JP3300836B2 - Rf増幅器バイアス制御方法および装置 - Google Patents

Rf増幅器バイアス制御方法および装置

Info

Publication number
JP3300836B2
JP3300836B2 JP50331194A JP50331194A JP3300836B2 JP 3300836 B2 JP3300836 B2 JP 3300836B2 JP 50331194 A JP50331194 A JP 50331194A JP 50331194 A JP50331194 A JP 50331194A JP 3300836 B2 JP3300836 B2 JP 3300836B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
amplifier
current
bias
detecting
supply voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP50331194A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06510655A (ja
Inventor
ソリデイ,ジョン・エル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of JPH06510655A publication Critical patent/JPH06510655A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3300836B2 publication Critical patent/JP3300836B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0261Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
    • H03F1/0272Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A by using a signal derived from the output signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0261Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0261Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
    • H03F1/0266Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A by using a signal derived from the input signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3036Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
    • H03G3/3042Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/192A hybrid coupler being used at the input of an amplifier circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/204A hybrid coupler being used at the output of an amplifier circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、一般に、RF増幅器に関し、さらに詳しく
は、RF電力増幅器に関する。
発明の背景 RF電力増幅器は、さまざまな通信および他の電子用途
で用いられる。これらの増幅器は、一つまたはそれ以上
の縦続増幅段からなり、それぞれの接続増幅段はその段
の入力に印加される信号のレベルを段利得という量で増
加する。各段の出力伝達(output transfer)に対する
入力は線形であることが理想的であり、振幅が増加され
た入力信号の完全な複製(replica)が増幅器出力に現
れることが理想的である。しかし現実には、すべての電
力増幅器はその伝達特性にある程度の非線形性を有す
る。この非線形性は、利得性能,相互変調性能および効
率などのさまざまな増幅器動作特性に悪影響を及ぼす。
増幅器の非線形伝達特性により、利得拡大(gain exp
ansion)という現象が生じる。利得拡大は、ベース・エ
ミッタ間接合における入力信号電力の整流による増幅器
のベース・エミッタ間電圧の変化によって生じる。実質
的に、RF増幅器への入力信号電力は増幅器の休止動作点
(quiescent operating point)を変化させる。その結
果、電力増幅器の利得は入力信号電力の関数として増加
して、利得拡大現象が生じる。一般に利得拡大は、RF電
力増幅器が示す望ましくない特性である。このことは、
1992年3月20日出願で本出願と同じ譲受人に譲渡されて
いる米国特許出願第07/855,172号“HIGH DYNAMIC RANGE
MODULATION INDEPENDENT FEED FORWARD AMPLIFIER NET
WORK"に開示されるマルチトーン線形電力増幅器のよう
に、増幅器が広いダイナミック・レンジの入力信号で動
作しなければならない場合に特にいえる。このようなマ
ルチトーン用途では、広いダイナミック・レンジの入力
信号で一定の増幅器利得が必要とされる。
この同じ非線形性は、増幅器の出力信号のひずみを生
じさせて、入力信号の完全な複製でなくなる。このひず
みは、相互変調成分と呼ばれるスプリアス信号成分を発
生する。相互変調成分は干渉,クロストーク、または増
幅器を採用するシステムの性能に他の悪影響を及ぼすの
で、相互変調成分は一般に望ましくない。重要な点は、
増幅器によって発生される相互変調成分の量は、増幅器
の入力に印加される信号の大きさに正比例することであ
る。
非線形伝達によって妨害されるさらに別のRF増幅器の
動作特性として、増幅器の効率がある。定義上、増幅器
の効率は、POUT/PINによって決定される。増幅器の効率
が高くなると、所望の出力レベルを得るために要する入
力電力量は少なくてすむ。利得拡大は増幅器の出力電力
レベルをひずませる傾向にあるので、これは低出力電力
において増幅器の効率を低減するという望ましくない影
響を有する。
そのため、従来の技術では、増幅器の一つまたはそれ
以上の動作特性を、一般に他の特性を犠牲にして改善す
るように設計された方法や装置を採用していた。理解さ
れるように、パラメータはすべて密接に関連しあってい
るので、一つのパラメータについて最適化することは他
のパラメータに悪影響を及ぼす。そのため、増幅器の休
止動作点を低くバイアスすることは増幅器の効率,相互
変調性能および飽和点を改善する傾向にあるが、そうす
ることで利用可能な最大利得および増幅器の利得の平坦
性(flatness)(広いダイナミック・レンジにおける一
定利得)が犠牲になる。逆に、増幅器の休止動作点を高
くバイアスすることは最大利得および増幅器利得の平坦
性を改善する傾向にあるが、そうすることで増幅器の効
率,相互変調性能および飽和点が犠牲になる。
従って、広いダイナミック・レンジの入力でRF電力増
幅器の動作特性を等化でき、しかも従来技術の欠点を避
難けることのできる補償回路を提供することは極めて有
利である。
発明の概要 本発明は、RF増幅器のバイアス電流を制御する方法お
よび装置であり、RF増幅器の出力電力レベルPOUTに比例
する信号を検出する段階と、検出された信号を基準と比
較する段階と、RF電力増幅器のバイアス電流を比較の関
数として調整して、RF増幅器の休止動作点を制御し、そ
れにより利得拡大,相互変調性能および効率などの性能
特性について増幅器の動作を最適化する段階によって構
成される。
本発明の別の実施例によれば、RF増幅器の休止動作点
(バイアス電流)は、RF増幅器の被検出入力電力レベル
PINの関数として調整される。
図面の簡単な説明 第1図は、本発明によるRF増幅器バイアス制御回路の
第1実施例である。
第2図は、本発明によるRF増幅器バイアス制御回路の
第2実施例である。
第3図は、本発明によるRF増幅器バイアス制御回路の
第3実施例である。
第4図は、第1図,第2図および第3図によるバイア
ス制御回路の伝達関数を示す。
第5図は、第1図ないし第3図の増幅器回路網に予想
される一例としての信号環境を示す。
好適な実施例の詳細な説明 第1図において、本発明によるRF増幅器回路網100の
ブロック図を示す。この回路網の一例としての信号環境
は第5図に示す。第5図に示すように、回路網100の信
号では、例えば周波数分割多元接続(FDMA:Frequency D
ivision Multiple Access)方式および/または符号分
割多元接続(CDMA:Code Division Multiple Access)方
式など、狭帯域変調入力信号510および広帯域変調入力
信号520の両方が予想される。複数の変調方式からなる
ことの他に、RF増幅器回路網100の提唱される信号環境
はさらに、入力信号が広いダイナミック・レンジの入力
電力レベルを有するということを特徴とする。
第1図に戻って、RF増幅器回路網100は、RF増幅器10
2,方向性結合器(directional coupler)104,DC増幅器1
06,DC反転増幅器108およびダイオード検出器112を含
む。動作中、増幅された出力信号POUTを与えるため、RF
入力信号PINはRF増幅器102によって増幅される。増幅さ
れた出力信号の一部は、方向性結合器104とダイオード
検出器112を介してDC増幅器106に送られ、これはRF出力
電力レベルPOUTをDC電圧に変換する。DC増幅器106は、
変換されたDC信号を基準Vrefと比較し、その差を増幅す
る。この増幅された差信号はDC反転増幅器108に送ら
れ、この増幅器108は、増幅器出力電力レベルPOUTが増
加するにつれて逓減するバイアス電圧VbiasをRF増幅器1
02に与え、それにより増幅器の休止動作点を制御するた
め、増幅器バイアス電流を出力電力レベルの関数として
調整する。ツェナ・ダイオードVREFは、この反転の基準
として機能する。理解されるように、第1図に示す経路
110においてRF増幅器102に注入されるダイナミック・バ
イアス伝達曲線の勾配を調整するために、VREFは適応で
きる。
第2図において、本発明によるRF増幅器回路網200の
第2実施例のブロック図を示す。RF増幅器回路網200
は、RF増幅器202,抵抗R1,DC増幅器206,ツェナ・ダイオ
ードVREFおよびDC反転増幅器208を含む。動作中、RF増
幅器202の出力電力POUTは、経路204においてRF増幅器20
2に注入されるコレクタ電流ICollectorの関数として検
出される。理解されるように、コレクタ電流はRF増幅器
202の出力電力に正比例する。この点、電源電圧VCCと直
列の抵抗R1は、ICollector電流センサとして用いられ
る。
本好適な実施例によれば、R1は極めて低いインピーダ
ンスの抵抗であり、一般に0.05〜1オームの値である。
このインピーダンスは、R1両端に電圧降下を発生する傾
向にあり、この電圧降下は検出できるが、十分小さいた
め増幅器全体的の性能の劣化を避けることができる。そ
れにより、電圧降下はDC動作増幅器206によって増幅さ
れ、DC反転増幅器208に送られる。
反転増幅器208は、出力電力POUTが増加するにつれ
て、逓減するバイアス電圧VbiasをRF増幅器202に与え、
それにより増幅器の休止動作点を制御するため、増幅器
バイアス電流を出力電力レベルの関数として調整する。
ツェナ・ダイオードVREFはこの反転のための基準として
機能する。理解されるように、経路210においてRF増幅
器202に注入されるダイナミック・バイアス伝達曲線の
勾配を調整するために、VREFは適応できる。
第3図において、本発明によるRF増幅器回路網300の
さらに別の実施例を示す。RF増幅器回路網300は、第1
図の説明に実質的に基づいて動作するが、RF増幅器バイ
アス電流が、RF出力信号電力レベルPOUTではなく、RF入
力信号電力レベルPINの関数として調整される点が異な
る。方向性結合器312は、RF入力信号PINをバイアス制御
回路306〜310に送り、バイアス制御回路306〜310は、増
幅器入力電力レベルPINが増加するにつれて、逓減する
バイアス電圧VbiasをRF増幅器302に与え、それにより増
幅器の休止動作点を制御するために、増幅器バイアス電
流を入力電力レベルの関数として調整する。
第4図は、第1図,第2図および第3図のバイアス制
御回路の伝達関数を示すことが当業者に理解される。
以上、本明細書で説明してきたいくつかのバイアス制
御回路の全体的な効果は、低出力電力レベル時にRF増幅
器に対するバイアス電圧を増加し、しかも高出力レベル
時にRF増幅器のバイアス電圧を逓減して、利得拡大の現
象を克服し、かつ相互変調性能や効率などの選択された
動作性能特性について増幅器の動作を最適化することで
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−314431(JP,A) 特開 昭58−170206(JP,A) 特開 昭60−212009(JP,A) 米国特許4760347(US,A) 米国特許4547746(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03G 3/20 - 3/34

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】入力と、出力と、供給電圧と、RF増幅器の
    バイアス電流によって設定される休止動作点に応答する
    複数の動作性能と、を有する前記RF増幅器に用いられる
    バイアス制御回路であって: 前記RF増幅器に結合され、前記RF増幅器によって前記供
    給電圧から導かれるDC電流を検出する手段;および 前記検出する手段と前記RF増幅器とに結合され、前記RF
    増幅器のバイアス電流を前記検出されたDC電流の関数と
    して調整し、前記RF増幅器の休止動作点を制御する手
    段; によって構成されることを特徴とする回路。
  2. 【請求項2】前記検出する手段は、DC電流検出器からな
    ることを特徴とする請求項1記載の回路。
  3. 【請求項3】前記検出する手段は、前記供給電圧に接続
    された直列抵抗からなることを特徴とする請求項1記載
    の回路。
  4. 【請求項4】前記調整する手段は、DC増幅器からなるこ
    とを特徴とする請求項1記載の回路。
  5. 【請求項5】前記RF増幅器の動作性能特性は、利得性
    能、相互変調性能および効率の少なくとも1つからなる
    ことを特徴とする請求項1記載の回路。
  6. 【請求項6】入力と、出力と、供給電圧と、複数の動作
    性能とを有し、前記RF増幅器のバイアス電流によって設
    定される休止動作点に応答するRF増幅器において、前記
    バイアス電流を制御する方法は: 前記RF増幅器によって前記供給電圧から導かれるDC電流
    を検出する段階;および 前記RF増幅器のバイアス電流を前記検出されたDC電流の
    関数として調整し、前記RF増幅器の休止動作点を制御す
    る段階; からなることを特徴とする方法。
  7. 【請求項7】前記RF増幅器のバイアス電流を調整する段
    階は、さらに: 前記検出されたDC電流レベルが増加するとき、前記RF増
    幅器へのバイアス電圧を減少させる段階;および 前記検出されたDC電流レベルが減少するとき、前記RF増
    幅器へのバイアス電圧を増加させる段階; からなることを特徴とする請求項6記載の方法。
  8. 【請求項8】入力と、出力と、供給電圧と、RF増幅器の
    バイアス電流によって設定される休止動作点に応答する
    複数の動作性能と、を有する前記RF増幅器に用いられる
    バイアス制御回路であって: 前記RF増幅器に結合され、前記RF増幅器によって前記供
    給電圧から導かれるDC電流を検出し、前記供給電圧と前
    記RF増幅器との間に結合された抵抗と前記抵抗の端子に
    結合された第1および第2入力を有し、前記電流を検出
    して出力信号を提供する差動増幅器を含み;および 前記出力信号に応答して、前記RF増幅器のバイアス電流
    を可変する手段; からなることを特徴とする回路。
JP50331194A 1992-07-02 1993-06-14 Rf増幅器バイアス制御方法および装置 Expired - Lifetime JP3300836B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/908,144 1992-07-02
US07/908,144 US5311143A (en) 1992-07-02 1992-07-02 RF amplifier bias control method and apparatus
PCT/US1993/005623 WO1994001930A1 (en) 1992-07-02 1993-06-14 Rf amplifier bias control method and apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06510655A JPH06510655A (ja) 1994-11-24
JP3300836B2 true JP3300836B2 (ja) 2002-07-08

Family

ID=25425272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP50331194A Expired - Lifetime JP3300836B2 (ja) 1992-07-02 1993-06-14 Rf増幅器バイアス制御方法および装置

Country Status (11)

Country Link
US (1) US5311143A (ja)
EP (1) EP0604622A4 (ja)
JP (1) JP3300836B2 (ja)
KR (1) KR0138224B1 (ja)
CN (1) CN1037734C (ja)
BR (1) BR9305564A (ja)
CA (1) CA2116582C (ja)
FI (1) FI940805A (ja)
MY (1) MY116332A (ja)
TW (1) TW225058B (ja)
WO (1) WO1994001930A1 (ja)

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2263034B (en) * 1991-12-30 1996-05-01 Harris Corp Radio frequency amplifiers
US5640691A (en) * 1994-12-19 1997-06-17 Lucent Technologies Inc. Power controller for RF transmitters
US5670912A (en) * 1996-01-31 1997-09-23 Motorola, Inc. Variable supply biasing method and apparatus for an amplifier
US5673003A (en) * 1996-03-29 1997-09-30 Motorola, Inc. Amplifier circuit having a variable bandwidth
US5724005A (en) * 1996-04-25 1998-03-03 Lucent Technologies Inc. Linear power amplifier with automatic gate/base bias control for optimum efficiency
US5757229A (en) * 1996-06-28 1998-05-26 Motorola, Inc. Bias circuit for a power amplifier
GB2317289B (en) * 1996-09-12 2001-03-14 Nokia Mobile Phones Ltd Amplifier system
DE69813049T2 (de) * 1997-01-21 2004-02-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Hochfrequenzleistungsverstärker
US6148220A (en) 1997-04-25 2000-11-14 Triquint Semiconductor, Inc. Battery life extending technique for mobile wireless applications
US6049704A (en) * 1997-12-10 2000-04-11 Motorola, Inc. Apparatus for amplifying an RF signal
US6282177B1 (en) 1998-03-04 2001-08-28 3Com Corporation Method and apparatus for dynamically controlling the bias current in a receiver in response to the transmitter power
US6201441B1 (en) * 1998-05-14 2001-03-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor circuit
US6107880A (en) * 1998-08-06 2000-08-22 Motorola, Inc. Method and apparatus for increasing the linearity of the phase and gain of a power amplifier circuit
US6373882B1 (en) 1998-11-06 2002-04-16 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Motion estimator for a CDMA mobile station
US6043706A (en) * 1999-02-05 2000-03-28 Ericsson Inc. Methods and apparatus for controlling power amplifier quiescent current in a wireless communication device
EP1166439A1 (en) 1999-03-12 2002-01-02 Nokia Corporation Power amplifier unit
DE19921457B4 (de) 1999-05-08 2006-05-04 Basf Coatings Ag Modulsystem zur Herstellung wäßriger Beschichtungsstoffe, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung sowie damit hergestellte Lackierungen
US6427067B1 (en) * 1999-06-10 2002-07-30 The Whitaker Corporation Detector driven bias circuit for power transistors
US6559722B1 (en) * 1999-08-10 2003-05-06 Anadigics, Inc. Low bias current/temperature compensation current mirror for linear power amplifier
US6816003B2 (en) 2000-02-04 2004-11-09 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Circuits with dynamic biasing
JP4014072B2 (ja) * 2000-03-31 2007-11-28 株式会社ルネサステクノロジ 電力増幅器モジュール
US6760604B2 (en) * 2001-01-29 2004-07-06 Motorola, Inc. Portable radio transceiver having shared power source for audio and RF amplifiers
EP1358715B1 (de) 2001-02-09 2012-08-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Verfahren zum energiesparenden betrieb eines mobilfunkgerätes und mobilfunkgerät
US6522202B2 (en) 2001-06-12 2003-02-18 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Current controlled power amplifier
US8592663B2 (en) 2001-11-13 2013-11-26 U.S. Smokeless Tobacco Company Llc Tobacco nicotine demethylase genomic clone and uses thereof
US7700834B2 (en) 2001-11-13 2010-04-20 U.S. Smokless Tobacco Company Nicotiana nucleic acid molecules and uses thereof
US10266836B2 (en) 2001-11-13 2019-04-23 U.S. Smokeless Tobacco Company Llc Tobacco nicotine demethylase genomic clone and uses thereof
US7812227B2 (en) 2001-11-13 2010-10-12 U.S. Smokeless Tobacco Company Cloning of cytochrome p450 genes from nicotiana
US7700851B2 (en) 2001-11-13 2010-04-20 U.S. Smokeless Tobacco Company Tobacco nicotine demethylase genomic clone and uses thereof
US7199056B2 (en) * 2002-02-08 2007-04-03 Applied Materials, Inc. Low cost and low dishing slurry for polysilicon CMP
US6624702B1 (en) 2002-04-05 2003-09-23 Rf Micro Devices, Inc. Automatic Vcc control for optimum power amplifier efficiency
US7545865B2 (en) * 2002-12-03 2009-06-09 M/A-Com, Inc. Apparatus, methods and articles of manufacture for wideband signal processing
US6891432B2 (en) * 2002-11-14 2005-05-10 Mia-Com, Inc. Apparatus, methods and articles of manufacture for electromagnetic processing
US7245183B2 (en) * 2002-11-14 2007-07-17 M/A-Com Eurotec Bv Apparatus, methods and articles of manufacture for processing an electromagnetic wave
US7526260B2 (en) * 2002-11-14 2009-04-28 M/A-Com Eurotec, B.V. Apparatus, methods and articles of manufacture for linear signal modification
US7203262B2 (en) 2003-05-13 2007-04-10 M/A-Com, Inc. Methods and apparatus for signal modification in a fractional-N phase locked loop system
US7298854B2 (en) * 2002-12-04 2007-11-20 M/A-Com, Inc. Apparatus, methods and articles of manufacture for noise reduction in electromagnetic signal processing
US6924699B2 (en) * 2003-03-06 2005-08-02 M/A-Com, Inc. Apparatus, methods and articles of manufacture for digital modification in electromagnetic signal processing
US7187231B2 (en) * 2002-12-02 2007-03-06 M/A-Com, Inc. Apparatus, methods and articles of manufacture for multiband signal processing
US7010284B2 (en) * 2002-11-06 2006-03-07 Triquint Semiconductor, Inc. Wireless communications device including power detector circuit coupled to sample signal at interior node of amplifier
US20040072554A1 (en) * 2002-10-15 2004-04-15 Triquint Semiconductor, Inc. Automatic-bias amplifier circuit
US20040070454A1 (en) * 2002-10-15 2004-04-15 Triquint Semiconductor, Inc. Continuous bias circuit and method for an amplifier
US6831517B1 (en) 2002-12-23 2004-12-14 Intersil Americas, Inc. Bias-management system and method for programmable RF power amplifier
US6859098B2 (en) 2003-01-17 2005-02-22 M/A-Com, Inc. Apparatus, methods and articles of manufacture for control in an electromagnetic processor
US7480511B2 (en) * 2003-09-19 2009-01-20 Trimble Navigation Limited Method and system for delivering virtual reference station data
US7091778B2 (en) 2003-09-19 2006-08-15 M/A-Com, Inc. Adaptive wideband digital amplifier for linearly modulated signal amplification and transmission
US8637731B2 (en) 2003-10-16 2014-01-28 U.S. Smokeless Tobacco Company Nicotiana nucleic acid molecules and uses thereof
DE60305505T2 (de) * 2003-10-23 2007-04-26 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Leistungssteuerungsschaltkreis für eine mobile Endgeräteanwendung
US6903608B2 (en) * 2003-10-30 2005-06-07 Sige Semiconductor Inc. Power level controlling of first amplification stage for an integrated RF power amplifier
US7343138B2 (en) * 2003-12-08 2008-03-11 M/A-Com, Inc. Compensating for load pull in electromagentic signal propagation using adaptive impedance matching
US7177370B2 (en) * 2003-12-17 2007-02-13 Triquint Semiconductor, Inc. Method and architecture for dual-mode linear and saturated power amplifier operation
US8586837B2 (en) 2004-04-29 2013-11-19 U.S. Smokeless Tobacco Company Llc Nicotiana nucleic acid molecules and uses thereof
WO2005111217A2 (en) 2004-04-29 2005-11-24 U.S. Smokeless Tobacco Company Nicotiana nucleic acid molecules and uses thereof
JP4690835B2 (ja) * 2004-12-21 2011-06-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 送信機及びそれを用いた移動体通信端末
ATE530656T1 (de) 2005-02-23 2011-11-15 Univ North Carolina State Veränderung des alkaloidgehaltes in tabak durch modifikation spezifischer cytochrome p450 gene.
US7276973B2 (en) * 2005-06-29 2007-10-02 Skyworks Solutions, Inc. Automatic bias control circuit for linear power amplifiers
DE102006014778A1 (de) * 2006-03-30 2007-10-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur betriebsparameterabhängigen Verstärkungseinstellung in Funkeinrichtungen
US8319011B2 (en) 2006-12-15 2012-11-27 U.S. Smokeless Tobacco Company Llc Tobacco plants having reduced nicotine demethylase activity
BRPI0820042B1 (pt) 2007-11-12 2020-05-19 North Carolina State University método de obtenção de uma planta de tabaco, ou célula ou parte desta, tendo níveis reduzidos de nornicotina, produto de tabaco, método para fabricar um produto de tabaco, polinucleotídeo isolado, cassete de expressão, polipetpídeo isolado e método de obtenção de uma planta, ou parte de planta desta, do gênero nicotiana
CN101442292B (zh) * 2007-11-19 2011-04-13 华为技术有限公司 射频放大器数字偏置电路、方法及通信设备
CN100554899C (zh) * 2007-12-07 2009-10-28 中国科学院安徽光学精密机械研究所 锑化铟光电传感器阵列静态工作点自动校准装置
US20090146784A1 (en) * 2007-12-10 2009-06-11 Mohammad Soleimani Method and System for Variable Power Amplifier Bias in RFID Transceivers
CN101651477B (zh) * 2009-09-04 2013-01-02 惠州市正源微电子有限公司 射频功率放大器效率的增强方法及其效率增强电路
US8319559B2 (en) 2009-10-05 2012-11-27 Hittite Microwave Corporation Active bias control circuit for an amplifier and method of power up sequencing the same
EA033565B1 (ru) 2010-01-15 2019-11-05 Univ North Carolina State Композиции и способы, предназначенные для минимизации синтеза норникотина в растениях табака
US8688061B2 (en) 2010-08-09 2014-04-01 Skyworks Solutions, Inc. System and method for biasing a power amplifier
JP2014511184A (ja) 2011-02-28 2014-05-15 アルトリア クライアント サービシーズ インコーポレイテッド タバコ近交系植物albex1f及びalbex1ms
CN103687480A (zh) 2011-02-28 2014-03-26 北卡罗莱纳州立大学 烟草近交植物ncbex1f、ncbex1ms和nc ex90
DE102012203026A1 (de) 2012-02-28 2013-08-29 Sennheiser Electronic Gmbh & Co. Kg Hochfrequenzsender
CN102969995B (zh) * 2012-11-23 2015-05-06 锐迪科创微电子(北京)有限公司 应用于线性模式功率放大器的动态偏置控制电路
US9603335B2 (en) 2013-01-11 2017-03-28 North Carolina State University Tobacco inbred plants K326 SRC, CMS K326 SRC, K346 SRC, CMS K346 SRC, NC1562-1 SRC, NCTG-61 SRC, CMS NCTG-61 SRC and hybrid NC196 SRC
WO2014137802A1 (en) 2013-03-05 2014-09-12 North Carolina State University Tobacco inbred and hybrid plants and uses thereof
US9596822B2 (en) 2014-03-03 2017-03-21 North Carolina State University Tobacco inbred and hybrid plants and tobacco products made thereof
JP2017508462A (ja) 2014-03-03 2017-03-30 ノース カロライナ ステイト ユニヴァーシティ タバコ近交系植物およびハイブリッド植物ならびにそれらから作られたタバコ製品
EP3113602A1 (en) 2014-03-03 2017-01-11 North Carolina State University Tobacco inbred and hybrid plants and tobacco products made thereof
DE102015208490A1 (de) 2015-05-07 2016-11-10 Sennheiser Electronic Gmbh & Co. Kg Hochfrequenz-Sender
US10014826B2 (en) 2015-12-10 2018-07-03 Analog Devices, Inc. Apparatus and methods for power enhancement of self-biased distributed amplifiers with gate bias networks
US10516371B2 (en) * 2016-07-21 2019-12-24 Cool Dry, Inc. Power converting system
US9793859B1 (en) 2016-09-27 2017-10-17 Raytheon Company Amplifier output power limiting circuitry

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4158180A (en) * 1978-04-13 1979-06-12 General Electric Company Temperature control circuit
US4462004A (en) * 1982-03-18 1984-07-24 At&T Bell Laboratories Dynamic class-4 FET amplifier
FR2560468A1 (fr) * 1984-02-28 1985-08-30 Lgt Lab Gen Telecomm Dispositif de polarisation d'etage d'amplification a transistors et son utilisation dans un tel etage
US4547746A (en) * 1984-04-09 1985-10-15 Rockwell International Corporation VSWR Tolerant linear power amplifier
US4760347A (en) * 1987-01-20 1988-07-26 Novatel Communications Ltd. Controlled-output amplifier and power detector therefor
JPH0618294B2 (ja) * 1987-02-27 1994-03-09 株式会社東芝 音声出力増幅器
US4831334A (en) * 1987-06-08 1989-05-16 Hughes Aircraft Company Envelope amplifier
JPH01314431A (ja) * 1988-06-15 1989-12-19 Mitsubishi Electric Corp 送信電力制御回路
NL8901725A (nl) * 1989-07-06 1991-02-01 Philips Nv Versterkerschakeling.
US5043672A (en) * 1990-03-26 1991-08-27 Novatel Communications Ltd. Power detector utilizing bias voltage divider for precision control of an amplifier
CN2075402U (zh) * 1990-03-28 1991-04-17 任现合 电视天线信号小型放大器
JPH0821819B2 (ja) * 1990-08-30 1996-03-04 三洋電機株式会社 増幅回路
CN2082921U (zh) * 1990-12-19 1991-08-14 陈广彦 全频道天线放大器
US5204637A (en) * 1992-04-17 1993-04-20 Hughes Aircraft Company Power detection technique for automatic amplifier power control

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06510655A (ja) 1994-11-24
CN1081794A (zh) 1994-02-09
MY116332A (en) 2004-01-31
FI940805A0 (fi) 1994-02-21
CN1037734C (zh) 1998-03-11
BR9305564A (pt) 1995-12-26
WO1994001930A1 (en) 1994-01-20
KR0138224B1 (ko) 1998-06-15
EP0604622A4 (en) 1995-12-06
FI940805A (fi) 1994-02-21
US5311143A (en) 1994-05-10
CA2116582A1 (en) 1994-01-20
EP0604622A1 (en) 1994-07-06
CA2116582C (en) 1997-08-26
TW225058B (ja) 1994-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3300836B2 (ja) Rf増幅器バイアス制御方法および装置
JP2776071B2 (ja) 送信出力包絡線検波回路および線形送信回路
US6674328B2 (en) Amplifier circuit
AU679791B2 (en) Transimpedance amplifier circuit with feedback and load resistor variable circuits
US6819180B2 (en) Radio frequency power amplifier adaptive bias control circuit
NL193076C (nl) Versterkerregelketen.
US5635874A (en) Stable distortion amplifier for audio signals
WO2003075452A2 (en) Method of adjusting gain and current consumption of a power amplifier circuit while maintaining linearity
US4547741A (en) Noise reduction circuit with a main signal path and auxiliary signal path having a high pass filter characteristic
US20040095192A1 (en) Radio frequency power amplifier adaptive bias control circuit
US4422051A (en) Gain control circuit
JPH07502392A (ja) 無線周波数増幅器
US4462008A (en) Noise reduction circuit having voltage to current converting means in the auxiliary channel
US4743861A (en) Frequency response compensation circuit
US4514704A (en) Variable filter circuit
US5936470A (en) Audio amplifier having linear gain control
JPH0573285B2 (ja)
US4593252A (en) Enhanced transconductance amplifier
US5812008A (en) Logarithmic converter
JP2981953B2 (ja) 線形送信回路
JPH11503284A (ja) 制御電圧により制御される非直線成分を直線化するためのリニアライザ
JPS62100010A (ja) 対数増幅器
JP3263544B2 (ja) Alc回路
JP2874429B2 (ja) 記録電流増幅回路
JPS638662B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090426

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090426

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100426

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100426

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110426

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110426

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120426

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120426

Year of fee payment: 10

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120426

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120426

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130426

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130426

Year of fee payment: 11

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130426

Year of fee payment: 11

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140426

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term