JPH0645183A - パラジウムペーストおよび積層チップコンデンサの製造方法 - Google Patents

パラジウムペーストおよび積層チップコンデンサの製造方法

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JPH0645183A
JPH0645183A JP4193736A JP19373692A JPH0645183A JP H0645183 A JPH0645183 A JP H0645183A JP 4193736 A JP4193736 A JP 4193736A JP 19373692 A JP19373692 A JP 19373692A JP H0645183 A JPH0645183 A JP H0645183A
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palladium
paste
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oxide layer
oxide
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JP4193736A
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Kazuyuki Okano
和之 岡野
Nobuyuki Tai
伸幸 田井
Yasutaka Horibe
泰孝 堀部
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 積層電子部品の内層導体として用いられるパ
ラジウムペ−ストにおいて、その印刷厚みを小さくした
ときに起こる内層導体切れと、高積層にしたときに起こ
る熱処理時の欠陥発生という大きな課題を解決し、小
型、高性能、低コストという特徴を有する積層電子部品
を製造するためのパラジウムペ−ストを提供することを
目的とする。 【構成】 表面に酸化パラジウム以外の酸化物層を被着
形成した金属パラジウム粉末と、有機樹脂を溶剤に溶解
させたビヒクルと、分散剤とを混練、分散させた構成の
パラジウムペ−ストとすることにより、この酸化物層を
金属パラジウムの焼結進行を抑制するバリア層として作
用させるとともに、パラジウム表面の酸化触媒活性を低
下させることによって脱バインダ工程におけるバインダ
の燃焼、揮散を緩やかに行わせる。これによって、積層
電子部品の内部導体層厚みを低減させることが可能で、
パラジウムの必要量を削減できるとともに、高積層構造
としても熱処理時に起こる欠陥の発生を防止することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はセラミック積層基板や積
層セラミックコンデンサなど、積層電子部品の内層導体
として使用されるパラジウムペ−ストに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】大気中焼成が可能で、融点の高いパラジ
ウムは、内部導体層を備えた積層電子部品の電極材料と
して多用されている。このような内部導体層の形成は、
スクリ−ン印刷やグラビア印刷などの印刷法によって行
われるのが一般的であり、各種用途に応じたパラジウム
ペ−ストが開発され、市販されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】近年の積層電子部品の
小型化、高性能化に対する要求は大きく、例えば積層チ
ップコンデンサにおいては、内部導体層をより薄くする
ことによって高積層化、小型大容量化および低コスト化
を実現しようとする開発が行われている。しかしなが
ら、内部導体層厚みを小さくすると、誘電体層の焼結を
完全に行うための焼成条件においては、金属パラジウム
の焼結が過度に進行し、その結果内部導体層が連続した
膜状構造から網状構造に変化し、さらにはその網が寸断
されて島状になってしまう、いわゆる内部電極切れが発
生する。これによって積層チップコンデンサの容量は、
設計された容量値より大きく低下し、前記のように網状
構造が寸断されるに至ると容量値は激減してしまう。本
発明が解決しようとする第1の課題はこの点にあって、
薄く形成しても前述のような構造にならないパラジウム
ペ−ストを提供しようとするものである。
【0004】また、よく知られているように金属パラジ
ウム表面は、酸化触媒として利用されるほどに触媒活性
が大きく、積層電子部品の製造工程の脱バインダプロセ
スにおいて、バインダなどの有機物の熱分解を急激に引
き起こすことによって、積層体の破壊や欠陥の発生の原
因となることがある。この現象は、容易に想像できるよ
うに積層電子部品が高積層になればなるほど頻発する不
良である。本発明が解決しようとする第2の課題はこの
点にあり、多層構造の積層電子部品に適用することので
きるパラジウムペ−ストを提供しようとするものであ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本発明のパラジウムペ−ストは、表面に酸化パラジウム
以外の酸化物層を被着形成した金属パラジウム粉末と、
有機樹脂を溶剤に溶解させたビヒクルとを混練、分散さ
せる構成となっている。
【0006】
【作用】金属パラジウム粉末表面に形成した酸化物層
は、高温に加熱された際に金属パラジウムの物質移動を
直接的に妨害する。このため、パラジウムの金属焼結の
進行を遅くすることが可能で、薄く印刷形成しても過度
に焼結の進行した網状構造や島状構造を防止することが
できる。また、このような構造の粉末とすることによ
り、パラジウム表面の触媒活性を抑制し、ペ−スト中バ
インダの熱分解を緩やかに行わせることができ、高積層
の積層電子部品製造を容易にする。被着させる酸化物の
選択は、製造しようとする積層電子部品の焼成条件と、
用いる内部導体層以外の物質と被着させた酸化物の相互
作用を考慮して行う。
【0007】
【実施例】以下に実施例を挙げて、本発明の効果につい
て詳細に説明する。
【0008】(実施例1)下記の組成で調製した溶液中
に、平均粒子径0.3μmのパラジウム粉末(昭栄化学
製、品番Pd−213)10gを、攪拌しながら超音波
をかけて分散させた。
【0009】 純水 10.0g アンモニア水(関東化学製、試薬特級) 1.3g イソプロパノ−ル(関東化学製、試薬特級) 70.0g 次に、チタン酸テトライソプロピル(関東化学製、試薬
特級)0.47gをイソプロパノ−ルに溶解させて10
0mlとした溶液を、前記のパラジウム粉末を分散させ
た溶液中に毎分5mlの速度で滴下、滴下終了後3時間
反応させた。この操作中、粒子の凝集を防止するため攪
拌と超音波の印可は継続して行った。この後、イソプロ
パノ−ルを用いて、遠心分離とデカンテ−ションを4回
くり返して行い、粒子を洗浄した。得られた粉末を15
0℃の熱風循環式乾燥器で2時間乾燥し、さらに真空乾
燥器中で1昼夜乾燥した。この結果、表面にチタン酸化
物が被着した10.12gのパラジウム粉末が得られ
た。これのX線回折を測定したところ、CuKαを線源
として2θが15度から25度のところに非晶質特有の
ハロ−が観測され、被着したチタン酸化物は非晶質状態
であることが確認された。しかしながら、500℃まで
加熱した粉末では、パラジウムの回折ピ−クとアナタ−
ゼ型の酸化チタンの回折ピ−クが認められた。また、こ
の粉末のSEM写真から計測した粒子径は約0.34μ
mで、被着したチタン酸化物の層厚みは約0.02μm
と見積もられた。
【0010】乾燥したチタン酸化物被着パラジウム粉末
8.0gに対し、下記に示す組成の エチルセルロ−ス 7.5重量部 タ−ピネオ−ル 30.0重量部 ソルベントナフサ2号 70.0重量部 ビヒクル3.1gを配合し、仮混練の後3本ロ−ルミル
を用いて分散、混練してペ−ストを調製した。このペ−
ストを用いて、内部電極を形成した3216タイプの積
層チップコンデンサを作成した。この際、ペ−ストの希
釈あるいは印刷条件の調製を行うことによって内部電極
の乾燥厚みを0.5μmから2.0μmまで調節した。
また、用いたチタン酸バリウムを主成分とする誘電体グ
リ−ンシ−ト厚みは10μmであって、積層数は有効層
20層(内部電極21層)とし、焼成は大気中で最高加
熱温度1330℃、2時間保持するというプロファイル
で行った。
【0011】このようにして製造したチップコンデンサ
の容量値と内部電極の乾燥厚みの関係を図1に示す(曲
線A)。図中には比較のため、Pd−213そのものを
用いて前記と同様の方法で調製したペ−ストによるチッ
プコンデンサのデ−タも合わせて示した(曲線B)。2
つの曲線の比較から明らかなように、内部電極厚みを減
少させたときに容量値が急激に減少する厚みのポイント
は、曲線Aが約0.9μm、曲線Bが約1.5μmであ
って、チタン酸化物で表面を被覆したパラジウム粉末を
用いるほうが内部電極を薄く形成することが可能であ
る。確認のため、チップコンデンサを水素気流中、30
0℃で熱処理してパラジウムに水素を吸蔵させて膨脹さ
せ、剥離するという方法で、内部電極をSEM観察した
ところ、曲線Aのサンプルでは乾燥厚み1.0μmのも
のでも内部電極切れが起こっていない、すなわち、パラ
ジウムの金属焼結が表面への酸化物被覆によって阻害さ
れているのに対し、曲線Bのサンプルでは乾燥厚み1.
3μmで内部電極切れが起こっているのが認められた。
また、曲線Aにおける最大容量と曲線Bにおけるそれと
は、前者が0.84μFであるのに対し、後者が0.8
7μFであって、パラジウム粉末の被覆材料としてチタ
ン酸化物を選択したことによって、チタン酸バリウム系
誘電体材料との共焼成において、それの誘電率を低下さ
せてコンデンサの特性を劣化させる現象がないことが明
らかである。従って、本発明のパラジウムペ−ストを用
いることにより、従来よりもはるかに膜厚の小さな内部
電極層を有する積層チップコンデンサの製造が可能とな
る。
【0012】本実施例で製造したペ−ストの熱分析を行
った結果を図2(a)に示す。比較例として、Pd−2
13そのものを用いたペ−ストの熱分析結果を図2
(b)に示す。測定は双方共に200ml/minの速
度で大気を流しながら、5℃/minの速度で昇温する
という条件で、DTAの参照物質としてアルミナ粉末を
用いて行った。2者の比較から、本実施例によるペ−ス
トでは、Pd−213そのものを用いたペ−ストよりも
バインダ分解時の発熱量が少なくなると共に、バインダ
の分解終了温度が高温側にシフトして、その分解挙動が
緩やかになっていることがわかる。そこで、これら2種
のペ−ストを用い、誘電体グリ−ンシ−トは前記のもの
と同じものを用いて、内部電極印刷厚み1.7μmに固
定して有効層85層で3216タイプの積層チップコン
デンサを試作したところ、Pd−213そのものを用い
たペ−ストでは脱バイ時にデラミネ−ションが多発した
のに対し、本実施例のペ−ストではそのような欠陥が生
じなかった。すなわち、表面に酸化物を被着させること
によって、パラジウム金属表面の酸化触媒としての活性
が減少させられバインダの急激な熱分解が防止されるた
め、熱処理工程における欠陥発生がないことがこれによ
って示された。すなわち、本発明のパラジウムペ−スト
によれば非常に高積層の積層チップコンデンサが欠陥を
生じることなく製造できる。
【0013】なお、本実施例では積層チップコンデンサ
用パラジウムペ−ストとして、被着酸化物にチタン酸化
物を選択して行ったが、この用途に対してはチタン酸バ
リウムやチタン酸ストロンチウムなどのチタン酸塩、お
よびマンガン酸化物とセリウム酸化物についても同様の
効果が得られることを確認した。この際、チタン酸塩の
被着には本実施例と同様な金属アルコキシドを使用し、
マンガン酸化物とセリウム酸化物の被着にはそれらの硝
酸塩を使用して行った。
【0014】また、本実施例以外にも適用する積層電子
部品の種類によって例えばシリカ、アルミナ、遷移金属
酸化物、希土類酸化物などを選択して被着させても本発
明の目的を達成することができる。それに伴って、酸化
物被着時に用いる金属化合物も、本実施例で使用した金
属アルコキシドや硝酸塩だけでなく、カルボン酸塩やア
セチルアセトン錯体などの有機錯体、カルボニル化合物
などの有機金属、各種の無機酸塩などを選択して使用す
ることができる。また、被着方法としても、本実施例以
外の無電解メッキ法や真空を利用する方法などを使用し
て行ってもよい。
【0015】(実施例2)下記の組成で調製した溶液中
に、平均粒子径0.6μmのパラジウム粉末(北陸塗料
製、品番P−796)20gを、攪拌しながら超音波を
かけて分散させた。
【0016】 純水 25.0g アンモニア水(関東化学製、試薬特級) 3.3g エタノ−ル(関東化学製、試薬特級) 150.0g 次に、所定量のケイ酸テトラエチル(半井化学製、試薬
一級)をエタノ−ルに溶解させて150mlとした溶液
を、前記のパラジウム粉末を分散させた溶液中に毎分1
0mlの速度で滴下、滴下終了後2時間反応させた。
(実施例1)と同様この操作中には、粒子の凝集を防止
するため攪拌と超音波の印可は継続して行った。この
後、エタノ−ルを用いて、遠心分離とデカンテ−ション
を4回くり返して行い、粒子を洗浄した。得られた粉末
を150℃の熱風循環式乾燥器で2時間乾燥し、さらに
真空乾燥器中で1昼夜乾燥した。
【0017】この際、添加するケイ酸テトラエチルの量
を0.4gから21.0gまで変化させて行った。この
結果、ケイ酸テトラエチル量に応じた厚みで表面にシリ
コン酸化物が被着したパラジウム粉末が得られた。この
時のケイ酸テトラエチル量と得られた粉末に被着された
シリコン酸化物層の厚みの関係を図3に示す。シリコン
酸化物層の厚みは、(実施例1)と同様にSEM写真の
計測によって求めた。図3から、被着する酸化物層の厚
みは約0.16μmまではケイ酸テトラエチル量に対し
て直線的に増加し、その後はケイ酸テトラエチル量を増
加させても酸化物層の厚みはほとんど変化しない。ケイ
酸テトラエチル量が21.0gとした粉末のSEM観察
によれば、シリコン酸化物が被着したパラジウム粒子以
外にシリコン酸化物のみと思われる球状粒子が認めら
れ、あまりケイ酸テトラエチル量を増加させるとパラジ
ウム表面に被着するだけでなくシリコン酸化物単独で粒
子を形成するため前述のように被着する厚みが飽和する
ものと思われる。これら粉末のX線回折によれば、(実
施例1)と同様にCuKαを線源として2θが15度か
ら25度のところに非晶質特有のハロ−が観測され、被
着したシリコン酸化物は非晶質状態であることが確認さ
れた。
【0018】これらの粉末を用い、(実施例1)と同様
の方法でペ−ストを作製した。この際、各粉末によって
吸油量が異なったが、ペ−スト配合中の粉末/バインダ
比は(実施例1)のペ−ストと同じとし、粘度について
は溶剤の量を変化させることによって調整した。これら
のペ−ストおよび比較としてのパラジウム粉末P−79
6を用いて作製したペ−ストを、市販の96%アルミナ
基板上にアルファスクリ−ンのα−40(中沼ア−トス
クリ−ン製)でスクリ−ン印刷し、アスペクト比400
の配線パタ−ンを形成した。これらの乾燥厚みは、約
2.0μmとなるようにスキ−ジ速度と印圧を調整して
印刷を行った。乾燥の後、(実施例1)と同様のプロフ
ァイルで1300℃、1時間の焼成を行い、パタ−ンの
抵抗値を評価した結果を図4に示す。これからわかるよ
うにシリコン酸化物層の厚みが約0.02〜0.03μ
mのパラジウム粉末によるペ−ストがもっとも低い抵抗
値を示し、厚みが0(被着処理を施していないもの)お
よび約0.08μm以上のものでは図中に∞と示したよ
うに導通がない。これらサンプルのSEM観察によれ
ば、被着処理を施していないものではパラジウムが島状
になっており、約0.08μm以上のものではパラジウ
ム表面を覆ったシリコン酸化物は互いに融着している
が、個々のパラジウム金属粒子が互いにつながっていな
い構造になっていることが明かとなった。すなわち、金
属パラジウムの焼結進行を阻害しながら電極としての導
通を得るために適切な被着酸化物層の厚みが存在し、本
実施例のようにアルミナ基板上に配線パタ−ンを形成す
るような場合には、シリコン酸化物を被着させたパラジ
ウム粉末でその被着層厚みを0.02〜0.03μmと
すればもっとも好ましい結果が得られる。また、例えば
パラジウムペ−ストが印刷され、ともに熱処理される対
象が(実施例1)のように酸化物のグリ−ンシ−トであ
る場合には、パラジウム表面に被着させた酸化物が、そ
の熱処理条件下でどれほどグリ−ンシ−トを構成する酸
化物中へ拡散、移動するか、あるいは2者の間でどの程
度の反応が起こるかなどによって、被着層を適正な厚み
に設定する必要がある。
【0019】従って、本発明の実施態様としての被着酸
化物層厚みは、本実施例に一例を挙げたように、被着さ
せる物質の種類や本発明によるペ−ストを適用する積層
電子部品の種類などによって選択されるべきであって、
一概に規定されるものではない。
【0020】以上の実施例では、ペ−ストの有機バイン
ダとしてエチルセルロ−スを使用したが、ペ−ストに要
求される各種の要請に応じて例えばブチラ−ル系樹脂、
アクリル系樹脂など通常の厚膜ペ−ストのバインダとし
て多用される樹脂を使用しても全く差し支えない。ま
た、使用する有機溶剤も、それら樹脂の種類によって広
範な選択を行うことができる。
【0021】
【発明の効果】以上のように本発明は、表面に酸化パラ
ジウム以外の酸化物層を被着形成した金属パラジウム粉
末と、有機樹脂を溶剤に溶解させたビヒクルと、分散剤
とを混練、分散させた構成のパラジウムペ−ストとする
ことにより、積層電子部品の内部導体層厚みを低減させ
ることが可能で、パラジウムの必要量を削減できるとと
もに、高積層構造としても熱処理時に起こる欠陥の発生
を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例で製造した積層チップコ
ンデンサの容量値と内部電極層印刷厚みの関係を示す図
【図2】(a)は本発明の第1の実施例で製造した、表
面に酸化物層を被着形成していないパラジウム粉末を使
用したペ−ストの熱分析結果を示す図 (b)は本発明の第1の実施例で製造した、表面にチタ
ン酸化物層を被着形成したパラジウム粉末を使用したペ
−ストの熱分析結果を示す図
【図3】本発明の第2の実施例で製造した、シリコン酸
化物被着パラジウム粉末の被着層厚みとケイ酸テトラエ
チル量との関係を示す図
【図4】本発明の第2の実施例における、被着酸化物層
厚みと焼成後の電極抵抗値の関係を示す図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01G 13/00 391 B 9174−5E

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】表面に酸化パラジウム以外の酸化物層を被
    着形成した金属パラジウム粉末と、有機樹脂を溶剤に溶
    解させたビヒクルと、分散剤とを混練、分散させてなる
    ことを特徴とするパラジウムペ−スト。
  2. 【請求項2】表面に、チタン酸化物、チタン酸塩、マン
    ガン酸化物、セリウム酸化物の中から選択された酸化物
    層を被着形成した金属パラジウム粉末と、有機樹脂を溶
    剤に溶解させたビヒクルと、分散剤とを混練、分散させ
    てなるペ−ストを用いて内部電極を形成することを特徴
    とする積層チップコンデンサの製造方法。
JP4193736A 1992-07-21 1992-07-21 パラジウムペーストおよび積層チップコンデンサの製造方法 Pending JPH0645183A (ja)

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JP2015164103A (ja) * 2014-02-28 2015-09-10 住友金属鉱山株式会社 積層セラミックコンデンサ内部電極用導電性ペーストおよびその製造方法、ならびに、積層セラミックコンデンサ
WO2024004393A1 (ja) * 2022-06-26 2024-01-04 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
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