JPH0645838A - 受光増幅装置 - Google Patents
受光増幅装置Info
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- JPH0645838A JPH0645838A JP5002536A JP253693A JPH0645838A JP H0645838 A JPH0645838 A JP H0645838A JP 5002536 A JP5002536 A JP 5002536A JP 253693 A JP253693 A JP 253693A JP H0645838 A JPH0645838 A JP H0645838A
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- current mirror
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- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/087—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with IC amplifier blocks
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/13—Optical detectors therefor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 受光増幅装置の寸法をあまり増大させず、簡
単かつ低コストでもって、交流成分の動作レンジを広く
する。対象とする受光増幅装置は、複数のフォトダイオ
ードPDA,PDB,PDC,PDDと、各フォトダイオ
ードPDA,PDB,PDC,PDDのアノードから入力
を受ける増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,AMP
Dを有する。 【構成】 各フォトダイオードPDA,PDB,PDC,
PDDのカソードに流れる電流を総和して受けて、受け
た電流I1と同じ大きさの電流I2を出力する第1の電
流ミラー回路1を備える。この電流I2を各フォトダイ
オード毎に均等な大きさの電流I4,I5,I,6,I7に
分割し、この均等な大きさの電流I4,I5,I,6,I7
を各フォトダイオードのアノードからそれぞれ分岐して
取り去る第2の電流ミラー回路2を備える。
単かつ低コストでもって、交流成分の動作レンジを広く
する。対象とする受光増幅装置は、複数のフォトダイオ
ードPDA,PDB,PDC,PDDと、各フォトダイオ
ードPDA,PDB,PDC,PDDのアノードから入力
を受ける増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,AMP
Dを有する。 【構成】 各フォトダイオードPDA,PDB,PDC,
PDDのカソードに流れる電流を総和して受けて、受け
た電流I1と同じ大きさの電流I2を出力する第1の電
流ミラー回路1を備える。この電流I2を各フォトダイ
オード毎に均等な大きさの電流I4,I5,I,6,I7に
分割し、この均等な大きさの電流I4,I5,I,6,I7
を各フォトダイオードのアノードからそれぞれ分岐して
取り去る第2の電流ミラー回路2を備える。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は受光増幅装置に関す
る。より詳しくは、フォトダイオードと増幅回路とを有
し、光磁気ディスクプレイヤ,ミニディスクプレイヤな
どのピックアップを構成するのに用いられる受光増幅装
置に関する。
る。より詳しくは、フォトダイオードと増幅回路とを有
し、光磁気ディスクプレイヤ,ミニディスクプレイヤな
どのピックアップを構成するのに用いられる受光増幅装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の受光増幅装置としては、
図7に示すように、カソードを共通とする4つのフォト
ダイオードPDA,PDB,PDC,PDDと、各フォト
ダイオードPDA,PDB,PDC,PDDのアノードか
ら光電流信号IPDA,IPDB,IPDC,IPDDを受けて増幅す
る4つの増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,AMP
Dを備えたものがある(PDEは寄生フォトダイオード
を示している。)。各増幅回路AMPA,AMPB,AM
PC,AMPDは低インピーダンスの電圧出力VA,VB,
VC,VDを生ずる。ピックアップでは、この電圧出力
VA,VB,VC,VDに基づいて演算などの信号処理を行っ
て、ディスク(記録媒体)に記録されたデータを再生す
る。
図7に示すように、カソードを共通とする4つのフォト
ダイオードPDA,PDB,PDC,PDDと、各フォト
ダイオードPDA,PDB,PDC,PDDのアノードか
ら光電流信号IPDA,IPDB,IPDC,IPDDを受けて増幅す
る4つの増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,AMP
Dを備えたものがある(PDEは寄生フォトダイオード
を示している。)。各増幅回路AMPA,AMPB,AM
PC,AMPDは低インピーダンスの電圧出力VA,VB,
VC,VDを生ずる。ピックアップでは、この電圧出力
VA,VB,VC,VDに基づいて演算などの信号処理を行っ
て、ディスク(記録媒体)に記録されたデータを再生す
る。
【0003】上記フォトダイオードPDA,PDB,PD
C,PDDは、図8および図9に示すように、P型半導
体基板10上に設けられたN型エピタキシャル層12に
作り込まれている(図8はパターンレイアウトを示し、
図9は断面構造を示している。)。すなわち、N型エピ
タキシャル層12の表面に4つのP型拡散層15,16,
17,18が形成され、各P型拡散層15,16,17,1
8とN型エピタキシャル層12とでフォトダイオードP
DA,PDB,PDC,PDDが構成されている。上記N
型エピタキシャル層12は、P型分離拡散層13によっ
て周囲と分離されている。11はN型埋め込み層、14
はN型コレクタ補償拡散層である。図6に示すように、
この構造では、各フォトダイオードPDA,PDB,PD
C,PDDの共通カソードとP型半導体基板10との間
に、寄生フォトダイオードPDEが存在する。
C,PDDは、図8および図9に示すように、P型半導
体基板10上に設けられたN型エピタキシャル層12に
作り込まれている(図8はパターンレイアウトを示し、
図9は断面構造を示している。)。すなわち、N型エピ
タキシャル層12の表面に4つのP型拡散層15,16,
17,18が形成され、各P型拡散層15,16,17,1
8とN型エピタキシャル層12とでフォトダイオードP
DA,PDB,PDC,PDDが構成されている。上記N
型エピタキシャル層12は、P型分離拡散層13によっ
て周囲と分離されている。11はN型埋め込み層、14
はN型コレクタ補償拡散層である。図6に示すように、
この構造では、各フォトダイオードPDA,PDB,PD
C,PDDの共通カソードとP型半導体基板10との間
に、寄生フォトダイオードPDEが存在する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ピックアッ
プの入力信号(ディスクによって反射された光)には多く
の直流光成分が含まれている。上記従来の受光増幅装置
では、この直流成分を含む光電流信号IPDA,IPDB,I
PDC,IPDDがそのまま増幅回路AMPA,AMPB,AM
PC,AMPDに入力されている。このため、交流成分
の動作レンジが狭いという問題がある。特に、ポータブ
ル機器用ピックアップでは、3Vという低電圧で動作し
なければならないため、さらに動作レンジが狭くなる。
プの入力信号(ディスクによって反射された光)には多く
の直流光成分が含まれている。上記従来の受光増幅装置
では、この直流成分を含む光電流信号IPDA,IPDB,I
PDC,IPDDがそのまま増幅回路AMPA,AMPB,AM
PC,AMPDに入力されている。このため、交流成分
の動作レンジが狭いという問題がある。特に、ポータブ
ル機器用ピックアップでは、3Vという低電圧で動作し
なければならないため、さらに動作レンジが狭くなる。
【0005】この問題を解決する手段として、フォトダ
イオードPDA,PDB,PDC,PDDと増幅回路AM
PA,AMPB,AMPC,AMPDとの間にハイパスフ
ィルタ回路を設けて、直流成分を除去し、交流成分のみ
を通す方式が考えられる。しかしながら、オーディオ用
ピックアップでは、ディスクのアドレス信号周波数が約
22KHzと比較的低くなっている。このため、上記ハ
イパスフィルタ回路は大容量のキャパシタを必要とし、
寸法が大きくなるという問題がある。また、フォトダイ
オードPDA,PDB,PDC,PDDと増幅回路AMP
A,AMPB,AMPC,AMPDとを同一チップ内に集
積化する場合に、回路が複雑化してコストが高くなると
いう問題がある。
イオードPDA,PDB,PDC,PDDと増幅回路AM
PA,AMPB,AMPC,AMPDとの間にハイパスフ
ィルタ回路を設けて、直流成分を除去し、交流成分のみ
を通す方式が考えられる。しかしながら、オーディオ用
ピックアップでは、ディスクのアドレス信号周波数が約
22KHzと比較的低くなっている。このため、上記ハ
イパスフィルタ回路は大容量のキャパシタを必要とし、
寸法が大きくなるという問題がある。また、フォトダイ
オードPDA,PDB,PDC,PDDと増幅回路AMP
A,AMPB,AMPC,AMPDとを同一チップ内に集
積化する場合に、回路が複雑化してコストが高くなると
いう問題がある。
【0006】そこで、この発明の目的は、寸法をあまり
増大させず、簡単かつ低コストでもって、交流成分の動
作レンジを広くすることができる受光増幅装置を提供す
ることにある。
増大させず、簡単かつ低コストでもって、交流成分の動
作レンジを広くすることができる受光増幅装置を提供す
ることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明は、受けた光に応じて電流信号を発生する
複数のフォトダイオードと、上記各フォトダイオードの
アノードに接続され、各フォトダイオードが発生する電
流信号を受けて増幅する増幅回路を有する受光増幅装置
において、上記各フォトダイオードのカソードに接続さ
れ、各カソードに流れる電流を総和して受けて、受けた
電流と同じ大きさの電流を出力する第1の電流ミラー回
路と、上記第1の電流ミラー回路が出力する電流を受け
て、受けた電流を上記各フォトダイオード毎に均等な大
きさの電流に分割し、この均等な大きさの電流を上記各
フォトダイオードのアノードからそれぞれ分岐して取り
去る第2の電流ミラー回路を備えたことを特徴としてい
る。
め、この発明は、受けた光に応じて電流信号を発生する
複数のフォトダイオードと、上記各フォトダイオードの
アノードに接続され、各フォトダイオードが発生する電
流信号を受けて増幅する増幅回路を有する受光増幅装置
において、上記各フォトダイオードのカソードに接続さ
れ、各カソードに流れる電流を総和して受けて、受けた
電流と同じ大きさの電流を出力する第1の電流ミラー回
路と、上記第1の電流ミラー回路が出力する電流を受け
て、受けた電流を上記各フォトダイオード毎に均等な大
きさの電流に分割し、この均等な大きさの電流を上記各
フォトダイオードのアノードからそれぞれ分岐して取り
去る第2の電流ミラー回路を備えたことを特徴としてい
る。
【0008】また、上記各フォトダイオードは、共通の
カソードとなるべき半導体層の表面に、不純物拡散を行
ってアノードを設けて構成されているのが望ましい。
カソードとなるべき半導体層の表面に、不純物拡散を行
ってアノードを設けて構成されているのが望ましい。
【0009】また、上記各フォトダイオードと上記増幅
回路は、同一の半導体基板上に形成されているのが望ま
しい。
回路は、同一の半導体基板上に形成されているのが望ま
しい。
【0010】また、上記第2の電流ミラー回路は、上記
第1の電流ミラー回路からの電流を受ける第1のトラン
ジスタと、上記各フォトダイオード毎に設けられ、上記
第1のトランジスタにそれぞれベース,エミッタ同士が
接続された第2のトランジスタとからなり、上記第1の
トランジスタと第2のトランジスタのエミッタ面積比が
所定の比率に設定されているのが望ましい。
第1の電流ミラー回路からの電流を受ける第1のトラン
ジスタと、上記各フォトダイオード毎に設けられ、上記
第1のトランジスタにそれぞれベース,エミッタ同士が
接続された第2のトランジスタとからなり、上記第1の
トランジスタと第2のトランジスタのエミッタ面積比が
所定の比率に設定されているのが望ましい。
【0011】また、上記第1の電流ミラー回路は、上記
各フォトダイオードの各カソードからの電流を受ける第
3のトランジスタと、この第3のトランジスタにベー
ス,エミッタが接続され、上記第3のトランジスタが受
けた電流と同じ大きさの電流をコレクタから出力する第
4のトランジスタとからなり、上記第3,第4のトラン
ジスタのベースとエミッタとの間、上記第1,第2のト
ランジスタのベースとエミッタとの間のいずれか、また
は両方に、外部からオン,オフ制御可能なスイッチが接
続されているのが望ましい。
各フォトダイオードの各カソードからの電流を受ける第
3のトランジスタと、この第3のトランジスタにベー
ス,エミッタが接続され、上記第3のトランジスタが受
けた電流と同じ大きさの電流をコレクタから出力する第
4のトランジスタとからなり、上記第3,第4のトラン
ジスタのベースとエミッタとの間、上記第1,第2のト
ランジスタのベースとエミッタとの間のいずれか、また
は両方に、外部からオン,オフ制御可能なスイッチが接
続されているのが望ましい。
【0012】さらに、上記スイッチはトランジスタから
なるのが望ましい。
なるのが望ましい。
【0013】また、上記第1の電流ミラー回路は、上記
各フォトダイオードの各カソードからの電流を受ける第
3のトランジスタと、この第3のトランジスタにベー
ス,エミッタが接続され、上記第3のトランジスタが受
けた電流と同じ大きさの電流をコレクタから出力する第
4のトランジスタとからなり、上記第3,第4のトラン
ジスタのベースとエミッタとの間、上記第1,第2のト
ランジスタのベースとエミッタとの間のいずれか、また
は両方に、所定の値を有する電気抵抗が接続されている
のが望ましい。
各フォトダイオードの各カソードからの電流を受ける第
3のトランジスタと、この第3のトランジスタにベー
ス,エミッタが接続され、上記第3のトランジスタが受
けた電流と同じ大きさの電流をコレクタから出力する第
4のトランジスタとからなり、上記第3,第4のトラン
ジスタのベースとエミッタとの間、上記第1,第2のト
ランジスタのベースとエミッタとの間のいずれか、また
は両方に、所定の値を有する電気抵抗が接続されている
のが望ましい。
【0014】
【作用】この発明では、第1の電流ミラー回路によって
各フォトダイオードのカソードに流れる電流を総和し、
第2の電流ミラー回路によってこの電流の総和を各フォ
トダイオード毎に均等な大きさの電流に分割し、この均
等な大きさの電流を上記各フォトダイオードのアノード
からそれぞれ分岐して取り去っている。これにより、各
増幅回路に入力される電流のうち直流成分が減少して、
交流成分の割合が増大する。したがって、従来に比し
て、増幅回路の交流動作レンジが広くなる。また、上記
電流ミラー回路は、大容量のキャパシタなどを用いるこ
となく、トランジスタのみで構成され得る。したがっ
て、この発明の受光増幅装置は、寸法を増大させず、簡
単に低コストでもって構成される。
各フォトダイオードのカソードに流れる電流を総和し、
第2の電流ミラー回路によってこの電流の総和を各フォ
トダイオード毎に均等な大きさの電流に分割し、この均
等な大きさの電流を上記各フォトダイオードのアノード
からそれぞれ分岐して取り去っている。これにより、各
増幅回路に入力される電流のうち直流成分が減少して、
交流成分の割合が増大する。したがって、従来に比し
て、増幅回路の交流動作レンジが広くなる。また、上記
電流ミラー回路は、大容量のキャパシタなどを用いるこ
となく、トランジスタのみで構成され得る。したがっ
て、この発明の受光増幅装置は、寸法を増大させず、簡
単に低コストでもって構成される。
【0015】また、上記各フォトダイオードは、共通の
カソードとなるべき半導体層の表面に、不純物拡散を行
ってアノードを設けて構成されている場合、各フォトダ
イオードは、1つの半導体基板に小面積で形成される。
カソードとなるべき半導体層の表面に、不純物拡散を行
ってアノードを設けて構成されている場合、各フォトダ
イオードは、1つの半導体基板に小面積で形成される。
【0016】また、上記各フォトダイオードと上記増幅
回路は、同一の半導体基板上に形成されている場合、装
置全体がコンパクトに構成される。
回路は、同一の半導体基板上に形成されている場合、装
置全体がコンパクトに構成される。
【0017】また、上記第2の電流ミラー回路は、上記
第1の電流ミラー回路からの電流を受ける第1のトラン
ジスタと、上記各フォトダイオード毎に設けられ、上記
第1のトランジスタにそれぞれベース,エミッタ同士が
接続された第2のトランジスタとからなり、上記第1の
トランジスタと第2のトランジスタのエミッタ面積比が
所定の比率に設定されている場合、上記各フォトダイオ
ードのアノードから分岐して取り去られる電流レベルが
調節される。したがって、上記増幅回路に入力される電
流はほぼ交流成分のみとなり、交流動作レンジがさらに
広くなる。
第1の電流ミラー回路からの電流を受ける第1のトラン
ジスタと、上記各フォトダイオード毎に設けられ、上記
第1のトランジスタにそれぞれベース,エミッタ同士が
接続された第2のトランジスタとからなり、上記第1の
トランジスタと第2のトランジスタのエミッタ面積比が
所定の比率に設定されている場合、上記各フォトダイオ
ードのアノードから分岐して取り去られる電流レベルが
調節される。したがって、上記増幅回路に入力される電
流はほぼ交流成分のみとなり、交流動作レンジがさらに
広くなる。
【0018】一般に、録音再生両用のミニディスクプレ
イヤでは、録音時と再生時とでは上記フォトダイオード
の受光量は大きく異なり、録音時に対して再生時の受光
量は約1/10となる。このため、上述の如く第1,第
2の電流ミラー回路を付加した場合、再生時に、C/N
(キャリア/ノイズ比)が劣化してオーディオ信号(RF
信号)のジッタ特性(時間軸方向の揺れ)が悪化するおそ
れがある。そこで、この発明では、上記第1の電流ミラ
ー回路を、上記各フォトダイオードの各カソードからの
電流を受ける第3のトランジスタと、この第3のトラン
ジスタにベース,エミッタが接続され、上記第3のトラ
ンジスタが受けた電流と同じ大きさの電流をコレクタか
ら出力する第4のトランジスタとで構成し、さらに、上
記第3,第4のトランジスタのベースとエミッタとの間
に、外部からオン,オフ制御可能なスイッチを接続す
る。このようにした場合、外部からの制御信号によって
第1の電流ミラー回路を動作させたり、停止したりする
ことが可能となる。詳しくは、録音時は上記スイッチを
オフする。これにより、第1の電流ミラー回路は上述の
通り動作して、上記増幅回路の交流動作レンジが広が
る。このとき、フォトダイオードの受光量は大きいの
で、上記第1,第2の電流ミラー回路を設けたことは、
C/Nについて問題にはならない。一方、再生時は上記
スイッチをオンする。これにより、上記第3,第4のト
ランジスタのベース,エミッタ間が短絡して動作しなく
なり、第1の電流ミラー回路の出力電流は略ゼロとな
る。したがって、RF信号のC/N劣化が防止され、ジ
ッタ特性が悪化しなくなる。このとき、フォトダイオー
ドの受光量は小さいので、上記増幅回路の交流動作レン
ジを広げる必要はない。なお、上記第1,第2のトラン
ジスタのベースとエミッタとの間にスイッチを設けた場
合は、このスイッチのオン,オフによって上記第2の電
流ミラー回路が動作または停止する。したがって、この
スイッチを録音時にオフ,再生時にオンすることによっ
て、上記第1の電流ミラー回路を動作または停止させる
場合と同様に、録音時は上記増幅回路の交流動作レンジ
を広げることができ、再生時はRF信号のC/N劣化を
防止して、ジッタ特性の悪化を抑えることができる。当
然ながら、第3,第4のトランジスタのベースとエミッ
タとの間、第1,第2のトランジスタのベースとエミッ
タとの間の両方にスイッチを設けた場合も、録音時は上
記増幅回路の交流動作レンジが広がり、再生時はRF信
号のC/N劣化が防止され、ジッタ特性が悪化しなくな
る。
イヤでは、録音時と再生時とでは上記フォトダイオード
の受光量は大きく異なり、録音時に対して再生時の受光
量は約1/10となる。このため、上述の如く第1,第
2の電流ミラー回路を付加した場合、再生時に、C/N
(キャリア/ノイズ比)が劣化してオーディオ信号(RF
信号)のジッタ特性(時間軸方向の揺れ)が悪化するおそ
れがある。そこで、この発明では、上記第1の電流ミラ
ー回路を、上記各フォトダイオードの各カソードからの
電流を受ける第3のトランジスタと、この第3のトラン
ジスタにベース,エミッタが接続され、上記第3のトラ
ンジスタが受けた電流と同じ大きさの電流をコレクタか
ら出力する第4のトランジスタとで構成し、さらに、上
記第3,第4のトランジスタのベースとエミッタとの間
に、外部からオン,オフ制御可能なスイッチを接続す
る。このようにした場合、外部からの制御信号によって
第1の電流ミラー回路を動作させたり、停止したりする
ことが可能となる。詳しくは、録音時は上記スイッチを
オフする。これにより、第1の電流ミラー回路は上述の
通り動作して、上記増幅回路の交流動作レンジが広が
る。このとき、フォトダイオードの受光量は大きいの
で、上記第1,第2の電流ミラー回路を設けたことは、
C/Nについて問題にはならない。一方、再生時は上記
スイッチをオンする。これにより、上記第3,第4のト
ランジスタのベース,エミッタ間が短絡して動作しなく
なり、第1の電流ミラー回路の出力電流は略ゼロとな
る。したがって、RF信号のC/N劣化が防止され、ジ
ッタ特性が悪化しなくなる。このとき、フォトダイオー
ドの受光量は小さいので、上記増幅回路の交流動作レン
ジを広げる必要はない。なお、上記第1,第2のトラン
ジスタのベースとエミッタとの間にスイッチを設けた場
合は、このスイッチのオン,オフによって上記第2の電
流ミラー回路が動作または停止する。したがって、この
スイッチを録音時にオフ,再生時にオンすることによっ
て、上記第1の電流ミラー回路を動作または停止させる
場合と同様に、録音時は上記増幅回路の交流動作レンジ
を広げることができ、再生時はRF信号のC/N劣化を
防止して、ジッタ特性の悪化を抑えることができる。当
然ながら、第3,第4のトランジスタのベースとエミッ
タとの間、第1,第2のトランジスタのベースとエミッ
タとの間の両方にスイッチを設けた場合も、録音時は上
記増幅回路の交流動作レンジが広がり、再生時はRF信
号のC/N劣化が防止され、ジッタ特性が悪化しなくな
る。
【0019】さらに、上記スイッチはトランジスタから
なる場合、このスイッチは、所定の製造プロセスによっ
て他の構成要素と同時に作製され得る。したがって、簡
単に設けられる。
なる場合、このスイッチは、所定の製造プロセスによっ
て他の構成要素と同時に作製され得る。したがって、簡
単に設けられる。
【0020】また、上記スイッチに代えて、所定の値
(Rとする)を有する電気抵抗を接続しても良い。例え
ば、第1の電流ミラー回路に上記電気抵抗を接続するも
のとし、上記第3,第4のトランジスタのカットオフ電
圧をVBE(0.5V程度)とする。録音時に、フォトダイ
オードの受光量が十分大きく、したがって、各フォトダ
イオードのカソードから上記第1の電流ミラー回路が受
ける電流I1が I1>VBE/R なる条件を満たすときは、第1の電流ミラー回路の出力
電流I2は、 I2≒I1−VBE/R となる。そして、この電流I2を、第2の電流ミラー回
路が各フォトダイオード毎に均等な大きさの電流に分割
し、この均等な大きさの電流を上記各フォトダイオード
のアノードからそれぞれ分岐して取り去る。これによ
り、各増幅回路に入力される電流のうち直流成分が減少
して、交流成分の割合が増大する。したがって、従来に
比して、増幅回路の交流動作レンジが広くなる。一方、
再生時に、フォトダイオードの受光量が小さく、したが
って、各フォトダイオードのカソードから上記第1の電
流ミラー回路が受ける電流I1が I1≦VBE/R なる条件を満たすときは、第3,第4のトランジスタは
カットオフ状態であるから、第1の電流ミラー回路の出
力電流I2は、 I2≒0 となる(動作が停止する)。したがって、RF信号のC/
N劣化が防止され、ジッタ特性が悪化しなくなる。な
お、上記第1,第2のトランジスタのベースとエミッタ
との間に電気抵抗を設けた場合は、フォトダイオードの
受光量の大小に応じて上記第2の電流ミラー回路が動作
または停止する。したがって、上記第1の電流ミラー回
路が動作または停止する場合と同様に、録音時は上記増
幅回路の交流動作レンジを広げることができ、再生時は
RF信号のC/N劣化を防止して、ジッタ特性の悪化を
抑えることができる。当然ながら、第3,第4のトラン
ジスタのベースとエミッタとの間、第1,第2のトラン
ジスタのベースとエミッタとの間の両方に電気抵抗を設
けた場合も、録音時は上記増幅回路の交流動作レンジが
広がり、再生時はRF信号のC/N劣化が防止され、ジ
ッタ特性が悪化しなくなる。
(Rとする)を有する電気抵抗を接続しても良い。例え
ば、第1の電流ミラー回路に上記電気抵抗を接続するも
のとし、上記第3,第4のトランジスタのカットオフ電
圧をVBE(0.5V程度)とする。録音時に、フォトダイ
オードの受光量が十分大きく、したがって、各フォトダ
イオードのカソードから上記第1の電流ミラー回路が受
ける電流I1が I1>VBE/R なる条件を満たすときは、第1の電流ミラー回路の出力
電流I2は、 I2≒I1−VBE/R となる。そして、この電流I2を、第2の電流ミラー回
路が各フォトダイオード毎に均等な大きさの電流に分割
し、この均等な大きさの電流を上記各フォトダイオード
のアノードからそれぞれ分岐して取り去る。これによ
り、各増幅回路に入力される電流のうち直流成分が減少
して、交流成分の割合が増大する。したがって、従来に
比して、増幅回路の交流動作レンジが広くなる。一方、
再生時に、フォトダイオードの受光量が小さく、したが
って、各フォトダイオードのカソードから上記第1の電
流ミラー回路が受ける電流I1が I1≦VBE/R なる条件を満たすときは、第3,第4のトランジスタは
カットオフ状態であるから、第1の電流ミラー回路の出
力電流I2は、 I2≒0 となる(動作が停止する)。したがって、RF信号のC/
N劣化が防止され、ジッタ特性が悪化しなくなる。な
お、上記第1,第2のトランジスタのベースとエミッタ
との間に電気抵抗を設けた場合は、フォトダイオードの
受光量の大小に応じて上記第2の電流ミラー回路が動作
または停止する。したがって、上記第1の電流ミラー回
路が動作または停止する場合と同様に、録音時は上記増
幅回路の交流動作レンジを広げることができ、再生時は
RF信号のC/N劣化を防止して、ジッタ特性の悪化を
抑えることができる。当然ながら、第3,第4のトラン
ジスタのベースとエミッタとの間、第1,第2のトラン
ジスタのベースとエミッタとの間の両方に電気抵抗を設
けた場合も、録音時は上記増幅回路の交流動作レンジが
広がり、再生時はRF信号のC/N劣化が防止され、ジ
ッタ特性が悪化しなくなる。
【0021】
【実施例】以下、この発明の受光増幅装置を実施例によ
り詳細に説明する。
り詳細に説明する。
【0022】図1は一実施例の受光増幅装置の等価回路
を示している。この受光増幅装置は、図7に示した従来
のものと同様に、カソードを共通とする4つのフォトダ
イオードPDA,PDB,PDC,PDDと、4つの増幅
回路AMPA,AMPB,AMPC,AMPDを備えてい
る。図8,図9に示したように、各フォトダイオードP
DA,PDB,PDC,PDDは、N型エピタキシャル層
の表面にP型不純物をそれぞれ拡散して形成されている
(PDEは、N型エピタキシャル層とP型半導体基板と
の間に生ずる寄生フォトダイオードを示している。)。
各増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,AMPDは、
各フォトダイオードPDA,PDB,PDC,PDDのア
ノードから光電流信号IPDA,IPDB,IPDC,IPDDを受け
て増幅し、低インピーダンスの電圧出力VA,VB,VC,V
Dを生ずる。
を示している。この受光増幅装置は、図7に示した従来
のものと同様に、カソードを共通とする4つのフォトダ
イオードPDA,PDB,PDC,PDDと、4つの増幅
回路AMPA,AMPB,AMPC,AMPDを備えてい
る。図8,図9に示したように、各フォトダイオードP
DA,PDB,PDC,PDDは、N型エピタキシャル層
の表面にP型不純物をそれぞれ拡散して形成されている
(PDEは、N型エピタキシャル層とP型半導体基板と
の間に生ずる寄生フォトダイオードを示している。)。
各増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,AMPDは、
各フォトダイオードPDA,PDB,PDC,PDDのア
ノードから光電流信号IPDA,IPDB,IPDC,IPDDを受け
て増幅し、低インピーダンスの電圧出力VA,VB,VC,V
Dを生ずる。
【0023】上記各フォトダイオードPDA,PDB,P
DC,PDDのカソード側に第1の電流ミラー回路1が
設けられる一方、各フォトダイオードPDA,PDB,P
DC,PDDのアノード側に第2の電流ミラー回路2が
設けられている。上記第1の電流ミラー回路1は第3の
トランジスタとしてのPNPトランジスタQ1,第4の
トランジスタとしてのPNPトランジスタQ2からなっ
ている。トランジスタQ1,Q2のエミッタとベースは
それぞれ互いに結線されており、各エミッタは電源(電
位Vcc)に接続されている。トランジスタQ1のベース
とコレクタとは互いに結線されており、このトランジス
タQ1のコレクタは各フォトダイオードPDA,PDB,
PDC,PDDの共通カソードに接続されている。これ
により、第1の電流ミラー回路1は、トランジスタQ1
のコレクタ電流I1(すなわち、各フォトダイオードP
DA,PDB,PDC,PDDに流れる電流の総和ISUMと
寄生フォトダイオードPDEに流れる電流IPDEの和)と
同じ大きさの電流I2をトランジスタQ2のコレクタに
出力することができる。一方、上記第2の電流ミラー回
路2は第1のトランジスタとしてのNPNトランジスタ
Q3と、各フォトダイオードPDA,PDB,PDC,P
DD毎に設けられた第2のトランジスタとしてのNPN
トランジスタQ4,Q5,Q6,Q7からなっている。各
トランジスQ3,Q4,Q5,Q6,Q7のエミッタとベー
スはそれぞれ互いに結線されており、各エミッタはグラ
ンド端子GNDに接続されている。トランジスタQ3の
ベースとコレクタとは互いに結線されており、このトラ
ンジスタQ3のコレクタは第1の電流ミラー回路1のト
ランジスタQ2のコレクタに接続されている。また、ト
ランジスタQ4,Q5,Q6,Q7のコレクタはそれぞれ
各フォトダイオードPDA,PDB,PDC,PDDのア
ノードに接続されている。この第2の電流ミラー回路2
は、第1の電流ミラー回路1が出力する電流I2をトラ
ンジスタQ3に受ける。そして、トランジスタQ3に受
けた電流I2を、トランジスタQ4,Q5,Q6,Q7の
コレクタ電流I4,I5,I,6,I7に分割し、このコレ
クタ電流I4,I5,I,6,I7を各フォトダイオードP
DA,PDB,PDC,PDDのアノードからそれぞれ分
岐して取り去ることができる。取り去る電流I4,I5,
I,6,I7の大きさは、トランジスタQ3,Q4,Q5,
Q6,Q7のエミッタ面積比で定まる。
DC,PDDのカソード側に第1の電流ミラー回路1が
設けられる一方、各フォトダイオードPDA,PDB,P
DC,PDDのアノード側に第2の電流ミラー回路2が
設けられている。上記第1の電流ミラー回路1は第3の
トランジスタとしてのPNPトランジスタQ1,第4の
トランジスタとしてのPNPトランジスタQ2からなっ
ている。トランジスタQ1,Q2のエミッタとベースは
それぞれ互いに結線されており、各エミッタは電源(電
位Vcc)に接続されている。トランジスタQ1のベース
とコレクタとは互いに結線されており、このトランジス
タQ1のコレクタは各フォトダイオードPDA,PDB,
PDC,PDDの共通カソードに接続されている。これ
により、第1の電流ミラー回路1は、トランジスタQ1
のコレクタ電流I1(すなわち、各フォトダイオードP
DA,PDB,PDC,PDDに流れる電流の総和ISUMと
寄生フォトダイオードPDEに流れる電流IPDEの和)と
同じ大きさの電流I2をトランジスタQ2のコレクタに
出力することができる。一方、上記第2の電流ミラー回
路2は第1のトランジスタとしてのNPNトランジスタ
Q3と、各フォトダイオードPDA,PDB,PDC,P
DD毎に設けられた第2のトランジスタとしてのNPN
トランジスタQ4,Q5,Q6,Q7からなっている。各
トランジスQ3,Q4,Q5,Q6,Q7のエミッタとベー
スはそれぞれ互いに結線されており、各エミッタはグラ
ンド端子GNDに接続されている。トランジスタQ3の
ベースとコレクタとは互いに結線されており、このトラ
ンジスタQ3のコレクタは第1の電流ミラー回路1のト
ランジスタQ2のコレクタに接続されている。また、ト
ランジスタQ4,Q5,Q6,Q7のコレクタはそれぞれ
各フォトダイオードPDA,PDB,PDC,PDDのア
ノードに接続されている。この第2の電流ミラー回路2
は、第1の電流ミラー回路1が出力する電流I2をトラ
ンジスタQ3に受ける。そして、トランジスタQ3に受
けた電流I2を、トランジスタQ4,Q5,Q6,Q7の
コレクタ電流I4,I5,I,6,I7に分割し、このコレ
クタ電流I4,I5,I,6,I7を各フォトダイオードP
DA,PDB,PDC,PDDのアノードからそれぞれ分
岐して取り去ることができる。取り去る電流I4,I5,
I,6,I7の大きさは、トランジスタQ3,Q4,Q5,
Q6,Q7のエミッタ面積比で定まる。
【0024】ここで、ディスクの音声信号に対応する光
電流信号IPDA,IPDB,IPDC,IPDDが、一般に次のよう
に記述できることが着目される。すなわち、光電流信号
IPDA,IPDB,IPDC,IPDDの直流成分,交流成分をそれぞ
れIA,iA;IB,iB;IC,iC;ID,iDとすると、 IPDA=IA+iA=IA+IAOsinωt …(1) IPDB=IB+iB=IB+IBOsinωt …(2) IPDC=IC+iC=IC−ICOsinωt …(3) IPDD=ID+iD=ID−IDOsinωt …(4) と表される。図2に例示するように、IAO,IBO,ICO,
IDOは交流成分の振幅、ωは角周波数、tは時間をそれ
ぞれ表している。
電流信号IPDA,IPDB,IPDC,IPDDが、一般に次のよう
に記述できることが着目される。すなわち、光電流信号
IPDA,IPDB,IPDC,IPDDの直流成分,交流成分をそれぞ
れIA,iA;IB,iB;IC,iC;ID,iDとすると、 IPDA=IA+iA=IA+IAOsinωt …(1) IPDB=IB+iB=IB+IBOsinωt …(2) IPDC=IC+iC=IC−ICOsinωt …(3) IPDD=ID+iD=ID−IDOsinωt …(4) と表される。図2に例示するように、IAO,IBO,ICO,
IDOは交流成分の振幅、ωは角周波数、tは時間をそれ
ぞれ表している。
【0025】また、通常、ピックアップでは、 IA≒IB≒IC≒ID …(5) IAO≒IBO≒ICO≒IDO …(6) が成り立つ。したがって、式(5),(6)を式(1)〜(4)
に代入するとともに、フォトダイオードPDA,PDB,
PDC,PDDの光電流信号IPDA,IPDB,IPDC,IPDDの
総和をとると、交流成分が打ち消し合うことから、総和
ISUMは、 ISUM≒IA+IB+IC+ID≒4IA …(7) となり、ほぼ直流成分のみとなる。(なお、寄生フォト
ダイオードPDEに流れる電流IPDEも、同様に、ほぼ
直流成分のみとなっている。)
に代入するとともに、フォトダイオードPDA,PDB,
PDC,PDDの光電流信号IPDA,IPDB,IPDC,IPDDの
総和をとると、交流成分が打ち消し合うことから、総和
ISUMは、 ISUM≒IA+IB+IC+ID≒4IA …(7) となり、ほぼ直流成分のみとなる。(なお、寄生フォト
ダイオードPDEに流れる電流IPDEも、同様に、ほぼ
直流成分のみとなっている。)
【0026】この結果、上記第1の電流ミラー回路1の
トランジスタQ1のコレクタ電流I1は、 I1≒ISUM+IPDE≒4IA+IPDE …(8) となり、第1の電流ミラー回路1が出力する電流I2
は、 I2≒I1≒4IA+IPDE …(9) となる。
トランジスタQ1のコレクタ電流I1は、 I1≒ISUM+IPDE≒4IA+IPDE …(8) となり、第1の電流ミラー回路1が出力する電流I2
は、 I2≒I1≒4IA+IPDE …(9) となる。
【0027】ここで、上記第2の電流ミラー回路2を構
成するトランジスタQ3,Q4,Q5,Q6,Q7のエミッ
タ面積比を、予め、 Q3:Q4:Q5:Q6:Q7=(4IA+IPDE):IA:IA:IA:IA …(10) に設定しておく。これにより、各フォトダイオードPD
A,PDB,PDC,PDDのアノードから第2の電流ミ
ラー回路2が取り去る電流I4,I5,I,6,I7は、そ
れぞれIAとなる。この結果、各増幅回路AMPA,AM
PB,AMPC,AMPDに入力される電流IINA,IINB,
IINC,IINDは、 IINA=IPDA−I7≒IA+IAOsinωt−IA≒IAOsinωt …(11) IINB=IPDB−I6≒IB+IBOsinωt−IA≒IBOsinωt …(12) IINC=IPDC−I5≒IC−ICOsinωt−IA≒−ICOsinωt …(13) IIND=IPDB−I4≒ID−IDOsinωt−IA≒−IDOsinωt …(14) となり、ほぼ交流成分のみとなる。したがって、交流動
作レンジを広くとることができる。
成するトランジスタQ3,Q4,Q5,Q6,Q7のエミッ
タ面積比を、予め、 Q3:Q4:Q5:Q6:Q7=(4IA+IPDE):IA:IA:IA:IA …(10) に設定しておく。これにより、各フォトダイオードPD
A,PDB,PDC,PDDのアノードから第2の電流ミ
ラー回路2が取り去る電流I4,I5,I,6,I7は、そ
れぞれIAとなる。この結果、各増幅回路AMPA,AM
PB,AMPC,AMPDに入力される電流IINA,IINB,
IINC,IINDは、 IINA=IPDA−I7≒IA+IAOsinωt−IA≒IAOsinωt …(11) IINB=IPDB−I6≒IB+IBOsinωt−IA≒IBOsinωt …(12) IINC=IPDC−I5≒IC−ICOsinωt−IA≒−ICOsinωt …(13) IIND=IPDB−I4≒ID−IDOsinωt−IA≒−IDOsinωt …(14) となり、ほぼ交流成分のみとなる。したがって、交流動
作レンジを広くとることができる。
【0028】また、ディスクのアドレス信号に対応する
光電流信号IPDA,IPDB,IPDB,IPDDは、次のように記
述される。すなわち、上記式(1)〜(4)と同様に、光電
流信号IPDA,IPDB,IPDC,IPDDの直流成分,交流成分を
それぞれIA,iA;IB,iB;IC,iC;ID,iDとすると、 IPDA=IA+iA=IA+IAOsinωt …(15) IPDB=IB+iB=IB−IBOsinωt …(16) IPDC=IC+iC=IC+ICOsinωt …(17) IPDD=ID+iD=ID−IDOsinωt …(18) と表される。図3に例示するように、IAO,IBO,ICO,
IDOは交流成分の振幅、ωは角周波数、tは時間をそれ
ぞれ表している。
光電流信号IPDA,IPDB,IPDB,IPDDは、次のように記
述される。すなわち、上記式(1)〜(4)と同様に、光電
流信号IPDA,IPDB,IPDC,IPDDの直流成分,交流成分を
それぞれIA,iA;IB,iB;IC,iC;ID,iDとすると、 IPDA=IA+iA=IA+IAOsinωt …(15) IPDB=IB+iB=IB−IBOsinωt …(16) IPDC=IC+iC=IC+ICOsinωt …(17) IPDD=ID+iD=ID−IDOsinωt …(18) と表される。図3に例示するように、IAO,IBO,ICO,
IDOは交流成分の振幅、ωは角周波数、tは時間をそれ
ぞれ表している。
【0029】さらに、音声信号の場合と全く同様に、 IA≒IB≒IC≒ID …(5) IAO≒IBO≒ICO≒IDO …(6) が成り立つ。したがって、式(5),(6)を式(15)〜(1
8)に代入するとともに、フォトダイオードPDA,PD
B,PDC,PDDの光電流信号IPDA,IPDB,IPDC,I
PDDの総和をとると、交流成分が打ち消し合うことか
ら、総和ISUMは、 ISUM≒IA+IB+IC+ID≒4IA …(19) となり、ほぼ直流成分のみとなる。(なお、寄生フォト
ダイオードPDEに流れる電流IPDEも、同様に、ほぼ
直流成分のみとなっている。)
8)に代入するとともに、フォトダイオードPDA,PD
B,PDC,PDDの光電流信号IPDA,IPDB,IPDC,I
PDDの総和をとると、交流成分が打ち消し合うことか
ら、総和ISUMは、 ISUM≒IA+IB+IC+ID≒4IA …(19) となり、ほぼ直流成分のみとなる。(なお、寄生フォト
ダイオードPDEに流れる電流IPDEも、同様に、ほぼ
直流成分のみとなっている。)
【0030】この結果、上記第1の電流ミラー回路1の
トランジスタQ1のコレクタ電流I1は、 I1≒ISUM+IPDE≒4IA+IPDE …(20) となり、第1の電流ミラー回路1が出力する電流I2
は、 I2≒I1≒4IA+IPDE …(21) となる。
トランジスタQ1のコレクタ電流I1は、 I1≒ISUM+IPDE≒4IA+IPDE …(20) となり、第1の電流ミラー回路1が出力する電流I2
は、 I2≒I1≒4IA+IPDE …(21) となる。
【0031】ここで、上記第2の電流ミラー回路2を構
成するトランジスタQ3,Q4,Q5,Q6,Q7のエミッ
タ面積比を、予め、 Q3:Q4:Q5:Q6:Q7=(4IA+IPDE):IA:IA:IA:IA …(22) に設定しておく。これにより、各フォトダイオードPD
A,PDB,PDC,PDDのアノードから第2の電流ミ
ラー回路2が取り去る電流I4,I5,I,6,I7は、そ
れぞれIAとなる。この結果、各増幅回路AMPA,AM
PB,AMPC,AMPDに入力される電流IINA,IINB,
IINC,IINDは、 IINA=IPDA−I7≒IA+IAOsinωt−IA≒IAOsinωt …(23) IINB=IPDB−I6≒IB+IBOsinωt−IA≒−IBOsinωt …(24) IINC=IPDC−I5≒IC−ICOsinωt−IA≒ICOsinωt …(25) IIND=IPDB−I4≒ID−IDOsinωt−IA≒−IDOsinωt …(26) となり、ほぼ交流成分のみとなる。したがって、増幅回
路の交流動作レンジを広くすることができる。
成するトランジスタQ3,Q4,Q5,Q6,Q7のエミッ
タ面積比を、予め、 Q3:Q4:Q5:Q6:Q7=(4IA+IPDE):IA:IA:IA:IA …(22) に設定しておく。これにより、各フォトダイオードPD
A,PDB,PDC,PDDのアノードから第2の電流ミ
ラー回路2が取り去る電流I4,I5,I,6,I7は、そ
れぞれIAとなる。この結果、各増幅回路AMPA,AM
PB,AMPC,AMPDに入力される電流IINA,IINB,
IINC,IINDは、 IINA=IPDA−I7≒IA+IAOsinωt−IA≒IAOsinωt …(23) IINB=IPDB−I6≒IB+IBOsinωt−IA≒−IBOsinωt …(24) IINC=IPDC−I5≒IC−ICOsinωt−IA≒ICOsinωt …(25) IIND=IPDB−I4≒ID−IDOsinωt−IA≒−IDOsinωt …(26) となり、ほぼ交流成分のみとなる。したがって、増幅回
路の交流動作レンジを広くすることができる。
【0032】なお、寄生フォトダイオードPDEが存在
しない場合や、存在しても寄生フォトダイオードPDE
が光電流IPDEを生じない場合は、IPDEの値をゼロとす
ることで、上記式(11)〜(14)、式(23)〜(26)が
全く同様に成立する。したがって、光電流IPDEが生じ
る場合と全く同様に、増幅回路の交流動作レンジを広く
することができる。その場合、第2の電流ミラー回路2
を構成するトランジスタQ3,Q4,Q5,Q6,Q7のエ
ミッタ面積比は、 Q3:Q4:Q5:Q6:Q7=4:1:1:1:1 …(27) となる。
しない場合や、存在しても寄生フォトダイオードPDE
が光電流IPDEを生じない場合は、IPDEの値をゼロとす
ることで、上記式(11)〜(14)、式(23)〜(26)が
全く同様に成立する。したがって、光電流IPDEが生じ
る場合と全く同様に、増幅回路の交流動作レンジを広く
することができる。その場合、第2の電流ミラー回路2
を構成するトランジスタQ3,Q4,Q5,Q6,Q7のエ
ミッタ面積比は、 Q3:Q4:Q5:Q6:Q7=4:1:1:1:1 …(27) となる。
【0033】なお、上記各フォトダイオードPDA,P
DB,PDC,PDD、増幅回路AMPA,AMPB,AM
PC,AMPD、第1の電流ミラー回路1および第2の
電流ミラー回路2を同一の半導体基板上に形成すること
により、装置全体をコンパクトに構成することができ
る。第1の電流ミラー回路1,第2の電流ミラー回路2
は、それぞれNPNトランジスタ,PNPトランジスタ
のみからなるので、バイポーラモノリシック集積回路技
術によって、これらを同一の半導体基板上に形成するこ
とは容易である。
DB,PDC,PDD、増幅回路AMPA,AMPB,AM
PC,AMPD、第1の電流ミラー回路1および第2の
電流ミラー回路2を同一の半導体基板上に形成すること
により、装置全体をコンパクトに構成することができ
る。第1の電流ミラー回路1,第2の電流ミラー回路2
は、それぞれNPNトランジスタ,PNPトランジスタ
のみからなるので、バイポーラモノリシック集積回路技
術によって、これらを同一の半導体基板上に形成するこ
とは容易である。
【0034】図4は上記受光増幅装置の変形例を示して
いる。この例では、第1の電流ミラー回路1のトランジ
スタQ1,Q2のベース,エミッタ間に、外部からオン,
オフ制御可能なスイッチS1を設けている。このように
した場合、外部から制御信号をスイッチS1の制御端子
T1に印加することによって、第1の電流ミラー回路1
を動作させたり、停止したりすることができる。詳しく
は、録音時は上記スイッチS1をオフする。これによ
り、第1の電流ミラー回路1は上述の通り動作して、各
増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,AMPDの交流
動作レンジを広げることができる。このとき、フォトダ
イオードPDA,PDB,PDC,PDDの受光量は大き
いので、第1,第2の電流ミラー回路1,2を設けたこと
は、C/Nについて問題にはならない。一方、再生時は
上記スイッチS1をオンする。これにより、上記トラン
ジスタQ1,Q2のベース,エミッタ間が短絡して動作し
なくなり、第1の電流ミラー回路1の出力電流I2は略
ゼロとなる。したがって、RF信号のC/N劣化を防止
して、ジッタ特性の悪化を抑えることができる。このと
き、フォトダイオードPDA,PDB,PDC,PDDの
受光量は小さいので、上記増幅回路AMPA,AMPB,
AMPC,AMPDの交流動作レンジを広げる必要はな
い。
いる。この例では、第1の電流ミラー回路1のトランジ
スタQ1,Q2のベース,エミッタ間に、外部からオン,
オフ制御可能なスイッチS1を設けている。このように
した場合、外部から制御信号をスイッチS1の制御端子
T1に印加することによって、第1の電流ミラー回路1
を動作させたり、停止したりすることができる。詳しく
は、録音時は上記スイッチS1をオフする。これによ
り、第1の電流ミラー回路1は上述の通り動作して、各
増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,AMPDの交流
動作レンジを広げることができる。このとき、フォトダ
イオードPDA,PDB,PDC,PDDの受光量は大き
いので、第1,第2の電流ミラー回路1,2を設けたこと
は、C/Nについて問題にはならない。一方、再生時は
上記スイッチS1をオンする。これにより、上記トラン
ジスタQ1,Q2のベース,エミッタ間が短絡して動作し
なくなり、第1の電流ミラー回路1の出力電流I2は略
ゼロとなる。したがって、RF信号のC/N劣化を防止
して、ジッタ特性の悪化を抑えることができる。このと
き、フォトダイオードPDA,PDB,PDC,PDDの
受光量は小さいので、上記増幅回路AMPA,AMPB,
AMPC,AMPDの交流動作レンジを広げる必要はな
い。
【0035】なお、第2の電流ミラー回路2のトランジ
スタQ3,…,Q7のベース,エミッタ間にスイッチを設
けた場合は、このスイッチのオン,オフによって第2の
電流ミラー回路2を動作または停止させることができ
る。したがって、このスイッチを録音時にオフ,再生時
にオンすることによって、上記第1の電流ミラー回路1
を動作または停止させる場合と同様に、録音時は増幅回
路AMPA,AMPB,AMPC,AMPDの交流動作レ
ンジを広げることができ、再生時はRF信号のC/N劣
化を防止して、ジッタ特性の悪化を抑えることができ
る。当然ながら、トランジスタQ1,Q2のベース,エミ
ッタ間、トランジスタQ3,…,Q7のベース,エミッタ
間の両方にスイッチを設けた場合も、同様の効果を奏す
ることができる。
スタQ3,…,Q7のベース,エミッタ間にスイッチを設
けた場合は、このスイッチのオン,オフによって第2の
電流ミラー回路2を動作または停止させることができ
る。したがって、このスイッチを録音時にオフ,再生時
にオンすることによって、上記第1の電流ミラー回路1
を動作または停止させる場合と同様に、録音時は増幅回
路AMPA,AMPB,AMPC,AMPDの交流動作レ
ンジを広げることができ、再生時はRF信号のC/N劣
化を防止して、ジッタ特性の悪化を抑えることができ
る。当然ながら、トランジスタQ1,Q2のベース,エミ
ッタ間、トランジスタQ3,…,Q7のベース,エミッタ
間の両方にスイッチを設けた場合も、同様の効果を奏す
ることができる。
【0036】図5は、上記スイッチS1をPNPトラン
ジスタQ8で構成した例を示している。この例では、制
御端子T2を通してトランジスタQ8のベース電流を制
御することによって、第1の電流ミラー回路1を動作ま
たは停止させることができる。詳しくは、録音時はトラ
ンジスタQ8にベース電流を流さず、トランジスタQ8
をカットオフ状態として、上記トランジスタQ1,Q2
のベース,エミッタ間を高インピーダンスにする。これ
により第1の電流ミラー回路1は上述の通り動作して、
各増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,AMPDの交
流動作レンジを広げることができる。一方、再生時はト
ランジスタQ8にベース電流を十分に流して、トランジ
スタQ8を飽和状態(ベース,コレクタ間電圧が0.2V
以下)にする。これにより、上記トランジスタQ1,Q2
のベース,エミッタ間が0.2V以下となって動作しなく
なり、第1の電流ミラー回路1の出力電流I2は略ゼロ
となる。したがって、RF信号のC/N劣化を防止し
て、ジッタ特性の悪化を抑えることができる。
ジスタQ8で構成した例を示している。この例では、制
御端子T2を通してトランジスタQ8のベース電流を制
御することによって、第1の電流ミラー回路1を動作ま
たは停止させることができる。詳しくは、録音時はトラ
ンジスタQ8にベース電流を流さず、トランジスタQ8
をカットオフ状態として、上記トランジスタQ1,Q2
のベース,エミッタ間を高インピーダンスにする。これ
により第1の電流ミラー回路1は上述の通り動作して、
各増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,AMPDの交
流動作レンジを広げることができる。一方、再生時はト
ランジスタQ8にベース電流を十分に流して、トランジ
スタQ8を飽和状態(ベース,コレクタ間電圧が0.2V
以下)にする。これにより、上記トランジスタQ1,Q2
のベース,エミッタ間が0.2V以下となって動作しなく
なり、第1の電流ミラー回路1の出力電流I2は略ゼロ
となる。したがって、RF信号のC/N劣化を防止し
て、ジッタ特性の悪化を抑えることができる。
【0037】この場合、トランジスタQ8は、所定の製
造プロセスによって他の構成要素と同時に作製すること
ができ、簡単に設けることができる。
造プロセスによって他の構成要素と同時に作製すること
ができ、簡単に設けることができる。
【0038】図6は、第1の電流ミラー回路1のトラン
ジスタQ1,Q2のベース,エミッタ間に、所定の値を有
する電気抵抗R1を設けた例を示している。トランジス
タQ1,Q2のカットオフ電圧をVBE(0.5V程度)とす
る。
ジスタQ1,Q2のベース,エミッタ間に、所定の値を有
する電気抵抗R1を設けた例を示している。トランジス
タQ1,Q2のカットオフ電圧をVBE(0.5V程度)とす
る。
【0039】録音時に、フォトダイオードPDA,PD
B,PDC,PDDの受光量が十分大きく、したがって、
各フォトダイオードのカソードから上記第1の電流ミラ
ー回路1が受ける電流I1が I1>VBE/R なる条件を満たすときは、第1の電流ミラー回路1の出
力電流I2は、 I2≒I1−VBE/R となる。そして、この電流I2を、第2の電流ミラー回
路2が各フォトダイオードPDA,PDB,PDC,PD
D毎に均等な大きさの電流I4,I5,I6,I7に分割
し、この均等な大きさの電流I4,I5,I6,I7を上
記各フォトダイオードPDA,PDB,PDC,PDDの
アノードからそれぞれ分岐して取り去る。これにより、
各増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,AMPDに入
力される電流IINA,IINB,IINC,IINDのうち直流成分
が減少して、交流成分の割合が増大する。したがって、
従来に比して、増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,
AMPDの交流動作レンジを広げることができる。一
方、再生時に、フォトダイオードPDA,PDB,PD
C,PDDの受光量が小さく、したがって、各フォトダ
イオードのカソードから上記第1の電流ミラー回路1が
受ける電流I1が I1≦VBE/R なる条件を満たすときは、トランジスタQ1,Q2はカ
ットオフ状態であるから、第1の電流ミラー回路1の出
力電流I2は、 I2≒0 となる(動作が停止する)。したがって、RF信号のC/
N劣化を防止して、ジッタ特性の悪化を抑えることがで
きる。
B,PDC,PDDの受光量が十分大きく、したがって、
各フォトダイオードのカソードから上記第1の電流ミラ
ー回路1が受ける電流I1が I1>VBE/R なる条件を満たすときは、第1の電流ミラー回路1の出
力電流I2は、 I2≒I1−VBE/R となる。そして、この電流I2を、第2の電流ミラー回
路2が各フォトダイオードPDA,PDB,PDC,PD
D毎に均等な大きさの電流I4,I5,I6,I7に分割
し、この均等な大きさの電流I4,I5,I6,I7を上
記各フォトダイオードPDA,PDB,PDC,PDDの
アノードからそれぞれ分岐して取り去る。これにより、
各増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,AMPDに入
力される電流IINA,IINB,IINC,IINDのうち直流成分
が減少して、交流成分の割合が増大する。したがって、
従来に比して、増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,
AMPDの交流動作レンジを広げることができる。一
方、再生時に、フォトダイオードPDA,PDB,PD
C,PDDの受光量が小さく、したがって、各フォトダ
イオードのカソードから上記第1の電流ミラー回路1が
受ける電流I1が I1≦VBE/R なる条件を満たすときは、トランジスタQ1,Q2はカ
ットオフ状態であるから、第1の電流ミラー回路1の出
力電流I2は、 I2≒0 となる(動作が停止する)。したがって、RF信号のC/
N劣化を防止して、ジッタ特性の悪化を抑えることがで
きる。
【0040】なお、上記トランジスタQ3,…,Q7のベ
ース,エミッタ間に電気抵抗を設けた場合は、フォトダ
イオードPDA,PDB,PDC,PDDの受光量の大小
に応じて第2の電流ミラー回路2を動作または停止させ
ることができる。したがって、上記第1の電流ミラー回
路1が動作または停止する場合と同様に、録音時は上記
増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,AMPDの交流
動作レンジを広げることができ、再生時はRF信号のC
/N劣化を防止して、ジッタ特性の悪化を抑えることが
できる。当然ながら、トランジスタQ1,Q2のベース,
エミッタ間、トランジスタQ3,…,Q7のベース,エミ
ッタ間の両方に電気抵抗を設けた場合も、録音時は上記
増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,AMPDの交流
動作レンジを広げることができ、再生時はRF信号のC
/N劣化を防止してジッタ特性の悪化を抑えることがで
きる。
ース,エミッタ間に電気抵抗を設けた場合は、フォトダ
イオードPDA,PDB,PDC,PDDの受光量の大小
に応じて第2の電流ミラー回路2を動作または停止させ
ることができる。したがって、上記第1の電流ミラー回
路1が動作または停止する場合と同様に、録音時は上記
増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,AMPDの交流
動作レンジを広げることができ、再生時はRF信号のC
/N劣化を防止して、ジッタ特性の悪化を抑えることが
できる。当然ながら、トランジスタQ1,Q2のベース,
エミッタ間、トランジスタQ3,…,Q7のベース,エミ
ッタ間の両方に電気抵抗を設けた場合も、録音時は上記
増幅回路AMPA,AMPB,AMPC,AMPDの交流
動作レンジを広げることができ、再生時はRF信号のC
/N劣化を防止してジッタ特性の悪化を抑えることがで
きる。
【0041】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の受
光増幅装置は、第1の電流ミラー回路によって各フォト
ダイオードのカソードに流れる電流を総和し、第2の電
流ミラー回路によってこの電流の総和を各フォトダイオ
ード毎に均等な大きさの電流に分割し、この均等な大き
さの電流を上記各フォトダイオードのアノードからそれ
ぞれ分岐して取り去っているので、各増幅回路に入力さ
れる電流のうち直流成分を減少させて、交流成分の割合
を増大させることができる。したがって、従来に比し
て、増幅回路の交流動作レンジを広くすることができ
る。また、上記電流ミラー回路は、大容量のキャパシタ
などを用いることなく、トランジスタのみで構成でき
る。したがって、この発明によれば、寸法を増大させ
ず、低コストでもって簡単に装置を構成することができ
る。
光増幅装置は、第1の電流ミラー回路によって各フォト
ダイオードのカソードに流れる電流を総和し、第2の電
流ミラー回路によってこの電流の総和を各フォトダイオ
ード毎に均等な大きさの電流に分割し、この均等な大き
さの電流を上記各フォトダイオードのアノードからそれ
ぞれ分岐して取り去っているので、各増幅回路に入力さ
れる電流のうち直流成分を減少させて、交流成分の割合
を増大させることができる。したがって、従来に比し
て、増幅回路の交流動作レンジを広くすることができ
る。また、上記電流ミラー回路は、大容量のキャパシタ
などを用いることなく、トランジスタのみで構成でき
る。したがって、この発明によれば、寸法を増大させ
ず、低コストでもって簡単に装置を構成することができ
る。
【0042】また、上記各フォトダイオードは、共通の
カソードとなるべき半導体層の表面に、不純物拡散を行
ってアノードを設けて構成されている場合、各フォトダ
イオードを、1つの半導体基板に小面積で形成すること
ができる。
カソードとなるべき半導体層の表面に、不純物拡散を行
ってアノードを設けて構成されている場合、各フォトダ
イオードを、1つの半導体基板に小面積で形成すること
ができる。
【0043】また、上記各フォトダイオードと上記増幅
回路は、同一の半導体基板上に形成されている場合、装
置全体をコンパクトに構成することができる。
回路は、同一の半導体基板上に形成されている場合、装
置全体をコンパクトに構成することができる。
【0044】また、上記第2の電流ミラー回路は、上記
第1の電流ミラー回路からの電流を受ける第1のトラン
ジスタと、上記各フォトダイオード毎に設けられ、上記
第1のトランジスタにそれぞれベース,エミッタが接続
された第2のトランジスタとからなり、上記第1のトラ
ンジスタと第2のトランジスタのエミッタ面積比が所定
の比率に設定されている場合、上記各フォトダイオード
のアノードから分岐して取り去られる電流レベルを調節
することができる。したがって、上記増幅回路に入力さ
れる電流をほぼ交流成分のみにすることができ、交流動
作レンジをさらに広くすることができる。
第1の電流ミラー回路からの電流を受ける第1のトラン
ジスタと、上記各フォトダイオード毎に設けられ、上記
第1のトランジスタにそれぞれベース,エミッタが接続
された第2のトランジスタとからなり、上記第1のトラ
ンジスタと第2のトランジスタのエミッタ面積比が所定
の比率に設定されている場合、上記各フォトダイオード
のアノードから分岐して取り去られる電流レベルを調節
することができる。したがって、上記増幅回路に入力さ
れる電流をほぼ交流成分のみにすることができ、交流動
作レンジをさらに広くすることができる。
【0045】また、上記第1の電流ミラー回路は、上記
各フォトダイオードの各カソードからの電流を受ける第
3のトランジスタと、この第3のトランジスタにベー
ス,エミッタが接続され、上記第3のトランジスタが受
けた電流と同じ大きさの電流をコレクタから出力する第
4のトランジスタとからなり、上記第3,第4のトラン
ジスタのベースとエミッタとの間、上記第1,第2のト
ランジスタのベースとエミッタとの間のいずれか、また
は両方に、外部からオン,オフ制御可能なスイッチが接
続されている場合、外部からの制御信号によって第1の
電流ミラー回路を動作させたり、停止したりすることが
できる。この場合、録音時は上記スイッチをオフするこ
とにより、第1の電流ミラー回路を動作させて、上記増
幅回路の交流動作レンジを広げることができる。一方、
再生時は上記スイッチをオンすることにより、第1の電
流ミラー回路の動作を停止(出力電流を略ゼロ)として、
RF信号のC/N劣化を防止してジッタ特性の悪化を抑
えることができる。なお、第1,第2のトランジスタの
ベースとエミッタとの間にスイッチを設けた場合は、こ
のスイッチのオン,オフによって上記第2の電流ミラー
回路が動作または停止する。したがって、このスイッチ
を録音時にオフ,再生時にオンすることによって、上記
第1の電流ミラー回路を動作または停止させる場合と同
様に、録音時は上記増幅回路の交流動作レンジを広げる
ことができ、再生時はRF信号のC/N劣化を防止し
て、ジッタ特性の悪化を抑えることができる。当然なが
ら、第3,第4のトランジスタのベースとエミッタとの
間、第1,第2のトランジスタのベースとエミッタとの
間の両方にスイッチを設けた場合も、録音時は上記増幅
回路の交流動作レンジを広げることができ、再生時はR
F信号のC/N劣化を防止してジッタ特性の悪化を抑え
ることができる。
各フォトダイオードの各カソードからの電流を受ける第
3のトランジスタと、この第3のトランジスタにベー
ス,エミッタが接続され、上記第3のトランジスタが受
けた電流と同じ大きさの電流をコレクタから出力する第
4のトランジスタとからなり、上記第3,第4のトラン
ジスタのベースとエミッタとの間、上記第1,第2のト
ランジスタのベースとエミッタとの間のいずれか、また
は両方に、外部からオン,オフ制御可能なスイッチが接
続されている場合、外部からの制御信号によって第1の
電流ミラー回路を動作させたり、停止したりすることが
できる。この場合、録音時は上記スイッチをオフするこ
とにより、第1の電流ミラー回路を動作させて、上記増
幅回路の交流動作レンジを広げることができる。一方、
再生時は上記スイッチをオンすることにより、第1の電
流ミラー回路の動作を停止(出力電流を略ゼロ)として、
RF信号のC/N劣化を防止してジッタ特性の悪化を抑
えることができる。なお、第1,第2のトランジスタの
ベースとエミッタとの間にスイッチを設けた場合は、こ
のスイッチのオン,オフによって上記第2の電流ミラー
回路が動作または停止する。したがって、このスイッチ
を録音時にオフ,再生時にオンすることによって、上記
第1の電流ミラー回路を動作または停止させる場合と同
様に、録音時は上記増幅回路の交流動作レンジを広げる
ことができ、再生時はRF信号のC/N劣化を防止し
て、ジッタ特性の悪化を抑えることができる。当然なが
ら、第3,第4のトランジスタのベースとエミッタとの
間、第1,第2のトランジスタのベースとエミッタとの
間の両方にスイッチを設けた場合も、録音時は上記増幅
回路の交流動作レンジを広げることができ、再生時はR
F信号のC/N劣化を防止してジッタ特性の悪化を抑え
ることができる。
【0046】さらに、上記スイッチはトランジスタから
なる場合、このスイッチを、所定の製造プロセスによっ
て他の構成要素と同時に作製でき、簡単に設けることが
できる。
なる場合、このスイッチを、所定の製造プロセスによっ
て他の構成要素と同時に作製でき、簡単に設けることが
できる。
【0047】また、上記スイッチに代えて、上記第3,
第4のトランジスタのベースとエミッタとの間に、所定
の値を有する電気抵抗を接続した場合、上記フォトダイ
オードの受光量の大小に応じて、第1の電流ミラー回路
を動作または停止させることができる。したがって、録
音時は上記増幅回路の交流動作レンジを広げることがで
き、再生時はRF信号のC/N劣化を防止して、ジッタ
特性の悪化を抑えることができる。また、上記第1,第
2のトランジスタのベースとエミッタとの間に電気抵抗
を設けた場合は、フォトダイオードの受光量の大小に応
じて上記第2の電流ミラー回路が動作または停止する。
したがって、上記第1の電流ミラー回路が動作または停
止する場合と同様に、録音時は上記増幅回路の交流動作
レンジを広げることができ、再生時はRF信号のC/N
劣化を防止して、ジッタ特性の悪化を抑えることができ
る。当然ながら、第3,第4のトランジスタのベースと
エミッタとの間、第1,第2のトランジスタのベースと
エミッタとの間の両方に電気抵抗を設けた場合も、録音
時は上記増幅回路の交流動作レンジを広げることがで
き、再生時はRF信号のC/N劣化を防止してジッタ特
性の悪化を抑えることができる。
第4のトランジスタのベースとエミッタとの間に、所定
の値を有する電気抵抗を接続した場合、上記フォトダイ
オードの受光量の大小に応じて、第1の電流ミラー回路
を動作または停止させることができる。したがって、録
音時は上記増幅回路の交流動作レンジを広げることがで
き、再生時はRF信号のC/N劣化を防止して、ジッタ
特性の悪化を抑えることができる。また、上記第1,第
2のトランジスタのベースとエミッタとの間に電気抵抗
を設けた場合は、フォトダイオードの受光量の大小に応
じて上記第2の電流ミラー回路が動作または停止する。
したがって、上記第1の電流ミラー回路が動作または停
止する場合と同様に、録音時は上記増幅回路の交流動作
レンジを広げることができ、再生時はRF信号のC/N
劣化を防止して、ジッタ特性の悪化を抑えることができ
る。当然ながら、第3,第4のトランジスタのベースと
エミッタとの間、第1,第2のトランジスタのベースと
エミッタとの間の両方に電気抵抗を設けた場合も、録音
時は上記増幅回路の交流動作レンジを広げることがで
き、再生時はRF信号のC/N劣化を防止してジッタ特
性の悪化を抑えることができる。
【図1】 この発明の一実施例の受光増幅装置の等価回
路を示す図である。
路を示す図である。
【図2】 ディスクの音声信号の交流成分の波形を示す
図である。
図である。
【図3】 ディスクのアドレス信号の交流成分の波形を
示す図である。
示す図である。
【図4】 上記受光増幅装置の変形例を示す図である。
【図5】 上記受光増幅装置の別の変形例を示す図であ
る。
る。
【図6】 上記受光増幅装置のさらなる変形例を示す図
である。
である。
【図7】 従来の受光増幅装置の等価回路を示す図であ
る。
る。
【図8】 上記従来の受光増幅装置を構成するフォトダ
イオードのパターンレイアウトを示す図である。
イオードのパターンレイアウトを示す図である。
【図9】 図8におけるVI−VI線断面を示す図であ
る。
る。
1 第1の電流ミラー回路 2 第2の電流ミラー回路 AMPA,AMPB,AMPC,AMPD 増幅回路 PDA,PDB,PDC,PDD フォトダイオード PDE 寄生フォトダイオード Q1,Q2 NPNトランジスタ Q3,Q4,Q5,Q6,Q7,Q8 PNPトランジスタ R1 電気抵抗 S1 スイッチ
Claims (7)
- 【請求項1】 受けた光に応じて電流信号を発生する複
数のフォトダイオードと、上記各フォトダイオードのア
ノードに接続され、各フォトダイオードが発生する電流
信号を受けて増幅する増幅回路を有する受光増幅装置に
おいて、 上記各フォトダイオードのカソードに接続され、各カソ
ードに流れる電流を総和して受けて、受けた電流と同じ
大きさの電流を出力する第1の電流ミラー回路と、 上記第1の電流ミラー回路が出力する電流を受けて、受
けた電流を上記各フォトダイオード毎に均等な大きさの
電流に分割し、この均等な大きさの電流を上記各フォト
ダイオードのアノードからそれぞれ分岐して取り去る第
2の電流ミラー回路を備えたことを特徴とする受光増幅
装置。 - 【請求項2】 上記各フォトダイオードは、共通のカソ
ードとなるべき半導体層の表面に、不純物拡散を行って
アノードを設けて構成されていることを特徴とする請求
項1に記載の受光増幅装置。 - 【請求項3】 上記各フォトダイオードと上記増幅回路
は、同一の半導体基板上に形成されていることを特徴と
する請求項1または請求項2に記載の受光増幅装置。 - 【請求項4】 上記第2の電流ミラー回路は、上記第1
の電流ミラー回路からの電流を受ける第1のトランジス
タと、上記各フォトダイオード毎に設けられ、上記第1
のトランジスタにそれぞれベース,エミッタ同士が接続
された第2のトランジスタとからなり、 上記第1のトランジスタと第2のトランジスタのエミッ
タ面積比が所定の比率に設定されていることを特徴とす
る請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の受光増幅装
置。 - 【請求項5】 上記第1の電流ミラー回路は、上記各フ
ォトダイオードの各カソードからの電流を受ける第3の
トランジスタと、この第3のトランジスタにベース,エ
ミッタ同士が接続され、上記第3のトランジスタが受け
た電流と同じ大きさの電流をコレクタから出力する第4
のトランジスタとからなり、 上記第3,第4のトランジスタのベースとエミッタとの
間、上記第1,第2のトランジスタのベースとエミッタ
との間のいずれか、または両方に、外部からオン,オフ
制御可能なスイッチが接続されていることを特徴とする
請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の受光増幅装
置。 - 【請求項6】 上記スイッチはトランジスタからなるこ
とを特徴とする請求項5に記載の受光増幅装置。 - 【請求項7】 上記第1の電流ミラー回路は、上記各フ
ォトダイオードの各カソードからの電流を受ける第3の
トランジスタと、この第3のトランジスタにベース,エ
ミッタが接続され、上記第3のトランジスタが受けた電
流と同じ大きさの電流をコレクタから出力する第4のト
ランジスタとからなり、 上記第3,第4のトランジスタのベースとエミッタとの
間、上記第1,第2のトランジスタのベースとエミッタ
との間のいずれか、または両方に、所定の値を有する電
気抵抗が接続されていることを特徴とする請求項1乃至
請求項4のいずれかに記載の受光増幅装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5002536A JP2988795B2 (ja) | 1992-05-29 | 1993-01-11 | 受光増幅装置 |
US08/067,150 US5321254A (en) | 1992-05-29 | 1993-05-26 | Light-receiving and amplyfying device capable of widening an AC operation range |
EP93304203A EP0577265B1 (en) | 1992-05-29 | 1993-05-28 | Light-receiving and amplifying device capable of widening an a.c. operation range |
DE69316796T DE69316796T2 (de) | 1992-05-29 | 1993-05-28 | Lichtempfindliche Verstärkungsvorrichtung zur Erweiterung eines Wechselspannungsbereichs |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4-138473 | 1992-05-29 | ||
JP13847392 | 1992-05-29 | ||
JP5002536A JP2988795B2 (ja) | 1992-05-29 | 1993-01-11 | 受光増幅装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0645838A true JPH0645838A (ja) | 1994-02-18 |
JP2988795B2 JP2988795B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=26335936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
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EP (1) | EP0577265B1 (ja) |
JP (1) | JP2988795B2 (ja) |
DE (1) | DE69316796T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299967A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Mitsumi Electric Co Ltd | 光電流増幅回路 |
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---|---|---|---|---|
US5703353A (en) * | 1996-01-25 | 1997-12-30 | Hewlett-Packard Company | Offset removal and spatial frequency band filtering circuitry for photoreceiver signals |
US6188059B1 (en) * | 1998-01-30 | 2001-02-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photocurrent monitor circuit and optical receiver |
FR2784820B1 (fr) * | 1998-10-06 | 2000-12-08 | Thomson Multimedia Sa | Dispositif amplificateur a gain commandable numeriquement et appareil lecteur de disques optiques incorporant un tel dispositif |
JP3330105B2 (ja) * | 1999-10-05 | 2002-09-30 | 松下電器産業株式会社 | 光集積素子 |
JP4159582B2 (ja) * | 2006-04-26 | 2008-10-01 | 松下電器産業株式会社 | 受光増幅回路のテスト回路およびテスト方法 |
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---|---|---|---|---|
DE3140956C2 (de) * | 1981-10-15 | 1984-08-02 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Fotostromverstärker |
US4485301A (en) * | 1982-02-01 | 1984-11-27 | Sprague Electric Company | Linear two-terminal integrated circuit photo sensor |
US4760285A (en) * | 1987-03-30 | 1988-07-26 | Honeywell Inc. | Hall effect device with epitaxal layer resistive means for providing temperature independent sensitivity |
US4785167A (en) * | 1987-08-26 | 1988-11-15 | International Business Machines Corporation | Photodetector having cascaded photoelements |
-
1993
- 1993-01-11 JP JP5002536A patent/JP2988795B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-05-26 US US08/067,150 patent/US5321254A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-28 EP EP93304203A patent/EP0577265B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-28 DE DE69316796T patent/DE69316796T2/de not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299967A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Mitsumi Electric Co Ltd | 光電流増幅回路 |
JP4639509B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2011-02-23 | ミツミ電機株式会社 | 光電流増幅回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0577265A3 (en) | 1994-12-28 |
US5321254A (en) | 1994-06-14 |
EP0577265A2 (en) | 1994-01-05 |
JP2988795B2 (ja) | 1999-12-13 |
DE69316796T2 (de) | 1998-08-06 |
DE69316796D1 (de) | 1998-03-12 |
EP0577265B1 (en) | 1998-02-04 |
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