JP2002299967A - 光電流増幅回路 - Google Patents
光電流増幅回路Info
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- JP2002299967A JP2002299967A JP2001102063A JP2001102063A JP2002299967A JP 2002299967 A JP2002299967 A JP 2002299967A JP 2001102063 A JP2001102063 A JP 2001102063A JP 2001102063 A JP2001102063 A JP 2001102063A JP 2002299967 A JP2002299967 A JP 2002299967A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、オフセットのない受光量に比例し
た出力電流を得ることができる光電流増幅回路を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 受光素子としてのフォトダイオードＰＤ
とは別に設けられた遮光されたフォトダイオードｄｐ１
と、遮光されたフォトダイオードｄｐ１に電流を供給す
る第１トランジスタＱ６と、第１トランジスタＱ６とカ
レントミラー回路を構成し受光素子としてのフォトダイ
オードＰＤに電流を供給する第２トランジスタＱ５とを
有することにより、遮光されたフォトダイオードｄｐ１
の暗電流に応じた電流が第２トランジスタＱ５に流れ、
暗電流を除去した電流が電流増幅されて出力される。
た出力電流を得ることができる光電流増幅回路を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 受光素子としてのフォトダイオードＰＤ
とは別に設けられた遮光されたフォトダイオードｄｐ１
と、遮光されたフォトダイオードｄｐ１に電流を供給す
る第１トランジスタＱ６と、第１トランジスタＱ６とカ
レントミラー回路を構成し受光素子としてのフォトダイ
オードＰＤに電流を供給する第２トランジスタＱ５とを
有することにより、遮光されたフォトダイオードｄｐ１
の暗電流に応じた電流が第２トランジスタＱ５に流れ、
暗電流を除去した電流が電流増幅されて出力される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光電流増幅回路に関
し、フォトダイオードで発生した光電流を増幅する光電
流増幅回路に関する。
し、フォトダイオードで発生した光電流を増幅する光電
流増幅回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の光電流増幅回路の一例の
回路図を示す。同図中、フォトダイオードＰＤのカソー
ドは電源Ｖｃｃに接続され、フォトダイオードＰＤのア
ノードはｎｐｎトランジスタＱ１のコレクタに接続され
ている。トランジスタＱ１のベースはｎｐｎトランジス
タＱ２のベース及びコレクタに接続されており、それぞ
れのエミッタは接地されている。カレントミラー回路を
構成するトランジスタＱ１，Ｑ２は、エミッタ面積比が
１：ｘとされ、トランジスタＱ２のコレクタ電流はフォ
トダイオードＰＤの出力電流のｘ倍に増幅される。
回路図を示す。同図中、フォトダイオードＰＤのカソー
ドは電源Ｖｃｃに接続され、フォトダイオードＰＤのア
ノードはｎｐｎトランジスタＱ１のコレクタに接続され
ている。トランジスタＱ１のベースはｎｐｎトランジス
タＱ２のベース及びコレクタに接続されており、それぞ
れのエミッタは接地されている。カレントミラー回路を
構成するトランジスタＱ１，Ｑ２は、エミッタ面積比が
１：ｘとされ、トランジスタＱ２のコレクタ電流はフォ
トダイオードＰＤの出力電流のｘ倍に増幅される。
【０００３】トランジスタＱ２のコレクタはｐｎｐトラ
ンジスタＱ３のコレクタに接続されている。トランジス
タＱ３のベースはｐｎｐトランジスタＱ４のベース及び
コレクタに接続されており、それぞれのエミッタは電源
Ｖｃｃに出力されている。カレントミラー回路を構成す
るトランジスタＱ３，Ｑ４は、エミッタ面積比が１：ｙ
とされ、トランジスタＱ４のコレクタからはフォトダイ
オードＰＤの出力電流がｘ・ｙ倍に増幅されて端子１０
を介して出力される。
ンジスタＱ３のコレクタに接続されている。トランジス
タＱ３のベースはｐｎｐトランジスタＱ４のベース及び
コレクタに接続されており、それぞれのエミッタは電源
Ｖｃｃに出力されている。カレントミラー回路を構成す
るトランジスタＱ３，Ｑ４は、エミッタ面積比が１：ｙ
とされ、トランジスタＱ４のコレクタからはフォトダイ
オードＰＤの出力電流がｘ・ｙ倍に増幅されて端子１０
を介して出力される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】フォトダイオードＰＤ
には、無光時においても暗電流と呼ばれる電流が流れ
る。従来の光電流増幅回路では、この暗電流も増幅され
て出力される。光電流増幅回路の出力電流特性として
は、図４に実線で示すような受光量に比例した出力電流
が得られることが理想であるが、従来の光電流増幅回路
の特性は、暗電流のために破線で示すようにオフセット
が発生するという問題があった。
には、無光時においても暗電流と呼ばれる電流が流れ
る。従来の光電流増幅回路では、この暗電流も増幅され
て出力される。光電流増幅回路の出力電流特性として
は、図４に実線で示すような受光量に比例した出力電流
が得られることが理想であるが、従来の光電流増幅回路
の特性は、暗電流のために破線で示すようにオフセット
が発生するという問題があった。
【０００５】本発明は、上記の点に鑑みなされたもの
で、オフセットのない受光量に比例した出力電流を得る
ことができる光電流増幅回路を提供することを目的とす
る。
で、オフセットのない受光量に比例した出力電流を得る
ことができる光電流増幅回路を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、受光素子としてのフォトダイオード（ＰＤ）で発生
した光電流を増幅する光電流増幅回路において、前記受
光素子としてのフォトダイオード（ＰＤ）とは別に設け
られた遮光されたフォトダイオード（ｄｐ１，ｄｐ２）
と、前記遮光されたフォトダイオード（ｄｐ１，ｄｐ
２）に電流を供給する第１トランジスタ（Ｑ６，Ｑ７）
と、前記第１トランジスタ（Ｑ６，Ｑ７）とカレントミ
ラー回路を構成し前記受光素子としてのフォトダイオー
ド（ＰＤ）に電流を供給する第２トランジスタ（Ｑ５）
とを有し、更に、請求項２に記載の発明は、前記遮光さ
れたフォトダイオード（ｄｐ１）と前記受光素子として
のフォトダイオード（ＰＤ）の受光面積は同一で、前記
第１トランジスタ（Ｑ６）と前記第２トランジスタ（Ｑ
５）のエミッタ面積は同一であることにより、遮光され
たフォトダイオード（ｄｐ１）の暗電流に応じた電流が
第２トランジスタ（Ｑ５）に流れ、暗電流を除去した電
流が電流増幅されて出力される。
は、受光素子としてのフォトダイオード（ＰＤ）で発生
した光電流を増幅する光電流増幅回路において、前記受
光素子としてのフォトダイオード（ＰＤ）とは別に設け
られた遮光されたフォトダイオード（ｄｐ１，ｄｐ２）
と、前記遮光されたフォトダイオード（ｄｐ１，ｄｐ
２）に電流を供給する第１トランジスタ（Ｑ６，Ｑ７）
と、前記第１トランジスタ（Ｑ６，Ｑ７）とカレントミ
ラー回路を構成し前記受光素子としてのフォトダイオー
ド（ＰＤ）に電流を供給する第２トランジスタ（Ｑ５）
とを有し、更に、請求項２に記載の発明は、前記遮光さ
れたフォトダイオード（ｄｐ１）と前記受光素子として
のフォトダイオード（ＰＤ）の受光面積は同一で、前記
第１トランジスタ（Ｑ６）と前記第２トランジスタ（Ｑ
５）のエミッタ面積は同一であることにより、遮光され
たフォトダイオード（ｄｐ１）の暗電流に応じた電流が
第２トランジスタ（Ｑ５）に流れ、暗電流を除去した電
流が電流増幅されて出力される。
【０００７】請求項３に記載の発明は、前記遮光された
フォトダイオード（ｄｐ２）と前記受光素子としてのフ
ォトダイオード（ＰＤ）の受光面積は１：ｚ（ｚは１を
越える実数）で、前記第１トランジスタ（Ｑ７）と前記
第２トランジスタ（Ｑ５）のエミッタ面積は１：ｚであ
ることにより、遮光されたフォトダイオード（ｄｐ２）
の暗電流に応じた電流が第２トランジスタ（Ｑ５）に流
れ、暗電流を除去した電流が電流増幅されて出力される
と共に、遮光されたフォトダイオード（ｄｐ２）を小型
化することができる。
フォトダイオード（ｄｐ２）と前記受光素子としてのフ
ォトダイオード（ＰＤ）の受光面積は１：ｚ（ｚは１を
越える実数）で、前記第１トランジスタ（Ｑ７）と前記
第２トランジスタ（Ｑ５）のエミッタ面積は１：ｚであ
ることにより、遮光されたフォトダイオード（ｄｐ２）
の暗電流に応じた電流が第２トランジスタ（Ｑ５）に流
れ、暗電流を除去した電流が電流増幅されて出力される
と共に、遮光されたフォトダイオード（ｄｐ２）を小型
化することができる。
【０００８】なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容
易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示
の態様に限定されるものではない。
易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示
の態様に限定されるものではない。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の光電流増幅回路
の第１実施例の回路図を示す。同図中、図３と同一部分
には同一符号を付す。
の第１実施例の回路図を示す。同図中、図３と同一部分
には同一符号を付す。
【００１０】図１において、フォトダイオードＰＤのカ
ソードは電源Ｖｃｃに接続され、フォトダイオードＰＤ
のアノードはｎｐｎトランジスタＱ１のコレクタに接続
されている。トランジスタＱ１のベースはｎｐｎトラン
ジスタＱ２のベース及びコレクタに接続されており、そ
れぞれのエミッタは接地されている。カレントミラー回
路を構成するトランジスタＱ１，Ｑ２は、エミッタ面積
比が１：ｘとされ、トランジスタＱ２のコレクタ電流は
フォトダイオードＰＤの出力電流のｘ倍に増幅される。
ソードは電源Ｖｃｃに接続され、フォトダイオードＰＤ
のアノードはｎｐｎトランジスタＱ１のコレクタに接続
されている。トランジスタＱ１のベースはｎｐｎトラン
ジスタＱ２のベース及びコレクタに接続されており、そ
れぞれのエミッタは接地されている。カレントミラー回
路を構成するトランジスタＱ１，Ｑ２は、エミッタ面積
比が１：ｘとされ、トランジスタＱ２のコレクタ電流は
フォトダイオードＰＤの出力電流のｘ倍に増幅される。
【００１１】トランジスタＱ２のコレクタはｐｎｐトラ
ンジスタＱ３のコレクタに接続されている。トランジス
タＱ３のベースはｐｎｐトランジスタＱ４のベース及び
コレクタに接続されており、それぞれのエミッタは電源
Ｖｃｃに出力されている。カレントミラー回路を構成す
るトランジスタＱ３，Ｑ４は、エミッタ面積比が１：ｙ
とされ、トランジスタＱ４のコレクタからはトランジス
タＱ１のコレクタ電流がｘ・ｙ倍に増幅されて端子１０
を介して出力される。
ンジスタＱ３のコレクタに接続されている。トランジス
タＱ３のベースはｐｎｐトランジスタＱ４のベース及び
コレクタに接続されており、それぞれのエミッタは電源
Ｖｃｃに出力されている。カレントミラー回路を構成す
るトランジスタＱ３，Ｑ４は、エミッタ面積比が１：ｙ
とされ、トランジスタＱ４のコレクタからはトランジス
タＱ１のコレクタ電流がｘ・ｙ倍に増幅されて端子１０
を介して出力される。
【００１２】また、フォトダイオードＰＤのアノードに
はｎｐｎトランジスタＱ５のコレクタが接続されてい
る。トランジスタＱ５のベースはｎｐｎトランジスタＱ
６のベース及びコレクタに接続されており、それぞれの
エミッタは接地されている。カレントミラー回路を構成
するトランジスタＱ５，Ｑ６は、エミッタ面積比が１：
１とされている。
はｎｐｎトランジスタＱ５のコレクタが接続されてい
る。トランジスタＱ５のベースはｎｐｎトランジスタＱ
６のベース及びコレクタに接続されており、それぞれの
エミッタは接地されている。カレントミラー回路を構成
するトランジスタＱ５，Ｑ６は、エミッタ面積比が１：
１とされている。
【００１３】トランジスタＱ６のコレクタはフォトダイ
オードｄｐ１のアノードに接続され、フォトダイオード
ｄｐ１のカソードは電源Ｖｃｃに接続されている。フォ
トダイオードｄｐ１としてはフォトダイオードＰＤと同
一特性かつ同一受光面積のものを用い、フォトダイオー
ドｄｐ１は常時遮光して使用する。
オードｄｐ１のアノードに接続され、フォトダイオード
ｄｐ１のカソードは電源Ｖｃｃに接続されている。フォ
トダイオードｄｐ１としてはフォトダイオードＰＤと同
一特性かつ同一受光面積のものを用い、フォトダイオー
ドｄｐ１は常時遮光して使用する。
【００１４】ここで、フォトダイオードｄｐ１は遮光さ
れているため、常時、暗電流だけを流す。従って、カレ
ントミラー回路を構成するトランジスタＱ５，Ｑ６それ
ぞれのコレクタ電流は暗電流だけとなり、トランジスタ
Ｑ１のコレクタ電流はフォトダイオードＰＤの出力電流
から暗電流を除去した電流となる。このため、暗電流を
除去したフォトダイオードＰＤの出力電流がｘ・ｙ倍に
増幅されて端子１０より出力される。
れているため、常時、暗電流だけを流す。従って、カレ
ントミラー回路を構成するトランジスタＱ５，Ｑ６それ
ぞれのコレクタ電流は暗電流だけとなり、トランジスタ
Ｑ１のコレクタ電流はフォトダイオードＰＤの出力電流
から暗電流を除去した電流となる。このため、暗電流を
除去したフォトダイオードＰＤの出力電流がｘ・ｙ倍に
増幅されて端子１０より出力される。
【００１５】図２は、本発明の光電流増幅回路の第２実
施例の回路図を示す。同図中、図１と同一部分には同一
符号を付す。
施例の回路図を示す。同図中、図１と同一部分には同一
符号を付す。
【００１６】図２において、フォトダイオードＰＤのカ
ソードは電源Ｖｃｃに接続され、フォトダイオードＰＤ
のアノードはｎｐｎトランジスタＱ１のコレクタに接続
されている。トランジスタＱ１のベースはｎｐｎトラン
ジスタＱ２のベース及びコレクタに接続されており、そ
れぞれのエミッタは接地されている。カレントミラー回
路を構成するトランジスタＱ１，Ｑ２は、エミッタ面積
比が１：ｘとされ、トランジスタＱ２のコレクタ電流は
フォトダイオードＰＤの出力電流のｘ倍に増幅される。
ソードは電源Ｖｃｃに接続され、フォトダイオードＰＤ
のアノードはｎｐｎトランジスタＱ１のコレクタに接続
されている。トランジスタＱ１のベースはｎｐｎトラン
ジスタＱ２のベース及びコレクタに接続されており、そ
れぞれのエミッタは接地されている。カレントミラー回
路を構成するトランジスタＱ１，Ｑ２は、エミッタ面積
比が１：ｘとされ、トランジスタＱ２のコレクタ電流は
フォトダイオードＰＤの出力電流のｘ倍に増幅される。
【００１７】トランジスタＱ２のコレクタはｐｎｐトラ
ンジスタＱ３のコレクタに接続されている。トランジス
タＱ３のベースはｐｎｐトランジスタＱ４のベース及び
コレクタに接続されており、それぞれのエミッタは電源
Ｖｃｃに出力されている。カレントミラー回路を構成す
るトランジスタＱ３，Ｑ４は、エミッタ面積比が１：ｙ
とされ、トランジスタＱ４のコレクタからはトランジス
タＱ１のコレクタ電流がｘ・ｙ倍に増幅されて端子１０
を介して出力される。
ンジスタＱ３のコレクタに接続されている。トランジス
タＱ３のベースはｐｎｐトランジスタＱ４のベース及び
コレクタに接続されており、それぞれのエミッタは電源
Ｖｃｃに出力されている。カレントミラー回路を構成す
るトランジスタＱ３，Ｑ４は、エミッタ面積比が１：ｙ
とされ、トランジスタＱ４のコレクタからはトランジス
タＱ１のコレクタ電流がｘ・ｙ倍に増幅されて端子１０
を介して出力される。
【００１８】また、フォトダイオードＰＤのアノードに
はｎｐｎトランジスタＱ５のコレクタが接続されてい
る。トランジスタＱ５のベースはｎｐｎトランジスタＱ
７のベース及びコレクタに接続されており、それぞれの
エミッタは接地されている。カレントミラー回路を構成
するトランジスタＱ７，Ｑ５は、エミッタ面積比が１：
ｚ（ｚは例えば１０）とされている。
はｎｐｎトランジスタＱ５のコレクタが接続されてい
る。トランジスタＱ５のベースはｎｐｎトランジスタＱ
７のベース及びコレクタに接続されており、それぞれの
エミッタは接地されている。カレントミラー回路を構成
するトランジスタＱ７，Ｑ５は、エミッタ面積比が１：
ｚ（ｚは例えば１０）とされている。
【００１９】トランジスタＱ７のコレクタはフォトダイ
オードｄｐ２のアノードに接続され、フォトダイオード
ｄｐ２のカソードは電源Ｖｃｃに接続されている。フォ
トダイオードｄｐ２とフォトダイオードＰＤの受光面積
は１：ｚとされている。なお、フォトダイオードｄｐ２
とフォトダイオードＰＤは特性的には同一である。フォ
トダイオードｄｐ２は常時遮光して使用する。
オードｄｐ２のアノードに接続され、フォトダイオード
ｄｐ２のカソードは電源Ｖｃｃに接続されている。フォ
トダイオードｄｐ２とフォトダイオードＰＤの受光面積
は１：ｚとされている。なお、フォトダイオードｄｐ２
とフォトダイオードＰＤは特性的には同一である。フォ
トダイオードｄｐ２は常時遮光して使用する。
【００２０】ここで、フォトダイオードｄｐ２は遮光さ
れているため、常時、暗電流ｉ１だけを流す。フォトダ
イオードＰＤは受光面積がフォトダイオードｄｐ２のｚ
倍であるため、暗電流はｉ１・ｚとなる。カレントミラ
ー回路を構成するトランジスタＱ７，Ｑ５のコレクタ電
流は１：ｚであるため、トランジスタＱ７，Ｑ５それぞ
れのコレクタ電流はフォトダイオードｄｐ２，ＰＤそれ
ぞれの暗電流だけとなり、トランジスタＱ１のコレクタ
電流はフォトダイオードＰＤの出力電流から暗電流を除
去した電流となる。
れているため、常時、暗電流ｉ１だけを流す。フォトダ
イオードＰＤは受光面積がフォトダイオードｄｐ２のｚ
倍であるため、暗電流はｉ１・ｚとなる。カレントミラ
ー回路を構成するトランジスタＱ７，Ｑ５のコレクタ電
流は１：ｚであるため、トランジスタＱ７，Ｑ５それぞ
れのコレクタ電流はフォトダイオードｄｐ２，ＰＤそれ
ぞれの暗電流だけとなり、トランジスタＱ１のコレクタ
電流はフォトダイオードＰＤの出力電流から暗電流を除
去した電流となる。
【００２１】このため、暗電流を除去したフォトダイオ
ードＰＤの出力電流がｘ・ｙ倍に増幅されて端子１０よ
り出力される。この第２実施例においては、第１実施例
に比べてフォトダイオードｄｐ２の面積を１／ｚに小型
化することができる。
ードＰＤの出力電流がｘ・ｙ倍に増幅されて端子１０よ
り出力される。この第２実施例においては、第１実施例
に比べてフォトダイオードｄｐ２の面積を１／ｚに小型
化することができる。
【００２２】
【発明の効果】上述の如く、請求項１に記載の発明は、
受光素子としてのフォトダイオードとは別に設けられた
遮光されたフォトダイオードと、遮光されたフォトダイ
オードに電流を供給する第１トランジスタと、第１トラ
ンジスタとカレントミラー回路を構成し前記受光素子と
してのフォトダイオードに電流を供給する第２トランジ
スタとを有し、更に、請求項２に記載の発明は、遮光さ
れたフォトダイオードと受光素子としてのフォトダイオ
ードの受光面積は同一で、第１トランジスタと第２トラ
ンジスタのエミッタ面積は同一であることにより、遮光
されたフォトダイオードの暗電流に応じた電流が第２ト
ランジスタに流れ、暗電流を除去した電流が電流増幅さ
れて出力される。
受光素子としてのフォトダイオードとは別に設けられた
遮光されたフォトダイオードと、遮光されたフォトダイ
オードに電流を供給する第１トランジスタと、第１トラ
ンジスタとカレントミラー回路を構成し前記受光素子と
してのフォトダイオードに電流を供給する第２トランジ
スタとを有し、更に、請求項２に記載の発明は、遮光さ
れたフォトダイオードと受光素子としてのフォトダイオ
ードの受光面積は同一で、第１トランジスタと第２トラ
ンジスタのエミッタ面積は同一であることにより、遮光
されたフォトダイオードの暗電流に応じた電流が第２ト
ランジスタに流れ、暗電流を除去した電流が電流増幅さ
れて出力される。
【００２３】また、請求項３に記載の発明は、遮光され
たフォトダイオードと受光素子としてのフォトダイオー
ドの受光面積は１：ｚ（ｚは１を越える実数）で、第１
トランジスタと第２トランジスタのエミッタ面積は１：
ｚであることにより、遮光されたフォトダイオードの暗
電流に応じた電流が第２トランジスタに流れ、暗電流を
除去した電流が電流増幅されて出力されると共に、遮光
されたフォトダイオードを小型化することができる。
たフォトダイオードと受光素子としてのフォトダイオー
ドの受光面積は１：ｚ（ｚは１を越える実数）で、第１
トランジスタと第２トランジスタのエミッタ面積は１：
ｚであることにより、遮光されたフォトダイオードの暗
電流に応じた電流が第２トランジスタに流れ、暗電流を
除去した電流が電流増幅されて出力されると共に、遮光
されたフォトダイオードを小型化することができる。
【図１】本発明の光電流増幅回路の第１実施例の回路図
である。
である。
【図２】本発明の光電流増幅回路の第２実施例の回路図
である。
である。
【図３】従来の光電流増幅回路の一例の回路図である。
【図４】従来の光電流増幅回路の出力電流特性図であ
る。
る。
１０ 端子 ＰＤ，ｄｐ１，ｄｐ２ フォトダイオード Ｑ１，Ｑ２，Ｑ５〜Ｑ７ ｎｐｎトランジスタ Ｑ３，Ｑ４ ｐｎｐトランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J091 AA01 AA44 AA56 CA13 CA88 CA92 FA13 HA08 HA19 HA44 KA09 MA21 TA02 5J092 AA01 AA44 AA56 CA13 CA88 CA92 FA13 HA08 HA19 HA44 KA09 MA21 TA02 UL02
Claims (3)
- 【請求項１】 受光素子としてのフォトダイオードで発
生した光電流を増幅する光電流増幅回路において、 前記受光素子としてのフォトダイオードとは別に設けら
れた遮光されたフォトダイオードと、 前記遮光されたフォトダイオードに電流を供給する第１
トランジスタと、 前記第１トランジスタとカレントミラー回路を構成し前
記受光素子としてのフォトダイオードに電流を供給する
第２トランジスタとを有することを特徴とする光電流増
幅回路。 - 【請求項２】 請求項１記載の光電流増幅回路におい
て、 前記遮光されたフォトダイオードと前記受光素子として
のフォトダイオードの受光面積は同一で、前記第１トラ
ンジスタと前記第２トランジスタのエミッタ面積は同一
であることを特徴とする光電流増幅回路。 - 【請求項３】 請求項１記載の光電流増幅回路におい
て、 前記遮光されたフォトダイオードと前記受光素子として
のフォトダイオードの受光面積は１：ｚ（ｚは１を越え
る実数）で、前記第１トランジスタと前記第２トランジ
スタのエミッタ面積は１：ｚであることを特徴とする光
電流増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001102063A JP4639509B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 光電流増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001102063A JP4639509B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 光電流増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299967A true JP2002299967A (ja) | 2002-10-11 |
| JP4639509B2 JP4639509B2 (ja) | 2011-02-23 |
Family
ID=18955307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001102063A Expired - Fee Related JP4639509B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 光電流増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4639509B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009194350A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 光センサ及びそれを用いた平板表示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62206910A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Toshiba Corp | 反転型の光増幅器 |
| JPH0645838A (ja) * | 1992-05-29 | 1994-02-18 | Sharp Corp | 受光増幅装置 |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001102063A patent/JP4639509B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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