JPH065698B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH065698B2 JPH065698B2 JP60026970A JP2697085A JPH065698B2 JP H065698 B2 JPH065698 B2 JP H065698B2 JP 60026970 A JP60026970 A JP 60026970A JP 2697085 A JP2697085 A JP 2697085A JP H065698 B2 JPH065698 B2 JP H065698B2
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- protective agent
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、表面が保護剤で被覆してなる半導体装置に関
する。
する。
従来の技術 半導体装置の特性の１つにリーク電流特性がある。この
リーク電流特性は高温時に不安定となり、またその値も
増加する。このような問題を除くための方策の１つに、
半導体装置の表面を保護剤で被覆する方法があり、該保
護剤として芳香族ポリアミド樹脂が有用なものとして知
られている。
リーク電流特性は高温時に不安定となり、またその値も
増加する。このような問題を除くための方策の１つに、
半導体装置の表面を保護剤で被覆する方法があり、該保
護剤として芳香族ポリアミド樹脂が有用なものとして知
られている。
発明が解決しようとする問題点 ところで、芳香族ポリアミド樹脂を用いた場合、所期の
目的は達成されるものの、バイアス印加初期時における
リーク電流が異常に高くなる現象があらわれる。
目的は達成されるものの、バイアス印加初期時における
リーク電流が異常に高くなる現象があらわれる。
問題点を解決するための手段 本発明は、上記の芳香族アミド樹脂特有の問題点を排除
し、芳香族ポリアミド樹脂が持つ表面保護効果を最大限
に発揮させるためになされたものであり、芳香族ポリア
ミド樹脂１００重量部とジルコニウムの酸化物若しくは
鉛の酸化物２０〜５００重量部からなる保護剤によって
表面が被覆されてなる半導体装置に関する。
し、芳香族ポリアミド樹脂が持つ表面保護効果を最大限
に発揮させるためになされたものであり、芳香族ポリア
ミド樹脂１００重量部とジルコニウムの酸化物若しくは
鉛の酸化物２０〜５００重量部からなる保護剤によって
表面が被覆されてなる半導体装置に関する。
ジルコニウムの酸化物又は鉛の酸化物が芳香族ポリアミ
ド樹脂１００重量部に対して２０重量部未満では、バイ
アス印加初期時におけるリーク電流の安定化効果が小さ
く、５００重量部を超えると長時間バイアス電圧を印加
しているとリーク電流が増大する。
ド樹脂１００重量部に対して２０重量部未満では、バイ
アス印加初期時におけるリーク電流の安定化効果が小さ
く、５００重量部を超えると長時間バイアス電圧を印加
しているとリーク電流が増大する。
上記保護剤は、適当な有機溶剤（例えば、アセトアミ
ド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホ
キシド、ニトロベンゼン、シクロヘキサノン等の有機溶
剤がある）に溶解、分散させたワニスとして使用され、
このワニスが半導体装置に施された後、焼付することに
より有機溶剤が除去されて半導体装置表面に上記保護剤
の被覆層が形成される。
ド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホ
キシド、ニトロベンゼン、シクロヘキサノン等の有機溶
剤がある）に溶解、分散させたワニスとして使用され、
このワニスが半導体装置に施された後、焼付することに
より有機溶剤が除去されて半導体装置表面に上記保護剤
の被覆層が形成される。
上記芳香族ポリアミド樹脂は、その構造としてアミド結
合間に芳香族基を含む二価の有機基を含むものであり、
さらに該有機基が構造としてエーテル結合を含む芳香族
がポリエーテルアミド樹脂を包含するものであり、これ
らは、特に制限されず、従来知られているものが使用で
きる。例えば、パラフェニレンジアミン、メタフェニレ
ンジアミン、4,4′−ジアミノジフエニルエタン等の芳
香族ジアミン及び／又はビス〔４−（４−アミノフエノ
キシ）フェニル〕メタン、2,2−ビス−〔４（４−アミ
ノフエノキシ）フェニル〕プロパン等のエーテル結合含
有芳香族ジアミンとテレフタル酸ジクロライド、イソフ
タル酸ジクロライド等の芳香族ジカルボン酸クロライド
を必須成分として縮重合させて得られたものが使用でき
る。なお、上記ジアミンの一部に脂肪族ジアミンが少量
成分として使用されてもよい。
合間に芳香族基を含む二価の有機基を含むものであり、
さらに該有機基が構造としてエーテル結合を含む芳香族
がポリエーテルアミド樹脂を包含するものであり、これ
らは、特に制限されず、従来知られているものが使用で
きる。例えば、パラフェニレンジアミン、メタフェニレ
ンジアミン、4,4′−ジアミノジフエニルエタン等の芳
香族ジアミン及び／又はビス〔４−（４−アミノフエノ
キシ）フェニル〕メタン、2,2−ビス−〔４（４−アミ
ノフエノキシ）フェニル〕プロパン等のエーテル結合含
有芳香族ジアミンとテレフタル酸ジクロライド、イソフ
タル酸ジクロライド等の芳香族ジカルボン酸クロライド
を必須成分として縮重合させて得られたものが使用でき
る。なお、上記ジアミンの一部に脂肪族ジアミンが少量
成分として使用されてもよい。
作用 本発明の半導体装置は保護剤として上記のものを使用す
ることにより、高温時におけるリーク電流の増加が抑え
られることは勿論のことバイアス印加初期時におけるリ
ーク電流値の異常な増加も併せて抑えられる。
ることにより、高温時におけるリーク電流の増加が抑え
られることは勿論のことバイアス印加初期時におけるリ
ーク電流値の異常な増加も併せて抑えられる。
実施例 第１図は、本発明に係る半導体装置の一例を示す樹脂封
止形パワートランジスタの断面構造を示す図であり、外
部リード１に繋がる基板支持部２にパワートランジスタ
素子基板３を接着するとともにパワートランジスタ素子
基板上の電極と他の外部リードとの間を金属細線４で接
続して構成した組立構体のパワートランジスタ素子基板
上を本発明の保護剤５で被覆し、さらに、成形用樹脂６
で封止した構造となっている。
止形パワートランジスタの断面構造を示す図であり、外
部リード１に繋がる基板支持部２にパワートランジスタ
素子基板３を接着するとともにパワートランジスタ素子
基板上の電極と他の外部リードとの間を金属細線４で接
続して構成した組立構体のパワートランジスタ素子基板
上を本発明の保護剤５で被覆し、さらに、成形用樹脂６
で封止した構造となっている。
次に示す表は、芳香族ポリエーテルアミド樹脂ワニス
（ハイマルＨＬ−１２００、日立化成工業（株）商品
名）１００重量部（樹脂固形分）にPh3O4及びZrO2をそ
れぞれ、別々に、０，４０，１００，２００，４００及
び５００重量部と変化させて添加した１２種類の保護剤
ワニスを表面に塗装焼付し、被覆層が形成された樹脂封
止形パワートランジスタ（第１図に示すもの）を製作
し、１２５℃におけるリーク電流（印加逆電圧；８００
Ｖ）の時間的な変化を調べた結果を示す。
（ハイマルＨＬ−１２００、日立化成工業（株）商品
名）１００重量部（樹脂固形分）にPh3O4及びZrO2をそ
れぞれ、別々に、０，４０，１００，２００，４００及
び５００重量部と変化させて添加した１２種類の保護剤
ワニスを表面に塗装焼付し、被覆層が形成された樹脂封
止形パワートランジスタ（第１図に示すもの）を製作
し、１２５℃におけるリーク電流（印加逆電圧；８００
Ｖ）の時間的な変化を調べた結果を示す。
この表から明らかなように、バイアス印加初期時（0.5
時間）におけるリーク電流はPb3O4又はZrO2の含有量
（添加量）が少なくないと大きな値を示す。また、含有
量（添加量）を大くしても長時間（５００時間）を超え
ると大きな値を示す。このようなリーク電流の増加を避
けるためには、Pb3O4又はＺｒＯ２は芳香族ポリアミド
樹脂１００重量部に対して及び２０〜５００重量部に定
める必要がある。
時間）におけるリーク電流はPb3O4又はZrO2の含有量
（添加量）が少なくないと大きな値を示す。また、含有
量（添加量）を大くしても長時間（５００時間）を超え
ると大きな値を示す。このようなリーク電流の増加を避
けるためには、Pb3O4又はＺｒＯ２は芳香族ポリアミド
樹脂１００重量部に対して及び２０〜５００重量部に定
める必要がある。
第２図は、ZrO2が上記芳香族ポリエーテルアミド樹脂ワ
ニス１００重量部（樹脂固形分）に１００重量部を添加
したものと上記芳香族ポリエーテルアミド樹脂とを用い
て保護剤の被覆層を形成した樹脂封止形パワートランジ
スタのリーク電流の時間的変化を比較して示したグラフ
である。
ニス１００重量部（樹脂固形分）に１００重量部を添加
したものと上記芳香族ポリエーテルアミド樹脂とを用い
て保護剤の被覆層を形成した樹脂封止形パワートランジ
スタのリーク電流の時間的変化を比較して示したグラフ
である。
図中、Ａが本発明の保護剤を用いた樹脂封止形パワート
ランジスタのリーク電流の時間的変化、Ｂが高純度の芳
香族ポリエーテルアミド樹脂からなる保護剤を用いて形
成した樹脂封止形パワートランジスタのリーク電流の時
間的変化である。このグラフから明らかなように、本発
明の保護剤を用いた樹脂封止形パワートランジスタで
は、時間的変化に基づくリーク電流の変化はないが、芳
香族ポリエーテルアミド樹脂を用いた樹脂封止形パワー
トランジスタでは、バイアス印加初期時にリーク電流が
大きな値を示すことが確認された。
ランジスタのリーク電流の時間的変化、Ｂが高純度の芳
香族ポリエーテルアミド樹脂からなる保護剤を用いて形
成した樹脂封止形パワートランジスタのリーク電流の時
間的変化である。このグラフから明らかなように、本発
明の保護剤を用いた樹脂封止形パワートランジスタで
は、時間的変化に基づくリーク電流の変化はないが、芳
香族ポリエーテルアミド樹脂を用いた樹脂封止形パワー
トランジスタでは、バイアス印加初期時にリーク電流が
大きな値を示すことが確認された。
発明の効果 以上説明したように、本発明に係る半導体装置は、常温
は勿論のこと高温においてもリーク電流が安定してお
り、また、バイアス印加初期時のリーク電流の増加もな
い。従って半導体装置としての品質および信頼性が高
い。
は勿論のこと高温においてもリーク電流が安定してお
り、また、バイアス印加初期時のリーク電流の増加もな
い。従って半導体装置としての品質および信頼性が高
い。
第１図は、本発明に係る半導体装置の一例を示す樹脂封
止形パワートランジスタの断面構造を示す図、第２図
は、本発明保護剤と芳香族ポリアミド樹脂からなる保護
剤を用いて形成して樹脂封止形パワートランジスタのリ
ーク電流の時間的変化を比較して示したグラフである。 １……外部リード、２……基板支持部、３……パワート
ランジスタ素子基板、４……金属細線、５……表面保護
用樹脂、６……成形用樹脂。
止形パワートランジスタの断面構造を示す図、第２図
は、本発明保護剤と芳香族ポリアミド樹脂からなる保護
剤を用いて形成して樹脂封止形パワートランジスタのリ
ーク電流の時間的変化を比較して示したグラフである。 １……外部リード、２……基板支持部、３……パワート
ランジスタ素子基板、４……金属細線、５……表面保護
用樹脂、６……成形用樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 立野 健一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 横沢 真 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】芳香族ポリアミド樹脂１００重量部及びジ
ルコニウムの酸化物若しくは鉛の酸化物２０〜５００重
量部からなる保護剤によって表面が被覆されてなる半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60026970A JPH065698B2 (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60026970A JPH065698B2 (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61187259A JPS61187259A (ja) | 1986-08-20 |
| JPH065698B2 true JPH065698B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=12208011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60026970A Expired - Lifetime JPH065698B2 (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065698B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0770642B2 (ja) * | 1989-03-30 | 1995-07-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP4941425B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2012-05-30 | 三菱電機株式会社 | サイクロン集塵装置 |
-
1985
- 1985-02-14 JP JP60026970A patent/JPH065698B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61187259A (ja) | 1986-08-20 |
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