JPS60189931A - 半導体デバイスの電気コーテイング処理の方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 面積が比較的広い光起電力デバイスの製造では、比較的
高い伝導性をもつ金属グリッドパターンをデバイスの光
入射面に備えることがしばしば望まれる。このグリッド
パターンは、光起電力デバイスの内部抵抗を低下させて
デバイスの効率を増加させる光で生じる電流を集めるた
めの低抵抗電流通路を供給する。他のタイプの半導体デ
バイスでも、領域を規定もしくは相互接続すべく、又は
デバイス上に接触点を形成すべく導電材料又は絶縁材料
のパターン層が必要とされる。

半導体デバイスにノｑターン層をデポジットするための
技術としては、マスクを用いる真空蒸着、エツチング、
伝導性もしくは絶縁性インクのプリンティング、電気メ
ッキ及び無電解メッキ等が知られている。電気メッキで
は、浸漬面に電界を作用させることにより当初溶液中に
あったイオン種を還元してコーティングすべき面に電着
させデポジット層を形成する。

半導体デバイスの製造では種々の電気メツキ技術が導電
層をデポジットする方法として受け入れられつつある。

例えば１９８３年８月１９日出願のＰｒｅｍ　Ｎａｔｈ
他による米国特許出願第５２４，７９７号電気的導電体
の形成方法（Ｍｅｔｈｏｄ　ｏｆ　ＦｏｒｍｉｎｇＡｎ
　Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　
Ｍｅｍｂｅｒ　）には導電パターンを光電池の如き半導
体デバイスの透明な伝導性酸化物層上に電気メッキする
方法が開示されている。

また、ダーキー（Ｄｕｒｋｅｅ　）に付与された米国特
許第４，１４４，１３９号及びブレノン（Ｑｒｅｎｏｎ
　）に付与された米国特許第４，２５１，３２７号にも
ｐｎ接合を含む半導体ボディに金属を電気メッキするた
めの種々の技術が開示されている。ｐｕｒｋｅｅの特許
の方法では、デバイスを電解液中に浸漬している間に光
を作用させ、その結果生じた光電圧（ｐｈｏｔｏｖｏｌ
ｔａｇｅ　）をメッキ操作に必要なエネルギとして使用
する。Ｇｉ、ｅｎｏＨの特許に開示されている方法は、
前述の如き光電圧を用いて半導体ボディの照射面のメッ
キを行なう一方、外部電圧源を別個のエネルギ源として
使用しながらその半導体ボディの裏面のメッキを行なう
というものである。

如何なる電気メツキ法でも電着を誘起するためには半導
体材料に電流を通さなければならない。

しかしながらメッキ操作の開始に必要な比較的高い電圧
で比較的大きい電流を半導体材料層に流すとこれらの層
に損傷が生じ得る。面に沿った抵抗が太きいという生来
の特性をもつ極めて薄い複数の層からなる半導体デバイ
スの場合には問題がより深刻である。即ち前記面に沿っ
た抵抗は半導体ボディに接続された電極から比較的遠い
半導体ボディ表面部分へのメッキ電流の流れを不適切に
する原因となる。その結果電着した材料の厚みが半導体
ボディの電極の近傍では比較的厚く、電極から離れた区
域では比較的薄いというように均等ではなくなる。

そのため、メッキ電流に起因する半導体の破損を伴わず
、且つ薄層の面に治った抵抗の作用にも拘らず比較的均
等な厚みをもつデポジットを形成せしめるような光感応
接合を含む半導体ボディへの金属、ｅターンの電気メツ
キ法が必要とされている。本発明では、光感応接合を含
む半導体ボディを電解液に浸漬し、該半導体ボディのコ
ーティングすべき面を光照射して前記光感応接合を活性
化させ、且つ外部電源からの電流を該半導体デバイスの
非照射面と電解液とに供給することにより、前述の問題
を解消する。該光感応接合を照射すると電流が余り妨害
を受けずに半導体ボディに流れる。導電パターン及び／
又は絶縁・ｑターンは（１）電気メッキし得る領域を限
定するレジストパターンを使用するか、（２１デバイス
ｓ面に連続層を電気メッキし、次いで所望の、Ｑターン
を得るべくこの層をエツチング処理するか、又は（３１
電解液に浸漬されているデバイスに、光を形成したい〕
９ターンと対応する予選択パターンの形で投影する等の
方法によって半導体デバイスの表面に形成し得る。酸化
物もしくは窒化物の如き絶縁コーティングも、金属の如
き伝導性コーティングも、本発明の電気コーティング法
によってｐｎ接合を含む半導体ボディ上にデポジットで
きる。

添付図面第１図に太陽電池の如きｐｉｎ形光起電力デバ
イスｌＯを示した。このデバイスは別個のｐｉｎ形セル
１２ａ、１２ｂ及び１２ｃからなり、セル１２ａ上に配
置された基板１１が該デバイス１０の第２表面を構成し
且つ電極の１つとして機能する。基板１１は透明である
か又はステンレス鋼、アルミニウム、タンタル、モリブ
デンもしくはクロムの如き金属材料製であってよく、絶
縁層を備えても又は備えなくてもよい。

セル１２ａ、１２ｂ及び１２ｃは少なくとも１種のシリ
コン合金又はゲルマニウム合金を含むアモルファス半導
体ボディで構成するのが好ましい。

アモルファス半導体合金で形成されるこの種のセルの層
の厚みは通常数百ｎｍ以下である。各セルはｎ形の導電
率をもつ半導体層２０ａ、２０ｂ及び２０ｃと、真性半
導体層１８ａ、１８ｂ及び１８ｃと、ｐ形の導電率をも
つ半導体層１６ａ、１’６ｂ及び１６ｃとを有する。図
示の如くセル１２ａ及び１２ｃの間に他の複数のセルを
加えてもよい。

層２２は透明な伝導性酸化物、好ましくは酸化インジウ
ムスズで形成され得、デバイス１ｏの第１表面上で電極
を構成する。デバイス１ｏの面積が広いか、又は層２２
の導電率が不十分である場合はこの層２２に金属グリッ
ド、Ｑターン２４を具備してもよい。

第２図は第１図のデバイス１０と全体的に類似した大面
積光起電力デバイス１０′　を部分平面図で示している
。このデバイス１０’は連続状大面積基板１１と、これ
に支持された連続状半導体層１２とからなる。該半導体
層は互に電気絶縁された複数の小部分２６に分割されて
おり、これら小部分２６の各々がデバイス１０′の総合
電気出力に貢献する。相互に絶縁された小部分２６は共
通基板１１を共有し、半導体材料１２上にデポジットし
た透明な伝導性酸化物材料からなる個別領域２８で各々
が被覆される。各個別領域２８は、個個の小面積光電池
の電極として機能する。集電グリノβ２４は各セグメン
トｉに配置され、夫々光で生じた電流を集めるだめのパ
スパー系３０に接続される。このグリッド２４とパスパ
ー３０との接続は点状シルバーペーストの如きコネクタ
２５を介して行なわれる。バスパー３０．コネクタ２５
及びグリシｌ″２４は、金属材料の如く比較的高い導電
率を示す材料で形成するのが好ましい。

第３図の半導体デバイス３２はｐｎ接合デバイスとして
示されているが、このデバイスはダイオード、光電池、
発光ダイオード等の光感応接合を含む全ての光感応デバ
イスを代表するものである。

半導体デバイス３２は、ステンレス鋼の如き導電材料か
らなる基板層１１と、その上にデポジットされたｎ形導
電率の半導体材料層３６と、ｐ形中導体材料層３４とで
構成され、層３６及び３４は通常同一の広がりをもつ。

これらｐ形及びｎ形半導体層は相互間の界面でｐｎ接合
３８を形成する。

層３６はデバイス３２の受光面即ち第１面を構成し、電
気メツキレシスト材料からなる予選択ノ（ターン４０が
その上にデポジットされている。しＳクスト材料パター
ン４０は非レジスト被覆領域４２を規定し、この領域４
２上に金属材料が電気メッキされて導電パターンを形成
する。電気メツキレシスト材料パターン４０は、スクリ
ーンプリンティング、オフセットプリンティング、ステ
ンシル法、フォトリソグラフィ等々任意の公知技術で形
成し得、好ましくはラッカー、合成樹脂等の如き材料を
デポジットすることにより形成する。電気メツキレジス
トノ（ターンの形成に特に有用な材料の一例としてはマ
ツク・ダーミツド　コーポレーシ９　ン（ＭｃＤｅｒｍ
ｉｄ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ　）　Ｍ造のマクマ、Ｘ
り（ＭａｃｕＭａｓｋ　）　９２５１−　Ｍ　が挙げら
れる。変形例としてデバイス３２の第１面金体を電気メ
ッキし、その後マスキング、エツチング等々の技術を用
いて選択領域４２のコーティングを除去することにより
所望のパターンを形成してもよい。

デバイス３２と第２電極即ち対電極４８とを適切な容器
４４に入った電解液４６中に浸漬させる。

電解液４６及び対電極４８の組成は、電気コーティング
によって半導体デバイス３２上にデポジットすべき材料
に依存する。バッテリ５０の如き電流源の端子の一方５
０ａをワイヤ５２を介して対電極４８に接続し、他方の
端子５０ｂをワイヤ５４を介して直接基板１１に接続す
る。基板１１はデバイス３２の第２表面を構成する。

（以下余白） 第３図の光源５６は石英ハロゲンランプ５８の如き電球
と、この電球５８からの放射光を半導体デバイス３２の
第１表面に向けて送るための反射シールド６０とで構成
されている。光［５６は半導体デバイス３２に吸収され
て光感応接合３８領域内にキャリア対を発生せしめるよ
うな波長の光を送出し得るものでなければならない。質
の低下又は破損を伴わずに電気コーティング電流を半導
体デバイス３２に流すには前記キャリア対が必要だから
である。

キャリア対を発生させるためには、光を光感応接合３８
まで到達させなければならない。半導体デバイス３２を
第１表面側かち照射すると、デポジットの成長によって
その下の接合への光の到達が妨害され得、電気メッキの
速度が低下し得る。

この自己制限現象はデポジットが比較的透明な場合、デ
ポジットが比較的透明なレジスト材料を用いた。ｅター
ンを構成する場合又はデバイス３２を第２表面側から照
射する場合には通常問題にならない。

第４Ａ図及び第４Ｂ図は理想的光感応接合の典型的電流
−電圧曲線を示している。第４Ａ図には非露光時（暗状
態）の光起電力接合の挙動を示した。この場合にはこの
ような半導体デバイスの電気メッキを実施するのに必要
な公称逆バイアス電圧（符号６２ａで示す）で流れる電
流は実質的にゼ目であり、電気メツキ作用は生起したと
しても極めて速度が遅い。電気メッキを実施するに十分
な電流の流れを生起させるには、少なくとも符号６４で
示されている大きさをもつ比較的大きな逆バイアス電圧
をデノ々イスに印加する必要がある。

しかしながらこのような大きな電圧は電気メッキすべき
半導体デバイスの半導体材料を劣化させるか又は破壊す
る。

第４Ｂ図は第４Ａ図と同一の光感応接合を異なる強さで
光を照射した場合の電流−電圧曲線を示している。これ
らの曲線は双方系光感応接合への入射光量に直接係る量
だけ下方へ移動している。

曲線Ｌ＋は第１照射レベルでの光感応接合の電流−電圧
特性を表わし、曲線り、はより強い照射下での同接合の
電流−電圧特性を表わす。これら曲線から明らかなよう
に、電気メッキに必要な大きさの電圧６２ｂでは第ルベ
ルの強さで照射すると電流１１が光感応接合に流れ、第
２レベルで照射するとより強い電流工３が流れる。この
ように、電気メツキ処理において通電される電流の量は
処理すべき面への入射光の強さを調整することにまって
制御し得る。極めて重要なことは、このような照射を用
いれば半導体デバイスに損傷を与えることなく必要な電
圧レベルで電気メツキ処理を効果的に実施せしめるに足
る電流を該デバイスの接合に流すことができるという点
である。更匿、該デバイス第１表面の外部電源への接続
から遠い部分に光を照射するとメッキ電流の流れが助長
されて半導体薄層の面ζこ沿った抵抗が平均化される。

第３図の方法は電気メッキの方法であるが、陽極酸化法
の如き他の方法も電解液の組成を変えるだけで同様に実
施できる。その場合は半導体デバイスに流れる電流の極
性が逆になる。本明細書では電気コーティングなる用語
をこのようなあらゆる種類のコーティング法を意味する
ものとして使用する。

マスキング及びコーティング又はコーティング及びエツ
チングというプロセスではなく、投光法（ｌｉｇｈｔ　
ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ　ｐｒｏｃｅａｓ）により半導体
材料に／９ターンを電気コーティングすることもできる
。

即ちマスクを介して光をデバイスの表面に投射し、電流
を投射領域に選択的に流れるよう生起せしめてこの領域
上に電気コーティングデポジットを形成するのである。

との投光法を使用する場合は外部から電気コーティング
電流を供給してもよいし、又は自己発生法によってもよ
い。

投光法は次にデポジットされる材料の核形成（ｎｕｃｌ
ｅａｔｉｏｎ　）パターンとして機能する第１／９ター
ンを形成する場合ζこも使用し得、その場合には前述の
如く像を投影しながら比較的薄いＩＱターン層を基板上
に形成し、次いで照射を均等にすべくパターン状の照射
を停止して電気コーティング処理を続ける。

本発明の方法は第５Ａ図に示されている装置６６の如き
連続工程処理装置でも使用し得る。この装置６６はコー
ティング処理すべき半導体デバイスの連続状ウェブ（長
尺帯）７０を巻装した繰出しローラ６８ａと、コーティ
ングされた半導体デバイスを巻取る巻取りローラ６８ｂ
と、マスク取付ステーション７２と、！気コーティング
ステーション７４とマスク除去ステーション７６とから
なり、ウェブ７０はローラ６８ａから連続的に繰出され
、マスク取付ステーション７２で前述の任意の方法によ
りレジストパターン４０が付与される。

ＩＱターンで被覆されたウェブ７０は次いで電気コーテ
ィングステーション７４に送られ、そこでマスキングさ
れていない部分が電気コーティング処理される。

第５Ｂ図は電気コーティングステーション７４の好まし
い具体例を示している。このステーションは電解質溶液
８０の入ったタンク７８からなり、ウェブ７０は一対の
ガイドローラ８４ａ　、８４ｂを介して溶液８０中に誘
導される。但し他の案内手段、例えば磁石などを使用し
てもよい。ガイドローラ８４ａ　、８４ｂはワイヤ５１
を介してバッテリ５０の如き電源に電気接続され、ウェ
ブ裏面への電気接点を構成する。滑動式電気接点を用い
一← でもよい。この電気回路は溶液８ｏに浸漬された電極４
８も含む。電気コーティングステーション７４は更に半
導体デバイスウェブ７ｏの光感応接合を活性化させるた
めの照射源５６を１つ以上具備する。この照射は前記接
合を活性化させて電気コーティング電流をデバイスの損
傷を伴わずに導通せしめ、電気コーティングステーショ
ン７４を通過するウェブの上に所望の厚みの材料層をデ
ポジットせしめるような波長と強さとをもって実施され
なければならない。ウェブ７ｏ上に形成された半導体デ
バイスに流れる電流の量はこの照射の強さ及び波長と、
ウェブに供給される外部電力とに応じて異なる。また、
電気コーティングデポジットの厚みはデバイスに流れる
電流の量とウェブ７０の電気コーティングステージ３フ
フ４通過所要時間とに依存する。従って照射、電力及び
ウェブ走行速度の組合わせを適切に行なえば電気コーテ
ィングデポジットの厚みを制御することができる。

コーティングステーション７４に次いでウェブ７０はマ
スク除去ステーション７６に送られ、そこでレジストパ
ターンが除去されて電気コーティングによりデポジット
したパターン８２がウェブ表面に残される。このステー
ション７６は例、ｔＪｆ溶媒収容タンクからなり、ウェ
ブ７０はこのタンクを継続的に通過する。マスク除去後
１．Ｑターンを具備した半導体デバイスウェブは巻取り
ロール６８ｂに巻取られて貯蔵されるか又は別の処理に
かけられる。

変形例としてウェブ７０へのパターン付与は電気コーテ
ィングステーション７４を通過する移動ウェブ上に位置
を重ね合わせて像を投影することにより実施してもよい
。或いはウェブの第１表面を全体に亘って電気コーティ
ング処理し、その後マスキング及びエツチングによって
ノｑターンを形成するとともできる。

第６Ａ図〜第６Ｅ図は本発明の方法の種々の適用例を簡
略に示している。Ｍ６Ａ図は露出面に連続均質層８８が
デポジットされた半導体デバイス８６である。「連続層
」なる語は層８８の如く通常デバイス８６の上表面と同
一の広がりを有し、従ってギャップ、切れ目又は空所等
を伴わずにデバイス８６の表面なほぼ全体的に被覆する
層を意味する。均質層８８は導電材料、半導体材料又は
絶縁材料からなっていてよく、単一の元素又は２種以上
の元素の化合物で形成し得る。第６Ｂ図に示されている
構造は全体的に第６Ａ図の構造と類似しているが、第６
Ａ図の場合と異なり均質層は　゛不連続的で複数のセグ
メント８，８　ａ及び８８ｂからなっている。「不連続
層」とは半導体デバイス８６の露出面全体に亘って延在
するのではなく未被覆領域９０を含む層のことである。

第６Ｃ図は電気コーティングにはり露出面にデポジット
した連続不均質層を有する典型釣手導体デバイス８６を
示している。本明細書では「不均質」なる用語は場所的
に変化する組成をもつ材料を表わすのに用いられる。

第６Ｄ図には半導体デバイス８６上にデポジットされた
均質領域８８ａ及び８８ｂと不均質領域９２ａとからな
る不連続電着材料層が示されている。第６Ｅ図は全体に
第６ｃ図と類似しているが、不均質層が連続的ではなく
、未被覆領域９ｏを挾む複数の領域９２ａ、’９２ｂか
らなっている。第６Ｂ図及び第６Ｅ図から明らかなよう
に、電気コーティングデポジット領域８８ａ、８８ｂ及
び９２ｎは半導体デノ々イス８６の露出面の未被覆領域
９０を規定する。

実施例　１ 第１図のセルと全体的に類似したアモルファスシリコン
合金ｐｌｎ形光起電力デバイスの酸化インジウムスズ露
出面をニッケルで予選択ノ３ターンの形状に電気メッキ
した。

前記酸化インジウムスズ露出面を清浄にし脱イオン処理
した水で洗った後一点の導電性エポキシ接着剤で基板に
ワイヤを接着することによりステンレス鋼からなるこの
基板層に電気接点を形成した。次いでこの光起電力デバ
イスをスルファミン酸マイルド溶液（約１０Δ）中に５
秒間浸漬し、その後温度約５０ｔｌｌ’、ｐＨ約４のス
ルファミン酸ニッケルメッキ浴中に導入した。スルフア
ミノ酸ニッケル浴はライトコ・ケミカルカンノＲニイ（
Ｗｉ　ｔｃ。

Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｃｏｍｐａｎｙ　）のアライド・ケ
ライトデビジョン（Ａ１１１ｅｄ−Ｋｅｌｌｔｅ　Ｄｉ
ｖｉｓｉｏｎ　）によって市販されている。光起電力デ
バイスから約１Ｏｃｒｒ１の距離をおいて２ｏｏ　ｗの
タングステン電球をこのメッキ浴の外側に配電し、メッ
キ操作の間該デバイスの光入射面を照射した。約０．Ｉ
Ａの電流を約−１ｖのバイアス電圧下で２５ｃｒＩのデ
バイス試料に導通して４　ｍＡ／ｃｌの実効電流密度を
得た。この電流をデバイスに約１分間流した結果密着性
と導電性とに優れ平滑な表面をもつ厚み約０．２μｍの
ニッケル電気メツキ層が形成された。メッキ処理の開光
起電力デバイスのセルには損傷が全く生じなかった。

実施例　２ 第１図のセルと全体的に類似したｐｉｎ形光起電。

カブバイスの酸化インジウムスズ露出面を銅で予選択ノ
ぐターンの形状に電気メッキした。

実施例１と同様に前記デバイスを洗浄し、電流源に電気
接続し且つスルファきン酸溶液に浸漬した。次いで該デ
バイスを硫酸銅メッキ浴Ｊこ浸漬し、実施例１の如く照
射した。この硫酸鋼メッキ浴はＷｉｔｃｏ　Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ　ＣｏｍｐａｎＹのＡ１１１ｅｄ−Ｋｅｌｉｔｅ
　Ｄｉ　−ｖｉｓｉｏｎにより市販のものであり、温度
は室温、ｐＨは約１に維持した。約０．ＩＡの電流を−
ＩＶのバイアス電圧で該浴に導通した。やはり約２５ｉ
の面積の試料を用い、約４ｍＡ／ｌ：ｒｌの電流密度を
得た。この電流をデバイスに約１分間流した結果厚み約
０．２μｍの電気メツキ層が形成された。この銅メッキ
層は十分な密着性と高導電性とを示し、滑らかな表面を
有していた。この場合もデバイスのセルは全く損傷しな
かった。

実施例　３ この実施例では全体的に第２図の光起電力デバイスと類
似している大面積光起電力デバイスの互に電気絶縁され
た酸化インジウムスズセグメント露出面の各々に導電性
サンドインチ形多重層を予選択ノ９ターンに従いデポジ
ットした。

先ずグリッドパターンに対応する領域を規定するレジス
）、ｔ？パターン前記大面積光起電力デバイスのインジ
ウムスズ酸化物露出面に付与した。次いで該デバイスを
マイルド洗剤で洗浄し、すすぎ、共通電導基板に電気接
点を設け、スルファミノ酸中に浸漬した（前記２実施例
と同様の方法）。前述の実施例と同様にこのデバイスを
温度４０ｔＺ’。

ｐＨ約４のスルファミン酸ニッケル電気メツキ浴中に配
置し、照射した。−１ｖのバイアス電圧で２５ｒｔ＋Ａ
の電流を約１分間該デバイスに導通した結果１５ｍＡ／
ｉの密度の電流が該デバイスのマスクされていない部分
に流れた。通電と照射とを停止し、試料を脱イオン水で
洗浄し、その後ｐＨ約１の室温の硫酸銅メッキ浴に浸漬
した。この光起電力デバイスを再び照射し、−０，２５
Ｖのバイアス電圧で２５ｍＡの電流を１分間導通した。

通電と照射とを停止し、試料を脱イオン水で洗浄し、先
に使用したスルファミン酸ニッケル浴中に再び浸漬して
照射した。−ＩＶのバイアス電圧で２５ｍＡの電流を１
分間導通した。該デバイスを電流源から遮断し、洗浄し
乾燥させた。このようにして光起電力デバイスのインジ
ウムスズ酸化物露出面にデポジットさね、たニッケル／
銅／ニッケル３層グリッドノ９ターンは密着力が大きく
、導電性に優れ且つ滑らかな表面を有していた。実施例
１及び２と同様に該大面積光起電力デバイスの小面積光
電池は損傷しなかった。

実施例　４ この実施例では予め単一アモルファスシリコンｐｉｎ　
形デバイスへデポジットしておいた鉄製電極層に７９タ
ーンを陽極酸化によってデポジットした。

前記デバイスをアセトンで洗浄し、　ＭｃＤｅｒｍｉｄ
Ｃｏｒｐｏｒａｔ１ｏｎ製造のＭａｃｕ　Ｍａｓｋ　９
２５１−　Ｍを用いて鉄製電極層の露出面にレジス）／
ｅターンを付与した。この面のレジスト／ｑターンで被
覆されない部分が陽極酸化される鉄電極部分を規定する
。レジスト材料でコーティングされたデバイスを５０Ｃ
の０．５モルＦｅＣノコ水溶液に１０分間浸漬した。

次いで室温のｌＯ△Ｃｒａｍ水溶液酸化浴中にデバイス
を配置し、約５ｃｒｒ１の距離をおいて配置した５００
Ｗタングステンーノ−ロデン電球により照射した。

５０　ｍＡの陽極酸化電流を３０分間デ、？イスに導通
した結果、約２０ｍＡ／ｉの密度のコーティング電流が
該ｐｎ接合デバイスのマスクキングされていない部分に
流れた。陽極酸化反応終了後照射と通電とを停止し、デ
バイスを電解液から取出して洗浄した。この処理の結果
′デバイスのマスクキングされていない部分に厚み０２
μｍの酸化鉄コーディングが形成された。

本発明では金、銀、クロムの如き他の材料及び類似の酸
化物コーティング、窒化物コーティング等を陽極的に半
導体層へ電気コーティングすることもできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は複数のｐｌｎ形セルからなるタンデム光電池の
部分横断面図、第２図は導電グリッドパターンを有する
複数の互に分離した小面積セルからなる大面積光起電力
デバイスの部分平面図、第３図は半導体ボディを予選択
／９ターンで電気コーティングするデバイスの簡略説明
ｒＡ第４Ａ図は第１図の光電池のｐｉｎ接合の如き半導
体接合の未照射状態での電気的特性を示す電流対電圧グ
ラフ、第４Ｂ図は２種類の異なる強さで照射した場合の
第１図の光電池のｐｌｎ接合の如き半導体−合の笥１気
的特性を示す電流対電圧グラフ、第５Ａ図は細長い半導
体デバイスウェブを予選択ノリーンで連続的に電気コー
ティングするデバイスの斜視図、酊５Ｂ図は第５Ａ図の
デバイスの電気コーティングステーションの正面断面図
、第６Ａ図、第６Ｂ図、第６Ｃ図、第６Ｄ図及び第６Ｅ
図は本発明の方法によ〔す１連続均質層、不連続均質層
、連続不均質層及び不連続不均質層で夫々電気コーティ
ングされた半導体ボディの部分断面図である。 ｌＯ・・・ｐｌｎ形光起電力デバイス、１１・・・基板
、１２　ａ　−１２ｃ　−ｐｌｎ形セル、２２．２８−
・・酸化物層、２４・・・金属グリッド、１２・・・半
導体層、２５・・・コネクタ、３０・・・バスバー、３
２・・・ｐｎ接合デバイス、別・・・ｐ形半導体層、３
６・・・ｎ形半導体層、３８・・・ｐｎ接合、４０・・
・予選択、Ｑターン、４８・・・対電極、４６・・・電
解液、５０・・・バッテリ、５６・・・光　源、６８ａ
・・・繰出しロール、６８ｂ・・・巻取りロール、７０
・・・半導体デバイスウェブ、７２°・・マスキングス
テーション、７４・・・電気コーティングステーション
、７６・・・マスク除去ステーション、８０・・・電解
質溶液、８４ａ、８４ｂ・・・ガイドローラ、８６・・
・半導体デバイス、８８・・・均質層、９２・・・不均
質層。 Ｆ／Ｇ２ ｈσ４Ａ　ｈσ４Ｂ ＩＧ　５４ ＩＧ５Ｂ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）互に対向する第１及び第２表面を備えこれら第１
   及び第２表面間に位置する光感応接合を含む半導体デバ
   イスの第１表面を任意の材料で電気コーティングするた
   めの方法であって、前記半導体デバイスを電解液に浸漬
   し該デバイスの第１表面に光を照射して前記接合を活性
   化させることからなり、外部電流源を前記第２表面と前
   記電解液浴との間に接続し、活性化した前記光感応接合
   によって電流が前記第２表面から第１表面へと該デバイ
   スの損傷を伴うことなく流れるようにすることを特徴と
   する方法。 （２）　前記半導体デバイスの第１表面に前記材料を電
   気メッキすることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
   記載の方法。 （３）　前記半導体デバイスの第１表面を陽極酸化処理
   することにより該表面に酸化ノ９ターンを形成すること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。 （４）　複数の層を頴次デポジットして電気コーティン
   グを行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載の方法。 （５〕　電気コーティングデポジットを受容するための
   予選択パターンを規定すべく前記第１表面に非連続的電
   気コーティングレジスト層をデポジットすることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。 （６）前記第１表面を電気コーティングした後、電気コ
   ーティング予選択、ｅターンに対応する前記電気コーテ
   ィング部分に耐エツチング試薬膜をデポジットし、次い
   でこの耐エツチング試薬膜で被覆されていない前記電気
   コーティング部分をエツチング処理することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項に記載の方法。 （７）前記第２表面を構成する細長い基板材料ウェブ上
   に前記半導体デバイスを配置し、このウェブを継続的に
   移動させて前記電解液中に導入し、該ウェブの該電解液
   通過時間と比例する厚みの電気コーティングデポジット
   を該半導体デバイスーヒに形成することを特徴とする特
   許請求の範囲第１項に記載の方法。 （８）　半導体デバイスの照射の強さと持続時間とを制
   御することにより前記電気コーティングデポジットの厚
   みを調整することを特徴とする特許請求の範囲第１項を
   と記載の方法。 （９）　前記菓１表面に７耐ターン状電気コーテイング
   デポジツトを形成すべく該第１表面上の予選択／ぐター
   ン像に対応する第１表面部分のみを照射することを特徴
   とする特許請求の範囲第１項ｌこ記載の方法。 帥　前記第２表面を構成する細長い基板材料ウェブ上に
   前記半導体デバイスを配置し、該ウェブを継続的に移動
   させて前記電解液に通し、この間前記照射像をこの移動
   ウェブに対して位置合わせしておくことを特徴とする特
   許請求の範囲第９項に記載の方法。