JPS61187259A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS61187259A JPS61187259A JP60026970A JP2697085A JPS61187259A JP S61187259 A JPS61187259 A JP S61187259A JP 60026970 A JP60026970 A JP 60026970A JP 2697085 A JP2697085 A JP 2697085A JP S61187259 A JPS61187259 A JP S61187259A
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、表面が保護剤で被覆してなる半導体装置に関
する。
する。
従来の技術
半導体装置の特性の１つにリーク電流特性がある。この
リーク電流特性は高温時に不安定となり、またその値も
増加する。このような問題を除くだめの方策の１つに、
半導体装置の表面を保護剤で被膜する方法があり、該保
護剤として芳香族ポリアミド樹脂が有用なものとして知
られている。
リーク電流特性は高温時に不安定となり、またその値も
増加する。このような問題を除くだめの方策の１つに、
半導体装置の表面を保護剤で被膜する方法があり、該保
護剤として芳香族ポリアミド樹脂が有用なものとして知
られている。
発明が解決しようとする問題点
ところで、芳香族ポリアミド樹脂を用いた場合、所期の
目的は達成されるものの、バイアス印加初期時における
リーク電流が異常に高くなる現象があられれる。
目的は達成されるものの、バイアス印加初期時における
リーク電流が異常に高くなる現象があられれる。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、上記の芳香族ポリアミド樹脂特有の問題点を
排除し、芳香族ポリアミド樹脂が持つ表面保護効果を最
大限に発揮させるためになされたものであシ、芳香族ポ
リアミド樹脂１００重量部に対してジルコニウムの酸化
物若しくは鉛の酸化物２０〜ＳＯＯ重量部からなる保護
剤によって表面が被覆されてなる半導体装置に関する。
排除し、芳香族ポリアミド樹脂が持つ表面保護効果を最
大限に発揮させるためになされたものであシ、芳香族ポ
リアミド樹脂１００重量部に対してジルコニウムの酸化
物若しくは鉛の酸化物２０〜ＳＯＯ重量部からなる保護
剤によって表面が被覆されてなる半導体装置に関する。
ジルコニウムの酸化物又は鉛の酸化物が芳香族ポリアミ
ド樹脂１ｏ○重量部に対して２０重量部未満では、バイ
アス印加初期時におけるリーク電流の安定化効果が小さ
く、５００重量部を超えると長時間バイアス電圧を印加
しているとリーク電流が増大する。
ド樹脂１ｏ○重量部に対して２０重量部未満では、バイ
アス印加初期時におけるリーク電流の安定化効果が小さ
く、５００重量部を超えると長時間バイアス電圧を印加
しているとリーク電流が増大する。
上記保護剤は、適当な有機溶剤（例えば、アセトアミド
、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルス
ルホキシド、ニトロベンゼン、シクロヘキサノン等の有
機溶媒がある）に溶解、分散させたフェノとして使用さ
れ、このフェノが半導体装置に施された後、焼付するこ
とにより有機溶剤が除去されて半導体装置表面に上記保
護剤の被覆層が形成される。
、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルス
ルホキシド、ニトロベンゼン、シクロヘキサノン等の有
機溶媒がある）に溶解、分散させたフェノとして使用さ
れ、このフェノが半導体装置に施された後、焼付するこ
とにより有機溶剤が除去されて半導体装置表面に上記保
護剤の被覆層が形成される。
上記芳香族ポリアミド樹脂は、その構造としてアミド結
合間に芳香族基を含む二価の有機基を含むものであり、
さらに該有機基が構造としてエーテル結合を含む芳香族
ポリエーテルアミド樹脂を包含するものであり、これら
は、特に制限されず、従来知られているものが使用でき
る。例えば、バラフェニレンジアミン、メタフェニレン
ジアミン、４．４′−ジアミノジフェニルエタン等の芳
香族ジアミン及ヒ／又はビス〔４−（４−アミノフェノ
キチル結合含有芳香族ジアミンとテレフタル酸ジクロラ
イド、イソフタル酸ジクロライド等の芳香族ジカルボン
酸クロライドを必須成分として縮重合させて得られたも
のが使用できる。なお、上記ジアミンの一部に脂肪族ジ
アミンが少量成分として使用されてもよい。
合間に芳香族基を含む二価の有機基を含むものであり、
さらに該有機基が構造としてエーテル結合を含む芳香族
ポリエーテルアミド樹脂を包含するものであり、これら
は、特に制限されず、従来知られているものが使用でき
る。例えば、バラフェニレンジアミン、メタフェニレン
ジアミン、４．４′−ジアミノジフェニルエタン等の芳
香族ジアミン及ヒ／又はビス〔４−（４−アミノフェノ
キチル結合含有芳香族ジアミンとテレフタル酸ジクロラ
イド、イソフタル酸ジクロライド等の芳香族ジカルボン
酸クロライドを必須成分として縮重合させて得られたも
のが使用できる。なお、上記ジアミンの一部に脂肪族ジ
アミンが少量成分として使用されてもよい。
作 用
本発明の半導体装置は保護剤として上記のものを使用す
ることにより、高温時におけるリーク電流の増加が抑え
られることは勿論のことバイアス印加初期時におけるリ
ーク電流値の異常な増加も併せて抑えられる。
ることにより、高温時におけるリーク電流の増加が抑え
られることは勿論のことバイアス印加初期時におけるリ
ーク電流値の異常な増加も併せて抑えられる。
実施例
第１図は、本発明に係る半導体装置の一例を示す樹脂封
止形パワートランジスタの断面構造を示す図であり、外
部リード１に繋がる基板支持部２にパワートランジスダ
素子基板３を接着するとともにパワートランジスタ素子
基板上の電極と他の外部リードとの間を釡属細線４で接
続して構成した組立構体のパワートランジスタ素子基板
上を保護剤５で被覆し、さらに、成形用樹脂６で封止し
た構造となっている。
止形パワートランジスタの断面構造を示す図であり、外
部リード１に繋がる基板支持部２にパワートランジスダ
素子基板３を接着するとともにパワートランジスタ素子
基板上の電極と他の外部リードとの間を釡属細線４で接
続して構成した組立構体のパワートランジスタ素子基板
上を保護剤５で被覆し、さらに、成形用樹脂６で封止し
た構造となっている。
次に示す表は、芳香族ポリエーテルアミド樹脂フェノ（
ハイマルＨＬ−１２００．日立化成工業（株）商品名）
１００重量部（樹脂固形分）にＰｂ３Ｑ４及びＺ ｒｏ
２をそれぞれ、別々に、０，４０，１００゜２００．４
００及び５００重量部と変化させて添加した１２種類の
保護剤ワニスを表面に塗装焼付し、被覆層が形成された
樹脂封止形パワートランジスタ（第１図に示すもの）を
製作し、１２５°Ｃにおけるリーク電流（印加逆電圧；
５ｏｏＶ）の時間的な変化を調べた結果を示す。
ハイマルＨＬ−１２００．日立化成工業（株）商品名）
１００重量部（樹脂固形分）にＰｂ３Ｑ４及びＺ ｒｏ
２をそれぞれ、別々に、０，４０，１００゜２００．４
００及び５００重量部と変化させて添加した１２種類の
保護剤ワニスを表面に塗装焼付し、被覆層が形成された
樹脂封止形パワートランジスタ（第１図に示すもの）を
製作し、１２５°Ｃにおけるリーク電流（印加逆電圧；
５ｏｏＶ）の時間的な変化を調べた結果を示す。
以下余白
６・＼−
この表から明らかなように、バイアス印加初期時（０，
５時間）におけるリーク電流はＰｂ３ｏ４又はＺ ｒ０
２の含有量（添加量）が少ないと大きな値を示す。また
、含有量（添加量）を大くしても長時間（５θθ時間）
を超えると大きな値を示す。このようなリーク電流の増
加を避けるためには、Ｐｂ３Ｏ４又はＺｒＯ２は芳香族
ポリアミド樹脂１００重量部に対して２０〜５ｏ○重量
部に定める必要がある。
５時間）におけるリーク電流はＰｂ３ｏ４又はＺ ｒ０
２の含有量（添加量）が少ないと大きな値を示す。また
、含有量（添加量）を大くしても長時間（５θθ時間）
を超えると大きな値を示す。このようなリーク電流の増
加を避けるためには、Ｐｂ３Ｏ４又はＺｒＯ２は芳香族
ポリアミド樹脂１００重量部に対して２０〜５ｏ○重量
部に定める必要がある。
第２図は、ＺｒＯ２が上記芳香族ポリエーテルアミド樹
脂ワニス１００重量部（樹脂固形分）に１００重量部を
添加したものと上記芳香族ポリエーテルアミド樹脂とを
用いて保護剤の被覆層を形成した樹脂封止形パワートラ
ンジスタのリーク電流の時間的変化を比較して示したグ
ラフである。
脂ワニス１００重量部（樹脂固形分）に１００重量部を
添加したものと上記芳香族ポリエーテルアミド樹脂とを
用いて保護剤の被覆層を形成した樹脂封止形パワートラ
ンジスタのリーク電流の時間的変化を比較して示したグ
ラフである。
図中、Ａが本発明の保護剤を用いた樹脂封止形パワート
ランジスタのリーク電流の時間的変化、Ｂが高純度の芳
香族ポリエーテルアミド樹脂からなる保護剤を用いて形
成した樹脂封止形パワートランジスタのリーク電流の時
間的変化である。也のグラフから明らかなように、本発
明の保護剤を用いた樹脂封止形パワートランジスタでは
、時間的変化に基づくリーク電流の変化はないが、芳香
族ポリエーテルアミド樹脂を用いた樹脂封止形パワート
ランジスタでは、バイアス印加初期時にリーク電流が大
きな値を示すことが確認された。
ランジスタのリーク電流の時間的変化、Ｂが高純度の芳
香族ポリエーテルアミド樹脂からなる保護剤を用いて形
成した樹脂封止形パワートランジスタのリーク電流の時
間的変化である。也のグラフから明らかなように、本発
明の保護剤を用いた樹脂封止形パワートランジスタでは
、時間的変化に基づくリーク電流の変化はないが、芳香
族ポリエーテルアミド樹脂を用いた樹脂封止形パワート
ランジスタでは、バイアス印加初期時にリーク電流が大
きな値を示すことが確認された。
発明の詳細
な説明したように、本発明に係る半導体装置は、常温は
勿論のこと高温においてもリーク電流が安定しており、
また、バイアス印加初期時のリーク電流の増加もない。
勿論のこと高温においてもリーク電流が安定しており、
また、バイアス印加初期時のリーク電流の増加もない。
従って半導体装置としての品質および信頼性が高い。
第１図は、本発明に係る半導体装置の一例を示す樹脂封
止形パワートランジスタの断面構造ヲ示す図、第２図は
、本発明保護剤と芳香族ポリアミド樹脂からなる保護剤
を用いて形成した樹脂封止形パワートランジスタのリー
ク電流の時間的変化を比較して示したグラフである。 １・・・・・・外部リード、２・・・・・・基板支持部
、３・・・・・・９′＼ パワートランジスタ素子基板、４・・・・・・金属細線
、５・・・・・・表面保護用樹脂、６・・・・・・成形
用樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 リーク嘴１気（）Ａ） θ ２／θ ４ρθ ２θθ θθθ ｌθ６
６（輔朋；Ｈ）
止形パワートランジスタの断面構造ヲ示す図、第２図は
、本発明保護剤と芳香族ポリアミド樹脂からなる保護剤
を用いて形成した樹脂封止形パワートランジスタのリー
ク電流の時間的変化を比較して示したグラフである。 １・・・・・・外部リード、２・・・・・・基板支持部
、３・・・・・・９′＼ パワートランジスタ素子基板、４・・・・・・金属細線
、５・・・・・・表面保護用樹脂、６・・・・・・成形
用樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 リーク嘴１気（）Ａ） θ ２／θ ４ρθ ２θθ θθθ ｌθ６
６（輔朋；Ｈ）
Claims (1)
- 芳香族ポリアミド樹脂１００重量部及びジルコニウム
の酸化物若しくは鉛の酸化物２０〜５００重量部からな
る保護剤によって表面が被覆されてなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60026970A JPH065698B2 (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60026970A JPH065698B2 (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61187259A true JPS61187259A (ja) | 1986-08-20 |
| JPH065698B2 JPH065698B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=12208011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60026970A Expired - Lifetime JPH065698B2 (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065698B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4984063A (en) * | 1989-03-30 | 1991-01-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2008296221A (ja) * | 2008-07-18 | 2008-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | サイクロン集塵装置 |
-
1985
- 1985-02-14 JP JP60026970A patent/JPH065698B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4984063A (en) * | 1989-03-30 | 1991-01-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2008296221A (ja) * | 2008-07-18 | 2008-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | サイクロン集塵装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH065698B2 (ja) | 1994-01-19 |
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