JPH0648832Y2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0648832Y2 JPH0648832Y2 JP1988105702U JP10570288U JPH0648832Y2 JP H0648832 Y2 JPH0648832 Y2 JP H0648832Y2 JP 1988105702 U JP1988105702 U JP 1988105702U JP 10570288 U JP10570288 U JP 10570288U JP H0648832 Y2 JPH0648832 Y2 JP H0648832Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electromagnetic coil
- case
- generation chamber
- plasma generation
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、プラズマ処理装置の電磁コイルの改良に関す
るものである。
るものである。
第5図は、半導体製造装置等に利用される電子サイクロ
トロン共鳴による有磁場マイクロ波放電を用いた従来の
プラズマ処理装置の概略構成図であつて、マグネトロン
1により発生した2.45GHzのマイクロ波を導波管2を通
してプラズマ生成室3に進行させる。このプラズマ生成
室3の内部には、プラズマ生成室3の外周に配置され、
かつ環状ケース5内に収納されて冷却用媒体4を充填し
た電磁コイル6により、マイクロ波の進行方向と平行な
磁場が形成されるとともに、プラズマ生成室3内で生成
されたイオンを、反応室7内の試料8に投射させるよう
になつている。
トロン共鳴による有磁場マイクロ波放電を用いた従来の
プラズマ処理装置の概略構成図であつて、マグネトロン
1により発生した2.45GHzのマイクロ波を導波管2を通
してプラズマ生成室3に進行させる。このプラズマ生成
室3の内部には、プラズマ生成室3の外周に配置され、
かつ環状ケース5内に収納されて冷却用媒体4を充填し
た電磁コイル6により、マイクロ波の進行方向と平行な
磁場が形成されるとともに、プラズマ生成室3内で生成
されたイオンを、反応室7内の試料8に投射させるよう
になつている。
第2図は、第5図に示すケース及び電磁コイル部分の縦
断面図であつて、ケース5は通常、非磁性材料(例えば
ステンレス)のみで製作されているので、電磁コイル6
で形成される磁束の磁路は、冷却用媒体4,ケース5,空気
及び真空等になるので、強い磁場を発生させるには、大
きな電流が必要である。また、コイル6の外部へ多量の
磁束が漏れ出すために、周辺機器及び反応室7内の試料
8に対する処理条件に悪影響を及ぼす。
断面図であつて、ケース5は通常、非磁性材料(例えば
ステンレス)のみで製作されているので、電磁コイル6
で形成される磁束の磁路は、冷却用媒体4,ケース5,空気
及び真空等になるので、強い磁場を発生させるには、大
きな電流が必要である。また、コイル6の外部へ多量の
磁束が漏れ出すために、周辺機器及び反応室7内の試料
8に対する処理条件に悪影響を及ぼす。
そこで、前述した問題を解決するために、第3図に示す
ように、適当な厚み及び幅を有する強磁性材料からなる
「コ」字状のヨーク9を、ケース5の周方向に沿つて、
適宜の間隔で挿設することが考えられ、その挿設状態を
第4図に示す。したがつて、この場合の磁束の磁路はヨ
ーク9中となるので、磁路の磁気抵抗が小さくなり、よ
り小さな電流で強い磁場を形成させることができ、また
磁束の漏れがなくなる。しかし、ヨーク9を付加したこ
とにより、装置の寸法が大きくなり、またコストアツプ
になる。
ように、適当な厚み及び幅を有する強磁性材料からなる
「コ」字状のヨーク9を、ケース5の周方向に沿つて、
適宜の間隔で挿設することが考えられ、その挿設状態を
第4図に示す。したがつて、この場合の磁束の磁路はヨ
ーク9中となるので、磁路の磁気抵抗が小さくなり、よ
り小さな電流で強い磁場を形成させることができ、また
磁束の漏れがなくなる。しかし、ヨーク9を付加したこ
とにより、装置の寸法が大きくなり、またコストアツプ
になる。
上記の問題点を解決するために、本考案においては、マ
イクロ波を用いた電子サイクロトロン共鳴により、プラ
ズマを発生させるプラズマ生成室と、プラズマ生成室内
に磁場を形成させるためにその外周に配置され、かつ環
状ケース内に収納されて冷却用媒体を充填した電磁コイ
ルとを備えたプラズマ処理装置において、環状ケースは
プラズマ生成室と電磁コイルとの間に位置する部分のケ
ース部材が非磁性材料からなり、かつプラズマ生成室と
電磁コイルとの間に位置する部分以外のケース部材が強
磁性材料からなることを特徴としている。
イクロ波を用いた電子サイクロトロン共鳴により、プラ
ズマを発生させるプラズマ生成室と、プラズマ生成室内
に磁場を形成させるためにその外周に配置され、かつ環
状ケース内に収納されて冷却用媒体を充填した電磁コイ
ルとを備えたプラズマ処理装置において、環状ケースは
プラズマ生成室と電磁コイルとの間に位置する部分のケ
ース部材が非磁性材料からなり、かつプラズマ生成室と
電磁コイルとの間に位置する部分以外のケース部材が強
磁性材料からなることを特徴としている。
第1図は、本考案にプラズマ処理装置の要部縦断面図で
あつて、電磁コイル6を収納するケース5は、非磁性材
料と強磁性材料とから構成されており、プラズマ生成室
3と電磁コイル6との間に位置する部分のケース部材5a
は非磁性材料(例えばステンレス)からなり、その形状
は円筒状になつている。また、プラズマ生成室3と電磁
コイル6との間に位置する部分以外のケース部材5bは強
磁性材料(例えば軟鉄)からなり、その縦断面形状は
「コ」字状で、全体は概略的にドーナツ状になつてお
り、このケース部材5bの厚さは、電磁コイル6の外部に
流れる磁束量に応じて適宜選定すればよい。
あつて、電磁コイル6を収納するケース5は、非磁性材
料と強磁性材料とから構成されており、プラズマ生成室
3と電磁コイル6との間に位置する部分のケース部材5a
は非磁性材料(例えばステンレス)からなり、その形状
は円筒状になつている。また、プラズマ生成室3と電磁
コイル6との間に位置する部分以外のケース部材5bは強
磁性材料(例えば軟鉄)からなり、その縦断面形状は
「コ」字状で、全体は概略的にドーナツ状になつてお
り、このケース部材5bの厚さは、電磁コイル6の外部に
流れる磁束量に応じて適宜選定すればよい。
ケース5をこのような構成にして、環状の電磁コイル6
を2分割されるケース部材5b側に収納し、このケース部
材5bの開口部にケース部材5aを重ね合せ、すべての継目
を溶接して接合を行つた後、コイル6を収納したケース
5を、プラズマ生成室3の外周に配置する。
を2分割されるケース部材5b側に収納し、このケース部
材5bの開口部にケース部材5aを重ね合せ、すべての継目
を溶接して接合を行つた後、コイル6を収納したケース
5を、プラズマ生成室3の外周に配置する。
また、コイル6を冷却するために、ケース5内に冷却用
媒体4(例えば油等)を充填し、装置稼働中はケース5
の上部に設けられた冷却用媒体給排口10,10を通して、
冷却用媒体4を循環させている。
媒体4(例えば油等)を充填し、装置稼働中はケース5
の上部に設けられた冷却用媒体給排口10,10を通して、
冷却用媒体4を循環させている。
以上のように、本考案によれば、より小さな電流で強い
磁場を形成させることができ、また磁束の漏れがないの
で、周辺機器及び反応室内の処理条件に悪影響を及ぼす
ことがなくなる。
磁場を形成させることができ、また磁束の漏れがないの
で、周辺機器及び反応室内の処理条件に悪影響を及ぼす
ことがなくなる。
さらに、電磁コイルを冷却しつつ小さな電流で磁場を形
成させるプラズマ処理装置の小型・軽量化が図られると
ともに、材料費・加工手間の低減になる。
成させるプラズマ処理装置の小型・軽量化が図られると
ともに、材料費・加工手間の低減になる。
第1図は本考案のプラズマ処理装置の要部縦断面図、第
2図は第4図に示すケース及び電磁コイルの縦断面図、
第3図はヨークの斜視図、第4図は第5図に示すケース
及び電磁コイル部分とこれらの外周に挿設したヨーク部
分の縦断面図、第5図は従来のプラズマ処理装置を示す
概略構成図である。 3……プラズマ生成室、4……冷却用媒体、5……ケー
ス、5a,5b……ケース部材、6……電磁コイル。
2図は第4図に示すケース及び電磁コイルの縦断面図、
第3図はヨークの斜視図、第4図は第5図に示すケース
及び電磁コイル部分とこれらの外周に挿設したヨーク部
分の縦断面図、第5図は従来のプラズマ処理装置を示す
概略構成図である。 3……プラズマ生成室、4……冷却用媒体、5……ケー
ス、5a,5b……ケース部材、6……電磁コイル。
Claims (1)
- 【請求項1】マイクロ波を用いた電子サイクロトロン共
鳴により、プラズマを発生させるプラズマ生成室と、前
記プラズマ生成室内に磁場を形成させるためにその外周
に配置され、かつ環状ケース内に収納されて冷却用媒体
を充填した電磁コイルとを備えたプラズマ処理装置にお
いて、 前記環状ケースは前記プラズマ生成室と電磁コイルとの
間に位置する部分のケース部材が非磁性材料からなり、
かつ前記プラズマ生成室と電磁コイルとの間に位置する
部分以外のケース部材が強磁性材料からなるプラズマ処
理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988105702U JPH0648832Y2 (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988105702U JPH0648832Y2 (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0227726U JPH0227726U (ja) | 1990-02-22 |
JPH0648832Y2 true JPH0648832Y2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=31338555
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1988105702U Expired - Lifetime JPH0648832Y2 (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0648832Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0666296B2 (ja) * | 1985-09-20 | 1994-08-24 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
JPS62197847U (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-16 |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP1988105702U patent/JPH0648832Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0227726U (ja) | 1990-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5308417A (en) | Uniformity for magnetically enhanced plasma chambers | |
JP2003510780A (ja) | 大きい領域を有するプラズマ源における均一ガス分布 | |
US5111494A (en) | Magnet for use in a drift tube of an x-ray tube | |
US4912445A (en) | Electromagnet with a magnetic shield | |
JPH0648832Y2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2007224343A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
JPS6132779B2 (ja) | ||
JPH0530287B2 (ja) | ||
JPS62152127A (ja) | プラズマ装置 | |
JPS62169311A (ja) | Nmrイメ−ジング用超伝導磁石装置 | |
JP2801096B2 (ja) | イオン源 | |
JPH0728719Y2 (ja) | 高周波多重極線形加速器 | |
JPH0722841Y2 (ja) | マグネトロン | |
JPH0557798U (ja) | 磁場の発生装置 | |
JP2808722B2 (ja) | 偏向ヨーク | |
JPS63170832A (ja) | イオンビ−ム装置 | |
JPS63131448A (ja) | 分析電磁石装置 | |
JP3177552B2 (ja) | フォトマスク用ドライエッチング装置 | |
JPH01294859A (ja) | 対向ターゲツト式スパツタリング装置 | |
KR100609960B1 (ko) | 마그네트론 | |
JP3159502B2 (ja) | マグネトロン装置 | |
JP3515943B2 (ja) | 誘導加熱用二重容器 | |
JPH0233842A (ja) | 超伝導電子レンズ | |
JPH0574355A (ja) | マグネトロン | |
JPH02273323A (ja) | 強磁性体のスパツタリング装置 |