JPH0644622B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH0644622B2 JPH0644622B2 JP60225262A JP22526285A JPH0644622B2 JP H0644622 B2 JPH0644622 B2 JP H0644622B2 JP 60225262 A JP60225262 A JP 60225262A JP 22526285 A JP22526285 A JP 22526285A JP H0644622 B2 JPH0644622 B2 JP H0644622B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- photoelectric conversion
- signal charge
- solid
- conversion unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は固体撮像装置に関する。
電荷結合素子（ＣＣＤ）を用いた固体撮像装置はビデオ
テープレコーダの普及に伴ないビデオカメラの撮像装置
として大きな期待が寄せられている。しかし固体撮像装
置をビデオカメラの撮像装置として使用するには光電変
換部が２０万個以上必要となる為チップ面積も８〜１０
mm２と大きくなる。
テープレコーダの普及に伴ないビデオカメラの撮像装置
として大きな期待が寄せられている。しかし固体撮像装
置をビデオカメラの撮像装置として使用するには光電変
換部が２０万個以上必要となる為チップ面積も８〜１０
mm２と大きくなる。
また、取扱う信号がアナログ量であるため半導体基板上
にこれら２０万個以上の光電変換部を無欠陥で作る事は
困難を極める。従って、製品の歩留りが低く製品のコス
トを高くする要因になっている。
にこれら２０万個以上の光電変換部を無欠陥で作る事は
困難を極める。従って、製品の歩留りが低く製品のコス
トを高くする要因になっている。
上述した従来の固体撮像装置は、面積が他の素子のチッ
プに比べて大きく、取扱う信号がアナログ量であるため
半導体基板に小さな結晶欠陥があっても、撮像した時画
面では白い点状のきずになったり線状のきずになったり
してしまう。しかしながら、これら白点きずはそのきず
に隣接する光電変換部の情報をきずの情報の代りに用い
て等価的にきずがない状態が作れればその製品は良品と
して使用する事が出来る。
プに比べて大きく、取扱う信号がアナログ量であるため
半導体基板に小さな結晶欠陥があっても、撮像した時画
面では白い点状のきずになったり線状のきずになったり
してしまう。しかしながら、これら白点きずはそのきず
に隣接する光電変換部の情報をきずの情報の代りに用い
て等価的にきずがない状態が作れればその製品は良品と
して使用する事が出来る。
これらきずの情報を補償する方法としては、きずの位置
を記憶しておき、光電変換部の情報をアナログ回路を通
して順次出力し、きずのある光電変換部の情報が出力さ
れた場合はその情報を取らずにその前の情報を用いるこ
とにより補償する方法が一般的である。この様に従来の
固体撮像装置はきずの情報を補償するために、光電変換
部の出力を補償するための専用のアナログ回路が必要で
あるという問題がある。更に、固体撮像装置の駆動周波
数が高い為、容量を精度良く保持することができないこ
とからきずの情報を完全に補償する事が困難であるとい
う問題もある。
を記憶しておき、光電変換部の情報をアナログ回路を通
して順次出力し、きずのある光電変換部の情報が出力さ
れた場合はその情報を取らずにその前の情報を用いるこ
とにより補償する方法が一般的である。この様に従来の
固体撮像装置はきずの情報を補償するために、光電変換
部の出力を補償するための専用のアナログ回路が必要で
あるという問題がある。更に、固体撮像装置の駆動周波
数が高い為、容量を精度良く保持することができないこ
とからきずの情報を完全に補償する事が困難であるとい
う問題もある。
本発明の目的は、きずの情報を補償する為の専用のアナ
ログ回路を必要としない固体撮像装置を提供することに
ある。
ログ回路を必要としない固体撮像装置を提供することに
ある。
本発明の固体撮像装置は、一導電型半導体基板表面に形
成された光電変換部と、この半導体基板上に絶縁膜を介
して形成された複数の電極を有し前記光電変換部からの
信号電荷を転送する水平レジスタと、リセット用のＭＯ
Ｓトランジスタを有し水平レジスタから転送された信号
電荷を検出する信号電荷検出部とを有する固体撮像装置
であって、ＭＯＳトランジスタのソース領域に隣接する
水平シフトレジスタの２つの電極の間に電荷除去用の第
１の電極を設け、信号電荷転送方向に垂直方向の第１の
電極の端部に隣接して第２の電極を設け、この第２の電
極に隣接しかつ半導体基板上の逆導電型ウエル領域内に
一導電型拡散層を設け、前記信号電荷が正常な光電変換
部からの情報の場合は前記ＭＯＳトランジスタのソース
領域に送り、前記信号電荷がきずのある光電変換部から
の情報の場合は前記第１及び第２の電極を介して前記拡
散層に転送するものである。
成された光電変換部と、この半導体基板上に絶縁膜を介
して形成された複数の電極を有し前記光電変換部からの
信号電荷を転送する水平レジスタと、リセット用のＭＯ
Ｓトランジスタを有し水平レジスタから転送された信号
電荷を検出する信号電荷検出部とを有する固体撮像装置
であって、ＭＯＳトランジスタのソース領域に隣接する
水平シフトレジスタの２つの電極の間に電荷除去用の第
１の電極を設け、信号電荷転送方向に垂直方向の第１の
電極の端部に隣接して第２の電極を設け、この第２の電
極に隣接しかつ半導体基板上の逆導電型ウエル領域内に
一導電型拡散層を設け、前記信号電荷が正常な光電変換
部からの情報の場合は前記ＭＯＳトランジスタのソース
領域に送り、前記信号電荷がきずのある光電変換部から
の情報の場合は前記第１及び第２の電極を介して前記拡
散層に転送するものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図及び第３図
は第１図の実施例のＡ−Ａ′線及びＢ−Ｂ′線断面図で
ある。
は第１図の実施例のＡ−Ａ′線及びＢ−Ｂ′線断面図で
ある。
第１図〜第３図において、水平レジスタを構成する転送
電極T1〜T5はＮ型半導体基板１上に酸化膜７を介して形
成されており、これら電極に印加される転送信号により
光電変換部からの信号電荷を順次転送する。そして転送
電極T1及びT2の間には電荷除去用の第１の電極１１がそ
してその端部に第２の電極１２とが設けられており、更
にこの第２の電極１２に隣接し、かつＮ型半導体基板１
上のＰ型ウエル領域２内はＮ＋型拡散層１３が設けられ
ている。
電極T1〜T5はＮ型半導体基板１上に酸化膜７を介して形
成されており、これら電極に印加される転送信号により
光電変換部からの信号電荷を順次転送する。そして転送
電極T1及びT2の間には電荷除去用の第１の電極１１がそ
してその端部に第２の電極１２とが設けられており、更
にこの第２の電極１２に隣接し、かつＮ型半導体基板１
上のＰ型ウエル領域２内はＮ＋型拡散層１３が設けられ
ている。
最終転送電極T1の下部に送られた信号電荷は、信号電荷
検出部を構成するＭＯＳトランジスタ１０のソース領域
４（一般に浮遊拡散領域と呼ばれている）に送られ、そ
の信号電荷が検出される。このＭＯＳトランジスタ１０
は、Ｎ型半導体基板１上に形成されたＰ型ウエル領域２
内にＮ型不純物を導入して形成されたソース領域４，ド
レイン領域５及びゲート酸化膜６上のゲート電極とから
構成されており、リセットトランジスタとしての機能を
有している。
検出部を構成するＭＯＳトランジスタ１０のソース領域
４（一般に浮遊拡散領域と呼ばれている）に送られ、そ
の信号電荷が検出される。このＭＯＳトランジスタ１０
は、Ｎ型半導体基板１上に形成されたＰ型ウエル領域２
内にＮ型不純物を導入して形成されたソース領域４，ド
レイン領域５及びゲート酸化膜６上のゲート電極とから
構成されており、リセットトランジスタとしての機能を
有している。
次にこのように構成された水平レジスタと検出部との動
作について説明する。
作について説明する。
今、信号電荷が転送電極T2の下に蓄積されており、この
信号電荷が正常な光電変換部からの情報である場合に
は、第２の電極１２に印加される電圧を低レベルとし、
第１の電極１１に印加される電圧を転送電極T1と同レベ
ルにすれば、信号電荷は第１の電極１１及び転送電極T1
とによりソース領域１に転送されて検出される。一方、
転送電極T2の下に蓄積された信号電荷がきずのある光電
変換部からの情報である場合は、第１の電極１１に印加
する電圧を転送電極T1より高レベルとし、第２の電極１
２に印加する電圧を第１の電極１１に印加される電圧に
等しいかそれ以上の高レベルに設定することにより、信
号電荷は第１の電極１１及び第２の電極１２によりＮ＋
型拡散層１３に転送されて除去される。
信号電荷が正常な光電変換部からの情報である場合に
は、第２の電極１２に印加される電圧を低レベルとし、
第１の電極１１に印加される電圧を転送電極T1と同レベ
ルにすれば、信号電荷は第１の電極１１及び転送電極T1
とによりソース領域１に転送されて検出される。一方、
転送電極T2の下に蓄積された信号電荷がきずのある光電
変換部からの情報である場合は、第１の電極１１に印加
する電圧を転送電極T1より高レベルとし、第２の電極１
２に印加する電圧を第１の電極１１に印加される電圧に
等しいかそれ以上の高レベルに設定することにより、信
号電荷は第１の電極１１及び第２の電極１２によりＮ＋
型拡散層１３に転送されて除去される。
この時、ＭＯＳトランジスタ１０のゲート電極９をオン
としなければ、ソース領域４は前の信号電荷の状態が保
持されている為、きずのある光電変換部からの情報はそ
の前の情報に置き換えられたことになる。すなわち、き
ずのある光電変換部からの情報はその前に送られてきた
情報により補償されたことになるため、従来のように専
用のアナログ回路を設ける必要はない。
としなければ、ソース領域４は前の信号電荷の状態が保
持されている為、きずのある光電変換部からの情報はそ
の前の情報に置き換えられたことになる。すなわち、き
ずのある光電変換部からの情報はその前に送られてきた
情報により補償されたことになるため、従来のように専
用のアナログ回路を設ける必要はない。
一般に、固体撮像装置においては、白点きず、白線き
ず、光電変換部のむら等は暗時状態の撮像画面において
最も目立ち、明時になる程緩和される傾向にある。従っ
て、上記実施例において、第１の電極１１を転送電極T1
より少し高い電圧に設定すれば、第１の電極１１の下に
は信号電荷の一部が取残される。すなわち、あるレベル
以下の信号電荷が除去される為、きずやむらの程度によ
ってはそれらの信号電荷は検出されない状態となり、固
体撮像装置の製造歩留り及び画質が向上する。
ず、光電変換部のむら等は暗時状態の撮像画面において
最も目立ち、明時になる程緩和される傾向にある。従っ
て、上記実施例において、第１の電極１１を転送電極T1
より少し高い電圧に設定すれば、第１の電極１１の下に
は信号電荷の一部が取残される。すなわち、あるレベル
以下の信号電荷が除去される為、きずやむらの程度によ
ってはそれらの信号電荷は検出されない状態となり、固
体撮像装置の製造歩留り及び画質が向上する。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、きずによ
る信号電荷は水平レジスタ中で除去されるので、きずの
情報を補償する為の専用のアナログ回路が不要となると
いう効果のある固体撮像装置が得られる。
る信号電荷は水平レジスタ中で除去されるので、きずの
情報を補償する為の専用のアナログ回路が不要となると
いう効果のある固体撮像装置が得られる。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図及び第３図
は第１図の実施例のA-A′線及びB-B′線断面図である。 １……Ｎ型半導体基板、２……Ｐ型ウエル領域、３……
Ｎ−型拡散層、４……ソース領域、５……ドレイン領
域、６……ゲート電極、７……酸化膜、１０……ＭＯＳ
トランジスタ、１１……第１の電極、１２……第２の電
極、１３……Ｎ＋型拡散層、T1〜T5……転送電極。
は第１図の実施例のA-A′線及びB-B′線断面図である。 １……Ｎ型半導体基板、２……Ｐ型ウエル領域、３……
Ｎ−型拡散層、４……ソース領域、５……ドレイン領
域、６……ゲート電極、７……酸化膜、１０……ＭＯＳ
トランジスタ、１１……第１の電極、１２……第２の電
極、１３……Ｎ＋型拡散層、T1〜T5……転送電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｐ
Claims (1)
- 【請求項１】一導電型半導体基板表面に形成された光電
変換部と、前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成され
た複数の電極を有し前記光電変換部からの信号電荷を転
送する水平レジスタと、リセット用のＭＯＳトランジス
タを有し前記水平レジスタから転送された信号電荷を検
出する信号電荷検出部とを有する固体撮像装置におい
て、前記ＭＯＳトランジスタのソース領域に隣接する水
平シフトレジスタの２つの電極の間に電荷除去用の第１
の電極を設け、信号電荷転送方向に垂直方向の前記第１
の電極の端部に隣接して第２の電極を設け、該第２の電
極に隣接しかつ半導体基板上の逆導電型ウエル領域内に
一導電型拡散層を設け、前記信号電荷が正常な光電変換
部からの情報の場合は前記ＭＯＳトランジスタのソース
領域に送り、前記信号電荷がきずのある光電変換部から
の情報の場合は前記第１及び第２の電極を介して前記拡
散層に転送することを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225262A JPH0644622B2 (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225262A JPH0644622B2 (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284556A JPS6284556A (ja) | 1987-04-18 |
| JPH0644622B2 true JPH0644622B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=16826558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60225262A Expired - Lifetime JPH0644622B2 (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644622B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5987855A (ja) * | 1982-11-11 | 1984-05-21 | Shoichi Tanaka | 固体撮像装置 |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP60225262A patent/JPH0644622B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6284556A (ja) | 1987-04-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4680637A (en) | CCD area sensor with low signal level variation | |
| JPH0518465B2 (ja) | ||
| JPH0644622B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3424360B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH10210373A (ja) | 固体撮像装置およびそれを用いた撮像カメラ | |
| JP3214428B2 (ja) | カラーリニアイメージセンサおよびその駆動方法 | |
| JP3053721B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US6563149B2 (en) | Solid-state imaging device | |
| JPH0211193B2 (ja) | ||
| US5091922A (en) | Charge transfer device type solid state image sensor having constant saturation level | |
| JPH07115182A (ja) | メモリー機能付き光電変換素子および固体撮像装置 | |
| JP2614123B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0879445A (ja) | イメージセンサ | |
| JP2001074552A (ja) | 光電変換装置及びその駆動方法 | |
| JPH0831585B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS62206878A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3016815B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2770367B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JPH0127591B2 (ja) | ||
| JP2003324191A (ja) | 光電変換装置及び撮像装置 | |
| JPS5945782A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0232833B2 (ja) | ||
| JPS62265758A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH02116170A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS63234677A (ja) | 電荷結合素子の駆動方法 |