JP2003258576A - 高周波電力増幅器およびそれを用いた電子装置 - Google Patents
高周波電力増幅器およびそれを用いた電子装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小規模な回路構成で集積回路化に適した高周
波電力増幅器およびそれを用いた電子装置を提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 第1および第2の電力増幅回路2、3
と、それにパワーコントロール信号によって制御可能な
ベースバイアス電流をそれぞれ供給する第1および第2
のベースバイアス回路4、5と、バンドセレクト信号の
レベルの高低に応じて、第1および第2のベースバイア
ス回路4、5へのパワーコントロール信号の経路(第1
および第2の経路)のいずれか一方を切り換えて導通さ
せる経路選択回路8を備える。経路選択回路8は、バン
ドセレクト信号のレベルの高低に応じていずれか一方が
導通する第1および第2のスイッチ回路6、7からな
る。第1のスイッチ回路6が、信号経路とバンドセレク
ト信号の入力部との間に設けられたHBT(Tr3)か
らなるダイオードを含み、第2のスイッチ回路7が、信
号経路とグランドとの間に設けらるとともにベースがバ
ンドセレクト信号の入力部に接続されたHBT(Tr
4)を含む
波電力増幅器およびそれを用いた電子装置を提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 第1および第2の電力増幅回路2、3
と、それにパワーコントロール信号によって制御可能な
ベースバイアス電流をそれぞれ供給する第1および第2
のベースバイアス回路4、5と、バンドセレクト信号の
レベルの高低に応じて、第1および第2のベースバイア
ス回路4、5へのパワーコントロール信号の経路(第1
および第2の経路)のいずれか一方を切り換えて導通さ
せる経路選択回路8を備える。経路選択回路8は、バン
ドセレクト信号のレベルの高低に応じていずれか一方が
導通する第1および第2のスイッチ回路6、7からな
る。第1のスイッチ回路6が、信号経路とバンドセレク
ト信号の入力部との間に設けられたHBT(Tr3)か
らなるダイオードを含み、第2のスイッチ回路7が、信
号経路とグランドとの間に設けらるとともにベースがバ
ンドセレクト信号の入力部に接続されたHBT(Tr
4)を含む
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波電力増幅
器、特に2つの方式(デュアルバンドシステム)に対応
した移動体通信機器に用いられて、2つの電力増幅回路
を切り換えて動作させることのできる高周波電力増幅器
およびそれを用いた電子装置に関する。
器、特に2つの方式(デュアルバンドシステム)に対応
した移動体通信機器に用いられて、2つの電力増幅回路
を切り換えて動作させることのできる高周波電力増幅器
およびそれを用いた電子装置に関する。
【0002】
【従来の技術】デュアルバンドシステム用の高周波電力
増幅器の従来例としては、例えば特開2000−332
551号公報に開示されたもの(以下、従来例1とす
る)が知られている。
増幅器の従来例としては、例えば特開2000−332
551号公報に開示されたもの(以下、従来例1とす
る)が知られている。
【0003】従来例1においては、2つの電力増幅回路
と、各電力増幅回路にそれぞれバイアスを供給する2つ
のバイアス回路と、外部からのバンドセレクト信号に応
じて各バイアス回路の切換を排他的に行うバイアススイ
ッチ回路を備えている。バイアススイッチ回路は、外部
から2つのバイアス回路に印加されるパワーコントロー
ル信号を、バンドセレクト信号に応じて排他的に導通、
遮断することによってバイアス回路の切換を行う。
と、各電力増幅回路にそれぞれバイアスを供給する2つ
のバイアス回路と、外部からのバンドセレクト信号に応
じて各バイアス回路の切換を排他的に行うバイアススイ
ッチ回路を備えている。バイアススイッチ回路は、外部
から2つのバイアス回路に印加されるパワーコントロー
ル信号を、バンドセレクト信号に応じて排他的に導通、
遮断することによってバイアス回路の切換を行う。
【0004】実際には、パワーコントロール信号の2つ
の経路にそれぞれ設けられたスイッチ回路を制御して信
号の断続を行うが、その際に一方のスイッチ回路を接続
するときに他方のスイッチ回路が遮断するように、いず
れか一方のスイッチ回路には信号反転のためのもう1つ
のスイッチ回路(インバータ回路)を介してバンドセレ
クト信号を印加するように構成している。
の経路にそれぞれ設けられたスイッチ回路を制御して信
号の断続を行うが、その際に一方のスイッチ回路を接続
するときに他方のスイッチ回路が遮断するように、いず
れか一方のスイッチ回路には信号反転のためのもう1つ
のスイッチ回路(インバータ回路)を介してバンドセレ
クト信号を印加するように構成している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
1においては、2つのスイッチ回路を1つのバンドセレ
クト回路で排他的に制御するために、インバータ回路を
必要としており、回路構成が複雑になり、回路規模が大
きくなるという問題がある。
1においては、2つのスイッチ回路を1つのバンドセレ
クト回路で排他的に制御するために、インバータ回路を
必要としており、回路構成が複雑になり、回路規模が大
きくなるという問題がある。
【0006】本発明は上記の問題点を解決することを目
的とするもので、小規模な回路構成で集積回路化に適し
た高周波電力増幅器およびそれを用いた電子装置を提供
することを目的とする。
的とするもので、小規模な回路構成で集積回路化に適し
た高周波電力増幅器およびそれを用いた電子装置を提供
することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の高周波電力増幅器は、第1および第2の電
力増幅回路と、該第1および第2の電力増幅回路の主要
能動素子であるバイポーラトランジスタに、外部から入
力されるパワーコントロール信号によって制御可能なベ
ースバイアス電流をそれぞれ供給する第1および第2の
ベースバイアス回路と、前記第1および第2の電力増幅
回路を動作させる信号の通る第1および第2の信号経路
と、外部から入力されるバンドセレクト信号のレベルの
高低に応じて、前記第1および第2の経路のいずれか一
方を切り換えて導通させる経路選択回路とを備えた高周
波電力増幅器であって、該経路選択回路が、第1および
第2の信号経路にそれぞれ設けられるとともに、前記バ
ンドセレクト信号のレベルの高低に応じていずれか一方
が導通する第1および第2のスイッチ回路からなり、前
記第1のスイッチ回路が、前記第1の信号経路と前記バ
ンドセレクト信号の入力部との間に設けられたダイオー
ドを含み、前記第2のスイッチ回路が、前記第2の信号
経路とグランドとの間に設けられるとともにベースが前
記バンドセレクト信号の入力部に接続されたバイポーラ
トランジスタを含むことを特徴とする。
に、本発明の高周波電力増幅器は、第1および第2の電
力増幅回路と、該第1および第2の電力増幅回路の主要
能動素子であるバイポーラトランジスタに、外部から入
力されるパワーコントロール信号によって制御可能なベ
ースバイアス電流をそれぞれ供給する第1および第2の
ベースバイアス回路と、前記第1および第2の電力増幅
回路を動作させる信号の通る第1および第2の信号経路
と、外部から入力されるバンドセレクト信号のレベルの
高低に応じて、前記第1および第2の経路のいずれか一
方を切り換えて導通させる経路選択回路とを備えた高周
波電力増幅器であって、該経路選択回路が、第1および
第2の信号経路にそれぞれ設けられるとともに、前記バ
ンドセレクト信号のレベルの高低に応じていずれか一方
が導通する第1および第2のスイッチ回路からなり、前
記第1のスイッチ回路が、前記第1の信号経路と前記バ
ンドセレクト信号の入力部との間に設けられたダイオー
ドを含み、前記第2のスイッチ回路が、前記第2の信号
経路とグランドとの間に設けられるとともにベースが前
記バンドセレクト信号の入力部に接続されたバイポーラ
トランジスタを含むことを特徴とする。
【0008】そして、前記第1および第2の信号経路
が、前記第1および第2のベースバイアス回路への前記
パワーコントロール信号の経路であることを特徴とす
る。
が、前記第1および第2のベースバイアス回路への前記
パワーコントロール信号の経路であることを特徴とす
る。
【0009】あるいは、前記第1および第2の信号経路
が、前記第1および第2のベースバイアス回路から前記
第1および第2の電力増幅回路へそれぞれ供給されるベ
ースバイアス電流の経路であることを特徴とする。
が、前記第1および第2のベースバイアス回路から前記
第1および第2の電力増幅回路へそれぞれ供給されるベ
ースバイアス電流の経路であることを特徴とする。
【0010】また、本発明の高周波電力増幅器は、前記
ダイオードが、コレクタとベースを接続したバイポーラ
トランジスタであることを特徴とする。
ダイオードが、コレクタとベースを接続したバイポーラ
トランジスタであることを特徴とする。
【0011】さらに、本発明の高周波電力増幅器は、前
記バイポーラトランジスタがHBTであることを特徴と
する。
記バイポーラトランジスタがHBTであることを特徴と
する。
【0012】そして、本発明の電子装置は、上記の高周
波電力増幅器を用いたことを特徴とする。
波電力増幅器を用いたことを特徴とする。
【0013】このように構成することにより、本発明の
高周波電力増幅器においては、小規模で簡単な経路選択
回路によって、2つの電力増幅回路の切換を行うことが
できる。
高周波電力増幅器においては、小規模で簡単な経路選択
回路によって、2つの電力増幅回路の切換を行うことが
できる。
【0014】また、本発明の電子装置においては、小型
化、低価格化を図ることができる。
化、低価格化を図ることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】図1に、本発明の高周波電力増幅
器の一実施例のブロック図を示す。図1において、高周
波電力増幅器1は、第1の電力増幅回路2、第2の電力
増幅回路3、第1のベースバイアス回路4、第2のベー
スバイアス回路5、第1のスイッチ回路6、および第2
のスイッチ回路7から構成されている。
器の一実施例のブロック図を示す。図1において、高周
波電力増幅器1は、第1の電力増幅回路2、第2の電力
増幅回路3、第1のベースバイアス回路4、第2のベー
スバイアス回路5、第1のスイッチ回路6、および第2
のスイッチ回路7から構成されている。
【0016】第1の電力増幅回路2は主要能動素子とし
て高周波における電力増幅に適した化合物半導体による
HBT(ヘテロジャンクション・バイポーラトランジス
タ)を用いて構成されており、第1のベースバイアス回
路4から供給される第1のベースバイアス電流によっ
て、その増幅率が制御される。そして、第1のベースバ
イアス電流は、第1のベースバイアス回路4に外部から
供給されるパワーコントロール信号によってその大きさ
が制御される。パワーコントロール信号が第1のベース
バイアス回路4に供給されないときには、第1の電力増
幅回路2は動作しない。第1のベースバイアス回路4に
供給されるパワーコントロール信号の経路(第1の信号
経路)には、その経路をバンドセレクト信号に応じて導
通あるいは遮断させる第1のスイッチ回路6が設けられ
ている。
て高周波における電力増幅に適した化合物半導体による
HBT(ヘテロジャンクション・バイポーラトランジス
タ)を用いて構成されており、第1のベースバイアス回
路4から供給される第1のベースバイアス電流によっ
て、その増幅率が制御される。そして、第1のベースバ
イアス電流は、第1のベースバイアス回路4に外部から
供給されるパワーコントロール信号によってその大きさ
が制御される。パワーコントロール信号が第1のベース
バイアス回路4に供給されないときには、第1の電力増
幅回路2は動作しない。第1のベースバイアス回路4に
供給されるパワーコントロール信号の経路(第1の信号
経路)には、その経路をバンドセレクト信号に応じて導
通あるいは遮断させる第1のスイッチ回路6が設けられ
ている。
【0017】第2の電力増幅回路3もHBTを用いて構
成されており、第2のベースバイアス回路5から供給さ
れる第2のベースバイアス電流によって、その増幅率が
制御される。そして、第2のベースバイアス電流は、第
2のベースバイアス回路5に外部から供給されるパワー
コントロール信号によってその大きさが制御される。し
たがって、パワーコントロール信号は2つに分配されて
第1のベースバイアス回路4と第2のベースバイアス回
路5の両方に供給されることになる。パワーコントロー
ル信号が第2のベースバイアス回路6に供給されないと
きには、第2の電力増幅回路3は動作しない。第2のベ
ースバイアス回路5に供給されるパワーコントロール信
号の経路(第2の信号経路)には、その経路をバンドセ
レクト信号に応じて導通あるいは遮断させる第2のスイ
ッチ回路7が設けられている。
成されており、第2のベースバイアス回路5から供給さ
れる第2のベースバイアス電流によって、その増幅率が
制御される。そして、第2のベースバイアス電流は、第
2のベースバイアス回路5に外部から供給されるパワー
コントロール信号によってその大きさが制御される。し
たがって、パワーコントロール信号は2つに分配されて
第1のベースバイアス回路4と第2のベースバイアス回
路5の両方に供給されることになる。パワーコントロー
ル信号が第2のベースバイアス回路6に供給されないと
きには、第2の電力増幅回路3は動作しない。第2のベ
ースバイアス回路5に供給されるパワーコントロール信
号の経路(第2の信号経路)には、その経路をバンドセ
レクト信号に応じて導通あるいは遮断させる第2のスイ
ッチ回路7が設けられている。
【0018】そして、第1のスイッチ回路6と第2のス
イッチ回路7は、1つのバンドセレクト信号によって、
いずれか一方が導通するときに他方が遮断するように制
御される。なお、第1のスイッチ回路6と第2のスイッ
チ回路7で経路選択回路8が構成されている。
イッチ回路7は、1つのバンドセレクト信号によって、
いずれか一方が導通するときに他方が遮断するように制
御される。なお、第1のスイッチ回路6と第2のスイッ
チ回路7で経路選択回路8が構成されている。
【0019】このように構成された高周波電力増幅器1
において、第1の電力増幅回路2は、入力端子Pin1
から入力された高周波信号を電力増幅して出力端子Po
ut1から出力する。また、第2の電力増幅回路3は、
入力端子Pin2から入力された高周波信号を電力増幅
して出力端子Pout2から出力する。パワーコントロ
ール信号は、バンドセレクト信号によってその経路が選
択されて、第1のベースバイアス回路4と第2のベース
バイアス回路5のいずれか一方のみに供給され、パワー
コントロール信号が供給されたベースバイアス回路から
ベースバイアス電流を供給された方の電力増幅回路が動
作する。なお、ベースバイアス電流の供給されない方の
電力増幅回路は、たとえ高周波信号が入力されていても
増幅動作はしない。このようにして、高周波電力増幅器
1においては、いずれか一方の電力増幅回路のみが切り
換えられて電力増幅動作をする。
において、第1の電力増幅回路2は、入力端子Pin1
から入力された高周波信号を電力増幅して出力端子Po
ut1から出力する。また、第2の電力増幅回路3は、
入力端子Pin2から入力された高周波信号を電力増幅
して出力端子Pout2から出力する。パワーコントロ
ール信号は、バンドセレクト信号によってその経路が選
択されて、第1のベースバイアス回路4と第2のベース
バイアス回路5のいずれか一方のみに供給され、パワー
コントロール信号が供給されたベースバイアス回路から
ベースバイアス電流を供給された方の電力増幅回路が動
作する。なお、ベースバイアス電流の供給されない方の
電力増幅回路は、たとえ高周波信号が入力されていても
増幅動作はしない。このようにして、高周波電力増幅器
1においては、いずれか一方の電力増幅回路のみが切り
換えられて電力増幅動作をする。
【0020】次に、図2に、高周波電力増幅器1の具体
的な回路図を示す。図2において、第1のベースバイア
ス回路4は、コレクタが電源Vccに接続され、エミッ
タが第1の電力増幅回路2に接続され、ベースがパワー
コントロール信号の入力端子PCに接続されたバイポー
ラトランジスタTr1から構成されている。バイポーラ
トランジスタTr1としては、第1の電力増幅回路2の
主要能動素子と同様のHBTが用いられている。一方、
第2のベースバイアス回路5は、コレクタが電源Vcc
に接続され、エミッタが第2の電力増幅回路3に接続さ
れ、ベースがパワーコントロール信号の入力端子PCに
接続されたバイポーラトランジスタTr2から構成され
ている。バイポーラトランジスタTr2としても、第2
の電力増幅回路3の主要能動素子と同様のHBTが用い
られている。
的な回路図を示す。図2において、第1のベースバイア
ス回路4は、コレクタが電源Vccに接続され、エミッ
タが第1の電力増幅回路2に接続され、ベースがパワー
コントロール信号の入力端子PCに接続されたバイポー
ラトランジスタTr1から構成されている。バイポーラ
トランジスタTr1としては、第1の電力増幅回路2の
主要能動素子と同様のHBTが用いられている。一方、
第2のベースバイアス回路5は、コレクタが電源Vcc
に接続され、エミッタが第2の電力増幅回路3に接続さ
れ、ベースがパワーコントロール信号の入力端子PCに
接続されたバイポーラトランジスタTr2から構成され
ている。バイポーラトランジスタTr2としても、第2
の電力増幅回路3の主要能動素子と同様のHBTが用い
られている。
【0021】また、第1のベースバイアス回路4に供給
されるパワーコントロール信号の経路(第1の信号経
路)に設けられた第1のスイッチ回路6は、その経路に
直列に設けられた抵抗R1と、その第1のベースバイア
ス回路4側に一端が接続された抵抗R2と、コレクタと
ベースが抵抗R2の他端に接続されるとともにエミッタ
がバンドセレクト信号入力端子BSに接続されたバイポ
ーラトランジスタTr3から構成されている。バイポー
ラトランジスタTr3は、コレクタとベースが接続され
ることによって、コレクタとベースの接続点がアノード
で、エミッタがカソードのダイオードとして動作する。
バイポーラトランジスタTr3としては、第1の電力増
幅回路2やバイポーラトランジスタTr1やTr2に合
わせてHBTが用いられている。
されるパワーコントロール信号の経路(第1の信号経
路)に設けられた第1のスイッチ回路6は、その経路に
直列に設けられた抵抗R1と、その第1のベースバイア
ス回路4側に一端が接続された抵抗R2と、コレクタと
ベースが抵抗R2の他端に接続されるとともにエミッタ
がバンドセレクト信号入力端子BSに接続されたバイポ
ーラトランジスタTr3から構成されている。バイポー
ラトランジスタTr3は、コレクタとベースが接続され
ることによって、コレクタとベースの接続点がアノード
で、エミッタがカソードのダイオードとして動作する。
バイポーラトランジスタTr3としては、第1の電力増
幅回路2やバイポーラトランジスタTr1やTr2に合
わせてHBTが用いられている。
【0022】また、第2のベースバイアス回路5に供給
されるパワーコントロール信号の経路(第2の信号経
路)に設けられた第2のスイッチ回路7は、その経路に
一端が接続された抵抗R4と、コレクタが抵抗R4の他
端に接続されエミッタが接地されるとともにベースが抵
抗R3を介してバンドセレクト信号入力端子BSに接続
されたバイポーラトランジスタTr4から構成されてい
る。バイポーラトランジスタTr4としては、第2の電
力増幅回路3やバイポーラトランジスタTr1やTr
2、Tr3に合わせてHBTが用いられている。
されるパワーコントロール信号の経路(第2の信号経
路)に設けられた第2のスイッチ回路7は、その経路に
一端が接続された抵抗R4と、コレクタが抵抗R4の他
端に接続されエミッタが接地されるとともにベースが抵
抗R3を介してバンドセレクト信号入力端子BSに接続
されたバイポーラトランジスタTr4から構成されてい
る。バイポーラトランジスタTr4としては、第2の電
力増幅回路3やバイポーラトランジスタTr1やTr
2、Tr3に合わせてHBTが用いられている。
【0023】次に、図2を用いて高周波電力増幅器1に
おけるバンド切換動作について説明する。なお、パワー
コントロール信号は0〜3V程度のアナログ信号であ
り、バンドセレクト信号はHレベルが3V弱でLレベル
が0〜0.5V程度のデジタル信号である。
おけるバンド切換動作について説明する。なお、パワー
コントロール信号は0〜3V程度のアナログ信号であ
り、バンドセレクト信号はHレベルが3V弱でLレベル
が0〜0.5V程度のデジタル信号である。
【0024】まず、バンドセレクト信号がHレベルであ
る場合を考える。この場合には、バイポーラトランジス
タTr3のベース(コレクタ)電圧がエミッタ電圧以下
になるため、バイポーラトランジスタTr3は遮断状態
になる。そのため、第1のスイッチ回路6としては逆に
抵抗R1を介した導通状態になり、パワーコントロール
信号は第1の信号経路を介して第1のベースバイアス回
路4のバイポーラトランジスタTr1のベースに供給さ
れる。これによってバイポーラトランジスタTr1のコ
レクタ・エミッタ間に電流が流れ、これが第1の電力増
幅回路2に対するベースバイアス電流となり、第1の電
力増幅回路2が動作する。
る場合を考える。この場合には、バイポーラトランジス
タTr3のベース(コレクタ)電圧がエミッタ電圧以下
になるため、バイポーラトランジスタTr3は遮断状態
になる。そのため、第1のスイッチ回路6としては逆に
抵抗R1を介した導通状態になり、パワーコントロール
信号は第1の信号経路を介して第1のベースバイアス回
路4のバイポーラトランジスタTr1のベースに供給さ
れる。これによってバイポーラトランジスタTr1のコ
レクタ・エミッタ間に電流が流れ、これが第1の電力増
幅回路2に対するベースバイアス電流となり、第1の電
力増幅回路2が動作する。
【0025】一方、第2のスイッチ回路7においては、
Hレベルのバンドセレクト信号が抵抗R3を介してバイ
ポーラトランジスタTr4のベースに印加され、バイポ
ーラトランジスタTr4が導通状態になる。バイポーラ
トランジスタTr4が導通すると、第2の信号経路を介
して第2のベースバイアス回路5に供給されるべきパワ
ーコントロール信号が抵抗R4とバイポーラトランジス
タTr4を介してグランドに流れてしまい、第2のベー
スバイアス回路5には供給されない。すなわち、第2の
スイッチ回路7は遮断状態になる。そのため、第2のベ
ースバイアス回路5のバイポーラトランジスタTr2は
遮断状態となり、第2の電力増幅回路3にはベースバイ
アス電流が供給されず、第2の電力増幅回路3は動作し
ない。
Hレベルのバンドセレクト信号が抵抗R3を介してバイ
ポーラトランジスタTr4のベースに印加され、バイポ
ーラトランジスタTr4が導通状態になる。バイポーラ
トランジスタTr4が導通すると、第2の信号経路を介
して第2のベースバイアス回路5に供給されるべきパワ
ーコントロール信号が抵抗R4とバイポーラトランジス
タTr4を介してグランドに流れてしまい、第2のベー
スバイアス回路5には供給されない。すなわち、第2の
スイッチ回路7は遮断状態になる。そのため、第2のベ
ースバイアス回路5のバイポーラトランジスタTr2は
遮断状態となり、第2の電力増幅回路3にはベースバイ
アス電流が供給されず、第2の電力増幅回路3は動作し
ない。
【0026】逆に、バンドセレクト信号がLレベルであ
る場合を考える。この場合には、バイポーラトランジス
タTr3のエミッタ電圧がベース(コレクタ)電圧以下
になるため、バイポーラトランジスタTr3は導通状態
になる。バイポーラトランジスタTr3が導通すると、
第1の信号経路を介して第1のベースバイアス回路4に
供給されるべきパワーコントロール信号が抵抗R2とバ
イポーラトランジスタTr3を介してバンドセレクト信
号の入力端子の方に流れてしまい、第1のベースバイア
ス回路4には供給されない。すなわち、第1のスイッチ
回路6は遮断状態になる。そのため、第1のベースバイ
アス回路4のバイポーラトランジスタTr1は遮断状態
となり、第1の電力増幅回路2にはベースバイアス電流
が供給されず、第1の電力増幅回路2は動作しない。
る場合を考える。この場合には、バイポーラトランジス
タTr3のエミッタ電圧がベース(コレクタ)電圧以下
になるため、バイポーラトランジスタTr3は導通状態
になる。バイポーラトランジスタTr3が導通すると、
第1の信号経路を介して第1のベースバイアス回路4に
供給されるべきパワーコントロール信号が抵抗R2とバ
イポーラトランジスタTr3を介してバンドセレクト信
号の入力端子の方に流れてしまい、第1のベースバイア
ス回路4には供給されない。すなわち、第1のスイッチ
回路6は遮断状態になる。そのため、第1のベースバイ
アス回路4のバイポーラトランジスタTr1は遮断状態
となり、第1の電力増幅回路2にはベースバイアス電流
が供給されず、第1の電力増幅回路2は動作しない。
【0027】一方、第2のスイッチ回路7においては、
Lレベルのバンドセレクト信号が抵抗R3を介してバイ
ポーラトランジスタTr4のベースに印加され、バイポ
ーラトランジスタTr4が遮断状態になる。そのため、
第2のスイッチ回路7としては逆に導通状態になり、パ
ワーコントロール信号は第2の信号経路を介して第2の
ベースバイアス回路5のバイポーラトランジスタTr2
のベースに供給される。これによってバイポーラトラン
ジスタTr2のコレクタ・エミッタ間に電流が流れ、こ
れが第2の電力増幅回路3に対するベースバイアス電流
となり、第2の電力増幅回路3が動作する。
Lレベルのバンドセレクト信号が抵抗R3を介してバイ
ポーラトランジスタTr4のベースに印加され、バイポ
ーラトランジスタTr4が遮断状態になる。そのため、
第2のスイッチ回路7としては逆に導通状態になり、パ
ワーコントロール信号は第2の信号経路を介して第2の
ベースバイアス回路5のバイポーラトランジスタTr2
のベースに供給される。これによってバイポーラトラン
ジスタTr2のコレクタ・エミッタ間に電流が流れ、こ
れが第2の電力増幅回路3に対するベースバイアス電流
となり、第2の電力増幅回路3が動作する。
【0028】このように、本発明の高周波電力増幅器1
においては、2つのバイポーラトランジスタと4つの抵
抗からなる簡単な経路選択回路8によって、バンドセレ
クト信号のレベルの高低に応じて2つの電力増幅回路の
切換を行うことができる。また、バイポーラトランジス
タのベースとコレクタを直結してダイオードとして動作
させることによって、回路全体をバイポーラトランジス
タと抵抗の2種類の素子で構成することができるため、
高周波電力増幅器1の同一プロセスによる集積回路化が
容易になる。しかも、各バイポーラトランジスタとして
HBTを用いることによって、高周波電力増幅器1の高
周波特性を向上させることができる。
においては、2つのバイポーラトランジスタと4つの抵
抗からなる簡単な経路選択回路8によって、バンドセレ
クト信号のレベルの高低に応じて2つの電力増幅回路の
切換を行うことができる。また、バイポーラトランジス
タのベースとコレクタを直結してダイオードとして動作
させることによって、回路全体をバイポーラトランジス
タと抵抗の2種類の素子で構成することができるため、
高周波電力増幅器1の同一プロセスによる集積回路化が
容易になる。しかも、各バイポーラトランジスタとして
HBTを用いることによって、高周波電力増幅器1の高
周波特性を向上させることができる。
【0029】図3に、本発明の高周波電力増幅器の別の
実施例のブロック図を示す。図3において、図1と同一
もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省
略する。
実施例のブロック図を示す。図3において、図1と同一
もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省
略する。
【0030】図3に示した高周波電力増幅器10におい
ては、第1のベースバイアス回路4から第1の電力増幅
回路2へのベースバイアス電流の供給経路が第1の信号
経路となっており、ここに第1のスイッチ回路11が設
けられている。また、第2のベースバイアス回路5から
第2の電力増幅回路3へのベースバイアス電流の供給経
路が第2の信号経路となっており、ここに第2のスイッ
チ回路12が設けられている。この場合には、第1およ
び第2の電力増幅回路2、3を動作させる信号とは、第
1および第2のベースバイアス回路4、5からそれぞれ
供給されるベースバイアス電流を指すことになり、この
ベースバイアス電流の流れる経路が遮断されることによ
って第1もしくは第2の電力増幅回路は動作停止する。
この点を除けば、図1に示した高周波電力増幅器1との
構成に違いはない。
ては、第1のベースバイアス回路4から第1の電力増幅
回路2へのベースバイアス電流の供給経路が第1の信号
経路となっており、ここに第1のスイッチ回路11が設
けられている。また、第2のベースバイアス回路5から
第2の電力増幅回路3へのベースバイアス電流の供給経
路が第2の信号経路となっており、ここに第2のスイッ
チ回路12が設けられている。この場合には、第1およ
び第2の電力増幅回路2、3を動作させる信号とは、第
1および第2のベースバイアス回路4、5からそれぞれ
供給されるベースバイアス電流を指すことになり、この
ベースバイアス電流の流れる経路が遮断されることによ
って第1もしくは第2の電力増幅回路は動作停止する。
この点を除けば、図1に示した高周波電力増幅器1との
構成に違いはない。
【0031】そして、第1のスイッチ回路11と第2の
スイッチ回路12は、1つのバンドセレクト信号によっ
て、いずれか一方が導通するときに他方が遮断するよう
に制御される。なお、第1のスイッチ回路11と第2の
スイッチ回路12で経路選択回路13が構成されてい
る。
スイッチ回路12は、1つのバンドセレクト信号によっ
て、いずれか一方が導通するときに他方が遮断するよう
に制御される。なお、第1のスイッチ回路11と第2の
スイッチ回路12で経路選択回路13が構成されてい
る。
【0032】このように構成された高周波電力増幅器1
0において、経路選択回路13の働きは、図1における
経路選択回路8と同じであり、経路選択回路13の具体
的な回路も、図2に示した経路選択回路8の具体的な回
路と基本的に同じである。したがって、高周波電力増幅
器10においては、高周波電力回路1と同様の作用効果
を奏することができる。
0において、経路選択回路13の働きは、図1における
経路選択回路8と同じであり、経路選択回路13の具体
的な回路も、図2に示した経路選択回路8の具体的な回
路と基本的に同じである。したがって、高周波電力増幅
器10においては、高周波電力回路1と同様の作用効果
を奏することができる。
【0033】なお、上記の各実施例においては、バイポ
ーラトランジスタのベースとコレクタを接続することに
よってダイオードとして動作させていたが、あらかじめ
ダイオードとして構成されたものを用いても構わないも
のである。また、バイポーラトランジスタとして高周波
特性に優れた化合物半導体によるHBTを用いるものと
していたが、一般的なシリコンプロセスによるバイポー
ラトランジスタでも構わないものである。
ーラトランジスタのベースとコレクタを接続することに
よってダイオードとして動作させていたが、あらかじめ
ダイオードとして構成されたものを用いても構わないも
のである。また、バイポーラトランジスタとして高周波
特性に優れた化合物半導体によるHBTを用いるものと
していたが、一般的なシリコンプロセスによるバイポー
ラトランジスタでも構わないものである。
【0034】図4に、本発明の電子装置の一実施例の斜
視図を示す。図4において、電子装置の1つである携帯
電話端末20は、筐体21と、その中に配置されたプリ
ント基板22と、プリント基板22上に実装された本発
明の高周波電力増幅器1を備えている。高周波電力増幅
器1は2つの方式に対応した携帯電話端末で、高周波電
力増幅器1は、2つの方式に対応したRF信号をそれぞ
れ電力増幅してアンテナから出力するために用いられ
る。
視図を示す。図4において、電子装置の1つである携帯
電話端末20は、筐体21と、その中に配置されたプリ
ント基板22と、プリント基板22上に実装された本発
明の高周波電力増幅器1を備えている。高周波電力増幅
器1は2つの方式に対応した携帯電話端末で、高周波電
力増幅器1は、2つの方式に対応したRF信号をそれぞ
れ電力増幅してアンテナから出力するために用いられ
る。
【0035】このように構成された携帯電話端末20に
おいては、本発明の高周波電力増幅器1を用いているた
め、小型化と低価格化を図ることができる。
おいては、本発明の高周波電力増幅器1を用いているた
め、小型化と低価格化を図ることができる。
【0036】なお、図2においては電子装置として携帯
電話端末を示したが、電子装置としては携帯電話端末に
限るものではなく、本発明の高周波電力増幅器を用いた
ものであれば何でも構わないものである。
電話端末を示したが、電子装置としては携帯電話端末に
限るものではなく、本発明の高周波電力増幅器を用いた
ものであれば何でも構わないものである。
【0037】
【発明の効果】本発明の高周波電力増幅器によれば、第
1および第2の電力増幅回路と、その主要能動素子であ
るバイポーラトランジスタに、外部から入力されるパワ
ーコントロール信号によって制御可能なベースバイアス
電流をそれぞれ供給する第1および第2のベースバイア
ス回路と、第1および第2の電力増幅回路を動作させる
信号の通る第1および第2の信号経路と、外部から入力
されるバンドセレクト信号のレベルの高低に応じて、第
1および第2の経路のいずれか一方を切り換えて導通さ
せる経路選択回路を備え、その経路選択回路が、第1お
よび第2の信号経路にそれぞれ設けられるとともに、バ
ンドセレクト信号のレベルの高低に応じていずれか一方
が導通する第1および第2のスイッチ回路からなり、第
1のスイッチ回路が、第1の信号経路とバンドセレクト
信号の入力部との間に設けられたダイオードを含み、第
2のスイッチ回路が、第2の信号経路とグランドとの間
に設けられるとともにベースが前記バンドセレクト信号
の入力部に接続されたバイポーラトランジスタを含むこ
とによって、経路選択回路を小規模化して小型化を図る
ことができる。
1および第2の電力増幅回路と、その主要能動素子であ
るバイポーラトランジスタに、外部から入力されるパワ
ーコントロール信号によって制御可能なベースバイアス
電流をそれぞれ供給する第1および第2のベースバイア
ス回路と、第1および第2の電力増幅回路を動作させる
信号の通る第1および第2の信号経路と、外部から入力
されるバンドセレクト信号のレベルの高低に応じて、第
1および第2の経路のいずれか一方を切り換えて導通さ
せる経路選択回路を備え、その経路選択回路が、第1お
よび第2の信号経路にそれぞれ設けられるとともに、バ
ンドセレクト信号のレベルの高低に応じていずれか一方
が導通する第1および第2のスイッチ回路からなり、第
1のスイッチ回路が、第1の信号経路とバンドセレクト
信号の入力部との間に設けられたダイオードを含み、第
2のスイッチ回路が、第2の信号経路とグランドとの間
に設けられるとともにベースが前記バンドセレクト信号
の入力部に接続されたバイポーラトランジスタを含むこ
とによって、経路選択回路を小規模化して小型化を図る
ことができる。
【0038】また、本発明の電子装置によれば、本発明
の高周波電力増幅器を用いることによって、低価格化を
図ることができる。
の高周波電力増幅器を用いることによって、低価格化を
図ることができる。
【図1】本発明の高周波電力増幅器の一実施例を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図2】図1の高周波電力増幅器の具体例を示す回路図
である。
である。
【図3】本発明の高周波電力増幅器の別の実施例を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図4】本発明の電子装置の一実施例を示す斜視図であ
る。
る。
1、10…高周波電力増幅器
2…第1の電力増幅回路
3…第2の電力増幅回路
4…第1のベースバイアス回路
5…第2のベースバイアス回路
6、11…第1のスイッチ回路
7、12…第2のスイッチ回路
8、13…経路選択回路
20…携帯電話端末
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Fターム(参考) 5J069 AA01 AA21 AA41 CA91 CA92
FA18 HA06 HA19 HA25 HA39
KA12 MA21 QA04 SA13 TA01
5J091 AA01 AA21 AA41 CA91 CA92
FA18 HA06 HA19 HA25 HA39
KA12 MA21 QA04 SA13 TA01
5J500 AA01 AA21 AA41 AC91 AC92
AF18 AH06 AH19 AH25 AH39
AK12 AM21 AQ04 AS13 AT01
Claims (6)
- 【請求項1】 第1および第2の電力増幅回路と、 該第1および第2の電力増幅回路の主要能動素子である
バイポーラトランジスタに、外部から入力されるパワー
コントロール信号によって制御可能なベースバイアス電
流をそれぞれ供給する第1および第2のベースバイアス
回路と、 前記第1および第2の電力増幅回路を動作させる信号の
通る第1および第2の信号経路と、 外部から入力されるバンドセレクト信号のレベルの高低
に応じて、前記第1および第2の経路のいずれか一方を
切り換えて導通させる経路選択回路とを備えた高周波電
力増幅器であって、 該経路選択回路が、第1および第2の信号経路にそれぞ
れ設けられるとともに、前記バンドセレクト信号のレベ
ルの高低に応じていずれか一方が導通する第1および第
2のスイッチ回路からなり、 前記第1のスイッチ回路が、前記第1の信号経路と前記
バンドセレクト信号の入力部との間に設けられたダイオ
ードを含み、 前記第2のスイッチ回路が、前記第2の信号経路とグラ
ンドとの間に設けられるとともにベースが前記バンドセ
レクト信号の入力部に接続されたバイポーラトランジス
タを含むことを特徴とする高周波電力増幅器。 - 【請求項2】 前記第1および第2の信号経路が、前記
第1および第2のベースバイアス回路への前記パワーコ
ントロール信号の経路であることを特徴とする、請求項
1に記載の高周波電力増幅器。 - 【請求項3】 前記第1および第2の信号経路が、前記
第1および第2のベースバイアス回路から前記第1およ
び第2の電力増幅回路へそれぞれ供給されるベースバイ
アス電流の経路であることを特徴とする、請求項1に記
載の高周波電力増幅器。 - 【請求項4】 前記ダイオードが、コレクタとベースを
接続したバイポーラトランジスタであることを特徴とす
る、請求項1ないし3のいずれかに記載の高周波電力増
幅器。 - 【請求項5】 前記バイポーラトランジスタがHBTで
あることを特徴とする、請求項1ないし4のいずれかに
記載の高周波電力増幅器。 - 【請求項6】 請求項1ないし5のいずれかに記載の高
周波電力増幅器を用いたことを特徴とする電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002051464A JP2003258576A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 高周波電力増幅器およびそれを用いた電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002051464A JP2003258576A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 高周波電力増幅器およびそれを用いた電子装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003258576A true JP2003258576A (ja) | 2003-09-12 |
Family
ID=28663428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002051464A Pending JP2003258576A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 高周波電力増幅器およびそれを用いた電子装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003258576A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9450548B2 (en) | 2011-03-14 | 2016-09-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for outputting audio signal |
-
2002
- 2002-02-27 JP JP2002051464A patent/JP2003258576A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9450548B2 (en) | 2011-03-14 | 2016-09-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for outputting audio signal |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040909 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060912 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061114 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070410 |