JPH0648509A - 密閉容器のガスパージ方法 - Google Patents
密閉容器のガスパージ方法Info
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- JPH0648509A JPH0648509A JP20267092A JP20267092A JPH0648509A JP H0648509 A JPH0648509 A JP H0648509A JP 20267092 A JP20267092 A JP 20267092A JP 20267092 A JP20267092 A JP 20267092A JP H0648509 A JPH0648509 A JP H0648509A
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- Japan
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- sealed container
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- container
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡便な手段で、容器内表面や容器収納物表面
の付着残留気体分子を確実に除去してガスパージするこ
とができる密閉容器のガスパージ方法を提供することを
目的とする。 【構成】 密閉容器１内を不活性ガスでガスパージする
場合に、密閉容器内の吸着・吸蔵気体や液体を熱５１に
より脱離させて上記ガスパージを行なうことを特徴とす
る。
の付着残留気体分子を確実に除去してガスパージするこ
とができる密閉容器のガスパージ方法を提供することを
目的とする。 【構成】 密閉容器１内を不活性ガスでガスパージする
場合に、密閉容器内の吸着・吸蔵気体や液体を熱５１に
より脱離させて上記ガスパージを行なうことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、クリーンルームに用い
られる可搬式密閉コンテナ等のガスパージ方法に関す
る。
られる可搬式密閉コンテナ等のガスパージ方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体の製造は、内部雰囲気を
清浄化したクリーンルーム内において行なわれるが、ク
リーンルーム内での工程間搬送は、半導体ウエハへの塵
埃の付着を防ぐために当該半導体ウエハを収納したウエ
ハカセットを可搬式の密閉コンテナに収納して行なう。
清浄化したクリーンルーム内において行なわれるが、ク
リーンルーム内での工程間搬送は、半導体ウエハへの塵
埃の付着を防ぐために当該半導体ウエハを収納したウエ
ハカセットを可搬式の密閉コンテナに収納して行なう。
【０００３】更に、近年、半導体ウエハの自然酸化によ
る酸化膜の成長を防止するために、上記密閉コンテナの
内部雰囲気を窒素Ｎ2 ガス等の不活性ガスで置換するよ
うにしている。
る酸化膜の成長を防止するために、上記密閉コンテナの
内部雰囲気を窒素Ｎ2 ガス等の不活性ガスで置換するよ
うにしている。
【０００４】このＮ2 ガスパージ機能を備えた密閉コン
テナの１例を図２に示す。同図において、１０は可搬式
の密閉コンテナ（ＰＯＤ）１の本体、１１は本体１０の
開口部１２に設けられたフランジ、１３はシール材、１
４は把手、２０は密閉コンテナの蓋、３０は半導体ウエ
ハＷを収納したウエハカセットである。４０は半導体の
表面処理装置の密閉型のケースであって、図示しない表
面処理用の反応炉や昇降装置を含む搬送機構等を収納し
ている。４２はウエハカセット出し入れ用の開口であっ
て、ケース４０の上壁４１の一部に設けられている。こ
の上壁４１には、一端が開口４２の周面に開口し、他端
が不活性ガスボンベ（この例ではＮ2 ガスボンベ）５０
に接続される給ガス管４４Ａが設けられるとともに、一
端が開口４２の周面に開口し、他端がボツクス外に開口
する排ガス管４４Ｂが設けられている。４５ａは給気
弁、４５Ｂは排気弁である。４６は上記昇降装置の昇降
台であって、開口４２内に、当該開口４２の周面との間
に隙間Ｇを残して嵌入可能な大きさを有している。な
お、密閉型のケース４０内は、窒素Ｎ2 ガス雰囲気であ
り、大気圧以上に予圧されている。
テナの１例を図２に示す。同図において、１０は可搬式
の密閉コンテナ（ＰＯＤ）１の本体、１１は本体１０の
開口部１２に設けられたフランジ、１３はシール材、１
４は把手、２０は密閉コンテナの蓋、３０は半導体ウエ
ハＷを収納したウエハカセットである。４０は半導体の
表面処理装置の密閉型のケースであって、図示しない表
面処理用の反応炉や昇降装置を含む搬送機構等を収納し
ている。４２はウエハカセット出し入れ用の開口であっ
て、ケース４０の上壁４１の一部に設けられている。こ
の上壁４１には、一端が開口４２の周面に開口し、他端
が不活性ガスボンベ（この例ではＮ2 ガスボンベ）５０
に接続される給ガス管４４Ａが設けられるとともに、一
端が開口４２の周面に開口し、他端がボツクス外に開口
する排ガス管４４Ｂが設けられている。４５ａは給気
弁、４５Ｂは排気弁である。４６は上記昇降装置の昇降
台であって、開口４２内に、当該開口４２の周面との間
に隙間Ｇを残して嵌入可能な大きさを有している。な
お、密閉型のケース４０内は、窒素Ｎ2 ガス雰囲気であ
り、大気圧以上に予圧されている。
【０００５】上記密閉コンテナの蓋２０は中空体であっ
て、例えば図３に示すような錠機構を有している。２４
はカムで、２５は板状のロックアームであって、転動子
２５ａを有し、長手方向進退可能かつ傾倒可能に片持ち
支持されている。２６は支点部材、２７はばねである。
カム軸２８は昇降台４６の上壁中央から蓋２０内に伸
び、昇降台４６上に蓋２０が同心に載置された時にカム
４４とスプライン係合する。昇降台４６はカム軸２８を
所定角度だけ回動するカム軸駆動機構２９を内蔵してお
り、このカム軸駆動機構２９とカム軸２８は解錠／施錠
機構を構成している。なお、本体１０の開口部１２の内
周面には、ロックアーム２５が係合する凹所１２Ａが形
成されている。
て、例えば図３に示すような錠機構を有している。２４
はカムで、２５は板状のロックアームであって、転動子
２５ａを有し、長手方向進退可能かつ傾倒可能に片持ち
支持されている。２６は支点部材、２７はばねである。
カム軸２８は昇降台４６の上壁中央から蓋２０内に伸
び、昇降台４６上に蓋２０が同心に載置された時にカム
４４とスプライン係合する。昇降台４６はカム軸２８を
所定角度だけ回動するカム軸駆動機構２９を内蔵してお
り、このカム軸駆動機構２９とカム軸２８は解錠／施錠
機構を構成している。なお、本体１０の開口部１２の内
周面には、ロックアーム２５が係合する凹所１２Ａが形
成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、近年で
は、窒素Ｎ2 ガスを充満した密閉コンテナに上記ウエハ
カセットを入れて搬送・保管するようにしているが、密
閉コンテナ内を窒素Ｎ2 ガス等の不活性ガスで置換する
程度では、当該密閉コンテナの内表面や、ウエハカセッ
ト、このウエハカセットに収納したカセットの表面に付
着したＨ2 ＯやＯ2（以下、吸着・吸蔵気体や液体）を
除去することができないので、自然酸化による酸化膜の
形成が生じ、歩留りが低下する。
は、窒素Ｎ2 ガスを充満した密閉コンテナに上記ウエハ
カセットを入れて搬送・保管するようにしているが、密
閉コンテナ内を窒素Ｎ2 ガス等の不活性ガスで置換する
程度では、当該密閉コンテナの内表面や、ウエハカセッ
ト、このウエハカセットに収納したカセットの表面に付
着したＨ2 ＯやＯ2（以下、吸着・吸蔵気体や液体）を
除去することができないので、自然酸化による酸化膜の
形成が生じ、歩留りが低下する。
【０００７】本発明はこの問題を解消するためになされ
たもので、簡便な手段で、容器内吸着・吸蔵気体や液体
を確実に除去してガスパージすることができる密閉容器
のガスパージ方法を提供することを目的とする。
たもので、簡便な手段で、容器内吸着・吸蔵気体や液体
を確実に除去してガスパージすることができる密閉容器
のガスパージ方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、請求項１では、密閉容器内を不活性ガスでガ
スパージする場合に、密閉容器内の吸着・吸蔵気体や液
体を熱により脱離させて上記ガスパージを行なう構成と
した。
するため、請求項１では、密閉容器内を不活性ガスでガ
スパージする場合に、密閉容器内の吸着・吸蔵気体や液
体を熱により脱離させて上記ガスパージを行なう構成と
した。
【０００９】請求項２では、脱離は、不活性ガスを高温
にして行なう構成とした。
にして行なう構成とした。
【００１０】請求項３では、脱離は、不活性ガスを高温
にして行ない、後に常温の不活性ガスに切り換える構成
とした。
にして行ない、後に常温の不活性ガスに切り換える構成
とした。
【００１１】請求項４では、密閉容器は、クリーンルー
ムで半導体ウエハを収納する可搬式の密閉コンテナであ
ることを特徴とする。
ムで半導体ウエハを収納する可搬式の密閉コンテナであ
ることを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明では、容器の内壁や、容器収納物の表面
の吸着・吸蔵気体や液体が熱により脱離・除去される。
の吸着・吸蔵気体や液体が熱により脱離・除去される。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の１実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【００１４】図１において、５１は給ガス管４４Ａを取
り巻くヒータ、５２はヒータ電源（例えば、可制御整流
装置）、５３は交流電源、５４は温度制御器である。こ
の温度制御器５４は給気ガス管４４Ａ内の温度θｆを設
定温度θｒと比較して両者の偏差が０になるようにヒー
タ電源５４の出力を制御する。他の構成は前記従来のも
のと同じである。
り巻くヒータ、５２はヒータ電源（例えば、可制御整流
装置）、５３は交流電源、５４は温度制御器である。こ
の温度制御器５４は給気ガス管４４Ａ内の温度θｆを設
定温度θｒと比較して両者の偏差が０になるようにヒー
タ電源５４の出力を制御する。他の構成は前記従来のも
のと同じである。
【００１５】この構成においては、ＰＯＤ１０内の雰囲
気は、最初、温度θｒのＮ2 ガス（ホットガス）で置換
される。この温度θｒは、前記したＨ2 ＯやＯ2 が気化
（蒸発）するに足る温度に設定してあるので、ＰＯＤ１
の本体１０の内壁、蓋２０の内面、ウエハカセットの表
面、ウエハＷの表面に付着していた残留気体分子（Ｈ2
ＯやＯ2 等）が気化し、排気管４４Ｂから外部に排出さ
れる。
気は、最初、温度θｒのＮ2 ガス（ホットガス）で置換
される。この温度θｒは、前記したＨ2 ＯやＯ2 が気化
（蒸発）するに足る温度に設定してあるので、ＰＯＤ１
の本体１０の内壁、蓋２０の内面、ウエハカセットの表
面、ウエハＷの表面に付着していた残留気体分子（Ｈ2
ＯやＯ2 等）が気化し、排気管４４Ｂから外部に排出さ
れる。
【００１６】本実施例では、ＰＯＤ１内へ上記ホットガ
スを一定時間供給したのち、ヒータ電源１２の出力を停
止し、以後、常温のＮ2 ガスによるガスパージを行なわ
せる。
スを一定時間供給したのち、ヒータ電源１２の出力を停
止し、以後、常温のＮ2 ガスによるガスパージを行なわ
せる。
【００１７】本実施例では、上記ホットガスで付着残留
気体分子（Ｈ2 ＯやＯ2 等）を気化させているが、ＰＯ
Ｄ１を外から温めて、内部雰囲気を昇温させるようにし
てもよいことは勿論である。この場合、ＰＯＤ１がプラ
スチック製であると、これには断熱効果があるので、強
力な熱源が必要になる。
気体分子（Ｈ2 ＯやＯ2 等）を気化させているが、ＰＯ
Ｄ１を外から温めて、内部雰囲気を昇温させるようにし
てもよいことは勿論である。この場合、ＰＯＤ１がプラ
スチック製であると、これには断熱効果があるので、強
力な熱源が必要になる。
【００１８】本実施例では、付着残留気体分子を熱によ
り気化・除去するから、負圧にしてこの付着残留気体分
子を気化させる場合のように真空源を必要としない場合
に比し、安価な費用で、付着残留気体分子を気化・除去
することができる。
り気化・除去するから、負圧にしてこの付着残留気体分
子を気化させる場合のように真空源を必要としない場合
に比し、安価な費用で、付着残留気体分子を気化・除去
することができる。
【００１９】ウエハを収納する密閉コンテナや、クリー
ンルーム内で使用される容器に、本実施例を実施した場
合には、容器内表面や、ウエハカセット、このウエハカ
セットに収納したカセットの表面に付着したＨ2 ＯやＯ
2 を除去することができるので、自然酸化による酸化膜
の形成を低減し、歩留りが向上する。
ンルーム内で使用される容器に、本実施例を実施した場
合には、容器内表面や、ウエハカセット、このウエハカ
セットに収納したカセットの表面に付着したＨ2 ＯやＯ
2 を除去することができるので、自然酸化による酸化膜
の形成を低減し、歩留りが向上する。
【００２０】
【発明の効果】本発明は以上説明した通り、付着残留気
体分子を熱により気化・除去するから、簡便な手段で、
確実に、付着残留気体分子を除去し、ガスパージ効果を
従来に比し、大幅に向上することができる。
体分子を熱により気化・除去するから、簡便な手段で、
確実に、付着残留気体分子を除去し、ガスパージ効果を
従来に比し、大幅に向上することができる。
【図１】本発明の実施例を示す概略構成図である。
【図２】従来の可搬式密閉コンテナを示す図でる。
【図３】上記可搬式密閉コンテナの施錠機構を示す図で
ある。
ある。
１ 密閉コンテナ １０ 密閉コンテナの本体 ２０ 密閉コンテナの蓋 ３０ ウエハカセット ４０ 半導体の表面処理装置の密閉ケース ４２ 開口 ４６ 昇降台 ５０ ガスボンベ ５１ ヒータ ５２ ヒータ電源 ５３ 交流電源 ５４ 温度制御器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森田 日也 三重県伊勢市竹ケ鼻町100番地 神鋼電機 株式会社伊勢製作所内 (72)発明者 河野 等 三重県伊勢市竹ケ鼻町100番地 神鋼電機 株式会社伊勢製作所内 (72)発明者 林 満弘 三重県伊勢市竹ケ鼻町100番地 神鋼電機 株式会社伊勢製作所内 (72)発明者 奥野 敦 三重県伊勢市竹ケ鼻町100番地 神鋼電機 株式会社伊勢製作所内 (72)発明者 中村 昭生 三重県伊勢市竹ケ鼻町100番地 神鋼電機 株式会社伊勢製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 密閉容器内を不活性ガスでガスパージす
る場合に、密閉容器内の吸着・吸蔵気体や液体を熱によ
り脱離させて上記ガスパージを行なうことを特徴とする
密閉容器のガスパージ方法 - 【請求項２】 脱離は、不活性ガスを高温にして行なう
ことを特徴とする請求項１記載の密閉容器のガスパージ
方法。 - 【請求項３】 脱離は、不活性ガスを高温にして行な
い、後に常温の不活性ガスに切り換えることを特徴とす
る請求項２記載の密閉容器のガスパージ方法。 - 【請求項４】 密閉容器は、クリーンルームで半導体ウ
エハを収納する可搬式の密閉コンテナであることを特徴
とする請求項１〜３記載の密閉容器のガスパージ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20267092A JP3252457B2 (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 可搬式密閉容器のガスパージ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20267092A JP3252457B2 (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 可搬式密閉容器のガスパージ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0648509A true JPH0648509A (ja) | 1994-02-22 |
| JP3252457B2 JP3252457B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=16461209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20267092A Expired - Fee Related JP3252457B2 (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 可搬式密閉容器のガスパージ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3252457B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5730573A (en) * | 1994-02-22 | 1998-03-24 | Tdk Corporation | Clean transfer method and apparatus therefor |
| US6048154A (en) * | 1996-10-02 | 2000-04-11 | Applied Materials, Inc. | High vacuum dual stage load lock and method for loading and unloading wafers using a high vacuum dual stage load lock |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4027837B2 (ja) | 2003-04-28 | 2007-12-26 | Ｔｄｋ株式会社 | パージ装置およびパージ方法 |
| JP4012190B2 (ja) | 2004-10-26 | 2007-11-21 | Ｔｄｋ株式会社 | 密閉容器の蓋開閉システム及び開閉方法 |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP20267092A patent/JP3252457B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5730573A (en) * | 1994-02-22 | 1998-03-24 | Tdk Corporation | Clean transfer method and apparatus therefor |
| US6062808A (en) * | 1994-02-22 | 2000-05-16 | Tdk Corporation | Clean transfer method and apparatus therefor |
| US6048154A (en) * | 1996-10-02 | 2000-04-11 | Applied Materials, Inc. | High vacuum dual stage load lock and method for loading and unloading wafers using a high vacuum dual stage load lock |
| US6254328B1 (en) | 1996-10-02 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | High vacuum dual stage load lock and method for loading and unloading wafers using a high vacuum dual stage load lock |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3252457B2 (ja) | 2002-02-04 |
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