JPH02149007A - 自動利得制御回路 - Google Patents

自動利得制御回路

Info

Publication number
JPH02149007A
JPH02149007A JP30073688A JP30073688A JPH02149007A JP H02149007 A JPH02149007 A JP H02149007A JP 30073688 A JP30073688 A JP 30073688A JP 30073688 A JP30073688 A JP 30073688A JP H02149007 A JPH02149007 A JP H02149007A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
automatic gain
gain control
circuit
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30073688A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiaki Araki
荒木 善明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP30073688A priority Critical patent/JPH02149007A/ja
Publication of JPH02149007A publication Critical patent/JPH02149007A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、自動利得制御回路に関し、更に詳しくは増幅
回路において増幅利得を自動制御するための自動利得制
御回路に関する。
〔従来の技術〕
増幅素子としてトランジスタを使用する増幅回路におい
て、増幅利得を自動制御する回路として、トランジスタ
の直流バイアスを制御して増幅利得を制御する構成のも
のがある。
第2図は、この種の自動利得制御(AGC)回路の回路
構成を示しており、増幅回路のトランジスタ5のベース
には入力端子ENが接続されると共に、バイアス供給用
抵抗器3の一端が接続され、抵抗器3の他端はアースに
接続されている。
抵抗器10はAGC供給用抵抗器であって、一端がトラ
ンジスタ5のベースに接続され、他端が自動利得制御端
子AGCに接続されており、自動利得制御端子AGCに
供給される制御電圧が抵抗器10を介してトランジスタ
5のベースに印加されるようになっている。
トランジスタ5のエミツタは、互いに並列接続されるバ
イアス供給用抵抗器12と接地用コンデンサ6を介して
アースに接続される一方、そのコレクタはバイアス供給
用抵抗器7を介して十B電源に接続され、また、直流カ
ット用コンデンサ13を介して出力端子OUTが接続さ
れている。
トランジスタ5を増幅素子とする増幅回路において、入
力端子INに供給された信号は増幅されて出力端子OU
Tから出力されるが、この場合、増幅利得は、トランジ
スタ5の直流バイアスを変化させて制御する。
すなわち、第2図に示す従来の自動利得制御回路では、
自動利得制御端子AGCに供給される制御電圧を抵抗器
10を介して増幅回路の増幅素子であるトランジスタ5
のベースへ印加し、トランジスタ5の直流バイアスを変
化させることにより、増幅利得を制御する。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、かかる構成においては、制御電圧の大き
さに応じて増幅利得を制御しようとするとき、トランジ
スタ5の直流バイアスを変化させなければならず、直流
バイアスの変化は歪率特性を劣化させる。従って、従来
のものでは、自動利得制御端子に供給する制御電圧によ
り、その大きさに応じて増幅利得を制御することはでき
るが、その反面歪率特性の劣化が生ずる。
このように、上述した従来の自動利得制御回路は、トラ
ンジスタ5の直流バイアスを変化させて増幅利得を制4
ffllするため、歪率特性を劣化させるという欠点が
あり、歪率特性を劣化させることなく増幅利得を所望の
ものに制御することは困難である。
本発明の目的は、トランジスタを増幅素子とする増幅回
路において、歪率特性の劣化を避けつつ増幅利得を制御
することのできる自動利得制御回路を提供することにあ
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は、トランジスタを増幅素子とする増11百回路
における自動利得制御回路であって、前記トランジスタ
の帰還回路を構成する可変容量ダイオードと、 可変容量ダイオードへ自動利得制御端子から可変電圧を
供給する手段とを有することを特徴としている。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
; 第1図は本発明の一実施例の回路構成図である。
第1図に示すように、トランジスタを増幅素子として用
いる増幅回路は、本実施例では、npn型のトランジス
タ5と、抵抗器2.3,7.12と、接地用コンデンサ
6によりエミッタ接地増幅回路として構成されている。
各抵抗器2,3,7.12は、バイアス供給用抵抗器で
あって、バイアス供給用抵抗器2は十B電源とトランジ
スタ5のベースとの間に、バイアス供給用抵抗器3はト
ランジスタ5のベースとアースとの間に、バイアス供給
用抵抗器7はトランジスタ5のコレクタと十B電源との
間に、更にバイアス供給用抵抗器12はトランジスタ5
のエミッタとアースとの間に、各々接続されており、こ
れらにより動作バイアスが設定されている。この増幅回
路は、エミッタ接地増幅回路であるため、トランジスタ
5のエミッタはコンデンサ6によって交流的に接地され
ている。
トランジスタ5のベースは直流カット用コンデンサ1を
介して入力端子INへ、そのコレクタは直流カット用コ
ンデンサ13を介して出力端子OUTへ、各々接続され
ており、入力端子INに供給された信号は増幅されて出
力端子OUTから出力される。
このようなトランジスタ増幅回路において、増幅回路の
増幅利得を制御するための回路として、トランジスタ5
の帰還回路を構成する可変容量ダイオードと、その可変
容量ダイオードへ自動利得制御端子AGCから帰還回路
による9i還■を変化させるための可変電圧を供給する
手段とを設けである。
本実施例では、帰還回路を構成する可変容量ダイオード
9をトランジスタ5のコレクタとベース間に挿入してい
る。すなわら、図示の如く、可変容量ダイオード9のア
ノードは、コンデンサ8を介してトランジスタ5のベー
スへ接続され、また、抵抗器4を介してアースへ接続さ
れている。一方、そのカソードは、コンデンサ11を介
してトランジスタ5のコレクタへ接続され、また、抵抗
器10を介して自動利得制御端子AGCへ接続されてい
る。
抵抗器4.10は、各々AGC供給用抵抗器であリ、コ
ンデンサ8,11は、各々直流カット用コンデンサであ
る。自動利得制御端子AGCは、第2図の場合と同様、
利得制御のための制御電圧が印加される制御端子であり
、その制御■電圧の大きさに応じて、抵抗器10、可変
容量ダイオード9及び抵抗器4から成る直列回路中にお
ける可変容量ダイオード9のアノード、カソード間にか
かる逆バイアスを変化させ、これによりトランジスタ5
のコレクタ、ベース間の帰還量を変えることによって増
幅利得を制御する。
このように、第1図の自動利得制御回路は、トランジス
タ5を増幅素子とする増幅回路において、トランジスタ
5の帰還回路を構成する可変容量ダイオード9と、可変
容量ダイオード9へ自動利得制御端子AGCから可変電
圧を供給する手段とを具備し、前記可変電圧により可変
容量ダイオード9による帰還量を可変して増幅利得を制
御するようにしている。
次に、上記構成の自動利得制御回路の動作について説明
する。
第1図において、既述したように、自動利得制御端子A
GCには、増幅回路の増幅利得を制御する電圧が供給さ
れており、この電圧が抵抗器IOを介して可変容量ダ・
イオード9を逆バイアスする。
このように、可変容量ダイオード9を逆バイアスするこ
とにより、可変容量ダイオード9を電圧依存のりアクタ
ンス素子として動作させる。一方、この可変容量ダイオ
ード9は、トランジスタ5のコレクタ、ベース間に挿入
されていて、エミッタ接地増幅回路の帰還回路を構成し
ているため、逆バイアスの大きさ、すなわち自動利得制
御回路八〇〇に供給される制御電圧に応じて帰還回路の
帰還量が制御されることとなる。
従って、第1図の構成においては、自動利得制御端子A
GCに供給される制御電圧によりエミッタ接地増幅回路
の増幅利得を制御することができる。この増幅利得の制
御は、第2図の構成によるもののようにトランジスタ5
の直流バイアスを変化させることな(行うことができ、
歪率特性を劣化させることもなく、増幅利得を所望のも
のに制御することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、トランジスタの
直流バイアスを変化させないで、帰還回路の帰還量を変
化させることにより増幅利得を制御する構成のため、歪
率特性を劣化させることなく増幅利得を制御できる効果
がある。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は従来
の自動利得制御回路を示す回路構成図である。 1、 8.11.13・・・直流カット用コンデンサ2
.3,7.12・・・バイアス供給用抵抗器4.10・
・・・・・・AGC供給用抵抗器5・・・・・・・・・
トランジスタ 6・・・・・・・・・接地用コンデンサ9・・・・・・
・・・可変容量ダイオード第1図 代理人 弁理士  岩 佐  義 幸 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)トランジスタを増幅素子とする増幅回路における
    自動利得制御回路であって、 前記トランジスタの帰還回路を構成する可変容量ダイオ
    ードと、 可変容量ダイオードへ自動利得制御端子から可変電圧を
    供給する手段とを有することを特徴とする自動利得制御
    回路。
JP30073688A 1988-11-30 1988-11-30 自動利得制御回路 Pending JPH02149007A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30073688A JPH02149007A (ja) 1988-11-30 1988-11-30 自動利得制御回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30073688A JPH02149007A (ja) 1988-11-30 1988-11-30 自動利得制御回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02149007A true JPH02149007A (ja) 1990-06-07

Family

ID=17888485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30073688A Pending JPH02149007A (ja) 1988-11-30 1988-11-30 自動利得制御回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02149007A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002009277A3 (en) * 2000-07-10 2003-01-23 Intersil Corp Negative feedback gain control for common electrode transistor
KR100600995B1 (ko) * 2002-05-20 2006-07-19 학교법인 한국정보통신학원 바이패스 커패시터를 이용한 전치 왜곡형 선형 전력 증폭기

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002009277A3 (en) * 2000-07-10 2003-01-23 Intersil Corp Negative feedback gain control for common electrode transistor
KR100600995B1 (ko) * 2002-05-20 2006-07-19 학교법인 한국정보통신학원 바이패스 커패시터를 이용한 전치 왜곡형 선형 전력 증폭기

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6486739B1 (en) Amplifier with self-bias boosting using an enhanced wilson current mirror biasing scheme
JPH0671180B2 (ja) 利得制御信号の関数として入力信号に利得を与える装置
JPH11340785A (ja) 能動低域通過フィルタ
US4929908A (en) Gain controllable amplifier circuit
JPH02149007A (ja) 自動利得制御回路
JPH07312525A (ja) 広帯域定インピーダンス増幅器
JP2004505484A (ja) 共通電極トランジスタ用ネガティブ・フィードバック利得制御
JPS6341445B2 (ja)
US3678406A (en) Variable gain amplifier
JPH0661750A (ja) 高周波増幅装置
JPH0618300B2 (ja) ダ−リントントランジスタ装置
EP0916182A1 (en) High-gain common-emitter output stage
JPS631768B2 (ja)
JPH05121953A (ja) 増幅器
JPH06276037A (ja) オーディオ用パワーアンプ
JPS5927612A (ja) 増幅回路
JPH0339933Y2 (ja)
JP3342345B2 (ja) 利得制御回路
JPH02151109A (ja) 半導体増幅回路
JP2551653B2 (ja) トランスインピーダンス型増幅器
JPS6113403B2 (ja)
JPS6133705Y2 (ja)
JP3249254B2 (ja) 集積化増幅器
JPS62152206A (ja) 電子ボリユ−ム回路
US20050062535A1 (en) Impedance matched low noise amplifier