JPH06275698A - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置

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JPH06275698A
JPH06275698A JP8934393A JP8934393A JPH06275698A JP H06275698 A JPH06275698 A JP H06275698A JP 8934393 A JP8934393 A JP 8934393A JP 8934393 A JP8934393 A JP 8934393A JP H06275698 A JPH06275698 A JP H06275698A
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JP
Japan
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load lock
lock chamber
vacuum
chamber
container
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Pending
Application number
JP8934393A
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English (en)
Inventor
Fumio Kondo
文雄 近藤
Masaaki Kajiyama
雅章 梶山
Masao Matsumura
正夫 松村
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Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 真空容器の下面と昇降台の上面とを接触係合
させる前に清浄ガスによって清浄化することができる真
空処理装置を提供する。 【構成】 ロードロック室10内に昇降可能に設けられ
るとともに上昇した位置においてロードロック室10を
上部ロードロック室10Aと下部ロードロック室10B
とに仕切る昇降台14と、上部ロードロック室10Aに
連通される清浄ガス源とを備え、上部ロードロック室1
0Aに接続された真空容器1の下面、昇降台14の上面
及び上部ロードロック室10Aの内面で囲まれた空間に
清浄ガス源17から清浄ガスを供給して空間を形成する
各面を清浄化する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は真空処理装置に係り、特
にウエハ等の被処理材を入れて搬送する真空容器と、こ
の真空容器に接続可能であり被処理材を真空容器との間
で出し入れするロードロック室と、このロードロック室
にゲートバルブを介して接続され被処理材に真空処理を
施す真空プロセス室とを備えた真空処理装置の改良に関
する。
【0002】
【従来の技術】半導体を製造する過程でウエハは半導体
プロセス装置に搬入される前や、所定の工程を経て次の
工程に搬送する間、ウエハ表面の酸化等を防止するため
に真空容器に入れて保管及び搬送することが提案されて
いる。
【0003】前記真空容器は、容器状の容器本体と、こ
の容器本体の下部開口を開閉可能に閉塞する下部プレー
トとを備えており、真空容器がロードロック室に接続さ
れる際には、ロードロック室内に設けられた昇降台に下
部プレートの下面全面を接触係合させるようにしてい
る。そして、昇降台を下部プレート及び下部プレートに
固定されたウエハキャリアとともにロードロック室内に
下げて、ウエハの移載を行うようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の方法では、昇降台を下げて下部プレート及びキ
ャリアボックスをロードロック室内に引き込んだ際に、
昇降台と下部プレートとの接触面からガスが徐々に放出
され、又接触面に介在する塵埃がエレベータの下降に伴
う振動等によりロードロック室内に放出され、ウエハに
付着することがあるという問題点があった。
【0005】本発明は上述の事情に鑑みなされたもの
で、真空容器の下面と昇降台の上面とを接触係合させる
前に清浄ガスによって清浄化することができる真空処理
装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ため、本発明の真空処理装置は、ウエハ等の被処理材を
入れて搬送する真空容器と、この真空容器に接続可能で
あり前記被処理材を真空容器との間で出し入れするロー
ドロック室と、このロードロック室にゲートバルブを介
して接続され前記被処理材に真空処理を施す真空プロセ
ス室とを備えた真空処理装置において、前記ロードロッ
ク室内に昇降可能に設けられるとともに上昇した位置に
おいてロードロック室を上部ロードロック室と下部ロー
ドロック室とに仕切る昇降台と、前記上部ロードロック
室に連通される清浄ガス源とを備え、前記上部ロードロ
ック室に接続された真空容器の下面、前記昇降台の上面
及び上部ロードロック室の内面で囲まれた空間に前記清
浄ガス源から清浄ガスを供給して空間を形成する各面を
清浄化することを特徴とするものである。
【0007】
【作用】前述した構成からなる本発明によれば、昇降台
を上昇させてロードロック室を上部ロードロック室と下
部ロードロック室に仕切った後、真空容器を上部ロード
ロック室に接続し、真空容器の下面、昇降台の上面及び
上部ロードロック室の内面で空間を形成し、この空間に
清浄ガス源から清浄ガスを供給して空間を形成する各面
を清浄化することができる。
【0008】
【実施例】以下、本発明に係る真空処理装置の一実施例
を図1乃至図5を参照して説明する。本実施例において
は、被処理材としてウエハを例に挙げて説明する。真空
処理装置は図1に示されるようにウエハを入れて搬送す
る真空容器1と、この真空容器1に接続可能でありウエ
ハを真空容器1との間で出し入れするロードロック室1
0と、このロードロック室10にゲートバルブ18を介
して接続されウエハの移載を行うロボットが配置されて
いるロボット室19と、ウエハに処理を施す真空プロセ
ス室(図示せず)とを備えている。真空容器1は略円筒
容器状の容器本体2と、この容器本体2の下部開口を開
閉可能に閉塞する下部プレート3とを備えている。図2
に示されるように、容器本体2の外周面には発熱体4が
設けられている。この発熱体4は電気絶縁層と、この電
気絶縁層上に形成された通電によって発熱する発熱層と
からなっている。なお、容器本体2及び下部プレート3
はAl,SUS304等の非磁性体にて形成されてい
る。
【0009】また容器本体2の内周面にはゲッター材5
が設けられている。ゲッター材5は非蒸発型ゲッター材
であり、例えば70%Zr−24.6%V−5.4%F
eの合金からなっている。この成分からなるゲッター材
は、活性化温度は400〜450°Cで、使用温度は室
温〜100°C前後とされている。
【0010】また下部プレート3には、真空シール用の
Oリング6が容器本体2のフランジ部2aとの接触面に
設けられている。下部プレート3の上面にはウエハWを
段状に収納するウエハキャリア7が固定され、下面には
磁性体8が設けられている。
【0011】一方、図1に示されるようにロードロック
室10の上部は内方に突出したシール部11を形成して
おり、このシール部11の上面にOリング12が設けら
れており、真空容器1のフランジ部2aとOリング12
が密接して真空容器1とロードロック室10との間の真
空シールがなされるようになっている。
【0012】また、ロードロック室10内には昇降機構
13により昇降する昇降台14が配設されており、昇降
台14の上面にはOリング15が設けられていて、前記
シール部11の下面と、昇降台14の上面とがOリング
15を介して密接するようになっている。これによっ
て、昇降台14がシール部11と係合したときに(図1
に示す状態)、前記ロードロック室10は上部ロードロ
ック室10Aと下部ロードロック室10Bとに仕切られ
るようになっている。そして、上部ロードロック室10
AはバルブV1を介して真空排気系16に接続されると
ともに、バルブV2を介して窒素等の清浄ガスが充填さ
れた清浄ガス源17に接続されている。また、下部ロー
ドロック室10BはバルブV3を介して清浄ガス源17
に接続されるとともにバルブV4を介して真空排気系1
6に接続されている。
【0013】また、ロードロック室10はゲートバルブ
18を介してロボット室19と接続されるようになって
いる。
【0014】前記昇降台14の上部には、図3に示され
るように遠赤外線ヒータ20が設けられており、この遠
赤外線ヒータ20は透光ガラス21及びこの透光ガラス
21を固定するガラス押え22によって上部ロードロッ
ク室10Aに露出しないようにカバーされている。そし
て遠赤外線ヒータ20は昇降台14内の内部空間14a
に配置された給電線23を介して遠赤外線用電源24に
接続されている(図1参照)。なお、透光ガラス21と
昇降台14との間には真空シール用のOリング25が介
装されている。
【0015】前記昇降台14の上面には真空容器1の下
部プレート3を吸着する吸着部26が設置されている。
吸着部26は、図3に示されるようにベローズ27を介
して上下動可能な吸着板28と、この吸着板28及びベ
ローズ27内に配設された電磁石29とを備えており、
吸着板28の上部位置はストッパー30で規制されるよ
うになっている。そして電磁石29は給電線30を介し
て電磁石用直流電源31に接続されている(図1参
照)。
【0016】また昇降台14の内部空間14aは圧縮空
気源32に連通されており、この圧縮空気源32によっ
て供給される圧縮空気の圧力によって前記ベローズ27
が伸展して吸着板28がストッパー30に係合する上部
位置まで上昇するようになっている。そして圧縮空気源
32からの圧縮空気の供給が停止されると、前記ベロー
ズ27は自身の剛性によって縮退し、吸着板28はスト
ッパー30から離間する下部位置に位置されるようにな
っている。なお昇降台14の下部とロードロック室10
との間にはベローズ33が配置されており、昇降台14
とロードロック室10との間を密封している。
【0017】次に前述のように構成された真空処理容器
の動作を説明する。 (1)大気圧から真空への工程 図4は真空処理装置の一例を示す図であり、図1に示す
ロードロック室10に隣接してロボット室19が設けら
れ、このロボット室19に隣接してロードロック室35
が設けられている。ロードロック室35には開閉扉36
が設けられている。昇降台14は上昇した位置にあり、
下部ロードロック室10Bは真空状態、真空容器1内及
び上部ロードロック室10A内はいずれも大気圧状態に
ある。ウエハを収納していないウエハキャリア7を固定
した下部プレート3を吸着部26の上に置き、電磁石2
9をONし下部プレート3を吸着する。容器本体2をロ
ードロック室10のシール部11の上に置き、ウエハキ
ャリア7を容器本体2内に収納するとともに容器本体2
を図示されない押え手段で押さえ、バルブV1を開けて
上部ロードロック室10Aの圧力を大気圧から真空に引
く。
【0018】次に、昇降台14を下げ、下部プレート3
及びウエハキャリア7をロードロック室10内に位置さ
せ発熱体4及び遠赤外線ヒータ20をONにして、容器
本体2及び下部プレート3を外面から加熱して、容器本
体2、下部プレート3及びウエハキャリア7のベーキン
グを行う。このとき、ゲッター材の再生温度がベーキン
グ温度と近いため、ベーキングと同時に容器本体2の内
面のゲッター材5の再生が行われる。発熱体4及び遠赤
外線ヒータ20をOFFにしてベーキングを終了する。
【0019】一方、扉36を開放して洗浄済みのウエハ
Wをウエハキャリア40ごとロードロック室35に入
れ、バルブV5を開けて真空排気系37を稼働させてロ
ードロック室35内を真空にする。この後、ゲートバル
ブ18及び38を開けて、二つのロードロック室10,
35を連通状態にする。そして、ロボット室19内のロ
ボット19aを稼働させてロードロック室35内のウエ
ハWをロードロック室10内のウエハキャリア7に順次
移載する。この移載が終了した後、二つのゲートバルブ
18,38を閉じ、昇降台14を上昇させ、ロードロッ
ク室10を上部ロードロック室10Aと下部ロードロッ
ク室10Bとに仕切る。また圧縮空気源32から昇降台
14の内部空間14aに圧縮空気を供給して吸着部26
の吸着板28を上部位置に上昇させる。この後、上部ロ
ードロック室10A内の圧力を真空から大気圧に戻す。
次に、電磁石29をOFFし、昇降台14の内部空間1
4aへの圧縮空気の供給を停止して吸着部26の吸着板
28を下部位置に下げる。そして真空容器1を別のプロ
セス装置に搬送する。搬送中に容器内部からの脱ガスや
漏れにより容器内部に入ってくるガス分子は、容器内部
にある再生されたゲッター材により吸着され、容器内部
の真空度低下が防止される。
【0020】(2)真空から真空への工程図5は真空処
理装置の他の例を示す図であり、図1に示すロードロッ
ク室に隣接してロボット室19が設けられ、このロボッ
ト室19に隣接して真空プロセス室39が設けられてい
る。昇降台14は上昇した位置にあり、下部ロードロッ
ク室10Bは真空状態、上部ロードロック室10Aは大
気圧状態、真空容器1内は真空状態にある。昇降台14
の内部空間14aへ圧縮空気源32から圧縮空気を供給
して吸着部26の吸着板28を上昇させ、ウエハWが入
った真空容器1を吸着部26上に載せる。電磁石29を
ONし、下部プレート3を吸着板28により吸着した
後、圧縮空気の供給を停止して吸着板28を下部位置に
下げ、容器本体2のフランジ部2aをシール部11の上
面に載せる。図示されていない押さえ手段で、真空容器
1を押さえ、真空シール12をきかす。
【0021】次に清浄化工程を行う。即ち、真空排気系
16の粗引きポンプで上部ロードロック室10Aを低真
空まで引いて、その後、バルブV2を開けて、真空容器
1の下面、昇降台14の上面及び上部ロードロック室1
0Aの内面で囲まれた空間Sに清浄ガス源17より清浄
ガスを供給する。この時、粗引きポンプの運転は継続す
る。この清浄化工程を数回繰り返した後、真空排気系1
6の高真空ポンプを作動させて下部ロードロック室10
A内を高真空にする。
【0022】昇降台14の内部空間14aに圧縮空気を
供給して再び吸着板28を上部位置に上昇させる。次
に、昇降台14を下げ、ロボット19aがウエハWをキ
ャリアボックス7から真空プロセス室39へ移載する。
移載終了後、昇降台14を上昇させ、上部ロードロック
室10A内の圧力を真空から大気圧にする。吸着部26
の電磁石29をOFFにして内部空間14aへの圧縮空
気の供給を停止し、吸着部26の吸着板28を下げる。
その後、内部が空の真空容器1を搬送する。
【0023】(3)真空から大気圧への工程昇降台14
は上昇した位置にあり、下部ロードロック室10Bは真
空状態、上部ロードロック室10Aは大気圧状態、真空
容器1内は真空状態にある。吸着部26の吸着板28を
上昇させ、ウエハWが入った真空容器1を吸着部26の
上に載せる。電磁石29をONし、吸着部26の吸着板
28を下降させる。容器本体2のフランジ部2aをシー
ル部11の上面に載せる。図示されていない押さえ手段
で、真空容器1を押さえ、真空シール12をきかす。
【0024】次に、清浄化工程を行う。この清浄化工程
は上記(2)で述べた方法と同様に行われるため説明を
省略する。次に、バルブV1を開けて上部ロードロック
室10Aの圧力を大気圧から真空にする。昇降台14を
下部プレート3とともに下げた後、再び昇降台14を上
げる。このとき、下部プレート3と容器本体2との間に
は若干隙間が形成される。上部ロードロック室10Aの
圧力を真空から大気圧へするとともに真空容器1内の圧
力も大気圧にする。吸着部26の電磁石29をOFF
し、真空容器1を搬送する。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、昇
降台を上昇させてロードロック室を上部ロードロック室
と下部ロードロック室に仕切った後、真空容器を上部ロ
ードロック室に接続し、真空容器の下面、昇降台の上面
及び上部ロードロック室の内面で空間を形成し、この空
間に清浄ガス源から清浄ガスを供給して空間を形成する
各面を清浄化することができる。したがって、ウエハ等
の被処理材に塵埃が付着することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る真空処理装置の一実施例を示す断
面図である。
【図2】本発明に係る真空処理装置の真空容器の詳細を
示す断面図である。
【図3】本発明に係る真空処理装置のロードロック室及
び下部プレートの詳細を示す断面図である。
【図4】本発明に係る真空処理装置の使用例を説明した
説明図である。
【図5】本発明に係る真空処理装置の使用例を説明した
説明図である。
【符号の説明】
1 真空容器 2 容器本体 3 下部プレート 4 発熱体 5 ゲッター材 7 ウエハキャリア 8 磁性体 10,35 ロードロック室 11 シール部 14 昇降台 16 真空排気系 17 清浄ガス源 18,38 ゲートバルブ 19 ロボット室 20 遠赤外線ヒータ 21 透光ガラス 24 遠赤外線用電源 26 吸着部 27 ベローズ 28 吸着板 29 電磁石 39 真空プロセス室

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエハ等の被処理材を入れて搬送する真
    空容器と、この真空容器に接続可能であり前記被処理材
    を真空容器との間で出し入れするロードロック室と、こ
    のロードロック室にゲートバルブを介して接続され前記
    被処理材に真空処理を施す真空プロセス室とを備えた真
    空処理装置において、前記ロードロック室内に昇降可能
    に設けられるとともに上昇した位置においてロードロッ
    ク室を上部ロードロック室と下部ロードロック室とに仕
    切る昇降台と、前記上部ロードロック室に連通される清
    浄ガス源とを備え、前記上部ロードロック室に接続され
    た真空容器の下面、前記昇降台の上面及び上部ロードロ
    ック室の内面で囲まれた空間に前記清浄ガス源から清浄
    ガスを供給して空間を形成する各面を清浄化することを
    特徴とする真空処理装置。
JP8934393A 1993-03-24 1993-03-24 真空処理装置 Pending JPH06275698A (ja)

Priority Applications (1)

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JP8934393A JPH06275698A (ja) 1993-03-24 1993-03-24 真空処理装置

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JP8934393A JPH06275698A (ja) 1993-03-24 1993-03-24 真空処理装置

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