JPH0644826A - 透明導電性フィルム - Google Patents
透明導電性フィルムInfo
- Publication number
- JPH0644826A JPH0644826A JP23877892A JP23877892A JPH0644826A JP H0644826 A JPH0644826 A JP H0644826A JP 23877892 A JP23877892 A JP 23877892A JP 23877892 A JP23877892 A JP 23877892A JP H0644826 A JPH0644826 A JP H0644826A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- conductive film
- transparent conductive
- plastic film
- polyarylethersulfone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】プラスチックフィルムの表面に導電性を有する
被膜を形成してなる透明導電性フィルムにおいて、プラ
スチックフィルムとして、特定の構造を有するポリアリ
ールエーテルスルホンを用いる。 【効果】光学異方性がなく透明性及び耐湿性に優れた透
明導電性フィルムが得られる。
被膜を形成してなる透明導電性フィルムにおいて、プラ
スチックフィルムとして、特定の構造を有するポリアリ
ールエーテルスルホンを用いる。 【効果】光学異方性がなく透明性及び耐湿性に優れた透
明導電性フィルムが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラスチックフィルム
の表面に導電性を有する被膜を形成した透明導電性フィ
ルムに関する。
の表面に導電性を有する被膜を形成した透明導電性フィ
ルムに関する。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】可視光線領域で透明であ
り、且つ、導電性を有する薄膜は液晶ディスプレイ、エ
レクトロルミネッセンスディスプレイ等のフラットディ
スプレイ方式における透明電極のほか、透明物品の帯電
防止や電磁波遮断等のために利用される。従来、このよ
うな透明導電性膜の基板としては、ガラスが主流を占め
ているが、ガラス自体の持つ機械的衝撃に弱いこと、ま
た、曲げることが不可能であることのため、導電膜形成
工程で連続加工できない欠点があった。一方、プラスチ
ックフィルム基材は、軽量化、様々な形状への加工、製
造工程でロール巻取りによる連続生産処理が可能となる
メリットがある。
り、且つ、導電性を有する薄膜は液晶ディスプレイ、エ
レクトロルミネッセンスディスプレイ等のフラットディ
スプレイ方式における透明電極のほか、透明物品の帯電
防止や電磁波遮断等のために利用される。従来、このよ
うな透明導電性膜の基板としては、ガラスが主流を占め
ているが、ガラス自体の持つ機械的衝撃に弱いこと、ま
た、曲げることが不可能であることのため、導電膜形成
工程で連続加工できない欠点があった。一方、プラスチ
ックフィルム基材は、軽量化、様々な形状への加工、製
造工程でロール巻取りによる連続生産処理が可能となる
メリットがある。
【０００３】こうした背景の中で、プラスチック基板に
各種金属酸化物の薄膜を成形する技術が急速に発達して
きた。プラスチックとしては、従来ポリエステルフィル
ムが用いられてきた。しかし、ポリエステルフィルム
は、光学異方性があり、光の偏光を利用しているＴＮ型
液晶表示素子には用いることができない。酸化インジウ
ム膜や酸化スズ膜などの導電性膜を形成する方法として
は、基板上に２００℃以上に加熱した状態で真空蒸着、
スパッタリングなどで形成する、あるいは、低温のまま
真空蒸着法で低級酸化物を形成した後、透明度を上げ抵
抗値を下げるため、少なくとも１４０℃以上に加熱する
方法がある。いずれも、基材を高温に加熱することを不
可欠である。セルロース系高分子フィルムは、前記のポ
リエステルフィルムのような光学異方性はないが、耐熱
性が低く、透明電導性被膜を形成させるためのスパッタ
リングや真空蒸着条件に耐えられない。また、耐熱性に
優れているポリイミドフィルムは、着色と吸水率が２〜
５％である欠点を有している
各種金属酸化物の薄膜を成形する技術が急速に発達して
きた。プラスチックとしては、従来ポリエステルフィル
ムが用いられてきた。しかし、ポリエステルフィルム
は、光学異方性があり、光の偏光を利用しているＴＮ型
液晶表示素子には用いることができない。酸化インジウ
ム膜や酸化スズ膜などの導電性膜を形成する方法として
は、基板上に２００℃以上に加熱した状態で真空蒸着、
スパッタリングなどで形成する、あるいは、低温のまま
真空蒸着法で低級酸化物を形成した後、透明度を上げ抵
抗値を下げるため、少なくとも１４０℃以上に加熱する
方法がある。いずれも、基材を高温に加熱することを不
可欠である。セルロース系高分子フィルムは、前記のポ
リエステルフィルムのような光学異方性はないが、耐熱
性が低く、透明電導性被膜を形成させるためのスパッタ
リングや真空蒸着条件に耐えられない。また、耐熱性に
優れているポリイミドフィルムは、着色と吸水率が２〜
５％である欠点を有している
【０００４】これらの問題点を解決するために、特開昭
５８−２０８０３９号公報あるいは特開昭５９−４０６
２４号公報には、ポリサルホンフィルムあるいはポリエ
ーテルサルホンフィルムをプラスチック基板として用い
た透明導電性フィルムが開示されている。しかしなが
ら、ポリエーテルサルホンは、吸湿性が大きいため、液
晶表示素子に用いる場合、長期安定性に問題が生じる。
長期間、安定した導電性や透明性を得るために、特開昭
６０−１４６４０９号公報には、高真空下での除湿処理
などの前処理する方法が開示されている。また、特開昭
６０−１４６４０９号公報には、ポリエーテルサルホン
フィルムにアクリル系紫外線硬化樹脂をアンダーコート
して用いる方法が開示されている。特開昭６０−２５８
４６０号には、ポリエーテルサルホンフィルム表面に電
導性被膜を形成した後、１６０〜３００℃の温度で熱処
理する方法が開示されている。また、ポリサルホンフィ
ルムは耐熱性が劣るため、加熱処理の条件が制限され、
導電性の改良や導電性膜の密着力向上効果が小さくなる
問題がある。
５８−２０８０３９号公報あるいは特開昭５９−４０６
２４号公報には、ポリサルホンフィルムあるいはポリエ
ーテルサルホンフィルムをプラスチック基板として用い
た透明導電性フィルムが開示されている。しかしなが
ら、ポリエーテルサルホンは、吸湿性が大きいため、液
晶表示素子に用いる場合、長期安定性に問題が生じる。
長期間、安定した導電性や透明性を得るために、特開昭
６０−１４６４０９号公報には、高真空下での除湿処理
などの前処理する方法が開示されている。また、特開昭
６０−１４６４０９号公報には、ポリエーテルサルホン
フィルムにアクリル系紫外線硬化樹脂をアンダーコート
して用いる方法が開示されている。特開昭６０−２５８
４６０号には、ポリエーテルサルホンフィルム表面に電
導性被膜を形成した後、１６０〜３００℃の温度で熱処
理する方法が開示されている。また、ポリサルホンフィ
ルムは耐熱性が劣るため、加熱処理の条件が制限され、
導電性の改良や導電性膜の密着力向上効果が小さくなる
問題がある。
【０００５】
【発明の目的】光学異方性がなく、透明性及び耐湿性に
優れた透明導電性フィルムを得る。
優れた透明導電性フィルムを得る。
【０００６】
【問題解決のための技術的手段】本発明は、プラスチッ
クフィルムの表面に導電性を有する被膜を形成してなる
透明導電性フィルムにおいて、プラスチックフィルムと
して、下記の式（Ｉ）及び（ＩＩ）の反復単位からな
り、
クフィルムの表面に導電性を有する被膜を形成してなる
透明導電性フィルムにおいて、プラスチックフィルムと
して、下記の式（Ｉ）及び（ＩＩ）の反復単位からな
り、
【化１】 反復単位（Ｉ）と反復単位（ＩＩ）の比率が０〜７０：
３０〜１００（モル％）である構造を有するポリアリー
ルエーテルスルホンを用いることを特徴とする透明導電
性フィルムを用いることを特徴とする透明導電性フィル
ムに関する。
３０〜１００（モル％）である構造を有するポリアリー
ルエーテルスルホンを用いることを特徴とする透明導電
性フィルムを用いることを特徴とする透明導電性フィル
ムに関する。
【０００７】本発明のポリアリールエーテルスルホン
は、有機極性溶媒中、アルカリ金属化合物の存在下、ジ
ハロゲノジフェニルスルホン化合物と二価フェノール化
合物との重縮合反応、あるいは、あらかじめ合成した二
価フェノールのアルカリ金属二塩とジハロゲノジフェニ
ルスルホン化合物との重縮合反応において、二価フェノ
ール化合物としてハイドロキノンおよび４，４’−ビフ
ェノールを所定の割合で用いることにより製造できる。
は、有機極性溶媒中、アルカリ金属化合物の存在下、ジ
ハロゲノジフェニルスルホン化合物と二価フェノール化
合物との重縮合反応、あるいは、あらかじめ合成した二
価フェノールのアルカリ金属二塩とジハロゲノジフェニ
ルスルホン化合物との重縮合反応において、二価フェノ
ール化合物としてハイドロキノンおよび４，４’−ビフ
ェノールを所定の割合で用いることにより製造できる。
【０００８】二価フェノール化合物のハイドロキノンお
よび４，４’−ビフェノールは、それらのベンゼン環の
水素の少なくとも一つが、適当な置換基（例えば、メチ
ル基、エチル基、プロピル基などの低級アルキル基、あ
るいは、メトキシ基、エトキシ基などの低級アルコキシ
基などの置換基）で置換されたものを用いてもよい。
よび４，４’−ビフェノールは、それらのベンゼン環の
水素の少なくとも一つが、適当な置換基（例えば、メチ
ル基、エチル基、プロピル基などの低級アルキル基、あ
るいは、メトキシ基、エトキシ基などの低級アルコキシ
基などの置換基）で置換されたものを用いてもよい。
【０００９】反復単位（Ｉ）と反復単位（ＩＩ）の比率
は、それぞれハイドロキノンと４，４’−ビフェノール
の重縮合反応における仕込み比率により調整することが
できる。本発明のポリアリールエーテルスルホンの反復
単位（Ｉ）と反復単位（ＩＩ）の比率は、好ましくは、
０〜７０：３０〜１００（モル％）であるが、特に好ま
しくは、１０〜６０：４０〜９０（モル％）である。
は、それぞれハイドロキノンと４，４’−ビフェノール
の重縮合反応における仕込み比率により調整することが
できる。本発明のポリアリールエーテルスルホンの反復
単位（Ｉ）と反復単位（ＩＩ）の比率は、好ましくは、
０〜７０：３０〜１００（モル％）であるが、特に好ま
しくは、１０〜６０：４０〜９０（モル％）である。
【００１０】本発明のポリアリールエーテルスルホンの
分子量は特に限定されないが、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドンを溶媒とした０．５ｇ／１００ｍｌ濃度の溶液につ
いて３０℃で測定した還元粘度（ηｓｐ／ｃ）が、０．
２〜１．０のものが好ましく、０．３〜０．９のものが
特に好ましく使用される。本発明のポリアリールエーテ
ルスルホンからのフィルムの作成方法は、押出成形法、
溶液流延法などの公知の方法を用いることができる。
分子量は特に限定されないが、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドンを溶媒とした０．５ｇ／１００ｍｌ濃度の溶液につ
いて３０℃で測定した還元粘度（ηｓｐ／ｃ）が、０．
２〜１．０のものが好ましく、０．３〜０．９のものが
特に好ましく使用される。本発明のポリアリールエーテ
ルスルホンからのフィルムの作成方法は、押出成形法、
溶液流延法などの公知の方法を用いることができる。
【００１１】本発明のポリアリールエーテルスルホンフ
ィルム上の薄膜の形成は、従来の方法を用いることがで
きる。真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法、プラズマＣＶＤ法、化学蒸着法、有機金属溶
液塗布法などの方法を用いることができる。
ィルム上の薄膜の形成は、従来の方法を用いることがで
きる。真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法、プラズマＣＶＤ法、化学蒸着法、有機金属溶
液塗布法などの方法を用いることができる。
【００１２】金属酸化物としては、チタン、ジルコニウ
ム、クロム、タングステン、ニッケル、スズ、鉛、イン
ジウムなど遷移金属などの酸化物を用いることができ
る。酸化スズを含む酸化インジウムを用いた薄膜が好ま
しく用いることができる。
ム、クロム、タングステン、ニッケル、スズ、鉛、イン
ジウムなど遷移金属などの酸化物を用いることができ
る。酸化スズを含む酸化インジウムを用いた薄膜が好ま
しく用いることができる。
【００１３】金属酸化物の薄膜の厚みは、特に限定され
ないが、通常１００〜５，０００Å、好ましくは５００
〜２，０００である。薄膜の均一性、密着性、耐磨耗性
等を向上させる目的で、アンカーコートやオーバーコー
トを施してもよい。
ないが、通常１００〜５，０００Å、好ましくは５００
〜２，０００である。薄膜の均一性、密着性、耐磨耗性
等を向上させる目的で、アンカーコートやオーバーコー
トを施してもよい。
【００１４】
【発明の効果】本発明により、光学異方性がなく、透明
性及び耐湿性に優れた透明導電性フィルムを得ることが
できる。
性及び耐湿性に優れた透明導電性フィルムを得ることが
できる。
【００１５】
実施例１ （ポリアリールエーテルスルホンの製造）４，４’−ジ
クロルジフェニルスルホン７３．３ｇ（０．２５５ｍｏ
ｌ）、ハイドロキノン１３．７ｇ（０．１２４ｍｏｌ）
及び４，４’−ビフェノール２３．２ｇ（０．１２４ｍ
ｏｌ）を、窒素雰囲気下で共沸脱水用トルエン３０ｍｌ
及びＮ−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌに加え溶解
した後、窒素中で７０℃で３０分間加熱処理した炭酸カ
リウム３７．９ｇを、窒素雰囲気下で温度１８０℃、８
時間攪拌反応し、重合溶液を得た。反応終了後、無機物
を重合溶液から分離するため、窒素圧１．５ｋｇ／ｃｍ
２で濾過し、重合溶液を得た。重合溶液３００ｇをエタ
ノール２０００ｍｌに注ぎ、５０００ｒｐｍで攪拌しな
がら重合体を析出させ、濾過、分離した後、重合体を得
た。この重合体５０ｇをエタノール５００ｍｌで洗浄
後、９０℃で乾燥し、ポリアリールエーテルスルホンの
粉体を得た。得られたポリアリールエーテルスルホンの
還元粘度（ηｓｐ／ｃ）（Ｎ−メチル−２−ピロリドン
を溶媒とした０．５ｇ／１００ｍｌ濃度の溶液について
３０℃で測定）は、０．５２であった。反復単位（Ｉ）
と反復単位（ＩＩ）の比率は、５０：５０（モル％）あ
った。
クロルジフェニルスルホン７３．３ｇ（０．２５５ｍｏ
ｌ）、ハイドロキノン１３．７ｇ（０．１２４ｍｏｌ）
及び４，４’−ビフェノール２３．２ｇ（０．１２４ｍ
ｏｌ）を、窒素雰囲気下で共沸脱水用トルエン３０ｍｌ
及びＮ−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌに加え溶解
した後、窒素中で７０℃で３０分間加熱処理した炭酸カ
リウム３７．９ｇを、窒素雰囲気下で温度１８０℃、８
時間攪拌反応し、重合溶液を得た。反応終了後、無機物
を重合溶液から分離するため、窒素圧１．５ｋｇ／ｃｍ
２で濾過し、重合溶液を得た。重合溶液３００ｇをエタ
ノール２０００ｍｌに注ぎ、５０００ｒｐｍで攪拌しな
がら重合体を析出させ、濾過、分離した後、重合体を得
た。この重合体５０ｇをエタノール５００ｍｌで洗浄
後、９０℃で乾燥し、ポリアリールエーテルスルホンの
粉体を得た。得られたポリアリールエーテルスルホンの
還元粘度（ηｓｐ／ｃ）（Ｎ−メチル−２−ピロリドン
を溶媒とした０．５ｇ／１００ｍｌ濃度の溶液について
３０℃で測定）は、０．５２であった。反復単位（Ｉ）
と反復単位（ＩＩ）の比率は、５０：５０（モル％）あ
った。
【００１６】ポリアリールエーテルスルホンを溶剤キャ
スト法によって１００μｍ厚さにフィルム化した。この
フィルムに酸化インジウムと酸化錫の混合物を真空中で
電子ビームで加熱しながら蒸着し、これを２００℃、１
時間熱処理して、厚さ１０００Åのインジウム・スズ酸
化物（ＩＴＯ）薄膜を形成した。
スト法によって１００μｍ厚さにフィルム化した。この
フィルムに酸化インジウムと酸化錫の混合物を真空中で
電子ビームで加熱しながら蒸着し、これを２００℃、１
時間熱処理して、厚さ１０００Åのインジウム・スズ酸
化物（ＩＴＯ）薄膜を形成した。
【００１７】このＩＴＯ付ポリアリールエーテルスルホ
ンの表面抵抗は、７００Ω／□であった。光線透過率は
６００ｎｍの波長で９０％であった。耐久テストとし
て、相対湿度９５％で（４０℃，９６ｈｒ）→（１５０
℃，２ｈｒ）→（−３０℃，２ｈｒ）のサイクルで１０
０回繰り返したが、表面抵抗及び光線透過率の変化はな
かった。
ンの表面抵抗は、７００Ω／□であった。光線透過率は
６００ｎｍの波長で９０％であった。耐久テストとし
て、相対湿度９５％で（４０℃，９６ｈｒ）→（１５０
℃，２ｈｒ）→（−３０℃，２ｈｒ）のサイクルで１０
０回繰り返したが、表面抵抗及び光線透過率の変化はな
かった。
【００１８】比較例１ プラスチックフィルムとして、下式の構造を有するポリ
エーテルスルホン（ＩＣＩ社製ＶＩＣＴＲＥＸ４１００
Ｇ）を用いた以外は、
エーテルスルホン（ＩＣＩ社製ＶＩＣＴＲＥＸ４１００
Ｇ）を用いた以外は、
【化２】 実施例１と同様にしてインジウム・スズ酸化物（ＩＴ
Ｏ）薄膜を形成した。このＩＴＯ付ポリアリールエーテ
ルスルホンの表面抵抗は、８４０Ω／□であった。光線
透過率は６００ｎｍの波長で９０％であった。耐久テス
トとして、相対湿度９５％で（４０℃，９６ｈｒ）→
（１５０℃，２ｈｒ）→（−３０℃，２ｈｒ）のサイク
ルで１００回繰り返した。は、３．５ｋΩ／□であっ
た。光線透過率は６００ｎｍの波長で７５％であった。
Ｏ）薄膜を形成した。このＩＴＯ付ポリアリールエーテ
ルスルホンの表面抵抗は、８４０Ω／□であった。光線
透過率は６００ｎｍの波長で９０％であった。耐久テス
トとして、相対湿度９５％で（４０℃，９６ｈｒ）→
（１５０℃，２ｈｒ）→（−３０℃，２ｈｒ）のサイク
ルで１００回繰り返した。は、３．５ｋΩ／□であっ
た。光線透過率は６００ｎｍの波長で７５％であった。
Claims (1)
- 【請求項１】 プラスチックフィルムの表面に導電性を
有する被膜を形成してなる透明導電性フィルムにおい
て、プラスチックフィルムとして、下記の式（Ｉ）及び
（ＩＩ）の反復単位からなり、 【化１】 反復単位（Ｉ）と反復単位（ＩＩ）の比率が０〜７０：
３０〜１００（モル％）である構造を有するポリアリー
ルエーテルスルホンを用いることを特徴とする透明導電
性フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23877892A JPH0644826A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 透明導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23877892A JPH0644826A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 透明導電性フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0644826A true JPH0644826A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=17035142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23877892A Pending JPH0644826A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 透明導電性フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644826A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6962756B2 (en) | 2001-11-02 | 2005-11-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Transparent electrically-conductive film and its use |
| JP2012036399A (ja) * | 2004-10-04 | 2012-02-23 | Solvay Advanced Polymers Llc | 高性能成形物品、それらの製造方法、及びそれらの使用 |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP23877892A patent/JPH0644826A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6962756B2 (en) | 2001-11-02 | 2005-11-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Transparent electrically-conductive film and its use |
| JP2012036399A (ja) * | 2004-10-04 | 2012-02-23 | Solvay Advanced Polymers Llc | 高性能成形物品、それらの製造方法、及びそれらの使用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61213147A (ja) | 芳香族ポリエステル系積層体及び液晶表示部品 | |
| JPH0564765B2 (ja) | ||
| JP2002194228A (ja) | 基板フィルム及び製造方法 | |
| JPH0644826A (ja) | 透明導電性フィルム | |
| JPH03246515A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH06136162A (ja) | 金属酸化物薄膜の形成方法 | |
| JP3629333B2 (ja) | タッチパネル用透明導電積層体及びその製造方法 | |
| JPS6057572B2 (ja) | 液晶表示体 | |
| JPH03103341A (ja) | 近赤外光カットガラス及びその製造方法 | |
| JPS6127841B2 (ja) | ||
| JPS6143805B2 (ja) | ||
| JPH07300559A (ja) | 芳香族ポリエーテルスルホン溶液組成物およびフィルムの製造方法 | |
| JPH09234817A (ja) | 積層フィルム | |
| JPH09262926A (ja) | タッチパネル用透明導電積層体及びその製造方法 | |
| JPH0391795A (ja) | 加工物品 | |
| JP2944668B2 (ja) | 透明導電性フイルムの製造法 | |
| JPS59198606A (ja) | 透明導電膜形成用組成物 | |
| RU1809846C (ru) | Раствор дл получени полупроводниковых пленок на основе диоксида олова | |
| JPH0345486B2 (ja) | ||
| JPH0552002B2 (ja) | ||
| JPH0552003B2 (ja) | ||
| JPS60258460A (ja) | 透明導電性フイルムの製造方法 | |
| JPH02127494A (ja) | 液晶性組成物 | |
| CN113628808A (zh) | 一种氧化锡基复合导电薄膜的制备方法 | |
| JP2000352709A (ja) | 液晶表示装置用のフィルム基板 |