JPH0557798U - 磁場の発生装置 - Google Patents
磁場の発生装置Info
- Publication number
- JPH0557798U JPH0557798U JP46592U JP46592U JPH0557798U JP H0557798 U JPH0557798 U JP H0557798U JP 46592 U JP46592 U JP 46592U JP 46592 U JP46592 U JP 46592U JP H0557798 U JPH0557798 U JP H0557798U
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- JP
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ閉じ込めに有利な極小磁場配位をＥ
ＣＲ加熱条件の磁場の範囲を広げる事により、高温，高
密度のＥＣＲプラズマ発生装置を得る。 【構成】 ＥＣＲプラズマ発生装置は磁性材料で作った
りリターンヨークで覆ったソレノイドコイルを高真空チ
ャンバーに適当な数並べる。
ＣＲ加熱条件の磁場の範囲を広げる事により、高温，高
密度のＥＣＲプラズマ発生装置を得る。 【構成】 ＥＣＲプラズマ発生装置は磁性材料で作った
りリターンヨークで覆ったソレノイドコイルを高真空チ
ャンバーに適当な数並べる。
Description
【０００１】
この考案は、ＥＣＲ加熱処理により発生するプラズマを閉じ込めるための極小 磁場配位とＥＣＲ加熱条件の磁場配位を得る方法及び同方法を用いた、ＥＣＲイ オン源及びＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に関するものである。
【０００２】
図１は従来のＥＣＲプラズマ発生装置として代表的なものである。図において １はＥＣＲプラズマを閉じ込めるためのミラー磁場を発生するための空心ソレノ イドコイルである。２はプラズマを加熱するのに用いるマイクロ波を導入するマ イクロ波回路である。３は高真空チェンバーである。
【０００３】 次に動作について説明する。３の高真空チャンバーには１の空心ソレノイドコ イルに適当な電流を印加することによりミラー磁場が形成される。３の中に適当 な圧力に保たれたガスを導入し、そこに２によって３の内部にマイクロ波電力を 印加する。チャンバーの磁場により電子はサイクロトロン運動をしており、この サイクロトロン運動の振動数とマイクロ波周波数が同期する位置で電子は加熱さ れる。 上記の原理により高エネルギーとなった電子がガス原子と衝突することにより 、プラズマが発生する。発生したプラズマは３のチャンバー内に１によって形成 されたミラー磁場によって閉じ込められている。
【０００４】
従来のＥＣＲプラズマ発生装置は以上のように構成されているので、プラズマ 閉じ込めに有利な極小磁場配位を実現していない。また、ＥＣＲ加熱条件の磁場 の範囲が限られていたなどの問題があった。
【０００５】 この考案は上記のような問題点を解消するためになされたもので、プラズマ閉 じ込めに有利な極小磁場配位とＥＣＲ加熱条件の磁場の範囲を広げる事により、 高温、高密度のＥＣＲプラズマ発生装置を提供することを目的とする。
【０００６】
この考案に係るＥＣＲプラズマ発生装置は、磁場材料で作ったリターンヨーク で覆ったソレノイドコイルを、高真空チャンバーに適当な数並べる事により作っ たものである。
【０００７】
この考案におけるＥＣＲプラズマ発生装置は、リターンヨークの付いたコイル を適当数並べる事により、真空チャンバーの周囲に配置した事により、極小磁場 配位を実現し、ＥＣＲ加熱条件の磁場の範囲を広げる事ができる。
【０００８】
図２は本考案を実現する、ＥＣＲプラズマ発生装置である。図２において４は リターンヨークで覆ったコイル、５は高真空チェンバー、６はプラズマ加熱に用 いるマイクロ波回路である。７は空心ソレノイドコイルである。 実施例１． 次に動作について説明する。７で発生するミラー磁場配位に４で発生する磁場 を重畳する。これにより７のみで発生する磁場配位で得られるＥＣＲ加熱条件の 磁場に加え、４のコイルを適当な電流で励磁することにより得られるＥＣＲ加熱 条件の磁場が加わる。また４の形状のコイルは、コイル内側に設けた空隙に磁束 が集中して漏洩するのでコイル中心軸に比べ、コイル内側面側の磁束密度が大き くなるので、極小磁場配位を５のチャンバー内に実現する。
【０００９】 実施例２． 実施例１のプラズマ発生装置を用いたイオン源。
【００１０】 実施例３． 実施例１のプラズマ発生装置の真空チャンバー部に紫外線取り出し用のボート を付け加えた、プラズマＣＶＤ装置。
【００１１】
実施例１のプラズマ発生装置を用いることにより、プラズマの閉じ込め効果の 高いＥＣＲプラズマ発生装置が得られる。 実施例１のプラズマ発生装置はＥＣＲ加熱領域が広いので低出力のマイクロ波 回路で高温・高密度のプラズマが得られる。 実施例２のイオン源を用いることにより大電流で多価のイオン電流が得られる 。 実施例３のプラズマＣＶＤ装置を用いることにより、大強度の紫外線源が得ら れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来例のＥＣＲプラズマ発生装置である。
【図２】この考案の実施例を示すＥＣＲプラズマ発生装
置である。
置である。
４ リターンヨーク付コイル ５ 高真空チャンバー ６ マイクロ波回路 ７ 空心ソレノイドコイル
Claims (1)
- 【請求項１】 ＥＣＲプラズマにおける、プラズマ閉じ
込めのための磁場、及びＥＣＲ加熱のための共鳴磁場の
発生に関する装置において、プラズマを閉じ込めるため
の極小磁場配位、およびＥＣＲ加熱条件の磁場を、従来
のソレノイドコイルに加えて、特殊な形状の強磁性材料
を用いたリターンヨークで覆ったコイルを追加すること
により得る磁場の発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP46592U JPH0557798U (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 磁場の発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP46592U JPH0557798U (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 磁場の発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0557798U true JPH0557798U (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11474550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP46592U Pending JPH0557798U (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 磁場の発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0557798U (ja) |
-
1992
- 1992-01-10 JP JP46592U patent/JPH0557798U/ja active Pending
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