JPH064585Y2 - 半導体ウエハの処理装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

この考案は、サセプタ上に載置される半導体ウエハに対
して化学的処理を行う半導体ウエハの処理装置に関し、
詳しくは、サセプタへの半導体ウエハの載せ置きおよび
サセプタからの半導体ウエハの取り出しを自動化しうる
ように構成されたものに関する。

【従来の技術】

ＩＣの重要な製造工程の一つに、ＩＣを保護するために
半導体ウエハの表面に絶縁保護膜を積層形成するＣＶＤ
(Chemical Vapor Deposition,化学的気相成長法）処理
がある。これは、通常、室内にサセプタと呼ばれるウエ
ハの載置台が配設された反応室を備えるＣＶＤ装置を利
用して行われ、上記サセプタに半導体ウエハを複数載置
した後、上記反応室を真空ポンプ等で減圧するととも
に、反応室内に保護膜形成のためのガスを送り込み、さ
らに、サセプタを加熱したり、あるいは、反応室内をプ
ラズマ状態にすることにより、半導体ウエハの表面上に
保護膜を形成するものである。

【考案が解決しようとする問題点】

ところで、半導体ウエハの上記サセプタへの載せ置きお
よびサセプタからの取り出しは、通常、作業者が半導体
ウエハをピンセット等でつかむことにより行われてい
る。しかしながら、このような人手による作業では、半
導体ウエハの移送作業の能率性に欠けるとともに、チャ
ッキングミスによって半導体ウエハが損傷を受けて不良
化させられる割合が高いといった問題がある。 本考案は、以上のような事情の下で考え出されたもので
あって、たとえば、上記のＣＶＤ装置等において半導体
ウエハのサセプタへの載せ置き作業およびサセプタから
の取り出し作業を自動化させうる半導体ウエハの処理装
置を提供して、上述した問題を解決することをその目的
とする。

【問題を解決するための手段】

上記問題を解決するため、本考案の半導体ウエハの処理
装置は、 サセプタに載置された状態で反応室内に配される半導体
ウエハに対し、上記反応室内に処理用ガスを送り込んで
化学的処理を行う半導体ウエハの処理装置であって、 上記サセプタは、所定のピッチ回転角度をもって回転で
きるように回転制御されるとともに、その回転軸心回り
に上記ピッチ回転角度と対応する間隔をもって設定され
た複数のウエハ載置部をもつ一方、 先端部に設けられ、半導体ウエハの裏面をバキュームチ
ャッキングすることができるウエハ支持部を所定の回転
位置にある上記ウエハ載置部の透孔から上記サセプタの
表面に突出させるウエハリフト位置と、このウエハリフ
ト位置から退避して上記ウエハ支持部を上記サセプタの
表面下に埋没させる退避位置との間を往復移動するウエ
ハリフト体と、 処理前の半導体ウエハの裏面部をバキュームチャッキン
グすることができ、こうしてバキュームチャッキングし
た半導体ウエハを上記ウエハリフト位置に位置する上記
ウエハリフト体の上記ウエハ支持部に載置する一方、処
理終了後、ウエハリフト位置に再度進出する上記ウエハ
リフト体に支持される半導体ウエハをバキュームチャッ
キングして上記サセプタから取り出すウエハ移送手段と
を備えている。

【作用】

所定のピッチ回転角度をもって回転制御されるサセプタ
の一つのウエハ載置部が、所定の回転位置に位置する
と、ここでサセプタはその回転を一時停止させられると
ともに、ウエハリフト体がウエハリフト位置に進出す
る。こうして、ウエハリフト体がそのウエハ支持部をウ
エハ載置部の透孔からサセプタの表面に突出させると、
ウエハ移送手段によって、処理前の半導体ウエハがウエ
ハ支持部に載置される。この後、ウエハリフト体は、ウ
エハ支持部において半導体ウエハを支持した状態でウエ
ハリフト位置から退避位置に移動し、ウエハ支持部をサ
セプタの表面下に埋没させる。これにより、ウエハリフ
ト体に支持されていた半導体ウエハは、ウエハリフト体
の下動とともにウエハ載置部側へ移送され、サセプタの
ウエハ載置部に載せ置かれることになる。かかる処理前
の半導体ウエハのサセプタ上への搬送において、ウエハ
移送手段からウエハリフト体への半導体ウエハの移替え
が行われるが、このとき、ウエハ移送手段は、半導体ウ
エハの裏面部をバキュームチャッキングすることがで
き、また、上記ウエハリフト体も、半導体ウエハの裏面
部をバキュームチャッキングすることができるから、バ
キュームの切替えにより、半導体ウエハのウエハ移送手
段からウエハリフト体への安定的な移替えが行われる。
このことは、ウエハ搬送の高速化と、ウエハ移送手段お
よびウエハリフト体それ自体の小型化を達成することが
できることを意味し、装置のコンパクト化と、処理操作
の効率アップを図ることができるようになる。 このようにして、サセプタの一つのウエハ載置部に半導
体ウエハが載置されると、サセプタは、所定のピッチ回
転角度をもって再度回転させられ、次のウエハ載置部が
所定の回転位置に位置したところで上記の同様の動作が
繰り返されて、ウエハ載置部に半導体ウエハが載置され
る。そうして、サセプタの全てのウエハ載置部に半導体
ウエハが載置されるまで、上記の一連の動作が繰り返し
行われる。 サセプタの全てのウエハ載置部に半導体ウエハが載置さ
れると、半導体ウエハに対する化学的処理が反応室内に
おいて行われる。この処理が終了すると、ウエハリフト
体は、ウエハリフト位置に再び進出し、これにより、所
定の回転位置に位置するウエハ載置部上に載置された半
導体ウエハは、ウエハ載置部の透孔からサセプタの表面
に突出するウエハリフト体のウエハ支持部に持ち上げら
れる。すなわち、半導体ウエハの裏面とサセプタの表面
との間には隙間ができ、ウエハ移送手段が半導体ウエハ
の下方に位置して半導体ウエハの裏面部を自由にチャッ
キングできる状態となる。そして、このようにリフトア
ップされた半導体ウエハが、ウエハ移送手段によってそ
の裏面部をチャッキングされてサセプタから取り出され
る。この後は、サセプタが所定のピッチ回転角度をもっ
て回転させられ、引き続き所定の回転位置に位置するウ
エハ載置部に載置された半導体ウエハが、上記と同様に
してサセプタから取り出されるとともに、この一連の動
作が全てのウエハ載置部から半導体ウエハが取り出され
るまで順次繰り返し行われる。

【効果】

以上のように、本考案に係る半導体ウエハの処理装置に
おいては、半導体ウエハのサセプタへの載せ置きおよび
サセプタからの取り出しを自動化することができる。し
たがって、半導体ウエハのサセプタへの載置および取り
出しを従来のように人手によって行う必要が無くなるか
ら、生産効率の向上が期待できる。 しかも、本考案の場合、半導体ウエハのサセプタからの
取り出しの際には、回路が形成されない裏面部をチャッ
クングできるように構成していることから、万一所定の
チャッキング位置において半導体ウエハがチャッキング
されない場合でも、チャッキング時の損傷が原因して半
導体ウエハが不良化させられるといった不都合も起こら
ない。 しかも、ウエハ移送手段とウエハリフト体との間の半導
体ウエハの受渡しにおいては、上記ウエハ移送手段と上
記ウエハリフト体の双方が半導体ウエハの裏面部をバキ
ュームチャッキングすることができるようになっている
ことから、チャッキング面積が小さくとも、安定的に上
記の受渡しを行うことができ、ウエハリフト体およびウ
エハ移送手段の小型化にともなう装置の簡略化と、半導
体ウエハ搬送の高速化による処理効率の向上を図ること
ができる。

【実施例の説明】

以下、本考案の一実施例を図面を参照しながら具体的に
説明する。 本例では、半導体ウエハの表面に絶縁保護膜を形成する
ためのプラズマＣＶＤ装置を、本考案に係る半導体ウエ
ハの処理装置をもって構成した場合を示している。 第１図および第２図に示すように、プラズマＣＶＤ装置
は、半導体ウエハＷを載置する略円板状のサセプタ１を
備える。そして、サセプタ上に載置された状態で反応室
内に配される半導体ウエハＷに対し、反応室内を真空ポ
ンプ（図示略）によって減圧するとともに、プラズマ発
生機構（図示略）で反応室内をプラズマの状態にした
後、シラン(SiH₄)およびアンモニア(NH₃)等から成る混
合ガスを反応室内に送り込むことにより、半導体ウエハ
の表面に保護膜を形成する。なお、本例の場合、上記反
応室は、第２図に示すように、サセプタ全体を覆う蓋体
２とによって形成される。 さて、上記サセプタ１は、所定のピッチ回転角度をもっ
て回転できるように回転制御されており、本例の場合、
これは、サセプタ１をステッピングモータ３によって回
転駆動することにより行っている。そして、第１図ない
し第３図に示すように、サセプタ１の上面には、ウエハ
載置部として、半導体ウエハＷの外径よりやや大きな内
径をもつ平面視円形状のウエハ載置凹部４が、サセプタ
１の回転軸心回りの円周方向に沿って上記ピッチ回転角
度（３０°）と対応する間隔をもって複数配設されてい
るとともに、さらに、これらウエハ載置凹部４…よりサ
セプタ１の半径方向内方側においても、ウエハ載置凹部
４が、サセプタ１の回転軸心回りの円周方向に沿って９
０°間隔毎に配設されている。なお、内方側に配設され
た各ウエハ載置凹部４…のサセプタ１の回転軸心回りの
円周方向位置は、外方側に並ぶウエハ載置凹部４…の何
れかと一致するように規定されており、また、ウエハ載
置凹部４の中心部には、サセプタ１の裏面にまで貫通す
る鉛直方向の透孔５が穿設されている。 上記サセプタ１の下方には、第２図に良く表れているよ
うに、所定の回転位置すなわち後述するウエハ移送手段
が待機するサセプタ１の円周方向位置に位置するウエハ
載置凹部４の透孔５から第２図に仮想線で示すようにウ
エハ支持部７となる先端部をサセプタ１の表面に突出さ
せるウエハリフト位置と、第２図に実線で示すようにウ
エハリフト位置から下動してウエハ支持部７をサセプタ
１の下方に位置させる退避位置との間を往復移動するウ
エハリフト体６が配されている。本例の場合、ウエハリ
フト体６は、上記のサセプタ１の半径方向外方側に位置
するウエハ載置凹部４および内方側に位置するウエハ載
置凹部４とそれぞれ対応するサセプタ１の半径方向位置
において二箇所に配設されており、エアシリンダ装置
（図示略）等により、上記ウエハリフト位置と退避位置
との間を上下動させられる。また、ウエハリフト体６に
は、円筒パイプ状のロッド部材が利用されており、その
パイプ孔８がポンプ装置（図示略）に接続されている。
そして、ウエハ支持部７に半導体ウエハＷが載置された
時に、上記パイプ孔８が吸気孔となって半導体ウエハＷ
の裏面をバキュームチャッキングすることにより、半導
体ウエハＷをウエハ支持部上に安定して支持させること
ができるようにしている。 さらに、第１図に示すように、サセプタ１の側方には、
半導体ウエハＷが上下方向に所定間隔をあけて積層状に
複数収容されるウエハマガジン９を挟んで、ウエハ移送
手段１０が配置されている。このウエハ移送手段１０
は、先端部にリフトハンド部１２をもち、かつサセプタ
１の半径方向に沿って所定行程間をスライド動するスラ
イドアーム１１を備えており、また、上記リフトハンド
部１２の上面部には、半導体ウエハＷをバキュームチャ
ッキングするための吸気口１３が四箇所に設けられてい
るとともに、その基端部に半導体ウエハＷを探知するウ
エハセンサ１４が配設されている。一方、上記ウエハマ
ガジン９は、第１図および第４図に示すように、キャリ
アケース１５内をエレベータ機構（図示略）によって上
下動させられるキャリア１６を備えており、上記キャリ
ア１６には、半導体ウエハＷが載せ置かれる水平方向に
対向する一対の載置部１７，１７が上下方向に一定間隔
をあけて複数組設けられている。なお、上記キャリア１
６における上記スライドアーム１１のスライド方向に対
向する両側部は、上記スライドアーム１１がサセプタ１
の半径方向に沿ってスライド動を行う際にマガジン内を
貫通状に横切ってサセプタ１まで達することができるよ
うに開口しているとともに、上記載置部間の上下間隔
は、半導体ウエハが載置部間において若干の上下動が許
容されるように、半導体ウエハＷの厚みよりも大きく規
定されている。また、積層状に載置された半導体ウエハ
間には、上記リフトハンド部１２ないしスライドアーム
１１が入り込みうるだけの間隔が確保されている。 そして、本例では、ウエハ移送手段１０によるウエハマ
ガジン９からの半導体ウエハＷの取り出しは次のように
行われる。すなわち、スライドアーム１１が、前方にス
ライド動してウエハマガジン９のキャリア内に一方の開
口から進入し、第４図に実線で示すように上記リフトハ
ンド部１２を所定の上下位置にある半導体ウエハＷの下
方に位置させる。この場合、スライドアーム１１のスラ
イド動の停止は、ウエハセンサ１４が半導体ウエハＷを
検知した時点で行われる。そうして、スライドアーム１
１は、この停止位置において昇降機構（図示略）によっ
てわずかに上動させられ、これにより、第４図に仮想線
で示すように、上記リフトハンド部１２に載せ置かれる
半導体ウエハＷがキャリア１６の載置部１７，１７から
持ち上げられる。なお、このとき、リフトハンド部１２
の上面部に載置された半導体ウエハＷは、その裏面部に
おいて上記各吸気口１３…からの吸引作用によりリフト
ハンド部１２にバキュームチャッキングされる。次い
で、この状態で、スライドアーム１１が、さらに前方に
スライド動してリフトハンド部１２をキャリア内から脱
出させることにより、半導体ウエハＷがウエハマガジン
９から取り出される。そしてこの後は、スライドアーム
１１が引き続き前方にスライド動して、リフトハンド部
１２をサセプタ１のウエハ載置凹部上に位置させ、ウエ
ハリフト位置に進出したウエハリフト体６に半導体ウエ
ハＷが載せ置かれる。 また、半導体ウエハＷのウエハマガジン９への収納は、
上記の一連の動作が逆に踏まれることにより行われる。 以上のように構成される本例のプラズマＣＶＤ装置で
は、以下の手順を経て、半導体ウエハＷに保護膜形成処
理が行われる。 サセプタ１が所定のピッチ回転角度をもって回転して、
サセプタ１の半径方向外方側に配設されたウエハ載置凹
部４…の一つが上記の所定の回転位置に位置すると、こ
こでサセプタ１はその回転を一時停止させられるととも
に、外方側に配されたウエハリフト体６が第１図に仮想
線で示すようにウエハリフト位置に進出し、これによ
り、上記ウエハリフト体６のウエハ支持部７がサセプタ
１の表面に突出した状態となる。この後、第１図に実線
で示すように待機位置で待機していた上記ウエハ移送手
段１０のスライドアーム１１が、前方にスライド動し
て、上述のようにしてウエハマガジン９から半導体ウエ
ハＷを取り出し、さらに、リフトハンド部１２に載置さ
れる半導体ウエハＷがサセプタ１の上記ウインド載置凹
部上に位置するまでスライド動を続ける。第３図(a)に
仮想線で示すように半導体ウエハＷが上記ウエハ載置凹
部４およびウエハリフト体上に位置させられると、スラ
イドアーム１１は、リフトハンド部１２の半導体ウエハ
Ｗに対するバキュームチャッキングを解除させながら下
動する。これにより、半導体ウエハＷは、第３図(a)に
実線で示すようにウエハリフト体６のウエハ支持部上に
載せ置かれるとともに、ウエハリフト体６のパイプ孔８
の吸気作用によりウエハリフト体６にバキュームチャッ
キングされる。この後、スライドアーム１１は後退して
待機位置に戻り、一方、ウエハ支持部７において半導体
ウエハＷを支持するウエハリフト体６は、下動して退避
位置に戻りウエハ支持部７をサセプタ１の表面下に埋没
させる。これにより、第３図(b)に示すように、半導体
ウエハＷがウエハ載置凹部内に載せ置かれる。なお、ウ
エハリフト体６の半導体ウエハＷに対するバキュームチ
ャッキングは、半導体ウエハＷがウエハ載置凹部内に入
り込んで時点で解除される一方、スライドアーム１１が
待機位置に戻ると、ウエハマガジン９のキャリア１６は
所定のピッチを上動して、下方に控える半導体ウエハＷ
を所定の上下位置に位置させる。 また、第１図および第２図に示すように、サセプタ１の
半径方向外方側に配設されたウエハ載置凹部４…の一つ
と半径方向内方側に配設されたウエハ載置凹部４…の一
つが、同時に所定の回転位置に位置するときは、双方の
ウエハ載置凹部４，４にそれぞれ半導体ウエハＷが載置
されるまで、サセプタ１の停止状態は維持される。な
お、内方側に配設されたウエハ載置凹部４への半導体ウ
エハＷの載置も上記と同じ要領で行われ、また、何れの
ウエハ載置凹部４への半導体ウエハＷの載置を先行させ
るかは、任意に設定すればよい。 こうして、サセプタ１の半径方向外方側に配設されたウ
エハ載置凹部４…の一つあるいはこれとサセプタ１の半
径方向内方側に配設された一つのウエハ載置凹部４の双
方に半導体ウエハＷが載置されると、サセプタ１は、再
度所定のピッチ回転角度をもって回転する。そして、こ
れにより、所定の回転位置に位置させられたウエハ載置
凹部４に、上記と同様の動作が繰り返されて半導体ウエ
ハＷが載置させられるとともに、これが、サセプタ１の
全てのウエハ載置凹部４…に半導体ウエハＷが載置され
るまで続けられる。 サセプタ１の全てのウエハ載置凹部４…に半導体ウエハ
Ｗが載置されると、開蓋状態にあった上記蓋体２が、第
２図に示すように閉蓋して反応室を形成し、上述した工
程を経て半導体ウエハＷ…に対する保護膜形成処理が行
われる。 処理終了後、蓋体２が再び開蓋するとともに、サセプタ
１が回転制御され、サセプタ１の半径方向外方側に配設
されたウエハ載置凹部４…の一つが所定の回転位置に位
置させられる。そして、待機位置に位置していたウエハ
リフト体６が、バキュームチャッキング機構を作動させ
ながら再度ウエハリフト位置に進出し、これにより、ウ
エハ載置凹部内に載置されていた半導体ウエハＷがウエ
ハ支持部７に支持された状態でリフトアップされる。こ
の後、待機位置で待機したいスライドアーム１１が、ウ
エハマガジン内を横切ってサセプタ１の上記所定の回転
位置にあるウエハ載置凹部上まで進出し、リフトハンド
部１２のウエハセンサ１４が半導体ウエハを探知した時
点てスライド動を停止し第３図(a)に実線で示す位置に
位置する。こうして、リフトハンド部１２が半導体ウエ
ハＷとサセプタ１との間に入り込むと、スライドアーム
１１がリフトハンド部１２のバキュームチャッキング機
構を作動させながら上動し、これにより、第３図(a)に
仮想線で示すように、半導体ウエハＷはリフトハンド部
１２に裏面部をチャッキングされた状態でウエハリフト
体６から持ち上げられる。なお、ウエハリフト体６の半
導体ウエハＷに対するバキュムチャッキングは、スライ
ドアーム１１の上記の上動と同時に解除される。そうし
て、スライドアーム１１は、リフトハンド部１２に半導
体ウエハＷを支持した状態で後退し、第４図に仮想線で
示すように、リフトハンド部１２がウエハマガジン９の
キャリア内に入り込んだ時点でそのスライド動を停止
し、この後、リフトハンド部１２のバキュームチャッキ
ング機構を解除させながら下動して、第４図に実線で示
すようにキャリア１６の載置部１７，１７に半導体ウエ
ハを載せ置く。これによって、処理済みの半導体ウエハ
Ｗが、サセプタ１からウエハマガジン９に戻され、この
後は、スライドアーム１１が待機位置に戻るとともに、
キャリア１６が所定のピッチを下動して、半導体ウエハ
Ｗが載置されていない載置部１７，１７が所定の上下位
置に位置させられる。 なお、第１図および第２図に示すように、サセプタ１の
半径方向外方側に配設されたウエハ載置凹部４…の一つ
と半径方向内方側に配設されたウエハ載置凹部４…の一
つが、同時に所定の回転位置に位置するときは、上述の
半導体ウエハＷの載せ置きと同様に、双方のウエハ載置
凹部４，４から半導体ウエハＷが取り出されるまでサセ
プタ１はその回転位置において停止させられる。また、
内方側に配設されたウエハ載置凹部４からの半導体ウエ
ハＷの取り出しも外方側に配設されたウエハ載置凹部４
の場合と同様に行われるが、何れのウエハ載置凹部４か
らの半導体ウエハＷの取り出しを先行させるかは、任意
に設定すればよい。 こうして、サセプタ１の半径方向外方側に配設されたウ
エハ載置凹部４…の一つあるいはこれとサセプタ１の半
径方向内方側に配設された一つのウエハ載置凹部４の双
方から半導体ウエハＷが取り出されてウエハマガジン９
に戻されると、サセプタ１は、再度所定のピッチ回転角
度をもって回転する。そして、これにより、所定の回転
位置に位置させられたウエハ載置凹部４から、上記と同
様の動作が繰り返されて半導体ウエハＷが取り出される
とともに、これが、サセプタ１の全てのウエハ載置凹部
４…から半導体ウエハＷが取り出されてウエハマガジン
９に戻されるまで続けられる。 以上のように、本例のプラズマＣＶＤ装置においては、
半導体ウエハＷのサセプタ１への載せ置きおよびサセプ
タ１からの半導体ウエハＷの取り出しが完全に自動化さ
れ、従来のように半導体ウエハの移送作業を人手によっ
て行う必要が無くなるから、生産効率の向上が期待でき
る。しかも、半導体ウエハＷに対するリフトアップ機構
を設けることにより、半導体ウエハＷをサセプタ１から
取り出す際に、回路が全く形成されないその裏面部をチ
ャッキングできるようにしているから、半導体ウエハＷ
はチャッキング時に万一損傷を受けても不良化させられ
ることがなく、結果的に半導体装置の品位向上に寄与で
きる。 なお、本考案の範囲は上述した実施例に限定されるもの
でない。 たとえば、上記実施例では、サセプタ上での半導体ウエ
ハの相対動を規制して処理の均質性を担保するために、
ウエハ載置部を凹部をもって構成していたが、半導体ウ
エハの相対動を規制する方法としては、ウエハ載置部の
周囲においてサセプタ表面にストッパ壁を突設するよう
にしてもよく、この他、ウエハリフト体やウエハ移送手
段等においても、上記実施例以外にも種々の態様が考え
られる。 また、本考案の半導体ウエハの処理装置をもって、エピ
タキシャル成長装置やプラズマエッチング装置を構成で
きることも言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の実施例に係るプラズマＣＶＤ装置を蓋
体が開蓋された状態で平面方向から見て概略的に示した
全体構成図、第２図はサセプタを第１図のII−II線矢視
方向から見た図、第３図は半導体ウエハの移送状態を説
明する図、第４図は実施例に係るウエハマガジンを第１
図のIV−IV線矢視方向から見て拡大して示した図であ
る。 １……サセプタ、４……ウエハ載置部（ウエハ載置凹
部）、５……透孔、６……ウエハリフト体、７……ウエ
ハ支持部、１０……ウエハ移送手段、Ｗ……半導体ウエ
ハ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】サセプタに載置された状態で反応室内に配
   される半導体ウエハに対し、上記反応室内に処理用ガス
   を送り込んで化学的処理を行う半導体ウエハの処理装置
   であって、 上記サセプタは、所定のピッチ回転角度をもって回転で
   きるように回転制御されるとともに、その回転軸心回り
   に上記ピッチ回転角度と対応する間隔をもって設定され
   た複数のウエハ載置部をもつ一方、 先端部に設けられ、半導体ウエハの裏面をバキュームチ
   ャッキングすることができるウエハ支持部を所定の回転
   位置にある上記ウエハ載置部の透孔から上記サセプタの
   表面に突出させるウエハリフト位置と、このウエハリフ
   ト位置から退避して上記ウエハ支持部を上記サセプタの
   表面下に埋没させる退避位置との間を往復移動するウエ
   ハリフト体と、 処理前の半導体ウエハの裏面部をバキュームチャッキン
   グすることができ、こうしてバキュームチャッキングし
   た半導体ウエハを上記ウエハリフト位置に位置する上記
   ウエハリフト体の上記ウエハ支持部に載置する一方、処
   理終了後、ウエハリフト位置に再度進出する上記ウエハ
   リフト体に支持される半導体ウエハをバキュームチャッ
   キングして上記サセプタから取り出すウエハ移送手段
   と、を備えていることを特徴とする、半導体ウエハの処
   理装置。