JPH0653010A - 積層型サ−ミスタ - Google Patents

積層型サ−ミスタ

Info

Publication number
JPH0653010A
JPH0653010A JP22200892A JP22200892A JPH0653010A JP H0653010 A JPH0653010 A JP H0653010A JP 22200892 A JP22200892 A JP 22200892A JP 22200892 A JP22200892 A JP 22200892A JP H0653010 A JPH0653010 A JP H0653010A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
electrodes
thermistor
resistor
inner electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22200892A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiko Oyama
和彦 大山
Nobuyuki Nishimura
信幸 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Priority to JP22200892A priority Critical patent/JPH0653010A/ja
Publication of JPH0653010A publication Critical patent/JPH0653010A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 積層型サーミスタの抵抗を下げ且つ抵抗値の
バラツキを抑える。 【構成】 抵抗体1の第1の位置P1 を含む第1の仮想
平面内に第1及び第2の内部電極2、3を設ける。第2
の位置P2 を含む第2の仮想平面に第3の内部電極6を
設ける。第1の内部電極2と第2及び第3の内部電極
3、6との距離をそれぞれ同一値のL2 にする。第1の
内部電極2は第1の外部電極4に接続し、第2及び第3
の内部電極3、6は第2の外部電極5に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器の温度補償、
電流制御、温度検出などに使用するための積層型サーミ
スタに関する。
【0002】
【従来の技術】典型的なサーミスタは、角柱あるいは板
状のサーミスタ抵抗体と、この両端に浸漬法等で形成さ
れた一対の電極とから成る。この種のサーミスタは構造
が簡単であるために安価に製造できるという長所を有す
る半面、一対の電極の相互間隔を所定値にすることに困
難を伴うので、抵抗値にバラツキが生じるという欠点を
有する。また、このサーミスタでは所定の耐圧を確保し
て低い抵抗値を得ることに困難を伴う。
【0003】上述のような問題を解決するために、図6
に示すように、サーミスタ抵抗体1の中に第1及び第2
の内部電極2、3を配置し、これ等を第1及び第2の外
部電極4、5に接続して積層構造にすることが考えられ
る。このように構成すれば第1及び第2の外部電極4、
5の相互間隔は抵抗値に実質的に影響しないので、十分
に離間させて耐圧向上を図ることができる。また、第1
及び第2の内部電極2、3を印刷で形成して相互間隔の
精度を高めることができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、低抵抗のサ
ーミスタが要求される場合には、図6において第1及び
第2の内部電極2、3の先端間距離L1 を極めて小さく
設定しなければならない。この距離L1 が小さい場合に
は、第1及び第2の内部電極2、3の印刷パターンのバ
ラツキによって抵抗値が大きく変化する。即ち、距離L
1 が小さい場合には第1及び第2の内部電極2、3間の
抵抗値も小さいので、距離L1 のわずかな誤差によって
抵抗値の変化の割合が大きくなる。
【0005】そこで、本発明の目的は抵抗値のバラツキ
を抑えること及び低抵抗化を図ることのいずれか一方又
は両方が可能な積層型サーミスタを提供することにあ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、温度変化に応じて抵抗値が変化する抵抗材
料から成るサーミスタ抵抗体と、前記抵抗体の中の第1
の仮想平面に配置された第1及び第2の内部電極と、前
記抵抗体の中の前記第1の仮想平面に平行な第2の仮想
平面に配置された第3の内部電極と、前記抵抗体の両側
面に設けられた第1及び第2の外部電極とを備えてお
り、前記第2及び第3の内部電極の一端は前記第1の内
部電極の一端から離間しており、前記第1の内部電極の
他端は前記第1の外部電極に接続されており、前記第2
及び第3の内部電極の他端は前記第2の外部電極にそれ
ぞれ接続されている積層型サーミスタに係わるものであ
る。
【0007】
【発明の作用及び効果】本発明においては、第1及び第
2の内部電極の相互間の抵抗のみでなく、第1及び第3
の内部電極の相互間の抵抗も第1及び第2の外部電極間
の抵抗として使用される。即ち、第1及び第2の外部電
極間に複数の抵抗を並列接続した状態になる。従って、
第1及び第2の内部電極の相互間距離を従来と同一に保
つ場合には、第1及び第2の外部電極間の抵抗値が低く
なる。また、第1及び第2の外部電極間の抵抗値を従来
と同一に設定する場合には、第1の内部電極と第2及び
第3の内部電極との距離を長くすることができる。この
ように相互間距離が長くなると、相互間距離の誤差が生
じても、これに基づく抵抗値のバラツキが小さくなる。
【0008】
【実施例】次に、図1〜図5を参照して本発明の実施例
に係わる積層型NTCサーミスタを説明する。図1に示
すサーミスタは、図6と同様にNTCサーミスタ材料か
ら成る抵抗体1と、第1及び第2の内部電極2、3と、
第1及び第2の外部電極4、5を有する他に、第3及び
第4の内部電極6、7を有する。第1及び第2の内部電
極2、3は直方体形状の抵抗体1の上面に平行であり且
つこの厚み方向の第1の位置P1 を通る第1の仮想平面
上に図3に示すパターンに形成されたAg−Pd導体層
から成り、これ等の一端は距離L2 を有して互いに離間
している。第3の内部電極6は抵抗体1の厚み方向の第
2の位置P2 を通り且つ抵抗体1の上面及び第1の仮想
平面に対して平行な第2の仮想平面上に図4に示すパタ
ーンに形成されたAg−Pd導体層から成る。また、第
4の内部電極7は抵抗体1の厚み方向の第3の位置P3
を通り且つ抵抗体1の上面及び第1の仮想平面に平行な
第3の仮想平面に図4と同様に形成されたAg−Pd導
体層から成る。
【0009】第1の内部電極2の一端と、第2、第3及
び第4の内部電極3、6、7の一端との距離はそれぞれ
L2 に設定されている。第1の内部電極2の他端は抵抗
体1の一方の側面に露出し、ここに形成されているAg
−Pd導体層から成る第1の外部電極4に接続されてい
る。第2、第3及び第4の内部電極3、6、7の他端は
抵抗体1の他方の側面に露出し、ここに形成されている
Ag−Pd導体層から成る第2の外部電極5に接続され
ている。
【0010】次に、図5を参照してサーミスタの製造方
法を説明する。まず、所定量の酸化マンガン及び酸化コ
バルトに原子価制御剤及び焼結助剤を加え、湿式ボール
ミルにて攪拌の後に脱水、乾燥を行い、仮焼きをし、再
度湿式ボールミルにて攪拌の後に脱水、乾燥を行なっ
て、セラミック・NTCサーミスタ材料の粉体を得た。
次に、この粉体に所定量のポリビニルブチラール系の有
機バインダーと可塑剤とトルエン系溶媒を加え湿式ボー
ルミルにて攪拌し、脱胞してスラリーを得た。次に、こ
のスラリーを使用してドクターブレード法で厚さ50μ
mのグリーンシート(未焼成セラミックシート)を複数
枚形成した。図5に示すようにグリーンシート1a〜1
dは1枚から多数のサーミスタを得ることができるよう
に大面積に形成されている。次に、第1のグリーンシー
ト1aに第1及び第2の内部電極2、3を得るための導
体層2a、3aをAg−Pdペーストのスクリーン印刷
によって形成した。第2のグリーンシート1bに第3の
内部電極6を得るための導体層6aをAg−Pdペース
トのスクリーン印刷によって形成した。また、第3のグ
リ−ンシ−ト1cに第4の内部電極7を得るための導体
層7aをAg−Pdペーストのスクリーン印刷によって
形成した。次に、第1、第2、第3及び第4のグリーン
シート1a、1b、1c、1dを図5に示す順に積層
し、圧着し、しかる後、図5で破線で示す位置をカット
してサーミスタの成形体を得、脱ダインダーのために成
形体を大気中で400℃、2時間加熱し、しかる後、大
気中で1200℃、2時間焼成して図1及び図2に示す
抵抗体1を得た。最後に、抵抗体1の両側面にAg−P
dペーストを塗布して焼付けることによって第1及び第
2の外部電極4、5を形成した。
【0011】比較のために、図6の従来の構造において
第1及び第2の内部電極2、3間の距離L1 を16m
m、1mm、0.8mmに変化させて抵抗値がR1 、R
2 、R3 と異なる3種類のサーミスタをそれぞれ100
個作り、抵抗値の標準偏差を求めたところ3.1%、
4.3%、5.5%であった。一方、従来と同一の抵抗
値R1 、R2 、R3 を得るように図1のサーミスタをそ
れぞれ100個作り、抵抗値の標準偏差を求めたとこ
ろ、1.1%、1.4%、1.8%であった。この比較
から明らかなように本発明に従う構造にすると、量産時
における抵抗値のバラツキが小さくなる。
【0012】なお、図1の構造によって図6と同一の抵
抗値を得る場合には、第1の内部電極2の一端と第2、
第3及び第4の内部電極3、6、7の一端との距離L2
を図6のL1 よりも大きくすることができる。即ち、図
6において第1及び第2の内部電極2、3間の抵抗値は
KL1 (但しKは定数)で表わすことができる。一方、
図1では第1の内部電極2と第2、第3及び第4の内部
電極3、6、7との間にそれぞれKL2 の値を有する抵
抗が存在している。従って、図1の場合には第1及び第
2の外部電極4、5間の抵抗値は、KL2 の値を有する
3個の並列抵抗の合成値であり、KL2 /3になる。こ
れは図1と図6とで同一の抵抗を得る場合に、図1のL
1 を図6のL2 の3倍にすることができることを示す。
もし長い距離L2 を有する図1におけるパターン誤差と
短い距離L1 を有する図6のパターン誤差が同一であれ
ば、抵抗値の変化は図1で小さく、図6で大きくなる。
従って、図6の構造にすると抵抗値のバラツキが小さく
なる。なお、図1において抵抗値のバラツキが図6と同
一でよい場合には、距離L2 を短くすることができるの
で、第1及び第2の外部電極4、5間の抵抗値を下げる
ことができる。
【0013】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 (1) 第4の内部電極7を省いた構成にすること、又
は第3及び第4の内部電極6、7と同様な内部電極を更
に設けることができる。また、図1の内部電極7を本発
明における第3の内部電極として使用し、内部電極6を
省くこともできる。 (2) 図1において第1の内部電極2の先端から第
2、第3及び第4の内部電極3、6、7の先端までの距
離L2 を互いに同一にしたが、必要に応じて異なる値に
して抵抗値を調整してもよい。 (3) 図5では上側に1枚のカバー用グリーンシート
1dを配置したが、更に多くのカバー用グリーンシート
を上及び下に配置することができる。 (4) 第1及び第2の外部電極4、5を焼成後に形成
せずに、焼成前に成形体に対して導体ペーストを塗布
し、内部電極と外部電極とを同時に形成することができ
る。また、第1及び第2の外部電極4、5をメッキ法、
浸漬法等で形成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の積層型サーミスタを示す中央
縦断面図である。
【図2】図1のサーミスタの斜視図である。
【図3】図1のP1 位置における電極パターンを示す平
面図である。
【図4】図1のP2 位置における電極パターンを示す平
面図である。
【図5】図1のサーミスタの製造方法を示す図である。
【図6】従来の積層型サーミスタを示す断面図である。
【符号の説明】
1 抵抗体 2 第1の内部電極 3 第2の内部電極 4,5 外部電極 6 第3の内部電極

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 温度変化に応じて抵抗値が変化する抵抗
    材料から成るサーミスタ抵抗体と、 前記抵抗体の中の第1の仮想平面に配置された第1及び
    第2の内部電極と、 前記抵抗体の中の前記第1の仮想平面に平行な第2の仮
    想平面に配置された第3の内部電極と、 前記抵抗体の両側面に設けられた第1及び第2の外部電
    極とを備えており、前記第2及び第3の内部電極の一端
    は前記第1の内部電極の一端から離間しており、前記第
    1の内部電極の他端は前記第1の外部電極に接続されて
    おり、前記第2及び第3の内部電極の他端は前記第2の
    外部電極にそれぞれ接続されていることを特徴とする積
    層型サーミスタ。
JP22200892A 1992-07-29 1992-07-29 積層型サ−ミスタ Pending JPH0653010A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22200892A JPH0653010A (ja) 1992-07-29 1992-07-29 積層型サ−ミスタ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22200892A JPH0653010A (ja) 1992-07-29 1992-07-29 積層型サ−ミスタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0653010A true JPH0653010A (ja) 1994-02-25

Family

ID=16775664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22200892A Pending JPH0653010A (ja) 1992-07-29 1992-07-29 積層型サ−ミスタ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0653010A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6498068B1 (en) 1998-02-10 2002-12-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Methods of producing resistor elements

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6498068B1 (en) 1998-02-10 2002-12-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Methods of producing resistor elements

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3681900B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JPH02135702A (ja) 積層型バリスタ
JPH10312933A (ja) 積層セラミック電子部品
JPH0653010A (ja) 積層型サ−ミスタ
JPH0661014A (ja) 積層型サ−ミスタ
JPS6339958Y2 (ja)
JP3622853B2 (ja) サーミスタ
JPH0653009A (ja) 積層型サ−ミスタ
JPH0634201U (ja) 積層型サ−ミスタ
JPS636121B2 (ja)
JPH04150001A (ja) サーミスタ素子
JPH0563007B2 (ja)
JPS63258001A (ja) 抵抗素子
JP3245933B2 (ja) 抵抗体
JP2633838B2 (ja) 高温サーミスタ
JPH06333781A (ja) Cr複合部品
JPH08255704A (ja) チップサーミスタ及びその製造方法
JP2769625B2 (ja) 電気回路用多層印刷フィルタの製造方法
JPH0653008A (ja) 積層型サ−ミスタ
KR100220119B1 (ko) 적층형 칩 부온도 계수 서미스터 소자
KR100402369B1 (ko) 칩 서미스터 및 그의 제조 방법
JPH05226154A (ja) 積層セラミックインダクタとその製造方法
JPH06260302A (ja) チップ型ptcサーミスタ
JP3189419B2 (ja) 抵抗体
JP2000357603A (ja) チップ型サーミスタ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20011107