JPH0652796B2 - 薄膜半導体デバイスの電気コーティング処理方法および電気コーティング装置 - Google Patents
薄膜半導体デバイスの電気コーティング処理方法および電気コーティング装置Info
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- JPH0652796B2 JPH0652796B2 JP60028163A JP2816385A JPH0652796B2 JP H0652796 B2 JPH0652796 B2 JP H0652796B2 JP 60028163 A JP60028163 A JP 60028163A JP 2816385 A JP2816385 A JP 2816385A JP H0652796 B2 JPH0652796 B2 JP H0652796B2
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Description
【発明の詳細な説明】 面積が比較的広い光起電力デバイスの製造では、比較的
高い伝導性をもつ金属グリツドパターンをデバイスの光
入射面に備えることがしばしば望まれる。このグリツド
パターンは、光起電力デバイスの内部抵抗を低下させて
デバイスの効率を増加させる光で生じる電流を集めるた
めの低抵抗電流通路を供給する。他のタイプの半導体デ
バイスでも、領域を規定もしくは相互接続すべく、又は
デバイス上に接触点を形成すべく導電材料又は絶縁材料
のパターン層が必要とされる。
高い伝導性をもつ金属グリツドパターンをデバイスの光
入射面に備えることがしばしば望まれる。このグリツド
パターンは、光起電力デバイスの内部抵抗を低下させて
デバイスの効率を増加させる光で生じる電流を集めるた
めの低抵抗電流通路を供給する。他のタイプの半導体デ
バイスでも、領域を規定もしくは相互接続すべく、又は
デバイス上に接触点を形成すべく導電材料又は絶縁材料
のパターン層が必要とされる。
半導体デバイスにパターン層をデポジツトするための技
術としては、マスクを用いる真空蒸着、エツチング、伝
導性もしくは絶縁性インクのプリンテイング、電気メツ
キ及び無電解メツキ等が知られている。電気メツキで
は、浸漬面に電界を作用させることにより当初溶液中に
あつたイオン種を還元してコーテイングすべき面に電着
させデポジツト層を形成する。
術としては、マスクを用いる真空蒸着、エツチング、伝
導性もしくは絶縁性インクのプリンテイング、電気メツ
キ及び無電解メツキ等が知られている。電気メツキで
は、浸漬面に電界を作用させることにより当初溶液中に
あつたイオン種を還元してコーテイングすべき面に電着
させデポジツト層を形成する。
半導体デバイスの製造では種々の電気メツキ技術が導電
層をデポジツトする方法として受け入れられつつある。
例えば1983年８月１９日出願のPrem Nath他による米国
特許出願第524,797号電気的導電体の形成方法(Method o
f Forming An Electrically Conductive Member)には導
電パターンを光電池の如き半導体デバイスの透明な伝導
性酸化物層上に電気メツキする方法が開示されている。
層をデポジツトする方法として受け入れられつつある。
例えば1983年８月１９日出願のPrem Nath他による米国
特許出願第524,797号電気的導電体の形成方法(Method o
f Forming An Electrically Conductive Member)には導
電パターンを光電池の如き半導体デバイスの透明な伝導
性酸化物層上に電気メツキする方法が開示されている。
また、ダーキー（Durkee）に付与された米国特許第4,14
4,139号及びグレノン（Grenon）に付与された米国特許
第4,251,327号にもpn接合を含む半導体ボデイに金属を
電気メツキするための種々の技術が開示されている。Du
rkeeの特許の方法では、デバイスを電解液中に浸漬して
いる間に光を作用させ、その結果生じた光電圧（photov
otage）をメツキ操作に必要なエネルギとして使用す
る。Grenonの特許に開示されている方法は、前述の如き
光電圧を用いて半導体ボデイの照射面のメツキを行なう
一方、外部電圧源を別個のエネルギ源として使用しなが
らその半導体ボデイの裏面のメツキを行なうというもの
である。
4,139号及びグレノン（Grenon）に付与された米国特許
第4,251,327号にもpn接合を含む半導体ボデイに金属を
電気メツキするための種々の技術が開示されている。Du
rkeeの特許の方法では、デバイスを電解液中に浸漬して
いる間に光を作用させ、その結果生じた光電圧（photov
otage）をメツキ操作に必要なエネルギとして使用す
る。Grenonの特許に開示されている方法は、前述の如き
光電圧を用いて半導体ボデイの照射面のメツキを行なう
一方、外部電圧源を別個のエネルギ源として使用しなが
らその半導体ボデイの裏面のメツキを行なうというもの
である。
如何なる電気メツキ法でも電着を誘起するためには半導
体材料に電流を通さなければならない。しかしながらメ
ツキ操作の開始に必要な比較的高い電圧で比較的大きい
電流を半導体材料層に流すとこれらの層に損傷が生じ得
る。面に沿つた抵抗が大きいという生来の特性をもつ極
めて薄い複数の層からなる半導体デバイスの場合には問
題がより深刻である。即ち前記面に沿つた抵抗は半導体
ボデイに接続された電極から比較的遠い半導体ボデイ表
面部分へのメツキ電流の流れを不適切にする原因とな
る。その結果電着した材料の厚みが半導体ボデイの電極
の近傍では比較的厚く、電極から離れた区域では比較的
薄いというように均等ではなくなる。
体材料に電流を通さなければならない。しかしながらメ
ツキ操作の開始に必要な比較的高い電圧で比較的大きい
電流を半導体材料層に流すとこれらの層に損傷が生じ得
る。面に沿つた抵抗が大きいという生来の特性をもつ極
めて薄い複数の層からなる半導体デバイスの場合には問
題がより深刻である。即ち前記面に沿つた抵抗は半導体
ボデイに接続された電極から比較的遠い半導体ボデイ表
面部分へのメツキ電流の流れを不適切にする原因とな
る。その結果電着した材料の厚みが半導体ボデイの電極
の近傍では比較的厚く、電極から離れた区域では比較的
薄いというように均等ではなくなる。
そのため、メツキ電流に起因する半導体の破損を伴わ
ず、且つ薄層の面に沿つた抵抗の作用にも拘らず比較的
均等な厚みをもつデポジツトを形成せしめるような光感
応接合を含む半導体ボデイへの金属パターンの電気メツ
キ法が必要とされている。本発明では、光感応接合を含
む半導体ボデイを電解液に浸漬し、該半導体ボデイのコ
ーテイングすべき面を光照射して前記光感応接合を活性
化させ、且つ外部電源からの電流を該半導体デバイスの
非照射面と電解液とに供給することにより、前述の問題
を解消する。該光感応接合を照射すると電流が余り妨害
を受けずに半導体ボデイに流れる。導電パターン及び／
又は絶縁パターンは(1)電気メツキし得る領域を限定す
るレジストパターンを使用するか、(2)デバイス表面に
連続層を電気メツキし、次いで所望のパターンを得るべ
くこの層をエツチング処理するか、又は(3)電解液に浸
漬されているデバイスに、光を形成したいパターンと対
応する予選択パターンの形で投影する等の方法によつて
半導体デバイスの表面に形成し得る。酸化物もしくは窒
化物の如き絶縁コーテイングも、金属の如き伝導性コー
テイングも、本発明の電気コーテイング法によつてpn接
合を含む半導体ボデイ上にデポジツトできる。
ず、且つ薄層の面に沿つた抵抗の作用にも拘らず比較的
均等な厚みをもつデポジツトを形成せしめるような光感
応接合を含む半導体ボデイへの金属パターンの電気メツ
キ法が必要とされている。本発明では、光感応接合を含
む半導体ボデイを電解液に浸漬し、該半導体ボデイのコ
ーテイングすべき面を光照射して前記光感応接合を活性
化させ、且つ外部電源からの電流を該半導体デバイスの
非照射面と電解液とに供給することにより、前述の問題
を解消する。該光感応接合を照射すると電流が余り妨害
を受けずに半導体ボデイに流れる。導電パターン及び／
又は絶縁パターンは(1)電気メツキし得る領域を限定す
るレジストパターンを使用するか、(2)デバイス表面に
連続層を電気メツキし、次いで所望のパターンを得るべ
くこの層をエツチング処理するか、又は(3)電解液に浸
漬されているデバイスに、光を形成したいパターンと対
応する予選択パターンの形で投影する等の方法によつて
半導体デバイスの表面に形成し得る。酸化物もしくは窒
化物の如き絶縁コーテイングも、金属の如き伝導性コー
テイングも、本発明の電気コーテイング法によつてpn接
合を含む半導体ボデイ上にデポジツトできる。
添付図面第１図に太陽電池の如きpin形光起電力デバイ
ス１０を示した。このデバイスは個別のpin形セル１２
ａ，１２ｂ及び１２ｃからなり、セル１２ａ上に配置さ
れた基板１１が該デバイス１０の第２表面を構成し且つ
電極の１つとして機能する。基板１１は透明であるか又
はステンレス鋼、アルミニウム、タンタル、モリブデン
もしくはクロムの如き金属材料製であつてよく、絶縁層
を備えても又は備えなくてもよい。
ス１０を示した。このデバイスは個別のpin形セル１２
ａ，１２ｂ及び１２ｃからなり、セル１２ａ上に配置さ
れた基板１１が該デバイス１０の第２表面を構成し且つ
電極の１つとして機能する。基板１１は透明であるか又
はステンレス鋼、アルミニウム、タンタル、モリブデン
もしくはクロムの如き金属材料製であつてよく、絶縁層
を備えても又は備えなくてもよい。
セル１２ａ，１２ｂ及び１２ｃは少なくとも１種のシリ
コン合金又はゲルマニウム合金を含むアモルフアス半導
体ボデイで構成するのが好ましい。アモルフアス半導体
合金で形成されるこの種のセルの厚みは通常数百ｎｍ以
下である。各セルはｎ形の導電率をもつ半導体層２０
ａ，２０ｂ及び２０ｃと、真性半導体層１８ａ，１８ｂ
及び１８ｃと、ｐ形の導電率をもつ半導体層１６ａ，１
６ｂ及び１６ｃとを有する。図示の如くセル１２ａ及び
１２ｃの間に他の複数のセルを加えてもよい。
コン合金又はゲルマニウム合金を含むアモルフアス半導
体ボデイで構成するのが好ましい。アモルフアス半導体
合金で形成されるこの種のセルの厚みは通常数百ｎｍ以
下である。各セルはｎ形の導電率をもつ半導体層２０
ａ，２０ｂ及び２０ｃと、真性半導体層１８ａ，１８ｂ
及び１８ｃと、ｐ形の導電率をもつ半導体層１６ａ，１
６ｂ及び１６ｃとを有する。図示の如くセル１２ａ及び
１２ｃの間に他の複数のセルを加えてもよい。
層２２は透明な伝導性酸化物、好ましくは酸化インジウ
ムスズで形成され得、デバイス１０の第１表面上で電極
を構成する。デバイス１０の面積が広いか、又は層２２
の導電率が不十分である場合はこの層２２に金属グリツ
ドパターン２４を具備してもよい。
ムスズで形成され得、デバイス１０の第１表面上で電極
を構成する。デバイス１０の面積が広いか、又は層２２
の導電率が不十分である場合はこの層２２に金属グリツ
ドパターン２４を具備してもよい。
第２図は第１図のデバイス１０と全体的に類似した大面
積光起電力デバイス１０′を部分平面図で示している。
このデバイス１０′は連続状大面積基板１１と、これに
支持された連続状半導体層１２とからなる。該半導体層
は互に電気絶縁された複数の小部分２６に分割されてお
り、これら小部分２６の各々がデバイス１０′の総合電
気出力に貢献する。相互に絶縁された小部分２６は共通
基板１１を共有し、半導体材料１２上にデポジツトした
透明な伝導性酸化物材料からなる個別領域２８が各々が
被覆される。各個別領域２８は、個個の小面積光電池の
電極として機能する。集電グリツド２４は各セグメント
毎に配置され、夫々光で生じた電流を集めるためのバス
バー系３０に接続される。このグリツド２４とバスバー
３０との接続は点状シルバーペーストの如きコネクタ２
５を介して行なわれる。バスバー３０、コネクタ２５及
びグリツド２４は、金属材料の如く比較的高い導電率を
示す材料で形成するのが好ましい。
積光起電力デバイス１０′を部分平面図で示している。
このデバイス１０′は連続状大面積基板１１と、これに
支持された連続状半導体層１２とからなる。該半導体層
は互に電気絶縁された複数の小部分２６に分割されてお
り、これら小部分２６の各々がデバイス１０′の総合電
気出力に貢献する。相互に絶縁された小部分２６は共通
基板１１を共有し、半導体材料１２上にデポジツトした
透明な伝導性酸化物材料からなる個別領域２８が各々が
被覆される。各個別領域２８は、個個の小面積光電池の
電極として機能する。集電グリツド２４は各セグメント
毎に配置され、夫々光で生じた電流を集めるためのバス
バー系３０に接続される。このグリツド２４とバスバー
３０との接続は点状シルバーペーストの如きコネクタ２
５を介して行なわれる。バスバー３０、コネクタ２５及
びグリツド２４は、金属材料の如く比較的高い導電率を
示す材料で形成するのが好ましい。
第３図の半導体デバイス３２はpn接合デバイスとして示
されているが、このデバイスはダイオード、光電池、発
光ダイオード等の光感応接合を含む全ての光感応デバイ
スを代表するものである。半導体デバイス３２は、ステ
ンレス鋼の如き導電材料からなる基板層１１と、その上
にデポジツトされたｎ形導電率の半導体材料層３６と、
ｐ形半導体材料層３４とで構成され、層３６及び３４は
通常同一の広がりをもつ。これらｐ形及びｎ形半導体層
は相互間の界面でpn接合３８を形成する。層３６はデバ
イス３２の受光面即ち第１面を構成し、電気メツキレジ
スト材料からなる予選択パターン４０がその上にデポジ
ツトされている。レジスト材料パターン４０は非レジス
ト被覆領域４２を規定し、この領域４２上に金属材料が
電気メツキされて導電パターンを形成する。電気メツキ
レジスト材料パターン４０は、スクリーンプリンテイン
グ、オフセツトプリンテイング、ステンシル法、フオト
リソグラフイ等々任意の公知技術で形成し得、好ましく
はラツカー、合成樹脂等の如き材料をデポジツトするこ
とにより形成する。電気メツキレジストパターンの形成
に特に有用な材料の一例としてはマツク・ダーミツド
コーポレーシヨン（McDermid Corporation）製造のマク
マスク（MacuMask）9251−Ｍが挙げられる。変形例とし
てデバイス３２の第１面全体を電気メツキし、その後マ
スキング、エツチング等々の技術を用いて選択領域４２
のコーテイングを除去することにより所望のパターンを
形成してもよい。
されているが、このデバイスはダイオード、光電池、発
光ダイオード等の光感応接合を含む全ての光感応デバイ
スを代表するものである。半導体デバイス３２は、ステ
ンレス鋼の如き導電材料からなる基板層１１と、その上
にデポジツトされたｎ形導電率の半導体材料層３６と、
ｐ形半導体材料層３４とで構成され、層３６及び３４は
通常同一の広がりをもつ。これらｐ形及びｎ形半導体層
は相互間の界面でpn接合３８を形成する。層３６はデバ
イス３２の受光面即ち第１面を構成し、電気メツキレジ
スト材料からなる予選択パターン４０がその上にデポジ
ツトされている。レジスト材料パターン４０は非レジス
ト被覆領域４２を規定し、この領域４２上に金属材料が
電気メツキされて導電パターンを形成する。電気メツキ
レジスト材料パターン４０は、スクリーンプリンテイン
グ、オフセツトプリンテイング、ステンシル法、フオト
リソグラフイ等々任意の公知技術で形成し得、好ましく
はラツカー、合成樹脂等の如き材料をデポジツトするこ
とにより形成する。電気メツキレジストパターンの形成
に特に有用な材料の一例としてはマツク・ダーミツド
コーポレーシヨン（McDermid Corporation）製造のマク
マスク（MacuMask）9251−Ｍが挙げられる。変形例とし
てデバイス３２の第１面全体を電気メツキし、その後マ
スキング、エツチング等々の技術を用いて選択領域４２
のコーテイングを除去することにより所望のパターンを
形成してもよい。
デバイス３２と第２電極即ち対電極４８とを適切な容器
４４に入つた電解液４６中に浸漬させる。電解液４６及
び対電極４８の組成は、電気コーテイングによつて半導
体デバイス３２上にデポジツトすべき材料に依存する。
バツテリ５０の如き電流源の端子の一方５０ａをワイヤ
５２を介して対電極４８に接続し、他方の端子５０ｂを
ワイヤ５４を介して直接基板１１に接続する。基板１１
はデバイス３２の第２表面を構成する。
４４に入つた電解液４６中に浸漬させる。電解液４６及
び対電極４８の組成は、電気コーテイングによつて半導
体デバイス３２上にデポジツトすべき材料に依存する。
バツテリ５０の如き電流源の端子の一方５０ａをワイヤ
５２を介して対電極４８に接続し、他方の端子５０ｂを
ワイヤ５４を介して直接基板１１に接続する。基板１１
はデバイス３２の第２表面を構成する。
第３図の光源５６は石英ハロゲンランプ５８の如き電球
と、この電球５８からの放射光を半導体デバイス３２の
第１表面に向けて送るための反射シールド６０とで構成
されている。光源５６は半導体デバイス３２に吸収され
て光感応接合３８領域内にキヤリア対を発生せしめるよ
うな波長の光を送出し得るものでなければならない。質
の低下又は破損を伴わずに電気コーテイング電流を半導
体デバイス３２に流すには前記キヤリア対が必要だから
である。
と、この電球５８からの放射光を半導体デバイス３２の
第１表面に向けて送るための反射シールド６０とで構成
されている。光源５６は半導体デバイス３２に吸収され
て光感応接合３８領域内にキヤリア対を発生せしめるよ
うな波長の光を送出し得るものでなければならない。質
の低下又は破損を伴わずに電気コーテイング電流を半導
体デバイス３２に流すには前記キヤリア対が必要だから
である。
キヤリア対を発生させるためには、光を光感応接合３８
まで到達させなければならない。半導体デバイス３２を
第１表面側から照射すると、デポジツトの成長によつて
その下の接合への光の到達が妨害され得、電気メツキの
速度が低下し得る。この自己制限現象はデポジツトが比
較的透明な場合、デポジツトが比較的透明なレジスト材
料を用いたパターンを構成する場合又はデバイス３２を
第２表面側から照射する場合には通常問題にならない。
まで到達させなければならない。半導体デバイス３２を
第１表面側から照射すると、デポジツトの成長によつて
その下の接合への光の到達が妨害され得、電気メツキの
速度が低下し得る。この自己制限現象はデポジツトが比
較的透明な場合、デポジツトが比較的透明なレジスト材
料を用いたパターンを構成する場合又はデバイス３２を
第２表面側から照射する場合には通常問題にならない。
第４Ａ図及び第４Ｂ図は理想的光感応接合の典型的電流
−電圧曲線を示している。第４Ａ図には非露光時（暗状
態）の光起電力接合の挙動を示した。この場合にはこの
ような半導体デバイスの電気メツキを実施するのに必要
な公称逆バイアス電圧（符号６２ａで示す）で流れる電
流は実質的にゼロであり、電気メツキ作用は生起したと
しても極めて速度が遅い。電気メツキを実施するに十分
な電流の流れを生起させるには、少なくとも符号６４で
示されている大きさをもつ比較的大きな逆バイアス電圧
をデバイスに印加する必要がある。しかしながらこのよ
うな大きな電圧は電気メツキすべき半導体デバイスの半
導体材料を劣化させるか又は破壊する。
−電圧曲線を示している。第４Ａ図には非露光時（暗状
態）の光起電力接合の挙動を示した。この場合にはこの
ような半導体デバイスの電気メツキを実施するのに必要
な公称逆バイアス電圧（符号６２ａで示す）で流れる電
流は実質的にゼロであり、電気メツキ作用は生起したと
しても極めて速度が遅い。電気メツキを実施するに十分
な電流の流れを生起させるには、少なくとも符号６４で
示されている大きさをもつ比較的大きな逆バイアス電圧
をデバイスに印加する必要がある。しかしながらこのよ
うな大きな電圧は電気メツキすべき半導体デバイスの半
導体材料を劣化させるか又は破壊する。
第４Ｂ図は第４Ａ図と同一の光感応接合を異なる強さで
光を照射した場合の電流−電圧曲線を示している。これ
らの曲線は双方共光感応接合への入射光量に直接係る量
だけ下方へ移動している。曲線Ｌ1は第１照射レベルで
の光感応接合の電流−電圧特性を表わし、曲線Ｌ2はよ
り強い照射下での同接合の電流−電圧特性を表わす。こ
れら曲線から明らかなように、電気メツキに必要な大き
さの電圧６２ｂでは第１レベルの強さで照射すると電流
Ｉ1が光感応接合に流れ、第２レベルで照射するとより
強い電流Ｉ2が流れる。このように、電気メツキ処理に
おいて通電される電流の量は処理すべき面への入射光の
強さを調整することによつて制御し得る。極めて重要な
ことは、このような照射を用いれば半導体デバイスに損
傷を与えることなく必要な電圧レベルで電気メツキ処理
を効果的に実施せしめるに足る電流を該デバイスの接合
に流すことができるという点である。更に、該デバイス
第１表面の外部電源への接続から遠い部分に光を照射す
るとメツキ電流の流れが助長されて半導体薄層の面に沿
つた抵抗が平均化される。
光を照射した場合の電流−電圧曲線を示している。これ
らの曲線は双方共光感応接合への入射光量に直接係る量
だけ下方へ移動している。曲線Ｌ1は第１照射レベルで
の光感応接合の電流−電圧特性を表わし、曲線Ｌ2はよ
り強い照射下での同接合の電流−電圧特性を表わす。こ
れら曲線から明らかなように、電気メツキに必要な大き
さの電圧６２ｂでは第１レベルの強さで照射すると電流
Ｉ1が光感応接合に流れ、第２レベルで照射するとより
強い電流Ｉ2が流れる。このように、電気メツキ処理に
おいて通電される電流の量は処理すべき面への入射光の
強さを調整することによつて制御し得る。極めて重要な
ことは、このような照射を用いれば半導体デバイスに損
傷を与えることなく必要な電圧レベルで電気メツキ処理
を効果的に実施せしめるに足る電流を該デバイスの接合
に流すことができるという点である。更に、該デバイス
第１表面の外部電源への接続から遠い部分に光を照射す
るとメツキ電流の流れが助長されて半導体薄層の面に沿
つた抵抗が平均化される。
第３図の方法は電気メツキの方法であるが、陽極酸化法
の如き他の方法も電解液の組成を変えるだけで同様に実
施できる。その場合は半導体デバイスに流れる電流の極
性が逆になる。本明細書では電気コーテイングなる用語
をこのようなあらゆる種類のコーテイング法を意味する
ものとして使用する。
の如き他の方法も電解液の組成を変えるだけで同様に実
施できる。その場合は半導体デバイスに流れる電流の極
性が逆になる。本明細書では電気コーテイングなる用語
をこのようなあらゆる種類のコーテイング法を意味する
ものとして使用する。
マスキング及びコーテイング又はコーテイング及びエツ
チングというプロセスではなく、投光法（light Projec
tion Process）により半導体材料にパターンを電気コー
テイングすることもできる。即ちマスクを介して光をデ
バイスの表面に投射し、電流を投射領域に選択的に流れ
るよう生起せしめてこの領域上に電気コーテイングデポ
ジツトを形成するのである。この投光法を使用する場合
は外部から電気コーテイング電流を供給してもよいし、
又は自己発生法によつてもよい。
チングというプロセスではなく、投光法（light Projec
tion Process）により半導体材料にパターンを電気コー
テイングすることもできる。即ちマスクを介して光をデ
バイスの表面に投射し、電流を投射領域に選択的に流れ
るよう生起せしめてこの領域上に電気コーテイングデポ
ジツトを形成するのである。この投光法を使用する場合
は外部から電気コーテイング電流を供給してもよいし、
又は自己発生法によつてもよい。
投光法は次にデポジツトされる材料の核形成(nucleatio
n)パターンとして機能する第１パターンを形成する場合
にも使用し得、その場合には前述の如く像を投影しなが
ら比較的薄いパターン層を基板上に形成し、次いで照射
を均等にすべくパターン状の照射を停止して電気コーテ
イング処理を続ける。
n)パターンとして機能する第１パターンを形成する場合
にも使用し得、その場合には前述の如く像を投影しなが
ら比較的薄いパターン層を基板上に形成し、次いで照射
を均等にすべくパターン状の照射を停止して電気コーテ
イング処理を続ける。
本発明の方法は第５Ａ図に示されている装置６６の如き
連続工程処理装置でも使用し得る。この装置６６はコー
テイング処理すべき半導体デバイスの連続状ウエル（長
尺帯）７０を巻装した繰出しローラ６８ａと、コーテイ
ングされた半導体デバイスを巻取る巻取りローラ６８ｂ
と、マスク取付ステーシヨン７２と、電気コーテイング
ステーシヨン７４とマスク除去ステーシヨン７６とから
なり、ウエブ７０はローラ６８ａから連続的に繰出さ
れ、マスク取付ステーシヨン７２で前述の任意の方法に
よりレジストパターン４０が付与される。パターンで被
覆されたウエブ７０は次いで電気コーテイングステーシ
ヨン７４に送られ、そこでマスキングされていない部分
が電気コーテイング処理される。
連続工程処理装置でも使用し得る。この装置６６はコー
テイング処理すべき半導体デバイスの連続状ウエル（長
尺帯）７０を巻装した繰出しローラ６８ａと、コーテイ
ングされた半導体デバイスを巻取る巻取りローラ６８ｂ
と、マスク取付ステーシヨン７２と、電気コーテイング
ステーシヨン７４とマスク除去ステーシヨン７６とから
なり、ウエブ７０はローラ６８ａから連続的に繰出さ
れ、マスク取付ステーシヨン７２で前述の任意の方法に
よりレジストパターン４０が付与される。パターンで被
覆されたウエブ７０は次いで電気コーテイングステーシ
ヨン７４に送られ、そこでマスキングされていない部分
が電気コーテイング処理される。
第５Ｂ図は電気コーテイングステーシヨン７４の好まし
い具体例を示している。このステーシヨンは電解質溶液
８０の入つたタンク７８からなり、ウエブ７０は一対の
ガイドローラ８４ａ，８４ｂを介して溶液８０中に誘導
される。但し他の案内手段、例えば磁石などを使用して
もよい。ガイドローラ８４ａ，８４ｂはワイヤ５１を介
してバツテリ５０の如き電源に電気接続され、ウエブ裏
面への電気接点を構成する。滑動式電気接点を用いても
よい。この電気回路は溶液８０に浸漬された電極４８も
含む。電極コーテイングステーシヨン７４は更に半導体
デバイスウエブ７０の光感応接合を活性化させるための
照射源５６を１つ以上具備する。この照射は前記接合を
活性化させて電気コーテイング電流をデバイスの損傷を
伴わずに導通せしめ、電気コーテイングステーシヨン７
４を通過するウエブの上に所望の厚みの材料層をデポジ
ツトせしめるるような波長と強さとをもつて実施されな
ければならない。ウエブ７０上に形成された半導体デバ
イスに流れる電流の量はこの照射の強さ及び波長と、ウ
エブに供給される外部電力とに応じて異なる。また、電
気コーテイングデポジツトの厚みはデバイスに流れる電
流の量とウエブ７０の電気コーテイングステーシヨン７
４通過所要時間とに依存する。従つて照射、電力及びウ
エブ走行速度の組合わせを適切に行なえば電気コーテイ
ングデポジツトの厚みを制御することができる。
い具体例を示している。このステーシヨンは電解質溶液
８０の入つたタンク７８からなり、ウエブ７０は一対の
ガイドローラ８４ａ，８４ｂを介して溶液８０中に誘導
される。但し他の案内手段、例えば磁石などを使用して
もよい。ガイドローラ８４ａ，８４ｂはワイヤ５１を介
してバツテリ５０の如き電源に電気接続され、ウエブ裏
面への電気接点を構成する。滑動式電気接点を用いても
よい。この電気回路は溶液８０に浸漬された電極４８も
含む。電極コーテイングステーシヨン７４は更に半導体
デバイスウエブ７０の光感応接合を活性化させるための
照射源５６を１つ以上具備する。この照射は前記接合を
活性化させて電気コーテイング電流をデバイスの損傷を
伴わずに導通せしめ、電気コーテイングステーシヨン７
４を通過するウエブの上に所望の厚みの材料層をデポジ
ツトせしめるるような波長と強さとをもつて実施されな
ければならない。ウエブ７０上に形成された半導体デバ
イスに流れる電流の量はこの照射の強さ及び波長と、ウ
エブに供給される外部電力とに応じて異なる。また、電
気コーテイングデポジツトの厚みはデバイスに流れる電
流の量とウエブ７０の電気コーテイングステーシヨン７
４通過所要時間とに依存する。従つて照射、電力及びウ
エブ走行速度の組合わせを適切に行なえば電気コーテイ
ングデポジツトの厚みを制御することができる。
コーテイングステーシヨン７４に次いでウエブ７０はマ
スク除去ステーシヨン７６に送られ、そこでレジストパ
ターンが除去されて電気コーテイングによりデポジツト
したパターン８２がウエブ表面に残される。このステー
シヨン７６は例えば溶媒収容タンクからなり、ウエブ７
０はこのタンクを継続的に通過する。マスク除去後、パ
ターンを具備した半導体デバイスウエブは巻取りロール
６８ｂに巻取られて貯蔵されるか又は別の処理にかけら
れる。
スク除去ステーシヨン７６に送られ、そこでレジストパ
ターンが除去されて電気コーテイングによりデポジツト
したパターン８２がウエブ表面に残される。このステー
シヨン７６は例えば溶媒収容タンクからなり、ウエブ７
０はこのタンクを継続的に通過する。マスク除去後、パ
ターンを具備した半導体デバイスウエブは巻取りロール
６８ｂに巻取られて貯蔵されるか又は別の処理にかけら
れる。
変形例としてウエブ７０へのパターン付与は電気コーテ
イングステーシヨン７４を通過する移動ウエブ上に位置
を重ね合わせて像を投影することにより実施してもよ
い。或いはウエブの第１表面を全体に亘つて電気コーテ
イング処理し、その後マスキング及びエツチングによつ
てパターンを形成することもできる。
イングステーシヨン７４を通過する移動ウエブ上に位置
を重ね合わせて像を投影することにより実施してもよ
い。或いはウエブの第１表面を全体に亘つて電気コーテ
イング処理し、その後マスキング及びエツチングによつ
てパターンを形成することもできる。
第６Ａ図〜第６Ｅ図は本発明の方法の種々の適用例を簡
略に示している。第６Ａ図は露出面に連続均質層８８が
デポジツトされた半導体デバイス８６である。「連続
層」なる語は層８８の如く通常デバイス８６の上表面と
同一の広がりを有し、従つてギヤツプ、切れ目又は空所
等を伴わずにデバイス８６の表面をほぼ全体的に被覆す
る層を意味する。均質層８８は導電材料、半導体材料又
は絶縁材料からなつていてよく、単一の元素又は２種以
上の元素の化合物で形成し得る。第６Ｂ図に示されてい
る構造は全体的に第６Ａ図の構造と類似しているが、第
６Ａ図の場合と異なり均質層は不連続的で複数のセグメ
ント８８ａ及び８８ｂからなつている。「不連続層」と
は半導体デバイス８６の露出面全体に亘つて延在するの
ではなく未被覆領域９０を含む層のことである。
略に示している。第６Ａ図は露出面に連続均質層８８が
デポジツトされた半導体デバイス８６である。「連続
層」なる語は層８８の如く通常デバイス８６の上表面と
同一の広がりを有し、従つてギヤツプ、切れ目又は空所
等を伴わずにデバイス８６の表面をほぼ全体的に被覆す
る層を意味する。均質層８８は導電材料、半導体材料又
は絶縁材料からなつていてよく、単一の元素又は２種以
上の元素の化合物で形成し得る。第６Ｂ図に示されてい
る構造は全体的に第６Ａ図の構造と類似しているが、第
６Ａ図の場合と異なり均質層は不連続的で複数のセグメ
ント８８ａ及び８８ｂからなつている。「不連続層」と
は半導体デバイス８６の露出面全体に亘つて延在するの
ではなく未被覆領域９０を含む層のことである。
第６Ｃ図は電気コーテイングにより露出面にデポジツト
した連続不均質層を有する典型的半導体デバイス８６を
示している。本明細書では「不均質」なる用語は場所的
に変化する組成をもつ材料を表わすのに用いられる。
した連続不均質層を有する典型的半導体デバイス８６を
示している。本明細書では「不均質」なる用語は場所的
に変化する組成をもつ材料を表わすのに用いられる。
第６Ｄ図には半導体デバイス８６上にデポジツトされた
均質領域８８ａ及び８８ｂと不均質領域９２ａとからな
る不連続電着材料層が示されている。第６Ｅ図は全体に
第６Ｃ図と類似しているが、不均質層が連続的ではな
く、未被覆領域９０を挾む複数の領域９２ａ，９２ｂか
らなつている。第６Ｂ図及び第６Ｅ図から明らかなよう
に、電気コーテイングデポジツト領域８８ａ，８８ｂ及
び９２ａは半導体デバイス８６の露出面の未被覆領域９
０を規定する。
均質領域８８ａ及び８８ｂと不均質領域９２ａとからな
る不連続電着材料層が示されている。第６Ｅ図は全体に
第６Ｃ図と類似しているが、不均質層が連続的ではな
く、未被覆領域９０を挾む複数の領域９２ａ，９２ｂか
らなつている。第６Ｂ図及び第６Ｅ図から明らかなよう
に、電気コーテイングデポジツト領域８８ａ，８８ｂ及
び９２ａは半導体デバイス８６の露出面の未被覆領域９
０を規定する。
実施例１ 第１図のセルと全体的に類似したアモルフアスシリコン
合金pin形光起電力デバイスの酸化インジウムスズ露出
面をニツケルで予選択パターンの形状に電気メツキし
た。
合金pin形光起電力デバイスの酸化インジウムスズ露出
面をニツケルで予選択パターンの形状に電気メツキし
た。
前記酸化インジウムスズ露出面を清浄にし脱イオン処理
した水で洗つた後一点の導電性エポキシ接着剤で基板に
ワイヤを装着することによりステンレス鋼からなるこの
基板層に電気接点を形成した。次いでこの光起電力デバ
イスをスルフアミン酸マイルド溶液（約１０△）中に５
秒間浸漬し、その後温度約５０℃、pH約４のスルフアミ
ン酸ニツケルメツキ浴中に導入した。スルフアミン酸ニ
ツケル浴はウイトコ・ケミカルカンパニイ(Witco Chemi
cal Company)のアライド・ケライトデビジヨン(Allied-
Kelite Division)によつて市販されている。光起電力デ
バイスから約１０cmの距離をおいて200Ｗのタングステ
ン電球をこのメツキ浴の外側に配置し、メツキ操作の間
該デバイスの光入射面を照射した。約0.1Ａの電流を約
−１Ｖのバイアス電圧下で２５cm2のデバイス試料に導
通して４mA/cm2の実効電流密度を得た。この電流をデバ
イスに約１分間流した結果密着性と導電性とに優れ平滑
な表面をもつ厚み約0.2μｍのニツケル電気メツキ層が
形成された。メツキ処理の間光起電力デバイスのセルに
は損傷が全く生じなかつた。
した水で洗つた後一点の導電性エポキシ接着剤で基板に
ワイヤを装着することによりステンレス鋼からなるこの
基板層に電気接点を形成した。次いでこの光起電力デバ
イスをスルフアミン酸マイルド溶液（約１０△）中に５
秒間浸漬し、その後温度約５０℃、pH約４のスルフアミ
ン酸ニツケルメツキ浴中に導入した。スルフアミン酸ニ
ツケル浴はウイトコ・ケミカルカンパニイ(Witco Chemi
cal Company)のアライド・ケライトデビジヨン(Allied-
Kelite Division)によつて市販されている。光起電力デ
バイスから約１０cmの距離をおいて200Ｗのタングステ
ン電球をこのメツキ浴の外側に配置し、メツキ操作の間
該デバイスの光入射面を照射した。約0.1Ａの電流を約
−１Ｖのバイアス電圧下で２５cm2のデバイス試料に導
通して４mA/cm2の実効電流密度を得た。この電流をデバ
イスに約１分間流した結果密着性と導電性とに優れ平滑
な表面をもつ厚み約0.2μｍのニツケル電気メツキ層が
形成された。メツキ処理の間光起電力デバイスのセルに
は損傷が全く生じなかつた。
実施例２ 第１図のセルと全体的に類似したpin形光起電力デバイ
スの酸化インジウムスズ露出面を銅で予選択パターンの
形状に電気メツキした。
スの酸化インジウムスズ露出面を銅で予選択パターンの
形状に電気メツキした。
実施例１と同様に前記デバイスを洗浄し、電流源に電気
接続し且つスルフアミン酸溶液に浸漬した。次いで該デ
バイスを硫酸銅メツキ浴に浸漬し、実施例１の如く照射
した。この硫酸銅メツキ浴はWitco Chemical Companyの
Allied-Kelite Di-visionにより市販のものであり、温
度は室温、pHは約１に維持した。約0.1Ａの電流を−１
Ｖのバイアス電圧で該浴に導通した。やはり約２５cm2
の面積の試料を用い、約４mA/cm2の電流密度を得た。こ
の電流をデバイスに約１分間流した結果厚み約0.2μｍ
の電気メツキ層が形成された。この銅メツキ層は十分な
密着性と高導電性とを示し、滑らかな表面を有してい
た。この場合もデバイスのセルは全く損傷しなかつた。
接続し且つスルフアミン酸溶液に浸漬した。次いで該デ
バイスを硫酸銅メツキ浴に浸漬し、実施例１の如く照射
した。この硫酸銅メツキ浴はWitco Chemical Companyの
Allied-Kelite Di-visionにより市販のものであり、温
度は室温、pHは約１に維持した。約0.1Ａの電流を−１
Ｖのバイアス電圧で該浴に導通した。やはり約２５cm2
の面積の試料を用い、約４mA/cm2の電流密度を得た。こ
の電流をデバイスに約１分間流した結果厚み約0.2μｍ
の電気メツキ層が形成された。この銅メツキ層は十分な
密着性と高導電性とを示し、滑らかな表面を有してい
た。この場合もデバイスのセルは全く損傷しなかつた。
実施例３ この実施例では全体的に第２図の光起電力デバイスと類
似している大面積光起電力デバイスの互に電気絶縁され
た酸化インジウムスズセグメント露出面の各々に導電性
サンドイツチ形多重層を予選択パターンに従いデポジツ
トした。
似している大面積光起電力デバイスの互に電気絶縁され
た酸化インジウムスズセグメント露出面の各々に導電性
サンドイツチ形多重層を予選択パターンに従いデポジツ
トした。
先ずグリツドパターンに対応する領域を規定するレジス
トパターンを前記大面積光起電力デバイスのインジウム
スズ酸化物露出面に付与した。次いで該デバイスをマイ
ルド洗剤で洗浄し、すすぎ、共通電導基板に電気接点を
設け、スルフアミン酸中に浸漬した（前記２実施例と同
様の方法）。前述の実施例と同様にこのデバイスを温度
４０℃、pH約４のスルフアミン酸ニツケル電気メツキ浴
中に配置し、照射した。−１Ｖのバイアス電圧で25mAの
電流を約１分間該デバイスに導通した結果15mA/cm2の密
度の電流が該デバイスのマスクされていない部分に流れ
た。通電と照射とを停止し、試料を脱イオン水で洗浄
し、その後pH約１の室温の硫酸銅メツキ浴に浸漬した。
この光起電力デバイスを再び照射し、−0.25Ｖのバイア
ス電圧で２５mAの電流を１分間導通した。通電と照射と
を停止し、試料を脱イオン水で洗浄し、先に使用したス
ルフアミン酸ニツケル浴中に再び浸漬して照射した。−
１Ｖのバイアス電圧で２５mAの電流を１分間導通した。
該デバイスを電流源から遮断し、洗浄し乾燥させた。こ
のようにして光起電力デバイスのインジウムスズ酸化物
露出面にデポジツトされたニツケル／銅／ニツケル３層
グリツドパターンは密着力が大きく、導電性に優れ且つ
滑らかな表面を有していた。実施例１及び２と同様に該
大面積光起電力デバイスの小面積光電池は損傷しなかつ
た。
トパターンを前記大面積光起電力デバイスのインジウム
スズ酸化物露出面に付与した。次いで該デバイスをマイ
ルド洗剤で洗浄し、すすぎ、共通電導基板に電気接点を
設け、スルフアミン酸中に浸漬した（前記２実施例と同
様の方法）。前述の実施例と同様にこのデバイスを温度
４０℃、pH約４のスルフアミン酸ニツケル電気メツキ浴
中に配置し、照射した。−１Ｖのバイアス電圧で25mAの
電流を約１分間該デバイスに導通した結果15mA/cm2の密
度の電流が該デバイスのマスクされていない部分に流れ
た。通電と照射とを停止し、試料を脱イオン水で洗浄
し、その後pH約１の室温の硫酸銅メツキ浴に浸漬した。
この光起電力デバイスを再び照射し、−0.25Ｖのバイア
ス電圧で２５mAの電流を１分間導通した。通電と照射と
を停止し、試料を脱イオン水で洗浄し、先に使用したス
ルフアミン酸ニツケル浴中に再び浸漬して照射した。−
１Ｖのバイアス電圧で２５mAの電流を１分間導通した。
該デバイスを電流源から遮断し、洗浄し乾燥させた。こ
のようにして光起電力デバイスのインジウムスズ酸化物
露出面にデポジツトされたニツケル／銅／ニツケル３層
グリツドパターンは密着力が大きく、導電性に優れ且つ
滑らかな表面を有していた。実施例１及び２と同様に該
大面積光起電力デバイスの小面積光電池は損傷しなかつ
た。
実施例４ この実施例では予め単一アモルフアスシリコンpin形デ
バイスへデポジツトしておいた鉄製電極層にパターンを
陽極酸化によつてデポジツトした。
バイスへデポジツトしておいた鉄製電極層にパターンを
陽極酸化によつてデポジツトした。
前記デバイスをアセトンで洗浄し、Mc Dermid Corporat
ion製造のMacu Mask9251−Ｍを用いて鉄製電極層の露出
面にレジストパターンを付与した。この面のレジストパ
ターンで被覆されない部分が陽極酸化される鉄電極部分
を規定する。レジスト材料でコーテイングされたデバイ
スを５０℃の0.5モルFeCl3水溶液に１０分間浸漬した。
次いで室温の１０△CrO3水溶液酸化浴中にデバイスを配
置し、約５cmの距離をおいて配置した500Ｗタングステ
ン−ハロゲン電球により照射した。５０mAの陽極酸化電
流を３０分間デバイスに導通した結果、約２０mA/cm2の
密度のコーテイング電流が該pn接合デバイスのマスクキ
ングされていない部分に流れた。陽極酸化反応終了後照
射と通電とを停止し、デバイスを電解液から取出して洗
浄した。この処理の結果デバイスのマスクキングされて
いない部分に厚み0.2μｍの酸化鉄コーデイングが形成
された。
ion製造のMacu Mask9251−Ｍを用いて鉄製電極層の露出
面にレジストパターンを付与した。この面のレジストパ
ターンで被覆されない部分が陽極酸化される鉄電極部分
を規定する。レジスト材料でコーテイングされたデバイ
スを５０℃の0.5モルFeCl3水溶液に１０分間浸漬した。
次いで室温の１０△CrO3水溶液酸化浴中にデバイスを配
置し、約５cmの距離をおいて配置した500Ｗタングステ
ン−ハロゲン電球により照射した。５０mAの陽極酸化電
流を３０分間デバイスに導通した結果、約２０mA/cm2の
密度のコーテイング電流が該pn接合デバイスのマスクキ
ングされていない部分に流れた。陽極酸化反応終了後照
射と通電とを停止し、デバイスを電解液から取出して洗
浄した。この処理の結果デバイスのマスクキングされて
いない部分に厚み0.2μｍの酸化鉄コーデイングが形成
された。
本発明では金，銀，クロムの如き他の材料及び類似の酸
化物コーテイング、窒化物コーテイング等を陽極的に半
導体層へ電気コーテイングすることもできる。
化物コーテイング、窒化物コーテイング等を陽極的に半
導体層へ電気コーテイングすることもできる。
第１図は複数のpin形セルからなるダンデム光電池の部
分横断面図、第２図は導電グリツドパターンを有する複
数の互に分離した小面積セルからなる大面積光起電力デ
バイスの部分平面図、第３図は半導体ボデイを予選択パ
ターンで電気コーテイングするデバイスの簡略説明図、
第４Ａ図は第１図の光電池のpin接合の如き半導体接合
の未照射状態での電気的特性を示す電流対電圧グラフ、
第４Ｂ図は２種類の異なる強さで照射した場合の第１図
の光電池のpin接合の如き半導体接合の電気的特性を示
す電流対電圧グラフ、第５Ａ図は細長い半導体デバイス
ウエブを予選択パターンで連続的に電気コーテイングす
るデバイスの斜視図、第５Ｂ図は第５Ａ図のデバイスの
電気コーテイングステーシヨンの正面断面図、第６Ａ
図、第６Ｂ図、第６Ｃ図、第６Ｄ図及び第６Ｅ図は本発
明の方法により連続均質層、不連続均質層、連続不均質
層及び不連続不均質層で夫々電気コーテイングされた半
導体ボデイの部分断面図である。 １０…pin形光起電力デバイス、１１…基板、 １２ａ〜１２ｃ…pin形セル、２２，２８…酸化物層、 ２４…金属グリツド、１２…半導体層、 ２５…コネクタ、３０…バスバー、 ３２…pn接合デバイス、３４…ｐ形半導体層、 ３６…ｎ形半導体層、３８…pn接合、 ４０…予選択パターン、４８…対電極、 ４６…電解液、５０…バツテリ、 ５６…光源、６８ａ…繰出しロール、 ６８ｂ…巻取りロール、７０…半導体デバイスウエブ、 ７２…マスキングステーシヨン、７４…電気コーテイン
グステーシヨン、７６…マスク除去ステーシヨン、 ８０…電解質溶液、８４ａ、８４ｂ…ガイドローラ、 ８６…半導体デバイス、８８…均質層、 ９２…不均質層。
分横断面図、第２図は導電グリツドパターンを有する複
数の互に分離した小面積セルからなる大面積光起電力デ
バイスの部分平面図、第３図は半導体ボデイを予選択パ
ターンで電気コーテイングするデバイスの簡略説明図、
第４Ａ図は第１図の光電池のpin接合の如き半導体接合
の未照射状態での電気的特性を示す電流対電圧グラフ、
第４Ｂ図は２種類の異なる強さで照射した場合の第１図
の光電池のpin接合の如き半導体接合の電気的特性を示
す電流対電圧グラフ、第５Ａ図は細長い半導体デバイス
ウエブを予選択パターンで連続的に電気コーテイングす
るデバイスの斜視図、第５Ｂ図は第５Ａ図のデバイスの
電気コーテイングステーシヨンの正面断面図、第６Ａ
図、第６Ｂ図、第６Ｃ図、第６Ｄ図及び第６Ｅ図は本発
明の方法により連続均質層、不連続均質層、連続不均質
層及び不連続不均質層で夫々電気コーテイングされた半
導体ボデイの部分断面図である。 １０…pin形光起電力デバイス、１１…基板、 １２ａ〜１２ｃ…pin形セル、２２，２８…酸化物層、 ２４…金属グリツド、１２…半導体層、 ２５…コネクタ、３０…バスバー、 ３２…pn接合デバイス、３４…ｐ形半導体層、 ３６…ｎ形半導体層、３８…pn接合、 ４０…予選択パターン、４８…対電極、 ４６…電解液、５０…バツテリ、 ５６…光源、６８ａ…繰出しロール、 ６８ｂ…巻取りロール、７０…半導体デバイスウエブ、 ７２…マスキングステーシヨン、７４…電気コーテイン
グステーシヨン、７６…マスク除去ステーシヨン、 ８０…電解質溶液、８４ａ、８４ｂ…ガイドローラ、 ８６…半導体デバイス、８８…均質層、 ９２…不均質層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 テイモシー・ジエイ・バーナード アメリカ合衆国、ミシガン・48035、レイ ク・オリオン、キムバリー・702、アパー トメント・201 (72)発明者 ドミニツク・クレア アメリカ合衆国、ミシガン・48043、マウ ント・クレメンズ、モラヴイアン・37880 (56)参考文献 特開 昭55−118680（ＪＰ，Ａ)
Claims (12)
- 【請求項１】互いに対向する第１および第２の面と内部
に光感応接合を有する半導体デバイスにコーティングを
施す薄膜半導体デバイスの電気コーティング処理方法に
おいて、 電解液に前記薄膜半導体デバイスを浸漬し、 該薄膜半導体デバイスの第２の面に電圧印加手段の一方
の電極を接続し、 該薄膜半導体デバイスの第１の面と対向する側に間に該
電解溶液を介して電圧印加手段の他方の電極を配し、 光照射手段により該薄膜半導体デバイスの第１の面に光
を照射することにより該薄膜半導体デバイスの第１の面
上にコーティングを施すことを特徴とする薄膜半導体デ
バイスの電気コーティング処理方法。 - 【請求項２】前記薄膜半導体がアモルファスシリコン合
金であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の方法。 - 【請求項３】前記電解液がメッキ溶液であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。 - 【請求項４】前記薄膜半導体デバイスの第１面を陽極酸
化処理することにより該面に酸化パターンを形成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。 - 【請求項５】複数の層を順次電気コーティングにより堆
積することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
方法。 - 【請求項６】電気コーティングを受容するための予選択
パターンを規定すべく前記薄膜半導体デバイスの第１面
に非連続的電気コーティングレジスト層を堆積すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。 - 【請求項７】前記薄膜半導体デバイスの第１表面を電気
コーティングした後、電気コーティング予選択パターン
に対応する前記電気コーティング部分に耐エッチング試
薬膜を堆積し、次いでこの耐エッチング試薬膜で被覆さ
れていない前記電気コーティング部分をエッチング処理
することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方
法。 - 【請求項８】前記薄膜半導体デバイスの第２面を構成す
る長基板を継続的に移動させて前記電解液中に導入し、
前記長基板の該電解液通過時間と比例する厚みの電気コ
ーティングを該半導体デバイス上に形成することを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。 - 【請求項９】前記薄膜半導体デバイスへの光照射の強さ
と持続時間とを制御することにより前記電気コーティン
グの厚みを調整することを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の方法。 - 【請求項１０】前記薄膜半導体デバイスの第１面にパタ
ーン状電気コーティングを形成すべく該第１面上の予選
択パターン像に対応する第１面部分のみを照射すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。 - 【請求項１１】前記薄膜半導体デバイスの第２面を構成
する長基板を継続的に移動させて前記電解液に通し、こ
の間前記照射像をこの移動ウエブに対して位置合わせし
ておくことを特徴とする特許請求の範囲第９項に記載の
方法。 - 【請求項１２】薄膜半導体デバイスを電気コーティング
処理する電気コーティング装置において、 電解液を収容するための容器と、 前記容器内の電解液に互いに対向する第１および第２の
面と内部に光感応接合を有する薄膜長尺半導体デバイス
の少なくとも一部を浸漬させながら連続的に搬送する搬
送手段と、 前記電解液中に前記第１の面に対向して配された対向電
極と、 一方の電気端子が滑動式電気接点を介して薄膜半導体デ
バイスの前記第２の面に電気的に接続され、他方の電気
端子が前記対向電極に電気的に接続された電圧印加手段
と、 前記電圧印加手段により電圧が印加された前記薄膜半導
体デバイスの前記第１の面に光を照射する光照射手段
と、 を有することを特徴とする電気コーティング装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US581499 | 1984-02-17 | ||
| US06/581,499 US4507181A (en) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | Method of electro-coating a semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189931A JPS60189931A (ja) | 1985-09-27 |
| JPH0652796B2 true JPH0652796B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=24325448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60028163A Expired - Lifetime JPH0652796B2 (ja) | 1984-02-17 | 1985-02-14 | 薄膜半導体デバイスの電気コーティング処理方法および電気コーティング装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4507181A (ja) |
| EP (1) | EP0171129A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0652796B2 (ja) |
| AU (1) | AU3873285A (ja) |
| BR (1) | BR8500644A (ja) |
| ES (1) | ES540442A0 (ja) |
| IN (1) | IN162991B (ja) |
| ZA (1) | ZA85974B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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