JPH0660142B2 - ビフェニル誘導体、その製法及びその合成中間体 - Google Patents
ビフェニル誘導体、その製法及びその合成中間体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、肝障害の治療・予防剤として有用な新規ビフ
ェニル誘導体、その製法及びその合成中間体に関する。
ェニル誘導体、その製法及びその合成中間体に関する。
(従来の技術) 肝臓は解毒、各種の代謝、栄養素の貯蔵など、種々の機
能を有する重要な臓器であるが、ウイルス、薬物、アル
コール等の様々な原因により障害を受け、急性肝炎、慢
性肝炎、脂肪肝等の肝疾患を生じ、最終的には、肝硬変
に至ることがある。特に、細胞の浸潤及び肝線維化等を
伴う慢性肝炎及び肝硬変は、難治療性の疾患として知ら
れている。
能を有する重要な臓器であるが、ウイルス、薬物、アル
コール等の様々な原因により障害を受け、急性肝炎、慢
性肝炎、脂肪肝等の肝疾患を生じ、最終的には、肝硬変
に至ることがある。特に、細胞の浸潤及び肝線維化等を
伴う慢性肝炎及び肝硬変は、難治療性の疾患として知ら
れている。
従来、このような肝障害の治療剤としては、例えば、ジ
メチル〔4,4′−ジメトキシ−5、6、5′,6′−
ビス(メチレンジオキシ)−2,2′−ビフェニルジカ
ルボキシレート〕(DDB)等対称型オクタ置換ビフェ
ニル化合物が知られている〔特開昭60-209582号〕。
メチル〔4,4′−ジメトキシ−5、6、5′,6′−
ビス(メチレンジオキシ)−2,2′−ビフェニルジカ
ルボキシレート〕(DDB)等対称型オクタ置換ビフェ
ニル化合物が知られている〔特開昭60-209582号〕。
(発明の構成及び効果) 本発明者らは鋭意研究の結果、DDBの如き従来公知の
対称型オクタ置換ビフェニル化合物と異なり、非対称型
ビフェニル化合物を含む次式のヘキサ又はヘプタ置換ビ
フェニル誘導体が、肝障害に対し優れた治療・予防効果
を奏することを見出した。
対称型オクタ置換ビフェニル化合物と異なり、非対称型
ビフェニル化合物を含む次式のヘキサ又はヘプタ置換ビ
フェニル誘導体が、肝障害に対し優れた治療・予防効果
を奏することを見出した。
(但し、R1は、ヒドロキシC1-6低級アルキル基及び
C1-6低級アルキル基から選ばれる1もしくは2の基で
置換されていてもよいアミノカルボニル基、アミノチオ
カルボニル基、C1-6低級アルコキシ基で置換されてい
てもよいC1-6低級アルコキシ−カルボニル基、シアノ
基又は式: で示される基であり、R2〜R4は、R2又はR4の一
方が水素原子又はC1-6低級アルコキシ基であり他の2
つがC1-6低級アルコキシ基、フェニルC1-6低級アルコ
キシ基もしくは水酸基であるか又は互いに結合してC
1-6低級アルキレンジオキシ基を形成し、R5及びR6
は互いに結合してC1-6低級アルキレンジオキシ基を形
成し、R7は水素原子であり、Alk1はC1-6低級アルキ
レン基を表す。) 本発明のビフェニル誘導体の具体例としては、一般式
(I)においてR1がヒドロキシC1-6低級アルキル基
及びC1-6低級アルキル基から選ばれる1もしくは2の
基で置換されていてもよいアミノカルボニル基;アミノ
チオカルボニル基;C1-6低級アルコキシ基で置換され
ていてもよいC1-6低級アルコキシ−カルボニル基、シ
アノ基又は4,4−ジC1-6低級アルキル−4,5−ジ
ヒドロ−2−オキサゾリル基である化合物をあげること
ができる。
C1-6低級アルキル基から選ばれる1もしくは2の基で
置換されていてもよいアミノカルボニル基、アミノチオ
カルボニル基、C1-6低級アルコキシ基で置換されてい
てもよいC1-6低級アルコキシ−カルボニル基、シアノ
基又は式: で示される基であり、R2〜R4は、R2又はR4の一
方が水素原子又はC1-6低級アルコキシ基であり他の2
つがC1-6低級アルコキシ基、フェニルC1-6低級アルコ
キシ基もしくは水酸基であるか又は互いに結合してC
1-6低級アルキレンジオキシ基を形成し、R5及びR6
は互いに結合してC1-6低級アルキレンジオキシ基を形
成し、R7は水素原子であり、Alk1はC1-6低級アルキ
レン基を表す。) 本発明のビフェニル誘導体の具体例としては、一般式
(I)においてR1がヒドロキシC1-6低級アルキル基
及びC1-6低級アルキル基から選ばれる1もしくは2の
基で置換されていてもよいアミノカルボニル基;アミノ
チオカルボニル基;C1-6低級アルコキシ基で置換され
ていてもよいC1-6低級アルコキシ−カルボニル基、シ
アノ基又は4,4−ジC1-6低級アルキル−4,5−ジ
ヒドロ−2−オキサゾリル基である化合物をあげること
ができる。
また、更に好ましい化合物は、 R2及びR3がC1-6低級アルコキシ基もしくは互い
に結合してC1-6低級アルキレンジオキシ基を形成し、
R4が水素原子であるか; R2が水素原子であって、R3及びR4が互いに結合
してC1-6低級アルキレンジオキシ基を形成するか; R2〜R4が共にC1-6低級アルコキシ基であるか; R2がC1-6低級アルコキシ基であって、R3及びR
4が互いに結合してC1-6低級アルキレンジオキシ基を
形成するか又はR3がフェニルC1-6低級アルコキシ
基、R4が水素原子であるか; 或いはR2がC1-6低級アルコキシ基、R3が水酸
基、R4が水素原子であり、 かつR5及びR6が互いに結合してC1-6低級アルキレ
ンジオキシ基を形成し、R7が水素原子である化合物で
ある。
に結合してC1-6低級アルキレンジオキシ基を形成し、
R4が水素原子であるか; R2が水素原子であって、R3及びR4が互いに結合
してC1-6低級アルキレンジオキシ基を形成するか; R2〜R4が共にC1-6低級アルコキシ基であるか; R2がC1-6低級アルコキシ基であって、R3及びR
4が互いに結合してC1-6低級アルキレンジオキシ基を
形成するか又はR3がフェニルC1-6低級アルコキシ
基、R4が水素原子であるか; 或いはR2がC1-6低級アルコキシ基、R3が水酸
基、R4が水素原子であり、 かつR5及びR6が互いに結合してC1-6低級アルキレ
ンジオキシ基を形成し、R7が水素原子である化合物で
ある。
ここに、低級アルキル基、低級アルコキシ基及び低級ア
ルキレン基としては、炭素数1〜6のアルキル基、アル
コキシ基及びアルキレン基をあげることができ、炭素数
1〜4のものがとりわけ好ましい。
ルキレン基としては、炭素数1〜6のアルキル基、アル
コキシ基及びアルキレン基をあげることができ、炭素数
1〜4のものがとりわけ好ましい。
本発明によれば、目的物(I)の内、R1がヒドロキシ
C1-6低級アルキル基及びC1-6低級アルキル基から選ば
れる1もしくは2の基で置換されていてもよいアミノカ
ルボニル基又はC1-6低級アルコキシ基で置換されてい
てもよいC1-6低級アルコキシ−カルボニル基である化
合物は、一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示されるビフェニルジカルボン酸化合物、そのカルボ
キシル基における反応性誘導体又はその塩と一般式 R8−H (III) (但し、R8はヒドロキシC1-6低級アルキル基及びC
1-6低級アルキル基から選ばれる1もしくは2の基で置
換されていてもよいアミノ基又はC1-6低級アルコキシ
基で置換されていてもよいC1-6低級アルコキシ基を表
す。) で示される化合物又はその塩とを反応させて製造するこ
とができる。
C1-6低級アルキル基及びC1-6低級アルキル基から選ば
れる1もしくは2の基で置換されていてもよいアミノカ
ルボニル基又はC1-6低級アルコキシ基で置換されてい
てもよいC1-6低級アルコキシ−カルボニル基である化
合物は、一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示されるビフェニルジカルボン酸化合物、そのカルボ
キシル基における反応性誘導体又はその塩と一般式 R8−H (III) (但し、R8はヒドロキシC1-6低級アルキル基及びC
1-6低級アルキル基から選ばれる1もしくは2の基で置
換されていてもよいアミノ基又はC1-6低級アルコキシ
基で置換されていてもよいC1-6低級アルコキシ基を表
す。) で示される化合物又はその塩とを反応させて製造するこ
とができる。
また、R1がC1-6低級アルコキシ基で置換されていて
もよいC1-6低級アルコキシ−カルボニル基である目的
物(I)は、一般式 (但し、Alk2はC1-6低級アルキレン基、Arlはアリーレ
ン基、nは0又は1を表し、他の記号は前記と同一意味
を有する。) で示される環状ジエステル化合物又はその塩と、一般式 R9−H (V) (但し、R9はC1-6低級アルコキシ基で置換されてい
てもよいC1-6低級アルコキシ基を表す。) で示されるアルコール化合物とを反応させて製造するこ
ともできる。
もよいC1-6低級アルコキシ−カルボニル基である目的
物(I)は、一般式 (但し、Alk2はC1-6低級アルキレン基、Arlはアリーレ
ン基、nは0又は1を表し、他の記号は前記と同一意味
を有する。) で示される環状ジエステル化合物又はその塩と、一般式 R9−H (V) (但し、R9はC1-6低級アルコキシ基で置換されてい
てもよいC1-6低級アルコキシ基を表す。) で示されるアルコール化合物とを反応させて製造するこ
ともできる。
目的物(I)のうち、R1が式: (但し、Alk1は前記と同一意味を有する。) で示される基である化合物は、一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示されるビス(ヒドロキシアルキルアミド)化合物、
その反応性誘導体又はその塩を分子内閉環反応に付すこ
とにより製造することができる。
その反応性誘導体又はその塩を分子内閉環反応に付すこ
とにより製造することができる。
また、R1がシアノ基又はアミノチオカルボニル基であ
る目的物(I)は、一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示されるビス(カルボキサミド)化合物又はその塩を
脱水し、所望により硫化して製造することができる。
る目的物(I)は、一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示されるビス(カルボキサミド)化合物又はその塩を
脱水し、所望により硫化して製造することができる。
ビフェニルジカルボン酸化合物(II)の反応性誘導体と
化合物(III)との縮合反応は、適当な溶媒中、脱酸剤
の存在又は非存在下に実施することができる。当該反応
性誘導体としては、慣用の反応性誘導体、例えば、対応
する酸ハライド、混合酸無水物、活性エステル等を、ま
た、脱酸剤としては、例えば、トリアルキルアミン、
N,N−ジアルキルアミノピリジン、ピリジン、N,N
−ジアルキルアニリン、N−アルキルモルホリン、水酸
化アルカリ金属、炭酸アルカリ金属、炭酸水素アルカリ
金属等をいずれも好適に用いることができる。一方、遊
離のビフェニルジカルボン酸化合物(II)と化合物(II
I)との縮合反応は、例えば、縮合剤の存在又は非存在
下で実施することができる。縮合剤としては、例えば、
N,N′−ジシクロヘキシルカルボジイミド、N−シク
ロヘキシル−N′−モルホリノカルボジイミド、N−エ
チル−N′−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジ
イミド等慣用の縮合剤をいずれも好適に用いることがで
きる。上記縮合反応はいずれも、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセタミド、テトラヒドロフラン、ジクロ
ロメタン、酢酸エチル、アセトニトリル等慣用の溶媒
中、冷却下〜室温付近、例えば0〜20℃で好適に進行
する。
化合物(III)との縮合反応は、適当な溶媒中、脱酸剤
の存在又は非存在下に実施することができる。当該反応
性誘導体としては、慣用の反応性誘導体、例えば、対応
する酸ハライド、混合酸無水物、活性エステル等を、ま
た、脱酸剤としては、例えば、トリアルキルアミン、
N,N−ジアルキルアミノピリジン、ピリジン、N,N
−ジアルキルアニリン、N−アルキルモルホリン、水酸
化アルカリ金属、炭酸アルカリ金属、炭酸水素アルカリ
金属等をいずれも好適に用いることができる。一方、遊
離のビフェニルジカルボン酸化合物(II)と化合物(II
I)との縮合反応は、例えば、縮合剤の存在又は非存在
下で実施することができる。縮合剤としては、例えば、
N,N′−ジシクロヘキシルカルボジイミド、N−シク
ロヘキシル−N′−モルホリノカルボジイミド、N−エ
チル−N′−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジ
イミド等慣用の縮合剤をいずれも好適に用いることがで
きる。上記縮合反応はいずれも、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセタミド、テトラヒドロフラン、ジクロ
ロメタン、酢酸エチル、アセトニトリル等慣用の溶媒
中、冷却下〜室温付近、例えば0〜20℃で好適に進行
する。
また、環状ジエステル化合物(IV)とアルコール化合物
(V)との反応は、エステル交換の常法に従い、例え
ば、無溶媒又は適当な溶媒中、酸又は塩基の存在下で実
施することができる。酸としては、硫酸、塩酸、ギ酸、
酢酸、p−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の
無機及び有機酸を、一方、塩基としては、水酸化アルカ
リ金属、水酸化アルカリ土類金属、水素化アルカリ金属
等の有機及び無機塩基を用いることができる。溶媒とし
ては、低級アルカノール、ジオキサン、テトラヒドロフ
ラン、ジエチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド、アセトニトリル等があげられる。当
該反応は、加温〜加熱下、例えば、30〜80℃で好適
に進行する。
(V)との反応は、エステル交換の常法に従い、例え
ば、無溶媒又は適当な溶媒中、酸又は塩基の存在下で実
施することができる。酸としては、硫酸、塩酸、ギ酸、
酢酸、p−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の
無機及び有機酸を、一方、塩基としては、水酸化アルカ
リ金属、水酸化アルカリ土類金属、水素化アルカリ金属
等の有機及び無機塩基を用いることができる。溶媒とし
ては、低級アルカノール、ジオキサン、テトラヒドロフ
ラン、ジエチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド、アセトニトリル等があげられる。当
該反応は、加温〜加熱下、例えば、30〜80℃で好適
に進行する。
ビス(ヒドロキシアルキルアミド)化合物(I-a)又はそ
の反応性誘導体の分子内閉環反応は、常法に従い、無溶
媒又は適当な溶媒中、ハロゲン化剤の存在下又は非存在
下で実施することができる。ハロゲン化剤としては、例
えば、チオニルクロリド、五塩化リン、オキシ塩化リン
等の慣用のものをいずれも用いることができ、溶媒とし
ては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム
等があげられる。当該反応は冷却下〜室温付近、例え
ば、−20〜20℃で好適に進行する。
の反応性誘導体の分子内閉環反応は、常法に従い、無溶
媒又は適当な溶媒中、ハロゲン化剤の存在下又は非存在
下で実施することができる。ハロゲン化剤としては、例
えば、チオニルクロリド、五塩化リン、オキシ塩化リン
等の慣用のものをいずれも用いることができ、溶媒とし
ては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム
等があげられる。当該反応は冷却下〜室温付近、例え
ば、−20〜20℃で好適に進行する。
ビス(カルボキサミド)化合物(I-b)の脱水反応は、脱
水剤の存在下又は非存在下で実施することができる。脱
水剤としては、オキシ塩化リン、塩化チオニル、五塩化
リン、ベンゼンスルホン酸、塩化アルミニウム等の慣用
のものをいずれも用いることができる。反応は無溶媒又
は例えば、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジメチルホ
ルムアミド、ピリジン等の適当な溶媒中のずれでも実施
でき、加熱下、例えば、60〜100℃で好適に進行す
る。
水剤の存在下又は非存在下で実施することができる。脱
水剤としては、オキシ塩化リン、塩化チオニル、五塩化
リン、ベンゼンスルホン酸、塩化アルミニウム等の慣用
のものをいずれも用いることができる。反応は無溶媒又
は例えば、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジメチルホ
ルムアミド、ピリジン等の適当な溶媒中のずれでも実施
でき、加熱下、例えば、60〜100℃で好適に進行す
る。
上記反応で得られた生成物の硫化反応は、適当な溶媒
中、脱酸剤の存在下又は非存在下、硫化剤で処理して実
施することができる。硫化剤としては、例えば硫化水素
ガス、五硫化リン、p-メトキシフェニルチオノホスフィ
ンスルフィドの二量体等慣用のものをいずれも好適に用
いることができる。脱酸剤としては、前述のものをいず
れも好適に用いることができ、溶媒としては、ジオキサ
ン、ピリジン等を用いるのが好ましい。当該反応は室温
〜加熱下、例えば20〜100℃で好適に進行する。
中、脱酸剤の存在下又は非存在下、硫化剤で処理して実
施することができる。硫化剤としては、例えば硫化水素
ガス、五硫化リン、p-メトキシフェニルチオノホスフィ
ンスルフィドの二量体等慣用のものをいずれも好適に用
いることができる。脱酸剤としては、前述のものをいず
れも好適に用いることができ、溶媒としては、ジオキサ
ン、ピリジン等を用いるのが好ましい。当該反応は室温
〜加熱下、例えば20〜100℃で好適に進行する。
また、本発明によれば、R2〜R7のいずれかがフェニルC
1-6低級アルコキシ基(例えば、ベンジル基等)である
目的物(I)は、還元して、当該置換基が水酸基である
目的物(I)に変換することもできる。当該還元反応
は、常法に従い、例えば、水素気流中、適当な触媒(例
えば、パラジウム−炭素)の存在下、接触水素添加して
実施することができる。溶媒としては、低級アルカノー
ル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等慣用の溶媒を用
いることができ、反応は常圧〜加圧下、室温〜加温下、
例えば10〜50℃で好適に進行する。
1-6低級アルコキシ基(例えば、ベンジル基等)である
目的物(I)は、還元して、当該置換基が水酸基である
目的物(I)に変換することもできる。当該還元反応
は、常法に従い、例えば、水素気流中、適当な触媒(例
えば、パラジウム−炭素)の存在下、接触水素添加して
実施することができる。溶媒としては、低級アルカノー
ル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等慣用の溶媒を用
いることができ、反応は常圧〜加圧下、室温〜加温下、
例えば10〜50℃で好適に進行する。
なお、上記各反応において、原料化合物は、そのまま又
は塩のいずれの形でも使用することができる。例えば、
原料化合物(II)、(V)及び(I-a)並びに水酸基を有
する化合物(III)、(IV)及び(I-b)は、所望により、
アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩
等として、また置換又は非置換アミノ基を有する化合物
(III)は、無機及び有機酸付加塩として反応に供する
こともできる。
は塩のいずれの形でも使用することができる。例えば、
原料化合物(II)、(V)及び(I-a)並びに水酸基を有
する化合物(III)、(IV)及び(I-b)は、所望により、
アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩
等として、また置換又は非置換アミノ基を有する化合物
(III)は、無機及び有機酸付加塩として反応に供する
こともできる。
本発明の目的物(I)は新規化合物であり、かつ肝障害
の治療・予防剤として優れた諸特性を具備する有用な医
薬化合物である。具体的には、本発明の目的物(I)
は、種々の肝障害、例えば細胞の変性・壊死、肝の線維
化、脂肪の貯留、うっ血等に対し、優れた治療、軽減あ
るいは保護効果を発揮し、慢性肝炎、急性肝炎、脂肪
肝、うっ血肝及び肝硬変等の治療・予防剤として用いる
ことができる。例えば、マウスに、検体を経口投与後、
四塩化炭素を経口投与して、肝障害の指標となる血漿グ
ルタミック・ピルビック・トランスアミナーゼ(GPT)活
性の上昇を調べたところ、本発明の目的物(I)である
5,6−メチレンジオキシ−4′−メトキシ−5′,
6′−メチレンジオキシ−2,2′−ビフェニルジカル
ボン酸ジメチルエステル及びN,N,N′,N′−テト
ラエチル−5,6−メチレンジオキシ−4′,5′−ジ
メトキシ−2−2′−ビフェニルビスカルボキサミド
は、100mg/kg投与で、血漿GPT活性の上昇を90%以上抑制
した。また、5,6−メチレンジオキシ−5′,6′−
メチレンジオキシ−2,2′−ビス(4,4−ジメチル
−4,5−ジヒドロ−2−オキサゾリル)ビフェニル
は、100mg/kg投与で血漿GPT活性の上昇を7
9.3%抑制し、5,6−メチレンジオキシ−5′,
6′−メチレンジオキシ−2,2′−ビフェニルジカル
ボニトリルは、100mg/kg投与で血漿GPT活性
の上昇を67.5%抑制した。更に、5,6−メチレン
ジオキシ−5′,6′−メチレンジオキシ−2,2′−
ビフェニルビス(チオカルボキサミド)は、100mg
/kg投与で血漿GPT活性の上昇を35.7%抑制し
た。
の治療・予防剤として優れた諸特性を具備する有用な医
薬化合物である。具体的には、本発明の目的物(I)
は、種々の肝障害、例えば細胞の変性・壊死、肝の線維
化、脂肪の貯留、うっ血等に対し、優れた治療、軽減あ
るいは保護効果を発揮し、慢性肝炎、急性肝炎、脂肪
肝、うっ血肝及び肝硬変等の治療・予防剤として用いる
ことができる。例えば、マウスに、検体を経口投与後、
四塩化炭素を経口投与して、肝障害の指標となる血漿グ
ルタミック・ピルビック・トランスアミナーゼ(GPT)活
性の上昇を調べたところ、本発明の目的物(I)である
5,6−メチレンジオキシ−4′−メトキシ−5′,
6′−メチレンジオキシ−2,2′−ビフェニルジカル
ボン酸ジメチルエステル及びN,N,N′,N′−テト
ラエチル−5,6−メチレンジオキシ−4′,5′−ジ
メトキシ−2−2′−ビフェニルビスカルボキサミド
は、100mg/kg投与で、血漿GPT活性の上昇を90%以上抑制
した。また、5,6−メチレンジオキシ−5′,6′−
メチレンジオキシ−2,2′−ビス(4,4−ジメチル
−4,5−ジヒドロ−2−オキサゾリル)ビフェニル
は、100mg/kg投与で血漿GPT活性の上昇を7
9.3%抑制し、5,6−メチレンジオキシ−5′,
6′−メチレンジオキシ−2,2′−ビフェニルジカル
ボニトリルは、100mg/kg投与で血漿GPT活性
の上昇を67.5%抑制した。更に、5,6−メチレン
ジオキシ−5′,6′−メチレンジオキシ−2,2′−
ビフェニルビス(チオカルボキサミド)は、100mg
/kg投与で血漿GPT活性の上昇を35.7%抑制し
た。
本発明の目的物(I)は遊離の形でも、又その薬理的に
許容し得る塩の形でも医薬用途に用いることができる。
薬理的に許容し得る塩としては、無機又は有機塩基との
塩、例えばアルカリ金属塩(例えば、ナトリウム塩、カ
リウム塩等)、アルカリ土類金属塩(例えば、カルシウ
ム塩等)、アンモニウム塩(テトラメチルアンモニウム
塩、テトラエチルアンモニウム塩等)があげられる。
許容し得る塩の形でも医薬用途に用いることができる。
薬理的に許容し得る塩としては、無機又は有機塩基との
塩、例えばアルカリ金属塩(例えば、ナトリウム塩、カ
リウム塩等)、アルカリ土類金属塩(例えば、カルシウ
ム塩等)、アンモニウム塩(テトラメチルアンモニウム
塩、テトラエチルアンモニウム塩等)があげられる。
本発明の目的物(I)は、経口的にも非経口的にも投与
することができるが、とりわけ、経口的に投与するのが
好ましく、また、常法により、例えば錠剤、カプセル
剤、散剤、注射剤の如き医薬製剤として、適宜使用する
ことができる。
することができるが、とりわけ、経口的に投与するのが
好ましく、また、常法により、例えば錠剤、カプセル
剤、散剤、注射剤の如き医薬製剤として、適宜使用する
ことができる。
本発明の目的物(I)の投与量は、患者の年齢・体重・
状態あるいは疾患の程度などにより異なるが、通常1日
当りの投与量は0.1〜500mg/kgであり、好ましく
は1〜300mg/kgである。
状態あるいは疾患の程度などにより異なるが、通常1日
当りの投与量は0.1〜500mg/kgであり、好ましく
は1〜300mg/kgである。
尚、本発明の原料化合物(II)及び(IV)は、一般式 (但し、Xはハロゲン原子を表し、他の記号は前記と同
一意味を有する。) で示される2−ハロゲノ安息香酸化合物又はその反応性
誘導体と、一般式 HO-(Arl)n-Alk1-OH (VIII) (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示される化合物とを縮合反応させて、一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示されるジハロゲノ化合物とし、該化合物(IX)を、
例えば銅粉、ヨウ化銅(I)等の存在下、分子内閉環反
応させ、所望により加水分解して製造することができ
る。
一意味を有する。) で示される2−ハロゲノ安息香酸化合物又はその反応性
誘導体と、一般式 HO-(Arl)n-Alk1-OH (VIII) (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示される化合物とを縮合反応させて、一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示されるジハロゲノ化合物とし、該化合物(IX)を、
例えば銅粉、ヨウ化銅(I)等の存在下、分子内閉環反
応させ、所望により加水分解して製造することができ
る。
実施例1 (1-a)ピペロナール500g及びシクロヘキシルアミン
330gをベンゼンに溶解し、ディーン・シュタルク装
置で脱水しながら、約3時間還流する。反応液から溶媒
を留去し、残渣をイソプロピルエーテル及びヘキサンの
混液から再結晶して、N−(3,4−メチレンジオキシ
ベンジリデン)−N−シクロヘキシルアミン597gを
得る。
330gをベンゼンに溶解し、ディーン・シュタルク装
置で脱水しながら、約3時間還流する。反応液から溶媒
を留去し、残渣をイソプロピルエーテル及びヘキサンの
混液から再結晶して、N−(3,4−メチレンジオキシ
ベンジリデン)−N−シクロヘキシルアミン597gを
得る。
上記生成物158gをテトラヒドロフランに溶解し、該
溶液に2.5Mn−ブチルリチウム300mlを−50℃
以下で加える。更に、同温でヨウ素172gのテトラヒ
ドロフラン溶液を滴下後、反応液を室温に戻し、水に注
ぐ。析出晶をろ取し、水洗後、ジオキサン、酢酸及び水
の混液に溶解し、室温で一夜放置する。反応液から溶媒
を留去し、水で希釈し、析出晶をろ取し、洗浄、乾燥後
して、2−ヨード−3,4−メチレンジオキシベンズア
ルデヒド118gを得る。
溶液に2.5Mn−ブチルリチウム300mlを−50℃
以下で加える。更に、同温でヨウ素172gのテトラヒ
ドロフラン溶液を滴下後、反応液を室温に戻し、水に注
ぐ。析出晶をろ取し、水洗後、ジオキサン、酢酸及び水
の混液に溶解し、室温で一夜放置する。反応液から溶媒
を留去し、水で希釈し、析出晶をろ取し、洗浄、乾燥後
して、2−ヨード−3,4−メチレンジオキシベンズア
ルデヒド118gを得る。
M.p.124〜126℃ (1-b)2−ブロモ−4,5−ジメトキシベンズアルデヒ
ド・ジメチルアセタール59gをテトラヒドロフランに
溶解し、−70℃冷却下で2.5Mn−ブチルリチウム
89mlを加える。反応液を−50℃以下に30分間保っ
た後、反応液にヨウ素51.4gのテトラヒドロフラン
溶液を−50℃以下で滴下する。同温に15分間保った
後、酢酸及び水を加え、pH2とする。室温で一夜放置
後、反応液から溶媒を留去し、残渣を酢酸エチルに溶解
し、洗浄、乾燥後溶媒を留去する。残渣を更に酢酸エチ
ルから結晶化して、2−ヨード−4,5−ジメトキシベ
ンズアルデヒド43gを得る。
ド・ジメチルアセタール59gをテトラヒドロフランに
溶解し、−70℃冷却下で2.5Mn−ブチルリチウム
89mlを加える。反応液を−50℃以下に30分間保っ
た後、反応液にヨウ素51.4gのテトラヒドロフラン
溶液を−50℃以下で滴下する。同温に15分間保った
後、酢酸及び水を加え、pH2とする。室温で一夜放置
後、反応液から溶媒を留去し、残渣を酢酸エチルに溶解
し、洗浄、乾燥後溶媒を留去する。残渣を更に酢酸エチ
ルから結晶化して、2−ヨード−4,5−ジメトキシベ
ンズアルデヒド43gを得る。
M.p.139〜141℃ (2-a)上記(1-a)の生成物15gのジオキサン400ml溶
液及びレゾルシノール7.8gを0.2N酢酸緩衝液2
00mlに加え、更に攪拌下亜塩素酸ナトリウム5.9g
を徐々に加え、2時間攪拌後、濃縮する。更に、濃塩酸
でpH1とした後、析出晶をろ取し、洗浄、乾燥して、
2−ヨード−3,4−メチレンジオキシ安息香酸14g
を得る。
液及びレゾルシノール7.8gを0.2N酢酸緩衝液2
00mlに加え、更に攪拌下亜塩素酸ナトリウム5.9g
を徐々に加え、2時間攪拌後、濃縮する。更に、濃塩酸
でpH1とした後、析出晶をろ取し、洗浄、乾燥して、
2−ヨード−3,4−メチレンジオキシ安息香酸14g
を得る。
上記生成物13g、チオニルクロリド16ml及びピリジ
ン0.1mlをジオキサンに加え、30分間還流する。反
応液から溶媒を留去し、更にトルエンを加えて共沸し
て、2−ヨード−3,4−メチレンジオキシ安息香酸ク
ロリド14.5gを得る。
ン0.1mlをジオキサンに加え、30分間還流する。反
応液から溶媒を留去し、更にトルエンを加えて共沸し
て、2−ヨード−3,4−メチレンジオキシ安息香酸ク
ロリド14.5gを得る。
M.p.69〜70℃ (2-b)上記(1-b)の生成物を(2-a)と同様に処理して、2
−ヨード−4,5−ジメトキシ安息香酸クロリドを得
る。
−ヨード−4,5−ジメトキシ安息香酸クロリドを得
る。
M.p.151〜154℃ (3)サリチルアルコール22.4gをジメチルアセトア
ミド150mlに溶解し、窒素ガス気流中トリエチルアミ
ン64.1ml及び4−ジメチルアミノピリジン100mg
を加え、−30℃に冷却する。該混合物に攪拌下、(2-
a)の生成物62.1gのジメチルアセトアミド100ml
懸濁液を−25℃以下で滴下する。混合物を同温で30
分間攪拌後、徐々に室温に戻し、更に5時間攪拌する。
反応後、反応液を−30℃に冷却し、トリエチルアミン
30.7mlを加え、更に(2-b)の生成物52.8gのジ
メチルアセトアミド100ml溶液を滴下する。混合物を
室温で一夜攪拌後、水−酢酸の混液に注ぎ、有機層を分
取する。有機層を洗浄、乾燥後溶媒を減圧留去し、残渣
をトルエンから再結晶することにより、2−ヨード−
3、4−メチレンジオキシ安息香酸2−〔(2−ヨード
−4、5−ジメトキシフェニル)カルボニルオキシ〕ベ
ンジルエステル89.4gを得る。
ミド150mlに溶解し、窒素ガス気流中トリエチルアミ
ン64.1ml及び4−ジメチルアミノピリジン100mg
を加え、−30℃に冷却する。該混合物に攪拌下、(2-
a)の生成物62.1gのジメチルアセトアミド100ml
懸濁液を−25℃以下で滴下する。混合物を同温で30
分間攪拌後、徐々に室温に戻し、更に5時間攪拌する。
反応後、反応液を−30℃に冷却し、トリエチルアミン
30.7mlを加え、更に(2-b)の生成物52.8gのジ
メチルアセトアミド100ml溶液を滴下する。混合物を
室温で一夜攪拌後、水−酢酸の混液に注ぎ、有機層を分
取する。有機層を洗浄、乾燥後溶媒を減圧留去し、残渣
をトルエンから再結晶することにより、2−ヨード−
3、4−メチレンジオキシ安息香酸2−〔(2−ヨード
−4、5−ジメトキシフェニル)カルボニルオキシ〕ベ
ンジルエステル89.4gを得る。
M.p.128〜130℃ (4)銅粉413gのジメチルホルムアミド1.5懸濁
液を攪拌下、加熱還流する。該懸濁液に上記(3)の生成
物89.5gのジメチルホルムアミド1000ml溶液を
3時間かけて滴下し、2時間加熱還流する。反応液から
不溶物をろ去し、ろ液を減圧濃縮する。残渣に酢酸エチ
ルを加え、水洗後、不溶物をろ去する。ろ液を洗浄、乾
燥後溶媒を減圧留去し、残渣をトルエンから再結晶し
て、5、6−メチレンジオキシ−4′、5′−ジメトキ
シ−2′−(2−ヒドロキシメチルフェニルオキシカル
ボニル)−2−ビフェニルカルボン酸ラクトン53.7
gを得る。
液を攪拌下、加熱還流する。該懸濁液に上記(3)の生成
物89.5gのジメチルホルムアミド1000ml溶液を
3時間かけて滴下し、2時間加熱還流する。反応液から
不溶物をろ去し、ろ液を減圧濃縮する。残渣に酢酸エチ
ルを加え、水洗後、不溶物をろ去する。ろ液を洗浄、乾
燥後溶媒を減圧留去し、残渣をトルエンから再結晶し
て、5、6−メチレンジオキシ−4′、5′−ジメトキ
シ−2′−(2−ヒドロキシメチルフェニルオキシカル
ボニル)−2−ビフェニルカルボン酸ラクトン53.7
gを得る。
M.p.176〜179℃ (5)上記(4)の生成物1.5g、エチレングリコールモノ
メチルエーテル30ml及び硫酸1mlを110℃で60時
間加熱する。反応液を酢酸エチル200ml及び水200
mlの混液に注ぎ、有機層を分取する。有機層を洗浄、乾
燥後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラム〔溶
媒:酢酸エチル−ヘキサン(1:2)〕で精製し、溶出
液から溶媒を減圧留去後、残渣をエーテル−イソプロピ
ルエーテルの混液から再結晶することにより、5、6−
メチレンジオキシ−4′、5′−ジメトキシ−2,2′
−ビフェニルジカルボン酸ビス(メトキシエチル)エス
テル900mgを無色結晶として得る。
メチルエーテル30ml及び硫酸1mlを110℃で60時
間加熱する。反応液を酢酸エチル200ml及び水200
mlの混液に注ぎ、有機層を分取する。有機層を洗浄、乾
燥後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラム〔溶
媒:酢酸エチル−ヘキサン(1:2)〕で精製し、溶出
液から溶媒を減圧留去後、残渣をエーテル−イソプロピ
ルエーテルの混液から再結晶することにより、5、6−
メチレンジオキシ−4′、5′−ジメトキシ−2,2′
−ビフェニルジカルボン酸ビス(メトキシエチル)エス
テル900mgを無色結晶として得る。
M.p.59〜61℃ 実施例2 (1)2−ヨード−3、4−メチレンジオキシベンゾイル
クロリド4.66g、1,3−プロパンジオール9.0
g及び4−ジメチルアミノピリジン50mgをテトラヒド
ロフラン70ml及びトリエチルアミン4.21mlの混液
に溶解し、室温で一夜攪拌する。反応液から溶媒を減圧
留去し、残渣をメチレンクロリドで抽出し、洗浄、乾燥
後溶媒を留去して無色結晶3.84gを得る。該結晶を
テトラヒドロフラン50ml及びトリエチルアミン2.9
5mlの混液に溶解し、4−ジメチルアミノピリジン50
mgを加え、更に、−30℃で2−ヨード4,5−ジメト
キシベンゾイルクロリド3.5gのジメチルアセタミド
50ml溶液を滴下する。混合物を室温で一夜攪拌後、水
−酢酸エチル混液に注ぎ、有機層を分取する。該有機層
を洗浄、乾燥後溶媒を減圧留去し、残渣をエーテルから
再結晶することにより、2−ヨード−3、4−メチレン
ジオキシ安息香酸2−〔(2−ヨード−4、5−ジメト
キシフェニル)カルボニルオキシ〕プロピルエステル
4.82gを得る。
クロリド4.66g、1,3−プロパンジオール9.0
g及び4−ジメチルアミノピリジン50mgをテトラヒド
ロフラン70ml及びトリエチルアミン4.21mlの混液
に溶解し、室温で一夜攪拌する。反応液から溶媒を減圧
留去し、残渣をメチレンクロリドで抽出し、洗浄、乾燥
後溶媒を留去して無色結晶3.84gを得る。該結晶を
テトラヒドロフラン50ml及びトリエチルアミン2.9
5mlの混液に溶解し、4−ジメチルアミノピリジン50
mgを加え、更に、−30℃で2−ヨード4,5−ジメト
キシベンゾイルクロリド3.5gのジメチルアセタミド
50ml溶液を滴下する。混合物を室温で一夜攪拌後、水
−酢酸エチル混液に注ぎ、有機層を分取する。該有機層
を洗浄、乾燥後溶媒を減圧留去し、残渣をエーテルから
再結晶することにより、2−ヨード−3、4−メチレン
ジオキシ安息香酸2−〔(2−ヨード−4、5−ジメト
キシフェニル)カルボニルオキシ〕プロピルエステル
4.82gを得る。
M.p.131〜133℃ (2)上記(1)の生成物を実施例1−(4)と同様に処理する
ことにより、5,6−メチレンジオキシ−4′,5′−
ジメトキシ−2,2′−ビフェニルジカルボン酸トリメ
チレンエステル1.8gを得る。
ことにより、5,6−メチレンジオキシ−4′,5′−
ジメトキシ−2,2′−ビフェニルジカルボン酸トリメ
チレンエステル1.8gを得る。
M.p.197〜199℃ (3)上記(2)の生成物を実施例1−(5)と同様に処理し
て、5、6−メチレンジオキシ−4′、5′−ジメトキ
シ−2,2′−ビフェニルジカルボン酸ビス(メトキシ
エチル)エステルを無色結晶として得る。
て、5、6−メチレンジオキシ−4′、5′−ジメトキ
シ−2,2′−ビフェニルジカルボン酸ビス(メトキシ
エチル)エステルを無色結晶として得る。
本品の物理化学的性質は実施例1のものと一致した。
実施例3〜11 対応原料化合物を実施例1又は2と同様に処理すること
により、下記第1表記載の化合物を得る。
により、下記第1表記載の化合物を得る。
実施例12 (1-a)5、6−メチレンジオキシ−4′、5′−ジメト
キシ−2′−(2−ヒドロキシメチルフェニルオキシカ
ルボニル)−2−ビフェニルカルボン酸ラクトン4gに
メタノール100ml及び水酸化カリウム4gの水50ml
溶液を加え、30分間加熱還流する。反応液からメタノ
ールを減圧留去し、10%塩酸でpH1とした後、酢酸
エチルで抽出する。抽出液を洗浄、乾燥後、溶媒を留去
し、残渣をイソプロピルエーテルで粉末化することによ
り、5、6−メチレンジオキシ−4′、5′−ジメトキ
シ−2,2′−ビフェニルジカルボン酸2.84gを得
る。
キシ−2′−(2−ヒドロキシメチルフェニルオキシカ
ルボニル)−2−ビフェニルカルボン酸ラクトン4gに
メタノール100ml及び水酸化カリウム4gの水50ml
溶液を加え、30分間加熱還流する。反応液からメタノ
ールを減圧留去し、10%塩酸でpH1とした後、酢酸
エチルで抽出する。抽出液を洗浄、乾燥後、溶媒を留去
し、残渣をイソプロピルエーテルで粉末化することによ
り、5、6−メチレンジオキシ−4′、5′−ジメトキ
シ−2,2′−ビフェニルジカルボン酸2.84gを得
る。
M.p.207〜210℃ (1-b)5、6−メチレンジオキシ−4′、5′−ジメト
キシ−2,2′−ビフェニルジカルボン酸トリメチレン
エステルを上記(I-a)と同様に処理して、5、6−メチ
レンジオキシ−4′、5′−ジメトキシ−2,2′−ビ
フェニルジカルボン酸1.4gを得る。
キシ−2,2′−ビフェニルジカルボン酸トリメチレン
エステルを上記(I-a)と同様に処理して、5、6−メチ
レンジオキシ−4′、5′−ジメトキシ−2,2′−ビ
フェニルジカルボン酸1.4gを得る。
本品の物理化学的性質は(1-a)の生成物のものと一致し
た。
た。
(2)上記(1-a)又は(1-b)の生成物1.3gをジオキサン
10mlに溶解し、該溶液にチオニルクロリド1.76ml
及びジメチルホルムアミド0.2mlを加え、1時間加熱
還流する。反応液から溶媒を留去し、残渣をテトラヒド
ロフラン100mlに溶解する。該溶液をジエチルアミン
・塩酸塩2.06g、トリエチルアミン2.8ml及びテ
トラヒドロフラン50mlの混合物に攪拌下で加え、室温
で1夜攪拌する。反応液から溶媒を減圧留去し、残渣を
酢酸エチル及び水の混液に注ぎ、有機層を分取する。該
有機層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、残渣をエーテル
及びヘキサンの混液から再結晶することにより、N,
N,N′,N′−テトラエチル−5、6−メチレンジオ
キシ−4′、5′−ジメトキシ−2,2′−ビフェニル
ジカルボキサミド1.23gを無色結晶として得る。
10mlに溶解し、該溶液にチオニルクロリド1.76ml
及びジメチルホルムアミド0.2mlを加え、1時間加熱
還流する。反応液から溶媒を留去し、残渣をテトラヒド
ロフラン100mlに溶解する。該溶液をジエチルアミン
・塩酸塩2.06g、トリエチルアミン2.8ml及びテ
トラヒドロフラン50mlの混合物に攪拌下で加え、室温
で1夜攪拌する。反応液から溶媒を減圧留去し、残渣を
酢酸エチル及び水の混液に注ぎ、有機層を分取する。該
有機層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、残渣をエーテル
及びヘキサンの混液から再結晶することにより、N,
N,N′,N′−テトラエチル−5、6−メチレンジオ
キシ−4′、5′−ジメトキシ−2,2′−ビフェニル
ジカルボキサミド1.23gを無色結晶として得る。
M.p.148〜149℃ 実施例13 (1)2−ヨード−3,4−メチレンジオキシ安息香酸ク
ロリドを実施例1−(3)及び(4)と同様に処理して、5,
6−メチレンジオキシ−5′,6′−メチレンジオキシ
−2′−(2−ヒドロキシメチルフェニルオキシカルボ
ニル)−2−ビフェニルカルボン酸ラクトンを得る。
ロリドを実施例1−(3)及び(4)と同様に処理して、5,
6−メチレンジオキシ−5′,6′−メチレンジオキシ
−2′−(2−ヒドロキシメチルフェニルオキシカルボ
ニル)−2−ビフェニルカルボン酸ラクトンを得る。
M.p.249〜252℃ (2)上記(1)の生成物4gを実施例12−(1-a)と同様に
処理することにより、5,6−メチレンジオキシ−
5′,6′−メチレンジオキシ−2,2′−ビフェニル
ジカルボン酸2.1gを得る。
処理することにより、5,6−メチレンジオキシ−
5′,6′−メチレンジオキシ−2,2′−ビフェニル
ジカルボン酸2.1gを得る。
M.p.253〜255℃ (3)上記(2)の生成物20gをジオキサンに懸濁し、チオ
ニルクロリド20mlを加えて還流する。反応液から溶媒
を減圧留去し、残渣をトルエンで共沸後、ジオキサン2
00mlに溶解する。該溶液に濃アンモニア水200mlを
−20℃で滴下し、室温で一夜攪拌する。反応液から溶
媒を留去後、残渣を濃塩酸でpH2とし、析出晶をろ取
し、水洗後、メタノールから再結晶することにより、
5、6−メチレンジオキシ−5′、6′−メチレンジオ
キシ−2,2′−ビフェニルジカルボキサミド11gを
無色結晶として得る。
ニルクロリド20mlを加えて還流する。反応液から溶媒
を減圧留去し、残渣をトルエンで共沸後、ジオキサン2
00mlに溶解する。該溶液に濃アンモニア水200mlを
−20℃で滴下し、室温で一夜攪拌する。反応液から溶
媒を留去後、残渣を濃塩酸でpH2とし、析出晶をろ取
し、水洗後、メタノールから再結晶することにより、
5、6−メチレンジオキシ−5′、6′−メチレンジオ
キシ−2,2′−ビフェニルジカルボキサミド11gを
無色結晶として得る。
M.p.249〜250℃ 実施例14〜16 対応原料化合物を実施例12又は13−(2)及び(3)と同
様に処理することにより、下記第2表記載の化合物を得
る。
様に処理することにより、下記第2表記載の化合物を得
る。
実施例17 N,N′−ビス(3−ヒドロキシ−2−メチルプロパン
−2−イル)−5,6−メチレンジオキシ−5′,6′
−メチレンジオキシ−2,2′−ビフェニルジカルボキ
サミド3gをチオニルクロリド20mlに加え、室温で2
時間攪拌する。反応液からチオニルクロリドを減圧留去
し、残渣を酢酸エチルに溶解し、洗浄、乾燥後、溶媒を
留去し、残渣をイソプロピルエーテルから結晶化するこ
とにより、5,6−メチレンジオキシ−5′,6′−メ
チレンジオキシ−2,2′−ビス(4,4−ジメチル−
4,5−ジヒドロ−2−オキサゾリル)ビフェニル2g
を無色結晶として得る。
−2−イル)−5,6−メチレンジオキシ−5′,6′
−メチレンジオキシ−2,2′−ビフェニルジカルボキ
サミド3gをチオニルクロリド20mlに加え、室温で2
時間攪拌する。反応液からチオニルクロリドを減圧留去
し、残渣を酢酸エチルに溶解し、洗浄、乾燥後、溶媒を
留去し、残渣をイソプロピルエーテルから結晶化するこ
とにより、5,6−メチレンジオキシ−5′,6′−メ
チレンジオキシ−2,2′−ビス(4,4−ジメチル−
4,5−ジヒドロ−2−オキサゾリル)ビフェニル2g
を無色結晶として得る。
M.p.152〜154℃ 実施例18 5、6−メチレンジオキシ−5′、6′−メチレンジオ
キシ−2,2′−ビフェニルジカルボキサミド8gをオ
キシ塩化リン70ml中で4時間加熱還流する。反応液を
冷却後、氷水に注ぐ。析出晶をろ取し、クロロホルムに
溶解する。該溶液を水洗、乾燥後、溶媒を留去ことによ
り、5、6−メチレンジオキシ−5′、6′−メチレン
ジオキシ−2,2′−ビフェニルジカルボニトリル6.
5gを無色結晶として得る。
キシ−2,2′−ビフェニルジカルボキサミド8gをオ
キシ塩化リン70ml中で4時間加熱還流する。反応液を
冷却後、氷水に注ぐ。析出晶をろ取し、クロロホルムに
溶解する。該溶液を水洗、乾燥後、溶媒を留去ことによ
り、5、6−メチレンジオキシ−5′、6′−メチレン
ジオキシ−2,2′−ビフェニルジカルボニトリル6.
5gを無色結晶として得る。
M.p.213〜215℃ 実施例19 5、6−メチレンジオキシ−5′、6′−メチレンジオ
キシ−2,2′−ビフェニルジカルボニトリル5gをピ
リジン100ml及びジオキサン100mlの混液に懸濁
し、トリエチルアミン4.7mlを加えた後、硫化水素を
5時間通気する。反応液を封緘後2時間室温で放置後、
反応液から溶媒を減圧留去する。残渣をクロロホルムで
抽出し、抽出液に水を加え、析出晶をろ取することによ
り、5、6−メチレンジオキシ−5′、6′−メチレン
ジオキシ−2,2′−ビフェニルビス(チオカルボキサ
ミド)5.5gを得る。
キシ−2,2′−ビフェニルジカルボニトリル5gをピ
リジン100ml及びジオキサン100mlの混液に懸濁
し、トリエチルアミン4.7mlを加えた後、硫化水素を
5時間通気する。反応液を封緘後2時間室温で放置後、
反応液から溶媒を減圧留去する。残渣をクロロホルムで
抽出し、抽出液に水を加え、析出晶をろ取することによ
り、5、6−メチレンジオキシ−5′、6′−メチレン
ジオキシ−2,2′−ビフェニルビス(チオカルボキサ
ミド)5.5gを得る。
M.p.237〜238℃(分解) 実施例20 5、6−メチレンジオキシ−4′−メトキシ−5′−ベ
ンジルオキシ−2,2′−ビフェニルジカルボン酸ジメ
チルエステル1.15gをテトラヒドロフラン50ml及
びメタノール50mlに溶解し、該溶液を40psiの水素
雰囲気中、パラジウム−炭素0.2gの存在下で16時
間攪拌する。反応後、触媒をろ去し、ろ液を減圧乾固す
る。残渣をメタノールで処理して、5、6−メチレンジ
オキシ−4′−メトキシ−5′−ヒドロキシ−2,2′
−ビフェニルジカルボン酸ジメチルエステル0.86g
を無色結晶として得る。
ンジルオキシ−2,2′−ビフェニルジカルボン酸ジメ
チルエステル1.15gをテトラヒドロフラン50ml及
びメタノール50mlに溶解し、該溶液を40psiの水素
雰囲気中、パラジウム−炭素0.2gの存在下で16時
間攪拌する。反応後、触媒をろ去し、ろ液を減圧乾固す
る。残渣をメタノールで処理して、5、6−メチレンジ
オキシ−4′−メトキシ−5′−ヒドロキシ−2,2′
−ビフェニルジカルボン酸ジメチルエステル0.86g
を無色結晶として得る。
M.p.172〜173℃
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07C 235/48 7106−4H 253/06 9357−4H 255/53 9357−4H 255/54 9357−4H 327/48 7106−4H C07D 263/14 317/68 413/04 7602−4C // A61K 31/165 31/235 31/275 31/36 ACS 31/42
Claims (8)
- 【請求項1】一般式 (但し、R1は、ヒドロキシC1-6低級アルキル基及び
C1-6低級アルキル基から選ばれる1もしくは2の基で
置換されていてもよいアミノカルボニル基、アミノチオ
カルボニル基、C1-6低級アルコキシ基で置換されてい
てもよいC1-6低級アルコキシ−カルボニル基、シアノ
基又は式: で示される基であり、R2〜R4は、R2又はR4の一
方が水素原子又はC1-6低級アルコキシ基であり他の2
つがC1-6低級アルコキシ基、フェニルC1-6低級アルコ
キシ基もしくは水酸基であるか又は互いに結合してC
1-6低級アルキレンジオキシ基を形成し、R5及びR6
は互いに結合してC1-6低級アルキレンジオキシ基を形
成し、R7は水素原子であり、Alk1はC1-6低級アルキ
レン基であることを表す。) で示されるビフェニル誘導体又はその薬理的に許容し得
る塩。 - 【請求項2】R1がヒドロキシC1-6低級アルキル基及
びC1-6低級アルキル基から選ばれる1もしくは2の基
で置換されていてもよいアミノカルボニル基;アミノチ
オカルボニル基;C1-6低級アルコキシ基で置換されて
いてもよいC1-6低級アルコキシ−カルボニル基、シア
ノ基又は4,4−ジC1-6低級アルキル−4,5−ジヒ
ドロ−2−オキサゾリル基である請求項1記載の化合
物。 - 【請求項3】一般式 (但し、R2〜R4は、R2又はR4の一方が水素原子
又はC1-6低級アルコキシ基であり他の2つがC1-6低級
アルコキシ基、フェニルC1-6低級アルコキシ基もしく
は水酸基であるか又は互いに結合してC1-6低級アルキ
レンジオキシ基を形成し、R5及びR6は互いに結合し
てC1-6低級アルキレンジオキシ基を形成し、R7は水
素原子であることを表す。) で示されるビフェニルジカルボン酸化合物、そのカルボ
キシル基における反応性誘導体又はその塩と一般式 R8−H (但し、R8は、ヒドロキシC1-6低級アルキル基及び
C1-6低級アルキル基から選ばれる1もしくは2の基で
置換されていてもよいアミノ基又はC1-6低級アルコキ
シ基で置換されていてもよいC1-6低級アルコキシ基を
表す。) で示される化合物又はその塩とを反応させ、要すれば、
生成物を薬理的に許容し得る塩とすることを特徴とする
一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示されるビフェニル化合物又はその薬理的に許容し得
る塩の製法。 - 【請求項4】一般式 (但し、R2〜R4は、R2又はR4の一方が水素原子
又はC1-6低級アルコキシ基であり他の2つがC1-6低級
アルコキシ基、フェニルC1-6低級アルコキシ基もしく
は水酸基であるか又は互いに結合してC1-6低級アルキ
レンジオキシ基を形成し、R5及びR6は互いに結合し
てC1-6低級アルキレンジオキシ基を形成し、R7は水
素原子であり、Alk2はC1-6低級アルキレン基、Arlはア
リーレン基、nは0又は1を表す。) で示される環状ジエステル化合物又はその塩と、一般式 R9−H (但し、R9はC1-6低級アルコキシ基で置換されてい
てもよいC1-6低級アルコキシ基を表す。) で示される化合物とを反応させ、要すれば、生成物を薬
理的に許容し得る塩とすることを特徴とする一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示されるビフェニルジカルボン酸ジエステル化合物又
はその薬理的に許容し得る塩の製法。 - 【請求項5】Arlが1,2−フェニレン基である請求項
4記載の製法。 - 【請求項6】一般式 (但し、R2〜R4は、R2又はR4の一方が水素原子
又はC1-6低級アルコキシ基であり他の2つがC1-6低級
アルコキシ基、フェニルC1-6低級アルコキシ基もしく
は水酸基であるか又は互いに結合してC1-6低級アルキ
レンジオキシ基を形成し、R5及びR6は互いに結合し
てC1-6低級アルキレンジオキシ基を形成し、R7は水
素原子であり、Alk1はC1-6低級アルキレン基を表
す。) で示されるビス(ヒドロキシアルキルアミド)化合物を
分子内閉環反応に付し、要すれば、生成物を薬理的に許
容しうる塩とすることを特徴とする一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示される複素環化合物又はその薬理的に許容しうる塩
の製法。 - 【請求項7】一般式 (但し、R2〜R4は、R2又はR4の一方が水素原子
又はC1-6低級アルコキシ基であり他の2つがC1-6低級
アルコキシ基、フェニルC1-6低級アルコキシ基もしく
は水酸基であるか又は互いに結合してC1-6低級アルキ
レンジオキシ基を形成し、R5及びR6は互いに結合し
てC1-6低級アルキレンジオキシ基を形成し、R7は水
素原子であることを表す。) で示されるビフェニルビス(カルボキサミド)化合物を
脱水し、所望により硫化し、要すれば生成物をその薬理
的に許容しうる塩とすることを特徴とする一般式 (但し、R10はシアノ基又はアミノチオカルボニル基を
表し、R2〜R7は前記と同一意味を有する。) で示される化合物又はその薬理的に許容し得る塩の製
法。 - 【請求項8】一般式 (但し、R2〜R4は、R2又はR4の一方が水素原子
又はC1-6低級アルコキシ基であり他の2つがC1-6低級
アルコキシ基、フェニルC1-6低級アルコキシ基もしく
は水酸基であるか又は互いに結合してC1-6低級アルキ
レンジオキシ基を形成し、R5及びR6は互いに結合し
てC1-6低級アルキレンジオキシ基を形成し、R7は水
素原子であることを表す。) で示されるビフェニルジカルボン酸化合物又はその塩。
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1141988A JPH0660142B2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | ビフェニル誘導体、その製法及びその合成中間体 |
US07/529,792 US5103023A (en) | 1989-06-02 | 1990-05-29 | Biphenyl derivatives, process for preparing the same and intermediates therefor |
CA002017897A CA2017897A1 (en) | 1989-06-02 | 1990-05-30 | Bephenyl derivatives, process for preparing the same and intermediates therefor |
AT90401483T ATE110376T1 (de) | 1989-06-02 | 1990-06-01 | Biphenyl-derivate, verfahren zu deren herstellung und deren zwischenprodukte. |
EP90401483A EP0401125B1 (en) | 1989-06-02 | 1990-06-01 | Biphenyl derivatives, process for preparing the same and intermediates therefor |
DK90401483.4T DK0401125T3 (da) | 1989-06-02 | 1990-06-01 | Biphenylderivater, fremgangsmåde til fremstilling af disse samt mellemprodukter derfor |
DE69011748T DE69011748T2 (de) | 1989-06-02 | 1990-06-01 | Biphenyl-Derivate, Verfahren zu deren Herstellung und deren Zwischenprodukte. |
KR1019900008081A KR0130757B1 (ko) | 1988-06-02 | 1990-06-01 | 비페닐 유도체, 이의 제조방법 및 이를 위한 중간체 |
ES90401483T ES2063305T3 (es) | 1989-06-02 | 1990-06-01 | Derivados de bifenilo, procedimiento para la preparacion de los mismos e intermedios para los mismos. |
US07/821,215 US5182404A (en) | 1989-06-02 | 1992-01-15 | Biphenyl derivatives, process for preparing the same and intermediates therefor |
US07/955,133 US5233057A (en) | 1989-06-02 | 1992-10-01 | Biphenyl derivatives, process for preparing the same and intermediates therefor |
HK174395A HK174395A (en) | 1989-06-02 | 1995-11-16 | Biphenyl derivatives process for preparing the same and intermediates therefor |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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---|---|
JPH037246A JPH037246A (ja) | 1991-01-14 |
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---|---|---|---|
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