された線18もまた、第4
図に示されているように、時刻t2で低い状態か
ら高い状態へ変化する。線18における上昇変化
が、NORゲート4の入力の1つに高い状態の信
号を与え、これにより、第2出力OUT2につい
ての出力状態が低くなることが保証される。この
条件は、入力IN2における第2入力波形B0の
状態にかかわらず、実施されるので、出力OUT
1及びOUT2に必要とされる非重複波形を保証
することになる。
時刻t3で、第1図の回路を、入力ノードIN
1及びIN2に入力されるべきテスト信号に対し
て透過可能にするために、通常の動作モードから
テストの動作モードへの変換を開始することが、
所望される。従つて、時刻t3で、第4図に示さ
れているように、制御信号T0が低い状態から高
い状態へ変化し、そして、インバータ5によるわ
ずかな遅延の後に、ノード20は、時刻t4で、
高い状態から低い状態へ下降し始める。線20の
波形が下降し始めるとき、FET装置6及び7が
導通されなくなり、こうして、線14及び18
は、ほぼ時刻t4で始まる不確定な状態へ変化す
る。
1及びIN2に入力されるべきテスト信号に対し
て透過可能にするために、通常の動作モードから
テストの動作モードへの変換を開始することが、
所望される。従つて、時刻t3で、第4図に示さ
れているように、制御信号T0が低い状態から高
い状態へ変化し、そして、インバータ5によるわ
ずかな遅延の後に、ノード20は、時刻t4で、
高い状態から低い状態へ下降し始める。線20の
波形が下降し始めるとき、FET装置6及び7が
導通されなくなり、こうして、線14及び18
は、ほぼ時刻t4で始まる不確定な状態へ変化す
る。
インバータ8による第4図の遅延の後、時刻t
4から時刻t5までに、ノードZ0は、上昇し始
め、ほぼ後の時刻t6で、波形Z0は、第1図に
示されたFET装置9及び10をターン・オンす
ることになる。これによつて、FET装置6及び
7が完全にオフにされるまで、線14及び18が
接地電位に接続されないことを保証することにな
る。
4から時刻t5までに、ノードZ0は、上昇し始
め、ほぼ後の時刻t6で、波形Z0は、第1図に
示されたFET装置9及び10をターン・オンす
ることになる。これによつて、FET装置6及び
7が完全にオフにされるまで、線14及び18が
接地電位に接続されないことを保証することにな
る。
このように、NORゲート2の出力ノードから
線18のFET装置6及びFET装置10を経て接
地電位に至る、又は代わりに、NORゲート4の
出力ノードから線14のFET装置7及びFET装
置9を経て接地電位に至る、不注意の電流サージ
により起ることになる誤つたテスト信号が、第1
図に示されているように、ノード20及びノード
Z0に接続されたインバータ5及び8の段階的に
生じる遅延動作によつて、都合良く防がれる。な
お、図示の実施例にはスイツチング装置9,10
が設けられていたが、これらスイツチング装置
9,10を介することなくインバータ8の出力が
NORゲート2,4の第2入力に接続されていて
もよい。
線18のFET装置6及びFET装置10を経て接
地電位に至る、又は代わりに、NORゲート4の
出力ノードから線14のFET装置7及びFET装
置9を経て接地電位に至る、不注意の電流サージ
により起ることになる誤つたテスト信号が、第1
図に示されているように、ノード20及びノード
Z0に接続されたインバータ5及び8の段階的に
生じる遅延動作によつて、都合良く防がれる。な
お、図示の実施例にはスイツチング装置9,10
が設けられていたが、これらスイツチング装置
9,10を介することなくインバータ8の出力が
NORゲート2,4の第2入力に接続されていて
もよい。
第1図は、本発明によるLSSDに適合できるク
ロツク・ドライバ回路の概略図である。第2図
は、第1図の回路が通常モードで機能するときの
概略図である。第3図は、第1図の回路がテス
ト・モードで機能するときの概略図である。第4
図は、第1図の回路の第2図の通常モードから第
3図のテスト・モードへの変換を示す波形図であ
る。 2……第1NORゲート、4……第2NORゲー
ト、6……第1スイツチング装置、7……第2ス
イツチング装置、8……インバータ、9,10…
…FET装置。
ロツク・ドライバ回路の概略図である。第2図
は、第1図の回路が通常モードで機能するときの
概略図である。第3図は、第1図の回路がテス
ト・モードで機能するときの概略図である。第4
図は、第1図の回路の第2図の通常モードから第
3図のテスト・モードへの変換を示す波形図であ
る。 2……第1NORゲート、4……第2NORゲー
ト、6……第1スイツチング装置、7……第2ス
イツチング装置、8……インバータ、9,10…
…FET装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 第1回路入力に第1のインバータを介して接
続された第1入力と、第2入力と、第1回路出力
に接続された出力とを有する第1NORゲートと、 第2回路入力に第2のインバータを介して接続
された第1入力と、第2入力と、第2回路出力に
接続された出力とを有する第2NORゲートと、 前記第1NORゲートの出力と前記第2NORゲー
トの第2入力との間に接続された第1スイツチン
グ装置であつて、制御入力に接続された制御端子
を有するものと、 前記第2NORゲートの出力と前記第1NORゲー
トの第2入力との間に接続された第2スイツチン
グ装置であつて、前記制御入力に接続された制御
端子を有するものと、 前記制御入力に接続された入力と、前記第
1NORゲートの第2入力及び前記第2NORゲート
の第2入力に接続された出力とを有する遅延装置
と、 を備え、前記制御入力が第1状態のときには、前
記第1及び第2のスイツチング装置が導通して前
記第1及び第2のNORゲートが交差結合され、
前記第1及び第2の回路入力における2つのクロ
ツク波形の信号状態をラツチするように動作し、
前記制御入力が第2状態のときには、前記第1及
び第2のスイツチング装置が導通せず、前記クロ
ツク波形を前記第1及び第2の回路出力へ転送す
るように動作する、クロツク・ドライバ回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US387990 | 1982-06-14 | ||
US06/387,990 US4477738A (en) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | LSSD Compatible clock driver |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58221178A JPS58221178A (ja) | 1983-12-22 |
JPS6323508B2 true JPS6323508B2 (ja) | 1988-05-17 |
Family
ID=23532162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58022970A Granted JPS58221178A (ja) | 1982-06-14 | 1983-02-16 | クロツク・ドライバ回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4477738A (ja) |
EP (1) | EP0096167B1 (ja) |
JP (1) | JPS58221178A (ja) |
DE (1) | DE3361888D1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59119917A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-11 | Toshiba Corp | 論理回路 |
US4896054A (en) * | 1983-08-01 | 1990-01-23 | International Business Machines Corporation | Optional single or double clocked latch |
US4580137A (en) * | 1983-08-29 | 1986-04-01 | International Business Machines Corporation | LSSD-testable D-type edge-trigger-operable latch with overriding set/reset asynchronous control |
US4554664A (en) * | 1983-10-06 | 1985-11-19 | Sperry Corporation | Static memory cell with dynamic scan test latch |
US4625127A (en) * | 1984-08-06 | 1986-11-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | High-fanout clock driver for low level gates |
US4697241A (en) * | 1985-03-01 | 1987-09-29 | Simulog, Inc. | Hardware logic simulator |
JP2689416B2 (ja) * | 1986-08-18 | 1997-12-10 | 日本電気株式会社 | フリツプフロツプ |
JPS63110811A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | クロツクジエネレ−タ |
US4797575A (en) * | 1986-12-05 | 1989-01-10 | Western Digital Corporation | Flip-flop with identical propagation delay in clock pass through mode and in normal operation |
JP2570471B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1997-01-08 | 日本電気株式会社 | クロックドライバー回路 |
US6629277B1 (en) | 2000-02-15 | 2003-09-30 | Sun Microsystems, Inc. | LSSD interface |
KR100526350B1 (ko) * | 2003-08-23 | 2005-11-08 | 삼성전자주식회사 | 다상 클록신호 발생회로 및 방법 |
CN102832924B (zh) * | 2012-09-12 | 2015-02-25 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 大功率lvds方波信号驱动电路 |
Family Cites Families (10)
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US3815025A (en) * | 1971-10-18 | 1974-06-04 | Ibm | Large-scale integrated circuit testing structure |
CA961933A (en) * | 1972-09-26 | 1975-01-28 | Microsystems International Limited | Bi-directional amplifying bus-switch |
US3761695A (en) * | 1972-10-16 | 1973-09-25 | Ibm | Method of level sensitive testing a functional logic system |
US3965459A (en) * | 1974-04-01 | 1976-06-22 | Rockwell International | Selectable eight or twelve digit integrated circuit calculator and conditional gate output signal modification circuit therefor |
US3882390A (en) * | 1974-07-31 | 1975-05-06 | Bell Telephone Labor Inc | Flip-flop balance testing circuit |
US4063078A (en) * | 1976-06-30 | 1977-12-13 | International Business Machines Corporation | Clock generation network for level sensitive logic system |
US4035663A (en) * | 1976-09-01 | 1977-07-12 | Rockwell International Corporation | Two phase clock synchronizing method and apparatus |
US4286173A (en) * | 1978-03-27 | 1981-08-25 | Hitachi, Ltd. | Logical circuit having bypass circuit |
US4241307A (en) * | 1978-08-18 | 1980-12-23 | International Business Machines Corporation | Module interconnection testing scheme |
US4315167A (en) * | 1979-09-10 | 1982-02-09 | International Business Machines Corporation | Self-switching bidirectional digital line driver |
-
1982
- 1982-06-14 US US06/387,990 patent/US4477738A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-02-16 JP JP58022970A patent/JPS58221178A/ja active Granted
- 1983-03-10 DE DE8383102359T patent/DE3361888D1/de not_active Expired
- 1983-03-10 EP EP83102359A patent/EP0096167B1/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3361888D1 (en) | 1986-03-06 |
EP0096167B1 (en) | 1986-01-22 |
US4477738A (en) | 1984-10-16 |
EP0096167A1 (en) | 1983-12-21 |
JPS58221178A (ja) | 1983-12-22 |
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