JPH0661750A - 高周波増幅装置 - Google Patents
高周波増幅装置Info
- Publication number
- JPH0661750A JPH0661750A JP23266392A JP23266392A JPH0661750A JP H0661750 A JPH0661750 A JP H0661750A JP 23266392 A JP23266392 A JP 23266392A JP 23266392 A JP23266392 A JP 23266392A JP H0661750 A JPH0661750 A JP H0661750A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波高出力トランジスタの入力レベルまた
は出力レベルに応じて、該高周波高出力トランジスタの
ベースバイアス電圧を自動的に制御し、最適のＡ級増幅
を行えるようにする。 【構成】 高周波高出力トランジスタ４の出力信号を検
波する検波回路１２の検波出力電圧にもとづき、制御回
路１３に、上記出力信号の出力レベルの変化に対応する
ベースバイアス電圧を上記高周波高出力トランジスタ４
に入力させるようにし、または読み出し専用メモリ２４
内の動作点データに対応するベースバイアス電圧を、上
記高周波高出力トランジスタ４に入力させる。
は出力レベルに応じて、該高周波高出力トランジスタの
ベースバイアス電圧を自動的に制御し、最適のＡ級増幅
を行えるようにする。 【構成】 高周波高出力トランジスタ４の出力信号を検
波する検波回路１２の検波出力電圧にもとづき、制御回
路１３に、上記出力信号の出力レベルの変化に対応する
ベースバイアス電圧を上記高周波高出力トランジスタ４
に入力させるようにし、または読み出し専用メモリ２４
内の動作点データに対応するベースバイアス電圧を、上
記高周波高出力トランジスタ４に入力させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高周波高出力トラン
ジスタにより高周波信号をＡ級増幅する高周波増幅装置
に関するものである。
ジスタにより高周波信号をＡ級増幅する高周波増幅装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来の高周波増幅装置を示す回路
図であり、図において、１は入力端子、２，７はカップ
リングコンデンサ、３は入力整合回路、４はＮＰＮ形の
高周波高出力トランジスタ、５はコレクタ給電端子、６
は出力整合回路、８は出力端子、９ａ，９ｂはバイアス
用抵抗、１０はベースバイアス給電端子、１１は温度補
償用のトランジスタである。
図であり、図において、１は入力端子、２，７はカップ
リングコンデンサ、３は入力整合回路、４はＮＰＮ形の
高周波高出力トランジスタ、５はコレクタ給電端子、６
は出力整合回路、８は出力端子、９ａ，９ｂはバイアス
用抵抗、１０はベースバイアス給電端子、１１は温度補
償用のトランジスタである。
【０００３】次に動作について説明する。入力端子１に
印加された高周波の入力信号は、入力整合回路３を介し
て高周波高出力トランジスタ４に入力され、ここで高周
波の広帯域信号に増幅されて、出力整合回路６を介して
出力端子８へ導出される。また、このとき出力レベルに
応じて、歪特性のよいＡ級動作点となるよう、ベースバ
イアス給電端子１０の電圧を、バイアス抵抗９ａ，９ｂ
によって所定値に設定している。
印加された高周波の入力信号は、入力整合回路３を介し
て高周波高出力トランジスタ４に入力され、ここで高周
波の広帯域信号に増幅されて、出力整合回路６を介して
出力端子８へ導出される。また、このとき出力レベルに
応じて、歪特性のよいＡ級動作点となるよう、ベースバ
イアス給電端子１０の電圧を、バイアス抵抗９ａ，９ｂ
によって所定値に設定している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波増幅装置
は以上のように構成されているので、高周波高出力トラ
ンジスタ４の出力レベルに応じて、低歪で高率のよいＡ
級増幅器とするためには、その都度ベースバイアス電圧
を調整し、設定しなければならず、また、上記Ａ級増幅
では使用するトランジスタの最大使用レベルで動作させ
るときには効率はよいが、そのレベルより減力して使用
する時は、減力すればするほど非効率の電力増幅器とな
ってしまうなどの問題点があった。
は以上のように構成されているので、高周波高出力トラ
ンジスタ４の出力レベルに応じて、低歪で高率のよいＡ
級増幅器とするためには、その都度ベースバイアス電圧
を調整し、設定しなければならず、また、上記Ａ級増幅
では使用するトランジスタの最大使用レベルで動作させ
るときには効率はよいが、そのレベルより減力して使用
する時は、減力すればするほど非効率の電力増幅器とな
ってしまうなどの問題点があった。
【０００５】請求項１の発明は上記のような問題点を解
消するためになされたもので、高周波高出力トランジス
タの出力レベルに応じて適正なベースバイアス電圧を与
えることにより、出力レベルに対して常に効率がよく、
しかも低歪のＡ級増幅を実現することができる高周波増
幅装置を得ることを目的とする。
消するためになされたもので、高周波高出力トランジス
タの出力レベルに応じて適正なベースバイアス電圧を与
えることにより、出力レベルに対して常に効率がよく、
しかも低歪のＡ級増幅を実現することができる高周波増
幅装置を得ることを目的とする。
【０００６】また、請求項２の発明は高周波高出力トラ
ンジスタの入力レベルに応じて適正なベースバイアス電
圧を与えることにより、常に効率がよく、しかも低歪の
Ａ級増幅を実現することができる高周波増幅装置を得る
ことを目的とする。
ンジスタの入力レベルに応じて適正なベースバイアス電
圧を与えることにより、常に効率がよく、しかも低歪の
Ａ級増幅を実現することができる高周波増幅装置を得る
ことを目的とする。
【０００７】請求項３の発明は予めプログラムされたデ
ータに従って、高周波高出力トランジスタの出力レベル
に応じた最適のベースバイアスデータを、予め格納した
メモリから読み出して、ベースバイアス制御を行うこと
ができる高周波増幅装置を得ることを目的とする。
ータに従って、高周波高出力トランジスタの出力レベル
に応じた最適のベースバイアスデータを、予め格納した
メモリから読み出して、ベースバイアス制御を行うこと
ができる高周波増幅装置を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る高
周波増幅装置は、高周波の入力信号をＡ級増幅して低歪
の出力信号を出力する高周波高出力トランジスタと、該
高周波高出力トランジスタの出力信号を検波する検波回
路とを備え、該検波回路の検波出力電圧にもとづき、制
御回路に、上記出力信号の出力レベルの変化に対応する
ベースバイアス電圧を上記高周波高出力トランジスタに
入力させるようにしたものである。
周波増幅装置は、高周波の入力信号をＡ級増幅して低歪
の出力信号を出力する高周波高出力トランジスタと、該
高周波高出力トランジスタの出力信号を検波する検波回
路とを備え、該検波回路の検波出力電圧にもとづき、制
御回路に、上記出力信号の出力レベルの変化に対応する
ベースバイアス電圧を上記高周波高出力トランジスタに
入力させるようにしたものである。
【０００９】請求項２の発明に係る高周波増幅装置は、
高周波高出力トランジスタの入力信号を検波する検波回
路を備え、該検波回路の検波出力電圧にもとづき、制御
回路に、上記入力信号の入力レベルの変化に対応するベ
ースバイアス電圧を上記高周波高出力トランジスタに入
力させるようにしたものである。
高周波高出力トランジスタの入力信号を検波する検波回
路を備え、該検波回路の検波出力電圧にもとづき、制御
回路に、上記入力信号の入力レベルの変化に対応するベ
ースバイアス電圧を上記高周波高出力トランジスタに入
力させるようにしたものである。
【００１０】請求項３の発明に係る高周波増幅装置は、
検波回路の検波出力電圧のディジタルデータにもとづ
き、予め読み出し専用メモリに格納した、上記出力信号
の出力レベルに応じた高周波高出力トランジスタの動作
点データを出力するマイクロプロセッサを備え、該マイ
クロプロセッサからの動作点データのアナログデータに
もとづき、アナログスイッチに、上記高周波高出力トラ
ンジスタに対してベースバイアス電圧を入力させるよう
にしたものである。
検波回路の検波出力電圧のディジタルデータにもとづ
き、予め読み出し専用メモリに格納した、上記出力信号
の出力レベルに応じた高周波高出力トランジスタの動作
点データを出力するマイクロプロセッサを備え、該マイ
クロプロセッサからの動作点データのアナログデータに
もとづき、アナログスイッチに、上記高周波高出力トラ
ンジスタに対してベースバイアス電圧を入力させるよう
にしたものである。
【００１１】
【作用】請求項１の発明における高周波増幅装置は、出
力レベルの変化により高周波高出力トランジスタの動作
点を自動的に制御し、上記出力レベルに応じた効率のよ
いＡ級増幅を実現可能にする。
力レベルの変化により高周波高出力トランジスタの動作
点を自動的に制御し、上記出力レベルに応じた効率のよ
いＡ級増幅を実現可能にする。
【００１２】請求項２の発明における高周波増幅装置
は、入力レベルに応じて高周波高出力トランジスタに適
正なベースバイアス電圧を与え、最適状態で効率よくＡ
級増幅を実施する。
は、入力レベルに応じて高周波高出力トランジスタに適
正なベースバイアス電圧を与え、最適状態で効率よくＡ
級増幅を実施する。
【００１３】請求項３の発明における高周波増幅装置
は、予め読み出し専用メモリに格納されたベースバイア
スデータの中から、出力レベルに応じた最適のデータを
読み出して、これをベースバイアス電圧として高周波高
出力トランジスタに入力し、最適状態で効率良くＡ級増
幅を実施する。
は、予め読み出し専用メモリに格納されたベースバイア
スデータの中から、出力レベルに応じた最適のデータを
読み出して、これをベースバイアス電圧として高周波高
出力トランジスタに入力し、最適状態で効率良くＡ級増
幅を実施する。
【００１４】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１において、１２は高周波出力トラ
ンジスタ４の出力レベルを出力整合回路６およびカップ
リングコンデンサ７を介して検出する検波回路、１３は
この検波回路１２の出力電圧に応じてベースバイアスを
制御する制御回路である。なお、このほかの図８に示し
たものと同一の構成部分には同一符号を付して、その重
複する説明を省略する。
ついて説明する。図１において、１２は高周波出力トラ
ンジスタ４の出力レベルを出力整合回路６およびカップ
リングコンデンサ７を介して検出する検波回路、１３は
この検波回路１２の出力電圧に応じてベースバイアスを
制御する制御回路である。なお、このほかの図８に示し
たものと同一の構成部分には同一符号を付して、その重
複する説明を省略する。
【００１５】図２は上記制御回路１３の詳細を示す回路
図であり、同図において、１４は検波回路１２の検波出
力電圧、１５はＤＣアンプ、１６はＤＣアンプ１５の利
得を調整する可変抵抗器であり、この可変抵抗器１６の
電圧をバイアス抵抗９ａ，９ｂを介して、高周波高出力
トランジスタ４へベースバイアス１７として供給してい
る。
図であり、同図において、１４は検波回路１２の検波出
力電圧、１５はＤＣアンプ、１６はＤＣアンプ１５の利
得を調整する可変抵抗器であり、この可変抵抗器１６の
電圧をバイアス抵抗９ａ，９ｂを介して、高周波高出力
トランジスタ４へベースバイアス１７として供給してい
る。
【００１６】また、図３は制御回路１３の入出力電圧特
性を示し、この入出力電圧特性では、利得調整用の可変
抵抗器１６の調整により直線特性の傾きをかえることが
できる。これによれば１つの増幅回路にて、可変出力
（例えば、０．１〜３．０Ｗまで）の回路を構成できる
ことが分かる。
性を示し、この入出力電圧特性では、利得調整用の可変
抵抗器１６の調整により直線特性の傾きをかえることが
できる。これによれば１つの増幅回路にて、可変出力
（例えば、０．１〜３．０Ｗまで）の回路を構成できる
ことが分かる。
【００１７】次に動作について説明する。まず、入力信
号の高周波増幅および出力までの動作については、従来
技術と同様につき省略する。次に、出力端子８に得られ
る出力信号の出力レベルを、検波回路１２にて電圧に変
換し、さらに、この検波出力電圧を制御回路１３内のＤ
Ｃアンプ１５で増幅する。このＤＣアンプ１５では出力
レベルの変化に対応するベースバイアスの動作点となる
よう、利得調整用の可変抵抗１６の大きさを設定する。
号の高周波増幅および出力までの動作については、従来
技術と同様につき省略する。次に、出力端子８に得られ
る出力信号の出力レベルを、検波回路１２にて電圧に変
換し、さらに、この検波出力電圧を制御回路１３内のＤ
Ｃアンプ１５で増幅する。このＤＣアンプ１５では出力
レベルの変化に対応するベースバイアスの動作点となる
よう、利得調整用の可変抵抗１６の大きさを設定する。
【００１８】例えば、いま、出力端子８の出力レベルが
下がると、検波回路１２で検波した検波出力電圧１４も
下がる。つまり、図３に示すように、検波出力電圧１４
の電圧が下がった分のΔＶ1 に対して、ベースバイアス
１７の電圧がΔＶ2 分下がるわけであるから、ベースバ
イアス点も下がってくる。
下がると、検波回路１２で検波した検波出力電圧１４も
下がる。つまり、図３に示すように、検波出力電圧１４
の電圧が下がった分のΔＶ1 に対して、ベースバイアス
１７の電圧がΔＶ2 分下がるわけであるから、ベースバ
イアス点も下がってくる。
【００１９】従って、高周波高出力トランジスタ４の使
用可能な最大レベルより下のレベルで使用する時は、ベ
ースバイアス電圧を自動的に下げ、そのレベルに応じた
効率のよい、Ａ級増幅動作とすることができる。
用可能な最大レベルより下のレベルで使用する時は、ベ
ースバイアス電圧を自動的に下げ、そのレベルに応じた
効率のよい、Ａ級増幅動作とすることができる。
【００２０】実施例２．なお、上記実施例では出力端子
８の出力レベルに応じて、ベースバイアス１７を制御す
る場合について説明したが、図４に示すように、入力端
子１に入力される入力信号の入力レベルを検波回路１８
により検波して、この検波出力電圧１９によりベースバ
イアス１７を制御するようにしてもよく、上記実施例と
同様の効果を奏する。これは、Ａ級電力増幅回路では、
入力の変化に対する出力の変化がリニアに対応するとい
う特性があることにより、実現可能となる。
８の出力レベルに応じて、ベースバイアス１７を制御す
る場合について説明したが、図４に示すように、入力端
子１に入力される入力信号の入力レベルを検波回路１８
により検波して、この検波出力電圧１９によりベースバ
イアス１７を制御するようにしてもよく、上記実施例と
同様の効果を奏する。これは、Ａ級電力増幅回路では、
入力の変化に対する出力の変化がリニアに対応するとい
う特性があることにより、実現可能となる。
【００２１】実施例３．また、上記実施例では検波出力
電圧１４をＤＣアンプ１５で制御する場合を示したが、
ＤＣアンプ１５のかわりに、図５に示すログアンプ２０
を使用してもよい。このログアンプ２０と上記のＤＣア
ンプ１５は図３および図６に示すように入力電圧に対す
る出力電圧の特性が必然的に異なるため、高周波高出力
トランジスタ４の特性によって、出力レベルに対応した
ベースバイアス電圧とすることができなかった場合に使
い分けることができる。また、必要に応じ可変抵抗器２
１を調整する。
電圧１４をＤＣアンプ１５で制御する場合を示したが、
ＤＣアンプ１５のかわりに、図５に示すログアンプ２０
を使用してもよい。このログアンプ２０と上記のＤＣア
ンプ１５は図３および図６に示すように入力電圧に対す
る出力電圧の特性が必然的に異なるため、高周波高出力
トランジスタ４の特性によって、出力レベルに対応した
ベースバイアス電圧とすることができなかった場合に使
い分けることができる。また、必要に応じ可変抵抗器２
１を調整する。
【００２２】実施例４．図７は予め出力レベルに応じた
高周波高出力トランジスタ４の動作点となるようプログ
ラムされた読み出し専用メモリを使った実施例である。
すなわち、出力レベルの検波出力電圧１４をアナログ／
ディジタル変換器２２にてディジタル信号に変換し、こ
れをマイクロプロセッサ２３に入力する。このマイクロ
プロセッサ２３では、プログラムに従って上記ディジタ
ル信号に対応したデータを読み出し専用メモリ２４より
取り出し、ディジタル／アナログ変換器２５へ出力す
る。
高周波高出力トランジスタ４の動作点となるようプログ
ラムされた読み出し専用メモリを使った実施例である。
すなわち、出力レベルの検波出力電圧１４をアナログ／
ディジタル変換器２２にてディジタル信号に変換し、こ
れをマイクロプロセッサ２３に入力する。このマイクロ
プロセッサ２３では、プログラムに従って上記ディジタ
ル信号に対応したデータを読み出し専用メモリ２４より
取り出し、ディジタル／アナログ変換器２５へ出力す
る。
【００２３】そして、このディジタル／アナログ変換器
２５ではこのディジタル信号のデータをアナログ信号に
変換し、アナログスイッチ２６を制御する。このアナロ
グスイッチ２６によって制御された電圧は、上記出力レ
ベルに対応したベースバイアス電圧となるようにプログ
ラムされているため、上記実施例と同様の効果を奏す
る。
２５ではこのディジタル信号のデータをアナログ信号に
変換し、アナログスイッチ２６を制御する。このアナロ
グスイッチ２６によって制御された電圧は、上記出力レ
ベルに対応したベースバイアス電圧となるようにプログ
ラムされているため、上記実施例と同様の効果を奏す
る。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、高周波の入力信号をＡ級増幅して低歪の出力信号を
出力する高周波高出力トランジスタと、該高周波高出力
トランジスタの出力信号を検波する検波回路とを備え、
該検波回路の検波出力電圧にもとづき、制御回路に、上
記出力信号の出力レベルの変化に対応するベースバイア
ス電圧を上記高周波高出力トランジスタに入力させるよ
うに構成したので、常に効率のよい低歪のＡ級増幅を実
現できるものが得られる効果がある。
ば、高周波の入力信号をＡ級増幅して低歪の出力信号を
出力する高周波高出力トランジスタと、該高周波高出力
トランジスタの出力信号を検波する検波回路とを備え、
該検波回路の検波出力電圧にもとづき、制御回路に、上
記出力信号の出力レベルの変化に対応するベースバイア
ス電圧を上記高周波高出力トランジスタに入力させるよ
うに構成したので、常に効率のよい低歪のＡ級増幅を実
現できるものが得られる効果がある。
【００２５】また、請求項２の発明によれば、高周波高
出力トランジスタの入力信号を検波する検波回路を備
え、該検波回路の検波出力電圧にもとづき、制御回路
に、上記入力信号の入力レベルの変化に対応するベース
バイアス電圧を上記高周波高出力トランジスタに入力さ
せるように構成したので、入力レベルに応じた最適のベ
ースバイアス電圧により、効率的で低歪のＡ級増幅を実
現できるものが得られる効果がある。
出力トランジスタの入力信号を検波する検波回路を備
え、該検波回路の検波出力電圧にもとづき、制御回路
に、上記入力信号の入力レベルの変化に対応するベース
バイアス電圧を上記高周波高出力トランジスタに入力さ
せるように構成したので、入力レベルに応じた最適のベ
ースバイアス電圧により、効率的で低歪のＡ級増幅を実
現できるものが得られる効果がある。
【００２６】請求項３の発明によれば、検波回路の検波
出力電圧のディジタルデータにもとづき、予め読み出し
専用メモリに格納した、上記出力信号の出力レベルに応
じた高周波高出力トランジスタの動作点データを出力す
るマイクロプロセッサを備え、該マイクロプロセッサか
らの動作点データのアナログデータにもとづき、アナロ
グスイッチに、上記高周波高出力トランジスタに対して
ベースバイアス電圧を入力させるように構成したので、
予め読み出し専用メモリに格納したデータにもとづき、
出力信号の出力レベルに応じた最適のベースバイアス電
圧を高周波高出力トランジスタに入力でき、所期の効率
的で、低歪のＡ級増幅を実現できるものが得られる効果
がある。
出力電圧のディジタルデータにもとづき、予め読み出し
専用メモリに格納した、上記出力信号の出力レベルに応
じた高周波高出力トランジスタの動作点データを出力す
るマイクロプロセッサを備え、該マイクロプロセッサか
らの動作点データのアナログデータにもとづき、アナロ
グスイッチに、上記高周波高出力トランジスタに対して
ベースバイアス電圧を入力させるように構成したので、
予め読み出し専用メモリに格納したデータにもとづき、
出力信号の出力レベルに応じた最適のベースバイアス電
圧を高周波高出力トランジスタに入力でき、所期の効率
的で、低歪のＡ級増幅を実現できるものが得られる効果
がある。
【図１】この発明の一実施例による高周波増幅装置を示
す回路図である。
す回路図である。
【図２】図１における制御回路の詳細を示す回路図であ
る。
る。
【図３】図２における制御回路の入出力電圧特性を示す
入出力特性図である。
入出力特性図である。
【図４】この発明の他の実施例による高周波増幅装置を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図５】図４における制御回路の詳細を示す回路図であ
る。
る。
【図６】図５における制御回路の入出力電圧特性を示す
入出力特性図である。
入出力特性図である。
【図７】この発明のさらに他の実施例による高周波増幅
装置を示す回路図である。
装置を示す回路図である。
【図８】従来の高周波増幅装置を示す回路図である。
４ 高周波高出力トランジスタ １２ 検波回路 １３ 制御回路 ２３ マイクロプロセッサ ２４ 読み出し専用メモリ ２６ アナログスイッチ
Claims (3)
- 【請求項１】 高周波の入力信号をＡ級増幅して低歪の
出力信号を出力する高周波高出力トランジスタと、該高
周波高出力トランジスタの出力信号を検波する検波回路
と、該検波回路の検波出力電圧にもとづき、上記出力信
号の出力レベルの変化に対応するベースバイアス電圧を
上記高周波高出力トランジスタに入力する制御回路とを
備えた高周波増幅装置。 - 【請求項２】 高周波の入力信号をＡ級増幅して低歪の
出力信号を出力する高周波高出力トランジスタと、該高
周波高出力トランジスタの入力信号を検波する検波回路
と、該検波回路の検波出力電圧にもとづき、上記入力信
号の入力レベルの変化に対応するベースバイアス電圧を
上記高周波高出力トランジスタに入力する制御回路とを
備えた高周波増幅装置。 - 【請求項３】 高周波の入力信号をＡ級増幅して低歪の
出力信号を出力する高周波高出力トランジスタと、該高
周波高出力トランジスタの出力信号を検波する検波回路
と、該検波回路の検波出力電圧のディジタルデータにも
とづき、予め読み出し専用メモリに格納した、上記出力
信号の出力レベルに応じた高周波高出力トランジスタの
動作点データを出力するマイクロプロセッサと、該マイ
クロプロセッサからの動作点データのアナログデータに
もとづき、上記高周波高出力トランジスタにベースバイ
アス電圧を入力するアナログスイッチとを備えた高周波
増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23266392A JPH0661750A (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 高周波増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23266392A JPH0661750A (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 高周波増幅装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661750A true JPH0661750A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16942843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23266392A Pending JPH0661750A (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 高周波増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661750A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208823A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Sony Corp | 増幅回路 |
| KR100488893B1 (ko) * | 2001-04-25 | 2005-05-11 | 가부시끼가이샤 도시바 | 고주파회로 및 통신시스템 |
| JP2008244986A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器 |
| KR101101560B1 (ko) * | 2009-12-07 | 2012-01-02 | 삼성전기주식회사 | 전력 증폭기 |
| CN104868901A (zh) * | 2014-02-24 | 2015-08-26 | 松下神视电子（苏州）有限公司 | 信号检测电路 |
| WO2020170429A1 (ja) * | 2019-02-22 | 2020-08-27 | 三菱電機株式会社 | 高周波電力増幅器 |
| JP2020202565A (ja) * | 2019-06-11 | 2020-12-17 | アナログ・ディヴァイシス・インターナショナル・アンリミテッド・カンパニー | 適応型結合配置を用いたバイアス回路のアンプへの結合 |
-
1992
- 1992-08-10 JP JP23266392A patent/JPH0661750A/ja active Pending
Cited By (10)
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