JPH10176150A - 耐熱性接着剤層付きフィルム及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
耐熱性接着剤層付きフィルム及びこれを用いた半導体装置Info
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- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 インナーリードの反りや半田リフロ−時のク
ラックのない耐熱性接着剤層付きフィルム及びこれを用
いた半導体装置の提供。 【解決手段】 基材フィルムの両面に接着剤層を形成し
た接着フィルムにおいて、一方の接着剤の２０℃での弾
性率を１００ＭＰａ以下とし、他方の接着剤の２４０℃
での弾性率を１０ＭＰａ以上とした耐熱性接着剤層付き
フィルム及びこれを用いた半導体装置。
ラックのない耐熱性接着剤層付きフィルム及びこれを用
いた半導体装置の提供。 【解決手段】 基材フィルムの両面に接着剤層を形成し
た接着フィルムにおいて、一方の接着剤の２０℃での弾
性率を１００ＭＰａ以下とし、他方の接着剤の２４０℃
での弾性率を１０ＭＰａ以上とした耐熱性接着剤層付き
フィルム及びこれを用いた半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐熱性に優れた接
着剤層付きフィルムに関するものであり、特にインナー
リードと半導体チップとを接着する半導体装置において
使用される耐熱性接着剤層付きフィルム及びこれを用い
た半導体装置に関するものである。
着剤層付きフィルムに関するものであり、特にインナー
リードと半導体チップとを接着する半導体装置において
使用される耐熱性接着剤層付きフィルム及びこれを用い
た半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップを樹脂で封止する樹脂封止
型半導体装置において、その装置は、タブ表面上に搭載
された半導体チップの外部端子とインナーリードとをボ
ンディングワイヤーで接続し、これらの半導体チップ、
インナーリード等は樹脂封止材で封止される構造になっ
ている。しかしながら、半導体チップの大型化に伴いこ
れらの技術では、半導体チップは樹脂封止材の大半の面
積を占有してしまい、パッケージ側端とチップ取り付け
部であるタブとの間の寸法が一段と狭くなる。その結
果、外部端子であるリードのうち、パッケージを形成す
る樹脂に埋設される長さがその構造上短くなり、その接
着強度が一段と小さくなるため、リードの保持ができな
くなり、パッケージから抜け易く、またリードと樹脂と
の間の剥がれが生じ易くなる。
型半導体装置において、その装置は、タブ表面上に搭載
された半導体チップの外部端子とインナーリードとをボ
ンディングワイヤーで接続し、これらの半導体チップ、
インナーリード等は樹脂封止材で封止される構造になっ
ている。しかしながら、半導体チップの大型化に伴いこ
れらの技術では、半導体チップは樹脂封止材の大半の面
積を占有してしまい、パッケージ側端とチップ取り付け
部であるタブとの間の寸法が一段と狭くなる。その結
果、外部端子であるリードのうち、パッケージを形成す
る樹脂に埋設される長さがその構造上短くなり、その接
着強度が一段と小さくなるため、リードの保持ができな
くなり、パッケージから抜け易く、またリードと樹脂と
の間の剥がれが生じ易くなる。
【０００３】このような問題点を解決する技術として、
例えば特開昭６１−２１８１３９号公報に記載されてい
るタブレス構造を採用することが挙げられる。その構造
は、半導体チップの搭載位置にインナーリードを引き回
し、このインナーリードで半導体チップを支持してい
る。半導体チップとインナーリードとは接着剤層付き絶
縁性樹脂フィルムで接着され、接着剤としては熱硬化樹
脂を使用している。これらの技術によりリードの保持や
インナーリード引き回しは出来るようになるものの、接
着剤の硬化時に副生するアウトガスによる被着体の汚染
や、接着剤と樹脂封止材との接着性が悪く、両者の接着
界面に剥離が生じ易くなる。特開平２−３６５４２号公
報に、接着剤としてポリエーテルアミド等の熱可塑性接
着剤を用いることにより、これらの問題を解決する技術
が記載されている。
例えば特開昭６１−２１８１３９号公報に記載されてい
るタブレス構造を採用することが挙げられる。その構造
は、半導体チップの搭載位置にインナーリードを引き回
し、このインナーリードで半導体チップを支持してい
る。半導体チップとインナーリードとは接着剤層付き絶
縁性樹脂フィルムで接着され、接着剤としては熱硬化樹
脂を使用している。これらの技術によりリードの保持や
インナーリード引き回しは出来るようになるものの、接
着剤の硬化時に副生するアウトガスによる被着体の汚染
や、接着剤と樹脂封止材との接着性が悪く、両者の接着
界面に剥離が生じ易くなる。特開平２−３６５４２号公
報に、接着剤としてポリエーテルアミド等の熱可塑性接
着剤を用いることにより、これらの問題を解決する技術
が記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
熱可塑性接着剤を用いた技術では、アウトガスによる汚
染や接着剤と樹脂封止材の密着性の問題は解決されるも
のの、絶縁性樹脂フィルム接着後にインナーリードが反
ったり、半導体装置を実装する時の半田リフロー時に封
止樹脂にクラック（半田リフロークラック）が入る等の
問題が発生し、更なる改良が求められている。
熱可塑性接着剤を用いた技術では、アウトガスによる汚
染や接着剤と樹脂封止材の密着性の問題は解決されるも
のの、絶縁性樹脂フィルム接着後にインナーリードが反
ったり、半導体装置を実装する時の半田リフロー時に封
止樹脂にクラック（半田リフロークラック）が入る等の
問題が発生し、更なる改良が求められている。
【０００５】本発明は、インナーリードの反りや、半田
リフロー時の接着剤中のボイドを抑え、半田リフロー時
のクラックを防止する事が可能な耐熱性接着剤層付きフ
ィルムを提供するものである。また本発明は、耐熱性接
着剤層付きフィルムを使用することにより、インナーリ
ードの反りや、半田リフロー時のクラックが発生しない
半導体装置を提供するものである。
リフロー時の接着剤中のボイドを抑え、半田リフロー時
のクラックを防止する事が可能な耐熱性接着剤層付きフ
ィルムを提供するものである。また本発明は、耐熱性接
着剤層付きフィルムを使用することにより、インナーリ
ードの反りや、半田リフロー時のクラックが発生しない
半導体装置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、これらイン
ナーリードの反りや半田リフロークラックの原因を検討
した結果、使用する接着剤の弾性率の大きさがこれらの
特性に影響を与えていることを見出した。すなわち、高
温での弾性率が低い接着剤を使用するとインナーリード
との密着性は上がるが、接着層の弾性率が低いためリフ
ロー時に封止樹脂、及び接着フィルムより気化した水蒸
気によって、半導体チップ側の接着剤中にボイドが発生
して、これによりクラックが発生する。また、低温での
弾性率が高い接着剤を使用すると接着剤中にボイドは発
生しないが、インナーリードと絶縁性フィルム接着後の
接着性が悪く剥離するか、接着した場合でも、接着剤の
弾性率が高い為にインナーリードと接着剤間の応力が緩
和されずにインナーリードが反ってしまう。
ナーリードの反りや半田リフロークラックの原因を検討
した結果、使用する接着剤の弾性率の大きさがこれらの
特性に影響を与えていることを見出した。すなわち、高
温での弾性率が低い接着剤を使用するとインナーリード
との密着性は上がるが、接着層の弾性率が低いためリフ
ロー時に封止樹脂、及び接着フィルムより気化した水蒸
気によって、半導体チップ側の接着剤中にボイドが発生
して、これによりクラックが発生する。また、低温での
弾性率が高い接着剤を使用すると接着剤中にボイドは発
生しないが、インナーリードと絶縁性フィルム接着後の
接着性が悪く剥離するか、接着した場合でも、接着剤の
弾性率が高い為にインナーリードと接着剤間の応力が緩
和されずにインナーリードが反ってしまう。
【０００７】従って、これら問題点を解決するために
は、インナーリードと半導体チップに接着するそれぞれ
の接着層の弾性率をインナーリードの反りが発生しない
か発泡が発生しない範囲にすれば良いことを見出し本発
明に至った。すなわち、本発明は、基材フィルムの両面
に接着剤層を形成した接着フィルムにおいて、一方の接
着剤の２０℃での弾性率を１００ＭＰａ以下とし、他方
の接着剤の２４０℃での弾性率を１０ＭＰａ以上とした
耐熱性接着剤層付きフィルムに関する。また、本発明
は、接着剤が芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミド、芳
香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳
香族ポリエーテルイミド及び芳香族ポリエーテルアミド
イミドのうち少なくとも１種類以上を含む組成物である
前記耐熱性接着剤層付きフィルムに関する。また、この
耐熱接着剤層付きフィルムの２０℃での弾性率が１００
ＭＰａ以下の接着剤層をインナーリード側に接着し、２
４０℃での弾性率が１０ＭＰａ以上の接着剤層を半導体
チップ側に接着してなる半導体装置に関する。
は、インナーリードと半導体チップに接着するそれぞれ
の接着層の弾性率をインナーリードの反りが発生しない
か発泡が発生しない範囲にすれば良いことを見出し本発
明に至った。すなわち、本発明は、基材フィルムの両面
に接着剤層を形成した接着フィルムにおいて、一方の接
着剤の２０℃での弾性率を１００ＭＰａ以下とし、他方
の接着剤の２４０℃での弾性率を１０ＭＰａ以上とした
耐熱性接着剤層付きフィルムに関する。また、本発明
は、接着剤が芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミド、芳
香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳
香族ポリエーテルイミド及び芳香族ポリエーテルアミド
イミドのうち少なくとも１種類以上を含む組成物である
前記耐熱性接着剤層付きフィルムに関する。また、この
耐熱接着剤層付きフィルムの２０℃での弾性率が１００
ＭＰａ以下の接着剤層をインナーリード側に接着し、２
４０℃での弾性率が１０ＭＰａ以上の接着剤層を半導体
チップ側に接着してなる半導体装置に関する。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の耐熱性接着剤層付
きフィルムについて説明する。本発明に用いる基材フィ
ルムとしては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルアミ
ド、ポリエーテルアミドイミド、ポリエーテルサルフォ
ン、ポリエーテルケトン、ポリカーボネート等の絶縁性
耐熱性樹脂フィルムが挙げられる。フィルムの厚みは、
５〜２００μｍが好ましく、２５〜５０μｍがさらに好
ましい。フィルムの厚みが２００μｍを越えると樹脂封
止型半導体装置の厚みを薄くすることが難しくなり、５
μｍ未満では、接着剤を塗る時の作業性が悪くなり好ま
しくない。
きフィルムについて説明する。本発明に用いる基材フィ
ルムとしては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルアミ
ド、ポリエーテルアミドイミド、ポリエーテルサルフォ
ン、ポリエーテルケトン、ポリカーボネート等の絶縁性
耐熱性樹脂フィルムが挙げられる。フィルムの厚みは、
５〜２００μｍが好ましく、２５〜５０μｍがさらに好
ましい。フィルムの厚みが２００μｍを越えると樹脂封
止型半導体装置の厚みを薄くすることが難しくなり、５
μｍ未満では、接着剤を塗る時の作業性が悪くなり好ま
しくない。
【０００９】２０℃での弾性率が１００ＭＰａ以下の接
着剤としては、芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミド、
芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、
芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミド
イミド、芳香族ポリエステル、芳香族ポリエーテル等の
耐熱樹脂、好ましくは、下記一般式で表される繰り返し
単位を有する耐熱性樹脂のうち少なくとも１種類以上よ
り選ばれた２０℃での弾性率が１００ＭＰａ以下の樹脂
またはシリコンゴム弾性体等の添加剤を混合して弾性率
を１００ＭＰａ以下にした樹脂が挙げられる。
着剤としては、芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミド、
芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、
芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミド
イミド、芳香族ポリエステル、芳香族ポリエーテル等の
耐熱樹脂、好ましくは、下記一般式で表される繰り返し
単位を有する耐熱性樹脂のうち少なくとも１種類以上よ
り選ばれた２０℃での弾性率が１００ＭＰａ以下の樹脂
またはシリコンゴム弾性体等の添加剤を混合して弾性率
を１００ＭＰａ以下にした樹脂が挙げられる。
【化１】 前記樹脂の例として、また、下記化５〔一般式（Ｉ）〕
で表される繰り返し単位を有する樹脂がある。
で表される繰り返し単位を有する樹脂がある。
【化２】 〔ただし、一般式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及び
Ｒ4はそれぞれ独立に水素、低級アルキル基、低級アル
コキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｘは結合、−Ｏ
−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）ー、−ＳＯ2−、−Ｓ（＝
Ｏ）−、化３
Ｒ4はそれぞれ独立に水素、低級アルキル基、低級アル
コキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｘは結合、−Ｏ
−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）ー、−ＳＯ2−、−Ｓ（＝
Ｏ）−、化３
【化３】 （ここでＲ5及びＲ6はそれぞれ独立に水素、低級アルキ
ル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、ま
たはフェニル基を示す）で表される基を示し、Ｘは繰り
返し単位毎に相違してもよく、Ｙは化４
ル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、ま
たはフェニル基を示す）で表される基を示し、Ｘは繰り
返し単位毎に相違してもよく、Ｙは化４
【化４】 （ここで、Ａｒは芳香族の２価の基を、Ａｒ’は３価の
基を示す）で表される基を示し、Ｙは繰り返し単位毎に
相違してもよい。〕 前記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位としては、下
記化５、化６で示される例がある。
基を示す）で表される基を示し、Ｙは繰り返し単位毎に
相違してもよい。〕 前記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位としては、下
記化５、化６で示される例がある。
【化５】
【化６】 前記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する重合
体は、例えば、芳香族ジカルボン酸、芳香族トリカルボ
ン酸またはこれらの反応性誘導体と化７〔一般式（Ｉ
Ｉ）〕
体は、例えば、芳香族ジカルボン酸、芳香族トリカルボ
ン酸またはこれらの反応性誘導体と化７〔一般式（Ｉ
Ｉ）〕
【化７】 〔ただし、一般式（ＩＩ）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ
4及びＸは一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及び
Ｘと同じ意味である〕で表される芳香族ジアミンを重縮
合させて製造することができる。
4及びＸは一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及び
Ｘと同じ意味である〕で表される芳香族ジアミンを重縮
合させて製造することができる。
【００１０】シリコンゴム弾性体等の添加剤は、平均粒
径が０．１〜２０μｍで球状に微粒子化した物が好まし
い。平均粒径が２０μｍを越えると、塗膜の表面が荒
れ、かつ塗膜強度が低下する傾向がある。また、０．１
μｍ未満では分散が困難となる傾向がある。接着剤層の
厚さとしては、通常１〜１００μｍ、好ましくは５〜５
０μｍ、さらに好ましくは１０〜２５μｍである。２０
℃での接着剤の弾性率が１００ＭＰａを超えると、イン
ナーリードと本接着フィルムを接着させる時にインナー
リードと絶縁性フィルム接着後の接着性が悪く剥離する
か、接着した場合でも、接着剤の弾性率が高い為にイン
ナーリードと接着剤間の応力が緩和されずにインナーリ
ードが反る問題が発生し易くなる。
径が０．１〜２０μｍで球状に微粒子化した物が好まし
い。平均粒径が２０μｍを越えると、塗膜の表面が荒
れ、かつ塗膜強度が低下する傾向がある。また、０．１
μｍ未満では分散が困難となる傾向がある。接着剤層の
厚さとしては、通常１〜１００μｍ、好ましくは５〜５
０μｍ、さらに好ましくは１０〜２５μｍである。２０
℃での接着剤の弾性率が１００ＭＰａを超えると、イン
ナーリードと本接着フィルムを接着させる時にインナー
リードと絶縁性フィルム接着後の接着性が悪く剥離する
か、接着した場合でも、接着剤の弾性率が高い為にイン
ナーリードと接着剤間の応力が緩和されずにインナーリ
ードが反る問題が発生し易くなる。
【００１１】２４０℃での弾性率が１０ＭＰａ以上であ
る耐熱性接着剤としては、前記の耐熱樹脂単独、もしく
は架橋剤等の添加剤を加え反応させて２４０℃での弾性
率を１０ＭＰａ以上にした樹脂が挙げられる。架橋剤と
しては、熱によって前記の耐熱性樹脂を架橋させうる化
合物であれば特に制限するものでないが、例えば、アミ
ノ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、酸無水物、シ
ラン化合物等が挙げられる。シラン化合物としては、γ
−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、アミノシラン、γ−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メ
チルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラ
ン、ヘキサメチルジシラザン、γ−アニリノプロピルト
リメトキシシラン及びビニルトリメトキシシラン等のシ
ランカップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイ
ルチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネー
ト、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタ
ネート及びイソプロピルトリス（ジオクチルパイロホス
フェート）チタネート等のチタネート系カップリング
剤、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート
等のアルミニウム系カップリング剤などが挙げられる。
前記耐熱樹脂とカップリング剤の配合は、両者を合計し
た固形分全体に対して、カップリング剤の添加割合を
０．１〜２０重量％にすることが好ましい、更に好まし
くは０．５〜１０重量％とされる。接着剤の厚さとして
は、通常１〜１００μｍ、好ましくは５〜５０μｍ、さ
らに好ましくは１０〜２５μｍである。耐熱性樹脂と架
橋剤との反応方法は特に制限はないが、例えば基材フィ
ルムに樹脂層を形成する際の乾燥工程で行う。
る耐熱性接着剤としては、前記の耐熱樹脂単独、もしく
は架橋剤等の添加剤を加え反応させて２４０℃での弾性
率を１０ＭＰａ以上にした樹脂が挙げられる。架橋剤と
しては、熱によって前記の耐熱性樹脂を架橋させうる化
合物であれば特に制限するものでないが、例えば、アミ
ノ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、酸無水物、シ
ラン化合物等が挙げられる。シラン化合物としては、γ
−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、アミノシラン、γ−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メ
チルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラ
ン、ヘキサメチルジシラザン、γ−アニリノプロピルト
リメトキシシラン及びビニルトリメトキシシラン等のシ
ランカップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイ
ルチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネー
ト、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタ
ネート及びイソプロピルトリス（ジオクチルパイロホス
フェート）チタネート等のチタネート系カップリング
剤、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート
等のアルミニウム系カップリング剤などが挙げられる。
前記耐熱樹脂とカップリング剤の配合は、両者を合計し
た固形分全体に対して、カップリング剤の添加割合を
０．１〜２０重量％にすることが好ましい、更に好まし
くは０．５〜１０重量％とされる。接着剤の厚さとして
は、通常１〜１００μｍ、好ましくは５〜５０μｍ、さ
らに好ましくは１０〜２５μｍである。耐熱性樹脂と架
橋剤との反応方法は特に制限はないが、例えば基材フィ
ルムに樹脂層を形成する際の乾燥工程で行う。
【００１２】２４０℃における接着剤の弾性率が１０Ｍ
Ｐａ未満であると、半導体チップと接着剤層付きフィル
ムを接着した半導体装置を実装する時に、封止樹脂及び
接着フィルムより気化した水蒸気によって、半導体チッ
プ側の接着剤中にボイドが発生して、これによりクラッ
クが発生し易くなる。基材フィルム表面上への接着剤層
の形成は、前述の樹脂又は樹脂混合物を溶剤に溶解して
基材フィルム上に塗工、乾燥して得られる。溶剤として
は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミ
ド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等の極性溶剤が用いられる。塗
工方法は特に制限するものではないが、例えば、ロール
コート、リバースロールコート、グラビアコート、バー
コート等が挙げられる。
Ｐａ未満であると、半導体チップと接着剤層付きフィル
ムを接着した半導体装置を実装する時に、封止樹脂及び
接着フィルムより気化した水蒸気によって、半導体チッ
プ側の接着剤中にボイドが発生して、これによりクラッ
クが発生し易くなる。基材フィルム表面上への接着剤層
の形成は、前述の樹脂又は樹脂混合物を溶剤に溶解して
基材フィルム上に塗工、乾燥して得られる。溶剤として
は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミ
ド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等の極性溶剤が用いられる。塗
工方法は特に制限するものではないが、例えば、ロール
コート、リバースロールコート、グラビアコート、バー
コート等が挙げられる。
【００１３】本発明になる耐熱性接着剤層付きフィルム
をインナーリードと半導体チップ間に接着する場合に
は、２０℃での弾性率が１００ＭＰａ以下の接着剤層を
インナーリード面に接着し、２４０℃での弾性率が１０
ＭＰａ以上の接着剤層を半導体チップ側に接着する。こ
のような構造にする事によって、樹脂封止型半導体装置
における、インナーリードの反りや、半田リフロー時の
接着剤中のボイドを抑え、半田リフロー時のクラックを
防止することが可能となる。
をインナーリードと半導体チップ間に接着する場合に
は、２０℃での弾性率が１００ＭＰａ以下の接着剤層を
インナーリード面に接着し、２４０℃での弾性率が１０
ＭＰａ以上の接着剤層を半導体チップ側に接着する。こ
のような構造にする事によって、樹脂封止型半導体装置
における、インナーリードの反りや、半田リフロー時の
接着剤中のボイドを抑え、半田リフロー時のクラックを
防止することが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下実施例により本発明を説明するが、本発
明はこれらに制限されるものではない。 実施例１ 温度計、撹拌機、窒素導入管及び冷却管をとりつけた５
リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−
ビス〔４（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン
２０５ｇ（０．５モル）、プロピレンオキサイド６９．
６ｇ（１．２モル）を入れＮ−メチル−２−ピロリドン
１２００ｇに溶解した。この溶液を−５℃に冷却し、こ
の温度でイソフタル酸クロライド１００．５ｇ（０．４
９５モル）を温度が２０℃を越えないように添加した。
その後室温で３時間撹拌を続けた。得られた反応液をメ
タノール中に投入して、重合体を単離させた。これを乾
燥した後ジメチルホルムアミドに溶解し、これをメタノ
ール中に投入し、減圧乾燥して精製された芳香族ポリア
ミド粉末を得た。得られたポリアミド粉末４０ｇと平均
粒径５μｍのシリコーンゴムフィラー（東レ・ダウコー
ニング・シリコ−ン社製「トレフィルＥ−６０１」）２
０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン２００ｇに溶解して
ワニス１を得た。このワニス１を５０μmの厚さのポリ
イミドフィルム（宇部興産社製ユーピレックスＳ）の片
面に塗工し、１００℃で１０分乾燥して厚さ２５μmの
接着剤層がついたポリイミドフィルムを得た。芳香族ポ
リアミド粉末６０ｇとシランカップリング剤（東レ・ダ
ウコーニング・シリコ−ン社製「ＳＨ−６０４０」）
１．８ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン２００ｇに溶解
して得たワニス２を前述の操作によって片面塗工された
５０μmの厚さのポリイミドフィルムの反対面に塗工
し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して厚さ
２５μmの接着剤層が付いたポリイミドフィルムを得
た。また得られたフィルムを５ｍｍ角に切り取り、４０
℃、６５％ＲＨの恒温恒湿器に２４時間放置し吸湿させ
た後、ワニス１より得られた接着面を厚さ０．２ｍｍの
鉄−ニッケル合金製のリードフレームの上に、０．２ｍ
ｍ間隔で０．２ｍｍ幅のインナーリード面が合わさるよ
うにのせ、４００℃の温度で２０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で
３秒間加圧して圧着した。接着した後のインナーリード
は反りは無く、接着剤フィルムにも顕微鏡で調べたとこ
ろ発泡も無く、また、目視したところ接着剤フィルムの
変形も見られなかった。更にリードフレームに接着した
接着剤フィルムの反対面上に５ｍｍ角のシリコンチップ
を４００℃の温度で２０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で３秒間加
圧して圧着した。接着した後のチップ側の接着剤フィル
ムも顕微鏡で調べたところ発泡も無く、また、目視した
ところ接着剤フィルムの変形も見られなかった。チップ
のせん断接着強度をプッシュ・プルゲージを用いて測定
しようとしたところシリコンチップが破断し、この時の
強度は１０Ｋｇを越えていた。ワニス１及び２をそれぞ
れガラス板上に塗工し、１００℃で１０分乾燥後、ガラ
ス板から引き剥がし、鉄枠に固定し３００℃で１０分乾
燥して接着フィルムを得た。これらのフィルムの弾性率
を弾性率測定装置（株式会社レオロジ製「ＤＶＥレオス
ペクトラ」）で測定したところ、ワニス１より得られた
フィルムの弾性率は２０℃で９０ＭＰａ、２４０℃で１
ＭＰａ以下（フィルムが溶融して測定不能）であり、ワ
ニス２より得られたフィルムの弾性率は、２０℃で３０
００ＭＰａ、２４０℃で１５ＭＰａであった。
明はこれらに制限されるものではない。 実施例１ 温度計、撹拌機、窒素導入管及び冷却管をとりつけた５
リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−
ビス〔４（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン
２０５ｇ（０．５モル）、プロピレンオキサイド６９．
６ｇ（１．２モル）を入れＮ−メチル−２−ピロリドン
１２００ｇに溶解した。この溶液を−５℃に冷却し、こ
の温度でイソフタル酸クロライド１００．５ｇ（０．４
９５モル）を温度が２０℃を越えないように添加した。
その後室温で３時間撹拌を続けた。得られた反応液をメ
タノール中に投入して、重合体を単離させた。これを乾
燥した後ジメチルホルムアミドに溶解し、これをメタノ
ール中に投入し、減圧乾燥して精製された芳香族ポリア
ミド粉末を得た。得られたポリアミド粉末４０ｇと平均
粒径５μｍのシリコーンゴムフィラー（東レ・ダウコー
ニング・シリコ−ン社製「トレフィルＥ−６０１」）２
０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン２００ｇに溶解して
ワニス１を得た。このワニス１を５０μmの厚さのポリ
イミドフィルム（宇部興産社製ユーピレックスＳ）の片
面に塗工し、１００℃で１０分乾燥して厚さ２５μmの
接着剤層がついたポリイミドフィルムを得た。芳香族ポ
リアミド粉末６０ｇとシランカップリング剤（東レ・ダ
ウコーニング・シリコ−ン社製「ＳＨ−６０４０」）
１．８ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン２００ｇに溶解
して得たワニス２を前述の操作によって片面塗工された
５０μmの厚さのポリイミドフィルムの反対面に塗工
し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して厚さ
２５μmの接着剤層が付いたポリイミドフィルムを得
た。また得られたフィルムを５ｍｍ角に切り取り、４０
℃、６５％ＲＨの恒温恒湿器に２４時間放置し吸湿させ
た後、ワニス１より得られた接着面を厚さ０．２ｍｍの
鉄−ニッケル合金製のリードフレームの上に、０．２ｍ
ｍ間隔で０．２ｍｍ幅のインナーリード面が合わさるよ
うにのせ、４００℃の温度で２０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で
３秒間加圧して圧着した。接着した後のインナーリード
は反りは無く、接着剤フィルムにも顕微鏡で調べたとこ
ろ発泡も無く、また、目視したところ接着剤フィルムの
変形も見られなかった。更にリードフレームに接着した
接着剤フィルムの反対面上に５ｍｍ角のシリコンチップ
を４００℃の温度で２０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で３秒間加
圧して圧着した。接着した後のチップ側の接着剤フィル
ムも顕微鏡で調べたところ発泡も無く、また、目視した
ところ接着剤フィルムの変形も見られなかった。チップ
のせん断接着強度をプッシュ・プルゲージを用いて測定
しようとしたところシリコンチップが破断し、この時の
強度は１０Ｋｇを越えていた。ワニス１及び２をそれぞ
れガラス板上に塗工し、１００℃で１０分乾燥後、ガラ
ス板から引き剥がし、鉄枠に固定し３００℃で１０分乾
燥して接着フィルムを得た。これらのフィルムの弾性率
を弾性率測定装置（株式会社レオロジ製「ＤＶＥレオス
ペクトラ」）で測定したところ、ワニス１より得られた
フィルムの弾性率は２０℃で９０ＭＰａ、２４０℃で１
ＭＰａ以下（フィルムが溶融して測定不能）であり、ワ
ニス２より得られたフィルムの弾性率は、２０℃で３０
００ＭＰａ、２４０℃で１５ＭＰａであった。
【００１５】実施例２ 温度計、撹拌機、窒素導入管及び冷却管をとりつけた５
リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−
ビス〔４（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン
２０５ｇ（０．５モル）を入れＮ−メチル−２−ピロリ
ドン１２００ｇに溶解した。この溶液を−１０℃に冷却
し、この温度でトリメリット酸モノクロライド１０４．
２ｇ（０．４９５モル）を温度が−５℃を越えないよう
に添加した。無水トリメリット酸モノクロライドが溶解
したら、トリエチルアミン７６ｇを温度が５℃を越えな
いように添加した。室温で１時間撹拌を続けた後、１８
０℃で９時間反応させてイミド化を完結させた。得られ
た反応液をメタノール中に投入して、重合体を単離させ
た。これを乾燥した後ジメチルホルムアミドに溶解し、
これをメタノール中に投入し、減圧乾燥して精製された
芳香族ポリアミドイミド粉末を得た。得られたポリアミ
ドイミド粉末４０ｇと平均粒径１３μｍの球状二酸化珪
素粉末（電気化学社製「ＦＢ−３５」）２０ｇをテトラ
ヒドロフラン２００ｇに溶解してワニス１を得た。この
ワニス１を２５μmの厚さのポリイミドフィルム（宇部
興産社製ユーピレックスＳ）の片面に塗工し、１００℃
で１０分乾燥して厚さ１５μmの接着剤層が付いたポリ
イミドフィルムを得た。芳香族ポリアミド粉末６０ｇと
シランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコ
ーン社製「ＳＨ−６０２０」）１．５ｇをＮ−メチル−
２−ピロリドン２００ｇに溶解して得たワニス２を前述
の操作によって片面塗工された５０μmの厚さのポリイ
ミドフィルムの反対面に塗工し、１００℃で１０分、３
００℃で１０分乾燥して厚さ２５μmの接着剤層が付い
たポリイミドフィルムを得た。また得られたフィルムを
５ｍｍ角に切り取り、４０℃、６５％ＲＨの恒温恒湿器
に２４時間放置し吸湿させた後、ワニス１より得られた
接着面を厚さ０．２ｍｍの鉄−ニッケル合金製のリード
フレームの上に、０．２ｍｍ間隔で０．２ｍｍ幅のイン
ナーリード面が合わさるようにのせ、４００℃の温度で
２０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で３秒間加圧して圧着した。接
着した後のインナーリードは反りは無く、接着剤フィル
ムにも顕微鏡で調べたところ発泡も無く、また、目視し
たところ接着剤フィルムの変形も見られなかった。更に
リードフレームに接着した接着剤フィルムの反対面上に
５ｍｍ角のシリコンチップを４００℃の温度で２０Ｋｇ
／ｃｍ2の圧力で３秒間加圧して圧着した。接着した後
のチップ側の接着剤フィルムも顕微鏡で調べたところ発
泡も無く、また、目視したところ接着剤フィルムの変形
も見られなかった。チップのせん断接着強度をプッシュ
・プルゲージを用いて測定しようとしたところシリコン
チップが破断し、この時の強度は１０Ｋｇを越えてい
た。ワニス１及び２をそれぞれガラス板上に塗工し、１
００℃で１０分乾燥後、ガラス板から引き剥がし、鉄枠
に固定し３００℃で１０分乾燥して接着フィルムを得
た。これらのフィルムの弾性率を弾性率測定装置（株式
会社レオロジ製「ＤＶＥレオスペクトラ」）で測定した
ところ、ワニス１より得られたフィルムの弾性率は２０
℃で３０ＭＰａ、２４０℃で１ＭＰａ以下（フィルムが
溶融して測定不能）であり、ワニス２より得られたフィ
ルムの弾性率は、２０℃で３０００ＭＰａ、２４０℃で
１１ＭＰａであった。
リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−
ビス〔４（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン
２０５ｇ（０．５モル）を入れＮ−メチル−２−ピロリ
ドン１２００ｇに溶解した。この溶液を−１０℃に冷却
し、この温度でトリメリット酸モノクロライド１０４．
２ｇ（０．４９５モル）を温度が−５℃を越えないよう
に添加した。無水トリメリット酸モノクロライドが溶解
したら、トリエチルアミン７６ｇを温度が５℃を越えな
いように添加した。室温で１時間撹拌を続けた後、１８
０℃で９時間反応させてイミド化を完結させた。得られ
た反応液をメタノール中に投入して、重合体を単離させ
た。これを乾燥した後ジメチルホルムアミドに溶解し、
これをメタノール中に投入し、減圧乾燥して精製された
芳香族ポリアミドイミド粉末を得た。得られたポリアミ
ドイミド粉末４０ｇと平均粒径１３μｍの球状二酸化珪
素粉末（電気化学社製「ＦＢ−３５」）２０ｇをテトラ
ヒドロフラン２００ｇに溶解してワニス１を得た。この
ワニス１を２５μmの厚さのポリイミドフィルム（宇部
興産社製ユーピレックスＳ）の片面に塗工し、１００℃
で１０分乾燥して厚さ１５μmの接着剤層が付いたポリ
イミドフィルムを得た。芳香族ポリアミド粉末６０ｇと
シランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコ
ーン社製「ＳＨ−６０２０」）１．５ｇをＮ−メチル−
２−ピロリドン２００ｇに溶解して得たワニス２を前述
の操作によって片面塗工された５０μmの厚さのポリイ
ミドフィルムの反対面に塗工し、１００℃で１０分、３
００℃で１０分乾燥して厚さ２５μmの接着剤層が付い
たポリイミドフィルムを得た。また得られたフィルムを
５ｍｍ角に切り取り、４０℃、６５％ＲＨの恒温恒湿器
に２４時間放置し吸湿させた後、ワニス１より得られた
接着面を厚さ０．２ｍｍの鉄−ニッケル合金製のリード
フレームの上に、０．２ｍｍ間隔で０．２ｍｍ幅のイン
ナーリード面が合わさるようにのせ、４００℃の温度で
２０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で３秒間加圧して圧着した。接
着した後のインナーリードは反りは無く、接着剤フィル
ムにも顕微鏡で調べたところ発泡も無く、また、目視し
たところ接着剤フィルムの変形も見られなかった。更に
リードフレームに接着した接着剤フィルムの反対面上に
５ｍｍ角のシリコンチップを４００℃の温度で２０Ｋｇ
／ｃｍ2の圧力で３秒間加圧して圧着した。接着した後
のチップ側の接着剤フィルムも顕微鏡で調べたところ発
泡も無く、また、目視したところ接着剤フィルムの変形
も見られなかった。チップのせん断接着強度をプッシュ
・プルゲージを用いて測定しようとしたところシリコン
チップが破断し、この時の強度は１０Ｋｇを越えてい
た。ワニス１及び２をそれぞれガラス板上に塗工し、１
００℃で１０分乾燥後、ガラス板から引き剥がし、鉄枠
に固定し３００℃で１０分乾燥して接着フィルムを得
た。これらのフィルムの弾性率を弾性率測定装置（株式
会社レオロジ製「ＤＶＥレオスペクトラ」）で測定した
ところ、ワニス１より得られたフィルムの弾性率は２０
℃で３０ＭＰａ、２４０℃で１ＭＰａ以下（フィルムが
溶融して測定不能）であり、ワニス２より得られたフィ
ルムの弾性率は、２０℃で３０００ＭＰａ、２４０℃で
１１ＭＰａであった。
【００１６】実施例３ 温度計、撹拌機、窒素導入管及び冷却管をとりつけた５
リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−
ビス〔４（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン
１７４ｇ、ジアミン末端ポリシロキサン（信越化学社製
「Ｘ−２２−１６１Ｂ」）２２５ｇを入れジグライム１
２００ｇに溶解した。この溶液を−１０℃に冷却し、こ
の温度で無水トリメリット酸モノクロライド１０５ｇを
温度が−５℃を越えないように添加した。無水トリメリ
ット酸モノクロライドが溶解したら、酸化プロピレン８
５ｇを温度が５℃を越えないように添加した。ジグライ
ム８５０ｇを追加し、室温で２時間撹拌を続けた後、１
８０℃で９時間反応させてイミド化を完結させた。得ら
れた反応液をメタノール中に投入して、重合体を単離さ
せた。これを乾燥した後ジメチルホルムアミドに溶解
し、これをメタノール中に投入し、減圧乾燥して精製さ
れた芳香族ポリアミドイミド粉末を得た。得られたポリ
アミド粉末６０ｇをテトラヒドロフラン２００ｇに溶解
してワニス１を得た。このワニス１を５０μmの厚さの
ポリイミドフィルム（宇部興産社製ユーピレックスＳ）
の片面に塗工し、１００℃で１０分乾燥して厚さ２５μ
mの接着剤層がついたポリイミドフィルムを得た。実施
例１で作成したワニス２を前述の操作によって片面塗工
された５０μmの厚さのポリイミドフィルムの反対面に
塗工し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して
厚さ２５μmの接着剤層がついたポリイミドフィルムを
得た。また得られたフィルムを５ｍｍ角に切り取り、４
０℃、６５％ＲＨの恒温恒湿器に２４時間放置し吸湿さ
せた後、ワニス１より得られた接着面を厚さ０．２ｍｍ
の鉄−ニッケル合金製のリードフレームの上に、０．２
ｍｍ間隔で０．２ｍｍ幅のインナーリード面が合わさる
ようにのせ、４００℃の温度で２０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力
で３秒間加圧して圧着した。接着した後のインナーリー
ドは反りは無く、接着剤フィルムにも顕微鏡で調べたと
ころ発泡も無く、また、目視したところ接着剤フィルム
の変形も見られなかった。更にリードフレームに接着し
た接着剤フィルムの反対面上に５ｍｍ角のシリコンチッ
プを４００℃の温度で２０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で３秒間
加圧して圧着した。接着した後のチップ側の接着剤フィ
ルムも顕微鏡で調べたところ発泡も無く、また、目視し
たところ接着剤フィルムの変形も見られなかった。チッ
プのせん断接着強度をプッシュ・プルゲージを用いて測
定しようとしたところシリコンチップが破断し、この時
の強度は１０Ｋｇを越えていた。ワニス１をガラス板上
に塗工し、１００℃で１０分乾燥後、ガラス板から引き
剥がし、鉄枠に固定し３００℃で１０分乾燥して接着フ
ィルムを得た。これらのフィルムの弾性率を弾性率測定
装置（株式会社レオロジ製「ＤＶＥレオスペクトラ」）
で測定したところ、フィルムの弾性率は２０℃で１００
ＭＰａ、２４０℃で１ＭＰａ以下（フィルムが溶融して
測定不能）であった。
リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−
ビス〔４（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン
１７４ｇ、ジアミン末端ポリシロキサン（信越化学社製
「Ｘ−２２−１６１Ｂ」）２２５ｇを入れジグライム１
２００ｇに溶解した。この溶液を−１０℃に冷却し、こ
の温度で無水トリメリット酸モノクロライド１０５ｇを
温度が−５℃を越えないように添加した。無水トリメリ
ット酸モノクロライドが溶解したら、酸化プロピレン８
５ｇを温度が５℃を越えないように添加した。ジグライ
ム８５０ｇを追加し、室温で２時間撹拌を続けた後、１
８０℃で９時間反応させてイミド化を完結させた。得ら
れた反応液をメタノール中に投入して、重合体を単離さ
せた。これを乾燥した後ジメチルホルムアミドに溶解
し、これをメタノール中に投入し、減圧乾燥して精製さ
れた芳香族ポリアミドイミド粉末を得た。得られたポリ
アミド粉末６０ｇをテトラヒドロフラン２００ｇに溶解
してワニス１を得た。このワニス１を５０μmの厚さの
ポリイミドフィルム（宇部興産社製ユーピレックスＳ）
の片面に塗工し、１００℃で１０分乾燥して厚さ２５μ
mの接着剤層がついたポリイミドフィルムを得た。実施
例１で作成したワニス２を前述の操作によって片面塗工
された５０μmの厚さのポリイミドフィルムの反対面に
塗工し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して
厚さ２５μmの接着剤層がついたポリイミドフィルムを
得た。また得られたフィルムを５ｍｍ角に切り取り、４
０℃、６５％ＲＨの恒温恒湿器に２４時間放置し吸湿さ
せた後、ワニス１より得られた接着面を厚さ０．２ｍｍ
の鉄−ニッケル合金製のリードフレームの上に、０．２
ｍｍ間隔で０．２ｍｍ幅のインナーリード面が合わさる
ようにのせ、４００℃の温度で２０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力
で３秒間加圧して圧着した。接着した後のインナーリー
ドは反りは無く、接着剤フィルムにも顕微鏡で調べたと
ころ発泡も無く、また、目視したところ接着剤フィルム
の変形も見られなかった。更にリードフレームに接着し
た接着剤フィルムの反対面上に５ｍｍ角のシリコンチッ
プを４００℃の温度で２０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で３秒間
加圧して圧着した。接着した後のチップ側の接着剤フィ
ルムも顕微鏡で調べたところ発泡も無く、また、目視し
たところ接着剤フィルムの変形も見られなかった。チッ
プのせん断接着強度をプッシュ・プルゲージを用いて測
定しようとしたところシリコンチップが破断し、この時
の強度は１０Ｋｇを越えていた。ワニス１をガラス板上
に塗工し、１００℃で１０分乾燥後、ガラス板から引き
剥がし、鉄枠に固定し３００℃で１０分乾燥して接着フ
ィルムを得た。これらのフィルムの弾性率を弾性率測定
装置（株式会社レオロジ製「ＤＶＥレオスペクトラ」）
で測定したところ、フィルムの弾性率は２０℃で１００
ＭＰａ、２４０℃で１ＭＰａ以下（フィルムが溶融して
測定不能）であった。
【００１７】実施例４ 実施例１で得られた接着剤フィルムを打ち抜き、図２に
示すようにリードフレームと半導体素子の間に挟み３５
０℃の温度で２０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で３秒間加圧して
圧着した。その後、リードフレームと半導体素子を金線
で接合し、エポキシ樹脂成形材料でトランスファ成形し
封止した。この樹脂封止型半導体装置の８５℃、８５％
ＲＨ、１６８時間後、２６０℃の半田浴浸漬時の故障率
は０／１００（１００個の内０個）と優れていた。図１
は、この半導体装置の平面模式図であり、図２は図１に
おけるＩ−Ｉ線断面図である。図において、１は半導体
装置、２はリードフレーム、２Ａはインナーリード、２
Ｂはアウターリード、３は耐熱性接着剤層付きフィル
ム、４は半導体素子、４Ａは外部素子、５はボンディン
グワイヤ、６は樹脂封止材である
示すようにリードフレームと半導体素子の間に挟み３５
０℃の温度で２０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で３秒間加圧して
圧着した。その後、リードフレームと半導体素子を金線
で接合し、エポキシ樹脂成形材料でトランスファ成形し
封止した。この樹脂封止型半導体装置の８５℃、８５％
ＲＨ、１６８時間後、２６０℃の半田浴浸漬時の故障率
は０／１００（１００個の内０個）と優れていた。図１
は、この半導体装置の平面模式図であり、図２は図１に
おけるＩ−Ｉ線断面図である。図において、１は半導体
装置、２はリードフレーム、２Ａはインナーリード、２
Ｂはアウターリード、３は耐熱性接着剤層付きフィル
ム、４は半導体素子、４Ａは外部素子、５はボンディン
グワイヤ、６は樹脂封止材である
【００１８】比較例１ 実施例１において作成した芳香族ポリアミド粉末６０ｇ
をＮ−メチル−２−ピロリドン２００ｇに溶解してワニ
スを得た。このワニスを５０μmの厚さのポリイミドフ
ィルム（宇部興産社製ユーピレックスＳ）の片面に塗工
し、１００℃で１０分乾燥し、さらに反対面にも上記ワ
ニスを塗工し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾
燥して両面に厚さ２５μmの接着剤層がついたポリイミ
ドフィルムを得た。また得られたフィルムを５ｍｍ角に
切り取り、４０℃、６５％ＲＨの恒温恒湿器に２４時間
放置し吸湿させた後、ワニス１より得られた接着面を厚
さ０．２ｍｍの鉄−ニッケル合金製のリードフレームの
上に、０．２ｍｍ間隔で０．２ｍｍ幅のインナーリード
面が合わさるようにのせ、３５０℃の温度で２０Ｋｇ／
ｃｍ2の圧力で３秒間加圧して圧着したところ、接着し
た後のインナーリードにはわずかな反りが見られた。更
にリードフレームに接着した接着剤フィルムの反対面上
に５ｍｍ角のシリコンチップを４００℃の温度で２０Ｋ
ｇ／ｃｍ2の圧力で３秒間加圧して圧着し、接着剤層を
顕微鏡で調べたところ発泡が見られた。このチップのせ
ん断接着強度をプッシュ・プルゲージを用いて測定した
ところ、その時の強度は３Ｋｇであった。ワニスをガラ
ス板上に塗工し、１００℃で１０分乾燥後、ガラス板か
ら引き剥がし、鉄枠に固定し３００℃で１０分乾燥して
接着フィルムを得た。これらのフィルムの弾性率を弾性
率測定装置（株式会社レオロジ製「ＤＶＥレオスペクト
ラ」）で測定したところ、弾性率は２０℃で３０００Ｍ
Ｐａ、２４０℃で１ＭＰａ以下（フィルムが溶融して測
定不能）であった。
をＮ−メチル−２−ピロリドン２００ｇに溶解してワニ
スを得た。このワニスを５０μmの厚さのポリイミドフ
ィルム（宇部興産社製ユーピレックスＳ）の片面に塗工
し、１００℃で１０分乾燥し、さらに反対面にも上記ワ
ニスを塗工し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾
燥して両面に厚さ２５μmの接着剤層がついたポリイミ
ドフィルムを得た。また得られたフィルムを５ｍｍ角に
切り取り、４０℃、６５％ＲＨの恒温恒湿器に２４時間
放置し吸湿させた後、ワニス１より得られた接着面を厚
さ０．２ｍｍの鉄−ニッケル合金製のリードフレームの
上に、０．２ｍｍ間隔で０．２ｍｍ幅のインナーリード
面が合わさるようにのせ、３５０℃の温度で２０Ｋｇ／
ｃｍ2の圧力で３秒間加圧して圧着したところ、接着し
た後のインナーリードにはわずかな反りが見られた。更
にリードフレームに接着した接着剤フィルムの反対面上
に５ｍｍ角のシリコンチップを４００℃の温度で２０Ｋ
ｇ／ｃｍ2の圧力で３秒間加圧して圧着し、接着剤層を
顕微鏡で調べたところ発泡が見られた。このチップのせ
ん断接着強度をプッシュ・プルゲージを用いて測定した
ところ、その時の強度は３Ｋｇであった。ワニスをガラ
ス板上に塗工し、１００℃で１０分乾燥後、ガラス板か
ら引き剥がし、鉄枠に固定し３００℃で１０分乾燥して
接着フィルムを得た。これらのフィルムの弾性率を弾性
率測定装置（株式会社レオロジ製「ＤＶＥレオスペクト
ラ」）で測定したところ、弾性率は２０℃で３０００Ｍ
Ｐａ、２４０℃で１ＭＰａ以下（フィルムが溶融して測
定不能）であった。
【００１９】比較例２ 実施例１において、ワニス２より得られた接着剤面をイ
ンナーリード側に、ワニス１より得られた接着剤面をシ
リコンチップ側にして実施例１と同様の条件で接着した
ところ、インナーリードには反りが見られ、また、シリ
コンチップ側の接着剤層には発泡が見られた。
ンナーリード側に、ワニス１より得られた接着剤面をシ
リコンチップ側にして実施例１と同様の条件で接着した
ところ、インナーリードには反りが見られ、また、シリ
コンチップ側の接着剤層には発泡が見られた。
【００２０】比較例３ 実施例２において、ワニス２より得られた接着剤面をイ
ンナーリード側に、ワニス１より得られた接着剤面をシ
リコンチップ側にして実施例１と同様の条件で接着した
ところ、インナーリードには反りが見られ、また、シリ
コンチップ側の接着剤層には発泡が見られた。
ンナーリード側に、ワニス１より得られた接着剤面をシ
リコンチップ側にして実施例１と同様の条件で接着した
ところ、インナーリードには反りが見られ、また、シリ
コンチップ側の接着剤層には発泡が見られた。
【００２１】
【発明の効果】本発明の耐熱性接着剤層付きフィルム
は、インナーリードの反りや、半田リフロー時のクラッ
クの防止に優れており、樹脂封止型半導体装置に使用さ
れる耐熱性接着剤層付きフィルムに好適である。また本
発明は、半導体装置の製造上の作業性を上げ、しかも製
品の歩留まりを向上することが出来る。また本発明の半
導体装置は、インナーリードの反りがなく、半田リフロ
ー時にクラックの起こりに難い樹脂封止型半導体装置で
ある。
は、インナーリードの反りや、半田リフロー時のクラッ
クの防止に優れており、樹脂封止型半導体装置に使用さ
れる耐熱性接着剤層付きフィルムに好適である。また本
発明は、半導体装置の製造上の作業性を上げ、しかも製
品の歩留まりを向上することが出来る。また本発明の半
導体装置は、インナーリードの反りがなく、半田リフロ
ー時にクラックの起こりに難い樹脂封止型半導体装置で
ある。
【図１】耐熱性接着剤層付きフィルムを用いた半導体装
置平面模式図
置平面模式図
【図２】図１のＩ−Ｉ線断面図
１ 樹脂封止型半導体装置 ２ リードフレーム ２Ａ インナーリード ２Ｂ アウターリード ３ 耐熱性接着剤層付きフィルム ４ 半導体素子 ４Ａ 外部素子 ５ ボンディングワイヤ ６ 樹脂封止材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田辺 義行 千葉県市原市五井南海岸14番地 日立化成 工業株式会社五井工場内 (72)発明者 飯岡 真志 千葉県市原市五井南海岸14番地 日立化成 工業株式会社五井工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 基材フィルムの両面に接着剤層を形成し
た接着フィルムにおいて、一方の接着剤の２０℃での弾
性率を１００ＭＰａ以下とし、他方の接着剤の２４０℃
での弾性率を１０ＭＰａ以上とした耐熱性接着剤層付き
フィルム。 - 【請求項２】 接着剤が芳香族ポリアミド、芳香族ポリ
イミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテル
アミド、芳香族ポリエーテルイミド及び芳香族ポリエー
テルアミドイミドのうち少なくとも１種類以上を含む組
成物である請求項１記載の耐熱性接着剤層付きフィル
ム。 - 【請求項３】 請求項１記載の耐熱接着剤層付きフィル
ムの２０℃での弾性率が１００ＭＰａ以下の接着剤層を
インナーリード側に接着し、２４０℃での弾性率が１０
ＭＰａ以上の接着剤層を半導体チップ側に接着してなる
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8340878A JPH10176150A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 耐熱性接着剤層付きフィルム及びこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8340878A JPH10176150A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 耐熱性接着剤層付きフィルム及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10176150A true JPH10176150A (ja) | 1998-06-30 |
Family
ID=18341149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8340878A Pending JPH10176150A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 耐熱性接着剤層付きフィルム及びこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10176150A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007066640A1 (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-14 | Kyodo Giken Chemical Co., Ltd. | 粘接着フィルム |
| EP1933588A1 (en) * | 2005-09-14 | 2008-06-18 | Nitto Denko Corporation | Sound transmitting membrane, electronic part with sound transmitting membrane, and process for producing circuit board having the electronic part mounted thereon |
-
1996
- 1996-12-20 JP JP8340878A patent/JPH10176150A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1933588A1 (en) * | 2005-09-14 | 2008-06-18 | Nitto Denko Corporation | Sound transmitting membrane, electronic part with sound transmitting membrane, and process for producing circuit board having the electronic part mounted thereon |
| EP1933588A4 (en) * | 2005-09-14 | 2009-03-18 | Nitto Denko Corp | ACOUSTIC TRANSMISSION MEMBRANE, ELECTRONIC COMPONENT WITH ACOUSTIC TRANSMISSION MEMBRANE, AND METHOD FOR PRODUCING CIRCUIT BOARD ON WHICH ELECTRONIC COMPONENT IS MOUNTED |
| US8141678B2 (en) | 2005-09-14 | 2012-03-27 | Nitto Denko Corporation | Sound-permeable film, electronic component with sound-permeable film, and method of producing circuit board having electronic component mounted thereon |
| WO2007066640A1 (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-14 | Kyodo Giken Chemical Co., Ltd. | 粘接着フィルム |
| JP2007154045A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Kyodo Giken Kagaku Kk | 粘接着フィルム |
| JP4608422B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2011-01-12 | 共同技研化学株式会社 | 粘接着フィルム |
| US9765242B2 (en) | 2005-12-05 | 2017-09-19 | Kyodo Giken Chemical Co., Ltd | Adhesive film |
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