JPH03246515A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH03246515A JPH03246515A JP4497190A JP4497190A JPH03246515A JP H03246515 A JPH03246515 A JP H03246515A JP 4497190 A JP4497190 A JP 4497190A JP 4497190 A JP4497190 A JP 4497190A JP H03246515 A JPH03246515 A JP H03246515A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
「産業上の利用分野」
本発明は、フィルム成形可能な高分子液晶あるいはその
組成物と、透明性および耐久性の改善されたプラスチッ
クフィルム基板とからなる曲面表示可能な液晶表示素子
に関する。 「従来の技術」 液晶表示素子は、小型、軽量、低消費電力という特徴を
Hするもので、近年実用化の検討が急速に進み、またそ
の多様化が注目されている。そして今日この液晶表示素
子に高分子液晶を用いる研究が行なわれている。 高分子液晶を用いた液晶表示素子としては、特開昭63
−318526号公報によって提案されたものがある。 この液晶表示素子は、高分子液晶からなる液晶層をガラ
ス基板で挟んだものである。 この液晶表示素子は、フィルム形成能に劣る高分子液晶
が用いられている上に、基板がガラスによって形成され
ているので曲面表示用の液晶表示素子としては不適当な
ものであった。 これに対して、フィルム状に成形できる高分子液晶を用
いて液晶層を形成し、これをプラスチックフィルム製の
基板で挟むと、曲面表示における信頼性に優れかつ量産
にも適した液晶表示素子を提供することができる。 従来このような液晶表示素子の基板には、ポリエーテル
サルフすン(P E S )や−軸延伸ポリエチレンテ
レフタレート(PET)からなるフィルムを用いるこ七
が提案されている。 「発明が解決し、ようとする課題」 ところが、基板がPESやP E Tで形成された液晶
表示素子においては、インジウムずず酸化物(ITO)
等からなる透明電極を薄くすると透明電極の表面抵抗が
高くなって電極としての性能か悪化するため、透明電極
を厚く形成する必要かうり、これにより基板の光透過率
が損なわれていた。 また前記従来の液晶表示素子の基板をなす、PET等は
体積固有抵抗や耐電圧が小さいため、前記従来の液晶表
示素子では基板を厚く形成しなければならず、この点て
も基板の光透過率か損なわれていた。 このような理由により、前記従来の液晶表示素子は、透
明性に劣る低コントラストのものとなっていた。 さらに前記従来の液晶表示素子では、基板をなすPET
等とITOとの熱膨張率の差が大きいため、特に温度変
化にさらされると透明電極に亀裂か生し易く抵抗値が増
大し易い。このため従来の液晶表示素子は、温度変化に
対する耐久性に欠ける不満があり、その改善ら要望され
ていた。 本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、透明性に優
れ高コントラストであるうえ1.温度変化等に対する耐
久性向上ら可能な液晶表示素子を提供することを目的と
する。 「課題を解決するための手段」 本発明の液晶表示素子は、高分子液晶からなる液晶層と
、透明電極か形成されたプラスデックフィルム製基板と
からなる液晶表示素子であって、下記(a)に挙げたテ
トラカルボン酸二無水物から選ばれたti以上と、下記
(b)に挙げたジアミンから選ばれた1種以上とを反応
させて得られたポリイミドによって、前記プラスチック
フィルム製基板が形成されたものである。 (a)テトラカルボン酸二無水物 ( b)ジアミ ン Lヒ3 この液晶表示素子の基板をなすポリイミドフィルムは、
前記テトラカルボン酸二無水物(a)とジアミン(b)
とを溶媒中で反応させて得られるポリアミック酸あるい
はその混合物を溶媒中に溶解してワニスとし、このワニ
スを板体に塗布したあと、熱処理(乾燥・硬化)させる
ことにより作成できる。 この場合、テトラカルボン酸二無水物(a)として下記
2,2−ビス−(3,4−ジカルボキシフェニル)−ヘ
キサフルオロプロパンニ無水物を用い、ジアミン(b)
として下記2.2′ −ビス(トリフルオロメチル)−
4,4′ ジアミノビフェニルを用いた場合は、 これらを溶媒中で反応させて得られるポリアミック酸を
イミド化率20%〜98%の範囲でイミド化することが
望ましい。このようにして得られたポリイミドフィルム
は、光透過率に特に優れたものとなる。 前記化合物(a) (b)を前述のように反応させるこ
とにより得られるポリイミドとしては、下記一般式で示
されるものを例示できる。
組成物と、透明性および耐久性の改善されたプラスチッ
クフィルム基板とからなる曲面表示可能な液晶表示素子
に関する。 「従来の技術」 液晶表示素子は、小型、軽量、低消費電力という特徴を
Hするもので、近年実用化の検討が急速に進み、またそ
の多様化が注目されている。そして今日この液晶表示素
子に高分子液晶を用いる研究が行なわれている。 高分子液晶を用いた液晶表示素子としては、特開昭63
−318526号公報によって提案されたものがある。 この液晶表示素子は、高分子液晶からなる液晶層をガラ
ス基板で挟んだものである。 この液晶表示素子は、フィルム形成能に劣る高分子液晶
が用いられている上に、基板がガラスによって形成され
ているので曲面表示用の液晶表示素子としては不適当な
ものであった。 これに対して、フィルム状に成形できる高分子液晶を用
いて液晶層を形成し、これをプラスチックフィルム製の
基板で挟むと、曲面表示における信頼性に優れかつ量産
にも適した液晶表示素子を提供することができる。 従来このような液晶表示素子の基板には、ポリエーテル
サルフすン(P E S )や−軸延伸ポリエチレンテ
レフタレート(PET)からなるフィルムを用いるこ七
が提案されている。 「発明が解決し、ようとする課題」 ところが、基板がPESやP E Tで形成された液晶
表示素子においては、インジウムずず酸化物(ITO)
等からなる透明電極を薄くすると透明電極の表面抵抗が
高くなって電極としての性能か悪化するため、透明電極
を厚く形成する必要かうり、これにより基板の光透過率
が損なわれていた。 また前記従来の液晶表示素子の基板をなす、PET等は
体積固有抵抗や耐電圧が小さいため、前記従来の液晶表
示素子では基板を厚く形成しなければならず、この点て
も基板の光透過率か損なわれていた。 このような理由により、前記従来の液晶表示素子は、透
明性に劣る低コントラストのものとなっていた。 さらに前記従来の液晶表示素子では、基板をなすPET
等とITOとの熱膨張率の差が大きいため、特に温度変
化にさらされると透明電極に亀裂か生し易く抵抗値が増
大し易い。このため従来の液晶表示素子は、温度変化に
対する耐久性に欠ける不満があり、その改善ら要望され
ていた。 本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、透明性に優
れ高コントラストであるうえ1.温度変化等に対する耐
久性向上ら可能な液晶表示素子を提供することを目的と
する。 「課題を解決するための手段」 本発明の液晶表示素子は、高分子液晶からなる液晶層と
、透明電極か形成されたプラスデックフィルム製基板と
からなる液晶表示素子であって、下記(a)に挙げたテ
トラカルボン酸二無水物から選ばれたti以上と、下記
(b)に挙げたジアミンから選ばれた1種以上とを反応
させて得られたポリイミドによって、前記プラスチック
フィルム製基板が形成されたものである。 (a)テトラカルボン酸二無水物 ( b)ジアミ ン Lヒ3 この液晶表示素子の基板をなすポリイミドフィルムは、
前記テトラカルボン酸二無水物(a)とジアミン(b)
とを溶媒中で反応させて得られるポリアミック酸あるい
はその混合物を溶媒中に溶解してワニスとし、このワニ
スを板体に塗布したあと、熱処理(乾燥・硬化)させる
ことにより作成できる。 この場合、テトラカルボン酸二無水物(a)として下記
2,2−ビス−(3,4−ジカルボキシフェニル)−ヘ
キサフルオロプロパンニ無水物を用い、ジアミン(b)
として下記2.2′ −ビス(トリフルオロメチル)−
4,4′ ジアミノビフェニルを用いた場合は、 これらを溶媒中で反応させて得られるポリアミック酸を
イミド化率20%〜98%の範囲でイミド化することが
望ましい。このようにして得られたポリイミドフィルム
は、光透過率に特に優れたものとなる。 前記化合物(a) (b)を前述のように反応させるこ
とにより得られるポリイミドとしては、下記一般式で示
されるものを例示できる。
【 式中R11は、例えば■、
これらポリイミドのうち、フッ素置換基が導入されたも
のは、熱膨張係数、誘電率、屈折率をより一層低減する
ことができる。 この液晶表示素子の透明電極を形成する材料としては、
インジウムすず酸化物(ITO)等を例示できる。この
透明電極を形成す°るには、ポリイミドフィルムを20
0〜400℃の温度範囲に加熱した状態でITOをエレ
クトロンサイクロトロン レゾナンス(ECR)スパッ
タする方法などが好適である。 本発明の液晶表示素子の液晶層をなす高分子液晶として
は、下記一般式(J)〜(1)で示す繰り返し単位を有
゛する高分子、共重合体あるいはそれらに他の高分子や
低分子液晶化合物を配合した液晶組成物、または高分子
マトリクスと低分子液晶からなる組成物等が好適に用い
られる。以下に例示する高分子液晶は、電界等の外的因
子に対する応答が速く、動画表示に適するものである。 またフィルム形成能を存するため大画面表示素子や曲面
表示素子に適している。さらにここに例示された高分子
液晶のうち、光学活性アルキル基に隣接してケトン基を
存するものは、特に電界等の外的因子の変化に対する応
答速度が良好である。 ■ ポリアクリレートを主鎖とする高分子液晶【 (1)式中 には1〜20の整数、 Xは水素、水酸基、ハロゲン基またはニトリル基Yは−
COO−−0CO−−CH,O−または−〇 CHt R,は−COR,、−GOOR3、−0COR3、−O
R3または−R15 R3は光学活性アルキル基を示す。】 ■ ポリシロキサンを主鎖とする高分子液晶
のは、熱膨張係数、誘電率、屈折率をより一層低減する
ことができる。 この液晶表示素子の透明電極を形成する材料としては、
インジウムすず酸化物(ITO)等を例示できる。この
透明電極を形成す°るには、ポリイミドフィルムを20
0〜400℃の温度範囲に加熱した状態でITOをエレ
クトロンサイクロトロン レゾナンス(ECR)スパッ
タする方法などが好適である。 本発明の液晶表示素子の液晶層をなす高分子液晶として
は、下記一般式(J)〜(1)で示す繰り返し単位を有
゛する高分子、共重合体あるいはそれらに他の高分子や
低分子液晶化合物を配合した液晶組成物、または高分子
マトリクスと低分子液晶からなる組成物等が好適に用い
られる。以下に例示する高分子液晶は、電界等の外的因
子に対する応答が速く、動画表示に適するものである。 またフィルム形成能を存するため大画面表示素子や曲面
表示素子に適している。さらにここに例示された高分子
液晶のうち、光学活性アルキル基に隣接してケトン基を
存するものは、特に電界等の外的因子の変化に対する応
答速度が良好である。 ■ ポリアクリレートを主鎖とする高分子液晶【 (1)式中 には1〜20の整数、 Xは水素、水酸基、ハロゲン基またはニトリル基Yは−
COO−−0CO−−CH,O−または−〇 CHt R,は−COR,、−GOOR3、−0COR3、−O
R3または−R15 R3は光学活性アルキル基を示す。】 ■ ポリシロキサンを主鎖とする高分子液晶
【
(「)式中
R4は低級アルキル基、
kは1〜20の整数、
Xは水素、水酸基、ハロゲン基またはニトリル基Yは−
COO−−OCO−−Ctl 、O−または−〇 CH
t R8は−COR7、−COOR?、−ocort、、O
R?または−R7 R6は光学活性アルキル基を示す。】 ■ ポリエステルを主鎖とする高分子液晶
COO−−OCO−−Ctl 、O−または−〇 CH
t R8は−COR7、−COOR?、−ocort、、O
R?または−R7 R6は光学活性アルキル基を示す。】 ■ ポリエステルを主鎖とする高分子液晶
【
(III)式中
R11はHまたはCt Hs
kは1〜20の整数、
Qは!〜30の整数
mはOまたは!
Zは酸素またはC00
Xは水素、水酸基、ハロゲン基またはニトリル基Yは−
COO−−0CO−−CH,O−または−〇 CHt R1゜は−COR,、−COOR,、−0COROR1
または−RI+ R1は光学活性アルキル基を示す。】 「作用」 前記ポリイミドからなるフィルム上に形成された透明電
極は薄膜化されても表面抵抗は小である。 また前記ポリイミドからなるフィルムは、体積固有抵抗
および耐電圧が大であるので、薄膜化されても基板とし
て必要な性能を満足できる。 さらに前記ポリイミドからなる基板は温度変化に対する
耐久性が大である。 加えて前記ポリイミドによれば、ITOの熱膨張率(4
X I O−”/’C)により近似した熱膨張率を存す
るフィルムを得ることか可能である。 「実施例」 以下、実施例に沿って本発明の液晶表示素子を詳しく説
明する。なお本発明の液晶表示素子は、これら実施例に
限定されろものではない。 (実施例り 第1図は本発明の液晶表示素子の一実施例を示すしので
、断面円弧状に形成されている。第1図中符号1は高分
子液晶層である。高分子液晶層Iは、ポリイミド製配向
膜2および透明電極3が形成されたプラスチックフィル
ム基板4.4の間に挟まれている。そして各プラスチッ
クフィルム基板4.4の外面側には保護膜5,5が積層
されている。この液晶表示素子の高分子液晶層1は膜厚
4μmに形成されている。また基板は厚さ70μm、透
明電極3は膜厚1800人に形成されている。 この液晶表示素子の高分子液晶層lは、下記構造式(I
V)で表される繰り返し単位を有する高分子液晶をI軸
延伸処理することによって製造されたものである。 この高分子液晶化合物は、本発明1者らが先に出願した
特願昭63−278616号に記載した製造方法と略同
様に製造されたものである。すなわち、まず4−(4−
ヒドロキシフェニル)安息香酸と水酸化ナトリウムとを
エタノールと水との混合液に溶解し、この溶液にジブロ
モオクタンを加えて所定時間環流攪拌したのち冷却し、
ついでこの溶液に希塩酸を加えて析出させた沈澱を精製
して得られて置換安息香酸類の酸ハロゲン化物を合成し
た。他方これとは別にS−(+)−メチルブタン酸に無
水塩化亜鉛を混合し、これを加熱して溶解させた後メト
キンベンゼンを加え、これを攪拌しながら所定温度まで
加熱したあと、室温まで冷却し、濃塩酸と水との混合液
を加えた。このものからエチルエーテル抽出されたもの
を炭酸水素ナトリウム水溶液と水で洗浄した後、無水硫
酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を除去して得られた液状反
応混合物をシリカゲルカラムで精製して光学活性基を存
する置換ヘンガン類を得た。つぎにこれらをピリジンの
ような塩基性溶媒の存在下に反応さけることにより中間
体を得、さらにこの中間体をアクリル酸あるいはメタク
リル酸とのエステル化によりモノマーを得、これをラジ
カル重合させることにより前記高分子液晶化合物を得た
。 この実施例1の液晶表示素子のプラスチックフィルム基
板4は、下記構造式Vで表されるピロメリット酸二無水
物と り O 下記構造式IXで示される2 2′ ビス(トリフル オロメチル)−4,4’ −ノアミノビフェニルとを反
応させて得られたものである。 このポリイミドフィルムの製造は、本発明者らが先に出
願した特願平1−201170号に記載した方法で行な
われた。すなわち前記2種類の化合物をN、N−ツメチ
ルアセトアミド(DMA)中に加え、これを窒素雰囲気
下、室温で3日間撹拌して得られたポアミック酸のDM
A溶液(粘度約80ポアズ)を、アルミニウム板上にス
ピンコーティングし、窒素雰囲気下、70℃で2時間、
ついで160℃で1時間、250℃で30分、更に35
0℃で1時間加熱キュアしてアルミニウム板表面にポリ
イミドフィルムを形成した。この後、このアルミニウム
板をlO%H(l水溶液に浸漬してアルミニウム板を溶
解することによってポリイミドフィルムを得た。 前記透明電極3は、インジウムすず酸化物(ITo)に
よって形成されている。この透明電極3は、前記ポリイ
ミドフィルムを高温に加熱した状態でECRスパッタす
ることによって形成されたものである。 この透明電極3か形成された基板4の特性を第1表に示
4゛。第1表の熱膨張率の欄から明らかであるように、
この実施例1て作成されたポリイミドフィルムは特に熱
膨張率が小である この液晶表示素子は、透明性が良く高コントラストであ
った。また、曲面状態での使用にも十分耐えるものであ
った。 またこの液晶表示素子を−20;:+60℃、1000
回の温度サイクル試験に供したが、動作異常は起こらな
かった。 (実施例2) 基板4.4をなすポリイミドを下記のものに変えた点の
み実施例1と異なる液晶表示素子を製作した。 この実施例2で用いられたポリイミドは、下記構造式■
で表される2、2−ビス(3,4−ジカルポキンフェニ
ル)−へキサフルオロプロパンニ無下記構造式■て表さ
れる2、2′ ビス(トリフル オロメチル)−4,4’ ジアミノビフェニルとを反応
させることによって得られたものを用いた。 このポリイミドの合成は、本発明者らが先に出願した特
願昭1−196501号に記載した方法と同様に行なわ
れた。すなわち、まず前記2種類の化合物をN、N−ジ
メチルアセトアミド中に加え窒素雰囲気下で混合、撹拌
しつつ室温で24時間反応を進め、濃度15重量%のポ
リアミック酸溶液(ポリイミドワニス)を得た。次に、
このボリアミック酸溶液を風乾した後、200℃で1時
間熱処理し、この後N、N−ジメチルアセトアミドを加
えて溶解し、濃度20重量%のポリアミック酸溶液を得
た。この溶液中に含まれているポリイミドのイミド化率
を核磁気共鳴装置で調べたところ98%であった。次に
このポリアミック酸溶液を石英板上にスピンコードし7
0℃×2時間、200℃×1時間、300℃×1時間の
熱処理を行い厚さ70μmの基板用ポリイミドフィルム
とした。 このポリイミドフィルムに実施例1と同様にIToを蒸
着した。このものの特性を第1表に示す。 この実施例2の液晶表示素子も透明性が良く、また曲面
状態での使用に十分耐えるものであった。 また実施例1と同様の温度サイクル試験に供したところ
、この実施例2のものも劣化は起こらなかった。 (比較例1) 実施例1のものと比較して、厚さ70μmのPESフィ
ルムで基板を形成した点のみ異なる液晶表示素子を製造
した。 PESフィルムにITOを1800人蒸着0たものの特
性を第1表に示す。 この液晶表示素子を実施例1と同様の温度サイクル試験
に供したところ動作異常が起こった。 (比較例2) 実施例1のものと比較して、基板を厚さ70μmのPE
Tフィルムで形成した点のみ異なる液晶表示素子を製造
した。 PETフィルムにITOを1800人蒸着0たものの特
性を第1表に示す。 この液晶表示素子を実施例1と同様の温度サイクル試験
に供したところ動作異常が起こった。 以下余白 前記第1表の表面抵抗の欄の数値を比較すると、実施例
1.2の液晶表示素子を形成する基板4ては、透明電極
3の表面抵抗が小であることが判る。 このように実施例の液晶表示素子では、透明電極3の表
面抵抗が小であるので、ITO製透明電極をより一層薄
膜化して、光透過率の改善、コントラストの向上を実現
することが可能であることが判明した。 また実施例1.2の液晶表示素子の基板4をなすポリイ
ミドフィルムは、体積固有抵抗や耐電圧が大であるので
、基板4を薄く設計しても基板として必要な性能を確保
てき、基板の薄膜化による液晶表示素子の透明性向上を
図ることが可能であることか判明した。 さらに前記実施例の液晶表示素子は、基板4をなすポリ
イミドとITOとの熱膨張率の差が小さい等の要因によ
り、温度変化に対する耐久性に優れてたものであること
を確認できた。 「発明の効果」 以上説明したように本発明の液晶表示素子は、所定のテ
トラカルボン酸二無水物と所定のジアミンとから得られ
るポリイミドによって基板か形成されると共に、液晶層
が高分子液晶によって形成されており、全構成要素がフ
ィルムであるため湾曲状態での携帯、曲面表示ら可能で
あり、その作成は容易である。また大画面表示にも対応
できるものとなる。 加えて本発明の液晶表示素子ては、所定のテトラカルボ
ン酸二無水物と所定のジアミンとから得られるポリイミ
ドによって基板が形成されているので、基板上に形成さ
れた透明電極の表面抵抗が小である。従ってこの発明の
液晶表示素子によれば、透明電極をより一層薄膜化して
、素子の透明性の改善、コントラストの向上を実現する
ことが可能であることが判明した。 また本発明の液晶表示素子ては、基板をなすポリイミド
フィルムの体積固有抵抗や耐電圧が大なので、基板を薄
く設計しても基板として必要な性能を満足することがで
きる。従って本発明の液晶表示素子は、基板の薄膜化に
よる液晶表示素子の透明性向上を図ることが可能である
。 よって本発明の液晶表示素子は、基板および透明電極を
/3模化することにより、素子の透明性およびコントラ
ストの向上を図ることができるものとなる。 さらに本発明の液晶表示素子においては、基板をなすポ
リイミドの熱膨張率をITOのそれに近似させろことか
可能であり、温度変化等に対する耐久性に優れ、使用温
度範囲の広い素子を設計することが可能である。
COO−−0CO−−CH,O−または−〇 CHt R1゜は−COR,、−COOR,、−0COROR1
または−RI+ R1は光学活性アルキル基を示す。】 「作用」 前記ポリイミドからなるフィルム上に形成された透明電
極は薄膜化されても表面抵抗は小である。 また前記ポリイミドからなるフィルムは、体積固有抵抗
および耐電圧が大であるので、薄膜化されても基板とし
て必要な性能を満足できる。 さらに前記ポリイミドからなる基板は温度変化に対する
耐久性が大である。 加えて前記ポリイミドによれば、ITOの熱膨張率(4
X I O−”/’C)により近似した熱膨張率を存す
るフィルムを得ることか可能である。 「実施例」 以下、実施例に沿って本発明の液晶表示素子を詳しく説
明する。なお本発明の液晶表示素子は、これら実施例に
限定されろものではない。 (実施例り 第1図は本発明の液晶表示素子の一実施例を示すしので
、断面円弧状に形成されている。第1図中符号1は高分
子液晶層である。高分子液晶層Iは、ポリイミド製配向
膜2および透明電極3が形成されたプラスチックフィル
ム基板4.4の間に挟まれている。そして各プラスチッ
クフィルム基板4.4の外面側には保護膜5,5が積層
されている。この液晶表示素子の高分子液晶層1は膜厚
4μmに形成されている。また基板は厚さ70μm、透
明電極3は膜厚1800人に形成されている。 この液晶表示素子の高分子液晶層lは、下記構造式(I
V)で表される繰り返し単位を有する高分子液晶をI軸
延伸処理することによって製造されたものである。 この高分子液晶化合物は、本発明1者らが先に出願した
特願昭63−278616号に記載した製造方法と略同
様に製造されたものである。すなわち、まず4−(4−
ヒドロキシフェニル)安息香酸と水酸化ナトリウムとを
エタノールと水との混合液に溶解し、この溶液にジブロ
モオクタンを加えて所定時間環流攪拌したのち冷却し、
ついでこの溶液に希塩酸を加えて析出させた沈澱を精製
して得られて置換安息香酸類の酸ハロゲン化物を合成し
た。他方これとは別にS−(+)−メチルブタン酸に無
水塩化亜鉛を混合し、これを加熱して溶解させた後メト
キンベンゼンを加え、これを攪拌しながら所定温度まで
加熱したあと、室温まで冷却し、濃塩酸と水との混合液
を加えた。このものからエチルエーテル抽出されたもの
を炭酸水素ナトリウム水溶液と水で洗浄した後、無水硫
酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を除去して得られた液状反
応混合物をシリカゲルカラムで精製して光学活性基を存
する置換ヘンガン類を得た。つぎにこれらをピリジンの
ような塩基性溶媒の存在下に反応さけることにより中間
体を得、さらにこの中間体をアクリル酸あるいはメタク
リル酸とのエステル化によりモノマーを得、これをラジ
カル重合させることにより前記高分子液晶化合物を得た
。 この実施例1の液晶表示素子のプラスチックフィルム基
板4は、下記構造式Vで表されるピロメリット酸二無水
物と り O 下記構造式IXで示される2 2′ ビス(トリフル オロメチル)−4,4’ −ノアミノビフェニルとを反
応させて得られたものである。 このポリイミドフィルムの製造は、本発明者らが先に出
願した特願平1−201170号に記載した方法で行な
われた。すなわち前記2種類の化合物をN、N−ツメチ
ルアセトアミド(DMA)中に加え、これを窒素雰囲気
下、室温で3日間撹拌して得られたポアミック酸のDM
A溶液(粘度約80ポアズ)を、アルミニウム板上にス
ピンコーティングし、窒素雰囲気下、70℃で2時間、
ついで160℃で1時間、250℃で30分、更に35
0℃で1時間加熱キュアしてアルミニウム板表面にポリ
イミドフィルムを形成した。この後、このアルミニウム
板をlO%H(l水溶液に浸漬してアルミニウム板を溶
解することによってポリイミドフィルムを得た。 前記透明電極3は、インジウムすず酸化物(ITo)に
よって形成されている。この透明電極3は、前記ポリイ
ミドフィルムを高温に加熱した状態でECRスパッタす
ることによって形成されたものである。 この透明電極3か形成された基板4の特性を第1表に示
4゛。第1表の熱膨張率の欄から明らかであるように、
この実施例1て作成されたポリイミドフィルムは特に熱
膨張率が小である この液晶表示素子は、透明性が良く高コントラストであ
った。また、曲面状態での使用にも十分耐えるものであ
った。 またこの液晶表示素子を−20;:+60℃、1000
回の温度サイクル試験に供したが、動作異常は起こらな
かった。 (実施例2) 基板4.4をなすポリイミドを下記のものに変えた点の
み実施例1と異なる液晶表示素子を製作した。 この実施例2で用いられたポリイミドは、下記構造式■
で表される2、2−ビス(3,4−ジカルポキンフェニ
ル)−へキサフルオロプロパンニ無下記構造式■て表さ
れる2、2′ ビス(トリフル オロメチル)−4,4’ ジアミノビフェニルとを反応
させることによって得られたものを用いた。 このポリイミドの合成は、本発明者らが先に出願した特
願昭1−196501号に記載した方法と同様に行なわ
れた。すなわち、まず前記2種類の化合物をN、N−ジ
メチルアセトアミド中に加え窒素雰囲気下で混合、撹拌
しつつ室温で24時間反応を進め、濃度15重量%のポ
リアミック酸溶液(ポリイミドワニス)を得た。次に、
このボリアミック酸溶液を風乾した後、200℃で1時
間熱処理し、この後N、N−ジメチルアセトアミドを加
えて溶解し、濃度20重量%のポリアミック酸溶液を得
た。この溶液中に含まれているポリイミドのイミド化率
を核磁気共鳴装置で調べたところ98%であった。次に
このポリアミック酸溶液を石英板上にスピンコードし7
0℃×2時間、200℃×1時間、300℃×1時間の
熱処理を行い厚さ70μmの基板用ポリイミドフィルム
とした。 このポリイミドフィルムに実施例1と同様にIToを蒸
着した。このものの特性を第1表に示す。 この実施例2の液晶表示素子も透明性が良く、また曲面
状態での使用に十分耐えるものであった。 また実施例1と同様の温度サイクル試験に供したところ
、この実施例2のものも劣化は起こらなかった。 (比較例1) 実施例1のものと比較して、厚さ70μmのPESフィ
ルムで基板を形成した点のみ異なる液晶表示素子を製造
した。 PESフィルムにITOを1800人蒸着0たものの特
性を第1表に示す。 この液晶表示素子を実施例1と同様の温度サイクル試験
に供したところ動作異常が起こった。 (比較例2) 実施例1のものと比較して、基板を厚さ70μmのPE
Tフィルムで形成した点のみ異なる液晶表示素子を製造
した。 PETフィルムにITOを1800人蒸着0たものの特
性を第1表に示す。 この液晶表示素子を実施例1と同様の温度サイクル試験
に供したところ動作異常が起こった。 以下余白 前記第1表の表面抵抗の欄の数値を比較すると、実施例
1.2の液晶表示素子を形成する基板4ては、透明電極
3の表面抵抗が小であることが判る。 このように実施例の液晶表示素子では、透明電極3の表
面抵抗が小であるので、ITO製透明電極をより一層薄
膜化して、光透過率の改善、コントラストの向上を実現
することが可能であることが判明した。 また実施例1.2の液晶表示素子の基板4をなすポリイ
ミドフィルムは、体積固有抵抗や耐電圧が大であるので
、基板4を薄く設計しても基板として必要な性能を確保
てき、基板の薄膜化による液晶表示素子の透明性向上を
図ることが可能であることか判明した。 さらに前記実施例の液晶表示素子は、基板4をなすポリ
イミドとITOとの熱膨張率の差が小さい等の要因によ
り、温度変化に対する耐久性に優れてたものであること
を確認できた。 「発明の効果」 以上説明したように本発明の液晶表示素子は、所定のテ
トラカルボン酸二無水物と所定のジアミンとから得られ
るポリイミドによって基板か形成されると共に、液晶層
が高分子液晶によって形成されており、全構成要素がフ
ィルムであるため湾曲状態での携帯、曲面表示ら可能で
あり、その作成は容易である。また大画面表示にも対応
できるものとなる。 加えて本発明の液晶表示素子ては、所定のテトラカルボ
ン酸二無水物と所定のジアミンとから得られるポリイミ
ドによって基板が形成されているので、基板上に形成さ
れた透明電極の表面抵抗が小である。従ってこの発明の
液晶表示素子によれば、透明電極をより一層薄膜化して
、素子の透明性の改善、コントラストの向上を実現する
ことが可能であることが判明した。 また本発明の液晶表示素子ては、基板をなすポリイミド
フィルムの体積固有抵抗や耐電圧が大なので、基板を薄
く設計しても基板として必要な性能を満足することがで
きる。従って本発明の液晶表示素子は、基板の薄膜化に
よる液晶表示素子の透明性向上を図ることが可能である
。 よって本発明の液晶表示素子は、基板および透明電極を
/3模化することにより、素子の透明性およびコントラ
ストの向上を図ることができるものとなる。 さらに本発明の液晶表示素子においては、基板をなすポ
リイミドの熱膨張率をITOのそれに近似させろことか
可能であり、温度変化等に対する耐久性に優れ、使用温
度範囲の広い素子を設計することが可能である。
第1図は本発明の液晶表示素子の一実施例を示す断面図
である。 高分子液晶層、 配向膜、 ・・透明電極、 ・・プラスチックフィルム基板、 保護膜。 第1図
である。 高分子液晶層、 配向膜、 ・・透明電極、 ・・プラスチックフィルム基板、 保護膜。 第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 高分子液晶からなる液晶層と、透明電極が形成されたプ
ラスチックフィルム製基板とからなる液晶表示素子であ
って、 前記プラスチックフィルム製基板が、下記(a)に挙げ
たテトラカルボン酸二無水物から選ばれた1種以上と、
下記(b)に挙げたジアミンから選ばれた1種以上とを
反応させて得られたポリイミドによって形成されている
ことを特徴とする液晶表示素子。 (a)テトラカルボン酸二無水物 ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼ (b)ジアミン ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2044971A JP2683291B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2044971A JP2683291B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03246515A true JPH03246515A (ja) | 1991-11-01 |
JP2683291B2 JP2683291B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=12706364
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2044971A Expired - Fee Related JP2683291B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2683291B2 (ja) |
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-
1990
- 1990-02-26 JP JP2044971A patent/JP2683291B2/ja not_active Expired - Fee Related
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