RU1809846C - Раствор дл получени полупроводниковых пленок на основе диоксида олова - Google Patents
Раствор дл получени полупроводниковых пленок на основе диоксида оловаInfo
- Publication number
- RU1809846C RU1809846C SU4867545A RU1809846C RU 1809846 C RU1809846 C RU 1809846C SU 4867545 A SU4867545 A SU 4867545A RU 1809846 C RU1809846 C RU 1809846C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- solution
- films
- oxide
- water
- tertiary amine
- Prior art date
Links
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
Использование: в оптоэлектронике. Раствор содержит следующие компоненты: оксалат олова 48-120 г, пероксид водорода 8-30 г, Nl-оксид третичного амина 0,1-0,5 г, вода до 1 л. Этот состав обеспечивает снижение агрессивности, повышение устойчивости раствора и прозрачности пленок. Дл регулировани проводимости пленок от 10 до 10 Ом-сми температурного коэффициента сопротивлени от +1.1 до 3,9% раствор дополнительно содержит трихлорид олова в количестве 0,002 до 20% по отношению к оксалату олова. Получены прозрачные пленки ЗпзОз толщиной 0,5 мкм с пропусканием в видимом диапазоне длин волн 75-83%. 1 з.п, ф-лы. (Л
Description
Изобретение касаетс получени прозрачных полупроводниковых покрытий и может быть использовано в оптоэлектронике .
Цель изобретени - повышение устой- .чивости раствора, снижение его агрессивности при одновременном повышении прозрачности получаемых пленок, а также возможность регулировани проводимости в пределах от 0,1 до 10 Ом-сми температурного коэффициента сопротивлени (ТКС) от -1.13 до+3,9%.
Поставленна цель достигаетс тем, что в состав раствора ввод т оксалат олова, растворенный в пероксиде водорода, и N-оксид третичного амина С12-18 в качестве смачивател и использованием воды в качестве растворител . В качестве добавки дл получени провод щих покрытий используетс хлорид сурьмы до 6%.
Предлагаемый раствор исключает использование хлоридов олова, загр зн ющих пленку и снижающих ее электрофизические и оптические характеристики . Кроме того раствор обладает высокой устойчивостью, сохран свои свойства в течение длительного времени, не требуетс сложное оборудопание дл нанесени пленок , пленки,полученные из него,обладают высокой адгезией к подложке, имеют более высокую проводимость, прозрачность. Использование предлагаемого раствора по- звол ет управл ть проводимостью и ТКС получаемых пленок.
со
Осаждение пленок при использовании предлагаемого раствора может производитьс методом полива или центрифугировани на подложки из стекла, кварца, ситалла. слюды, кремни , термостойких пластмасс и других материалов. После высушивани пленочный раствор прокаливают при 300-400°С.
Пример 1. 2,4 г SnCaCU.раствор ют в 3 мл 30% раствора пероксида водорода (НгОа), добавл ют 0,2 мл 4%-ного раствора N-оксида третичного амина в воде, после .чего довод т раствор водой до 50 мл. Методом полива раствор нанос т на заранее очищенную поверхность стекла, сушат при 100°С в течение 30 мин. и прокаливают при 400°С 2 часа.
В результате, как показывает рентгенографический анализ, получают пленку 5пз04 толщиной 0,5 мкм с следующими характеристиками:
удельное
сопротивление р 1,06x10 Ом см
ТКС в области
температур 18-100°С - 1,13 %
оптическое
пропускание в
видимой области
спектра, Т85 % Раствор сохран ет свои свойства более одного года. Состав раствора:
SnCa04-48 г
НаОа- 18 г
N-оксид третичного
амина-0,16 г
Н20ДО 1 Л.
Пример 2. 2,4 SnC20/i раствор ют в Змл30% Н202вводе,раствор ютО,1 rSbCla добавл ют 0,2 мл 4%-ного раствора N-оксида третичного амина в воде, довод т раствор водой до 50 мл, центрифугированием нанос т раствор на кварцевую подложку. В результате получают пленку 8пз04 : ЗЬаОз толщиной 0,53 мкм со следующими характеристиками:
р- 9 Ом-см, ТКС в области температур, . указанной выше, 3,9% . Т 80%.
Раствор сохран ет свои свойства в течение 1 года и более. Состав раствора:
SnC204 48 г НаОа 18 г SbCIs 2 г N-оксид третичного амина 0,16 г
Н20ДО 1 Л
Пример 3. 2,5 г SnCaO раствор ют в 3 мл 30 % раствора Н20а в воде, раствор ют
0,2 г SbCIs, довод т объем до 50 мл. Далее
как в примере 1. Полученна пленка имеет
следующие характеристики:
/о 7,20м-см ТКС 1,9% Т 79 %
Раствор сохран ет свои свойства не менее
1 года.
Состав раствора: SnC204100 г
Н20218 Г
SbCb4,1 г N-оксид третичного амина 0,16 г
Н20ДО 1 Л.
Пример 4. 6r SnC204 раствор ют в 5 мл 30 % раствора Н202 в воде, раствор ют 0,38 г SbCIs и 0,5 мл 4% раствора N-оксида третичного амина в воде, довод т раствор водой до 50 мл. Далее как в примере 1. Полученна пленка имеет следующие характеристики:
р 630м-см ТКС 1,6% Т 78 %
раствор сохран ет свои свойства не менее,, чем 1 год Состав раствора:
SnC204120г
H2U2i 30 Г
5ЬСЫ Ц. 7-5.г
N-оксид третичного амина .0,2 г
Н20 ДО 1 Л.
Пример 5. 6 г 8пС2р4 раствор ют в 5 мл 30% Н20а в воде, раствор ют 0,65 г и 0,5 мл 4% раствора N-оксида третичного амина в воде, довод т раствор водой до 50 мл и нанос т его центрифугированием на кварцевую подложку. Далее как в примере 1.
Пленка имеет следующие характеристики: р 400м-см ТКС 1,2% Т 82 %
Состав раствора:
SnC204120 г И202 30 г SbCla 13 г N-оксид третичного амина . 0,16 г до 1 л. Раствор сохран ет свои свойства более 1 года.
Пример 6. 6 г SnC204 раствор ют в 5 мл 30% раствора Н202. растоор ют 0,9 г SbCis затем 0,5 мл 4% раствора N-оксида третичного амина в воде, довод т раствор водой до 50 мл. Далее как в примере 1. Полученна пленка имеет следующие характеристики:
/э 20 Ом см ТКС 1,2% Т 77%
Раствор сохран ет свои свойства более 1
года.
Состав раствора:
SnCaCM120 г Н202 30 г 18 г N-оксид третичного амина 0,2 г НаО до 1 л. Пример 7. При составе раствора SnC204 120 г
Н20230 Г
N-оксид третичного амина0,2 г
Н20до 1 л приготовленного вышеописанным методом , получают пленки с
р.180м-см
ТКС 1,1 %
Т 75%
При увеличении количества вводимого оксалата олова в предлагаемый состав, сопротивление пленок измен етс незначительно и остаетс на уровне 103 - 104 Ом-см, ГКС; также не измен етс (-1,13 - 1,1%) пропускание ухудшаетс . Это говорит о том, что дл достижени цели нет необходимости повышать расход исходной.соли. Умень- шение количества вводимого оксалата олова .приводит к резкому возрастанию сопротивлени до 109 Ом.см и уменьшению адгезии пленки и ее растрескиванию, Таким образом, указанное количество оксалата олова, вводимого в раствор, вл етс оптимальным , при котором достигаетс цель изобретени .
При концентраци х , вводимого в раствор;больших 18 г существенного повышени проводимости и изменени ТКС не .наблюдаетс , а прозрачность получаемых пленок падает. Отсюда вытекает вывод, что повышение концентрации SbCIs вышз 24 г в составе предлагаемого раствора нецелесообразно по экономическим соображени м , Цель изобретени может быть достигнута при указанных в формуле изобретени концентраци х .
Избыток пероксида водорода по сравнению с указанным в примерах приводит к уменьшению стабильности раствора. Его количество выдержано в пределах, необхо- димых дл полного растворени вводимого оксалата олова.
N-оксид третичного амина использован в качестве смачивател , уменьшение его количества ухудшает адгезионные свойства получаемых слоев, увеличение сверх 0,5 г/л ухудшает стабильность раствора.
Предлагаемые растворы позвол ют получать пленки с большим набором удельных сопротивлений (20 Ом-см - 103 Ом«см) и ТКС (-1,13-3,9%).
За вл емое изобретение позвол ет ис: ключить использование агрессивных и легко воспламен ющихс жидкостей, сократить энергозатраты при получении пленок, упрощает технологию их изготовле-- ни , повышает срок службы используемых растворов и производительность работ при нанесении покрытий.
Фор.мула изобретени 1. Раствор дл получени полупроводниковых пленок на основе диоксида олова, содержащий соль олова, органическое соединение и воду, отличающийс тем, что, с целью снижени агрессивности, повы- шени устойчивости раствора и прозрачности пленок, раствор дополнительно содержит пероксид водорода, в качестве соли олова он содержит оксалат олова, а в качестве органического соединени - N-ок- сид третичного амина при следующем соотношении компонентов:
Оксалатолова48-120 г Пероксид водорода 8-30 г Оксид третичного
амина 0,1-0,5 г Вода До 1 л. 2. Раствор по п. 1,отличающийс тем, что, с целью регулировани проводимости пленок от 10 до 103 Ом См итемператур- ного коэффициента сопротивлени от + 1,1 до 3,9% раствор дополнительно содержит трихлорид олова в количестве 0,002 до 20% по отношению к оксалату олова.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4867545 RU1809846C (ru) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | Раствор дл получени полупроводниковых пленок на основе диоксида олова |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4867545 RU1809846C (ru) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | Раствор дл получени полупроводниковых пленок на основе диоксида олова |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1809846C true RU1809846C (ru) | 1993-04-15 |
Family
ID=21536776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4867545 RU1809846C (ru) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | Раствор дл получени полупроводниковых пленок на основе диоксида олова |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1809846C (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114107960A (zh) * | 2021-10-22 | 2022-03-01 | 信阳师范学院 | 以草酸亚锡为原料制备SnO2电子传输层薄膜的方法 |
-
1990
- 1990-07-18 RU SU4867545 patent/RU1809846C/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Raviendra D., Sharma J.K. Electroless, deposition of SnOa and antimony doped SnOa films . J.Phys. and Chem. Solids, 1985, 46, ;№ 8, 945-950. Fujimoto M.at.aL Mlcrostructure of SnOa conductive films prepared by pyrohydrolytlc Decomposition onto a glass substrate. Jap.J. Appi, Phys., 19ЙВ, Pt 1, 27, № 4, 534-539. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114107960A (zh) * | 2021-10-22 | 2022-03-01 | 信阳师范学院 | 以草酸亚锡为原料制备SnO2电子传输层薄膜的方法 |
CN114107960B (zh) * | 2021-10-22 | 2024-04-26 | 信阳师范学院 | 以草酸亚锡为原料制备SnO2电子传输层薄膜的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4293594A (en) | Method for forming conductive, transparent coating on a substrate | |
US4371740A (en) | Conductive elements for photovoltaic cells | |
Mattox | Sol-gel derived, air-baked indium and tin oxide films | |
US3094436A (en) | Transparent, conductive, reflection-reducing coatings on non-conductive objects and method | |
FI64128C (fi) | Foerfarande foer paofoering av en transparent fluordopad stannioxidfilm pao ett upphettat substrat med reglerad fluorfoeroreningshalt | |
Tsunashima et al. | Preparation and properties of antimony-doped SnO 2 films by thermal decomposition of tin 2-ethylhexanoate | |
US4201453A (en) | Liquid crystal cell having an insulating layer of a silicon oxide base | |
US8471140B2 (en) | Porous silica precursor composition and method for preparing the precursor composition, porous silica film and method for preparing the porous silica film, semiconductor element, apparatus for displaying an image, as well as liquid crystal display | |
US4882183A (en) | Method for production of oxide film | |
RU2446233C1 (ru) | Способ получения тонких пленок диоксида олова | |
JP2605855B2 (ja) | 導電性酸化スズ粉末の製造法 | |
RU1809846C (ru) | Раствор дл получени полупроводниковых пленок на основе диоксида олова | |
JP3403880B2 (ja) | 透明ガスバリアー性積層フィルムおよびその製造方法 | |
EP0027403B1 (fr) | Procédé de dépôt d'un film conducteur d'électricité | |
JPH064497B2 (ja) | 酸化錫膜の形成方法 | |
JPS62502811A (ja) | 透明な曇りのない酸化すず被膜の形成方法 | |
EP0158399B1 (en) | Liquid coating composition for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings | |
JPH01132004A (ja) | 透光性導基板およびその製造方法 | |
FI83416B (fi) | Foerfarande foer framstaellning av ett genomsynligt, dimfritt tennoxidoeverdrag. | |
US6074471A (en) | Sol-gel route to transparent metal oxide films | |
GB2266309A (en) | Silazane monomolecular film | |
JPS62278705A (ja) | 透明導電材料 | |
JPS61586A (ja) | 高品質高性能フツ素ド−プ酸化錫コ−チング製造用の液体コ−チング組成物 | |
JPH09249673A (ja) | シリカ被膜形成用水溶液及びシリカ被膜の形成方法 | |
JPS59141441A (ja) | 酸化チタン膜被覆ガラスを製造する方法 |