JPS5987855A - 固体撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はインタラインＣＯＤ形エリアセンサに関し、特
に、垂直走査回路によって行選択を実施するインクライ
ンＯＯＤ形エリアセンザに関する。

背景技術 電荷結合装置（ＣＯＤ）を使用するインタラインＣＯＤ
形エリアセンサ技術において、垂直走査回路によって任
意性の光セルの信号電荷を行選択するエリアセンサは公
知である。特開５７−６９９７８は光セルと垂直００Ｄ
の間に垂直走査回路によって第１及び第２パルスを印加
されるアドレスゲートを配置し、垂直００１）は信号電
荷を転送する第１電位井戸とブルーミング電荷を転送す
る第２電位井戸を交互に備え、より大きな第１パルスの
印加によって、光セルの信号〒１℃荷は第１〒１を位ノ
１戸に転送され、より小さな第２パルスの印加によって
、光セルの過剰電荷（ブルーミング電荷）は第２電位井
戸に転送され、水平〇　０　Ｉ）の転送直前または後で
信号電荷とプルーミング電荷を分離し、信号電荷だけを
出力するインクラインＵ　Ｏ，１）形エリアセンサを開
示する。本出願人によって出願された特出５７−４９９
１３は本発明の先行発明である。

発明の開示 垂直ＣＯＤが信号電荷とブルーミング電荷を別々に転送
し、そして、水平００１）の転送の前または後で両者を
分離するインタラインＯＯＤ形エリアセンサはブルーミ
ング制御ゲートとブルーミングドレインを光セルに隣接
して配置する必要がないので、水平画素数の増加または
感度の増加または歩留まシの改善が可能になる。しかし
、従来技術はまだ改善すべき課題も持っている。第１の
問題は袂雑な電極構造を必要とする事である。第２の問
題は複雑な垂直走査パルス電圧を必要とする事である。

第３の問題は光セルが蓄積できる最大信号電荷量（ＱＳ
　Ｉ旧Ｌ　Ｘ）が低下する事である。第４の問題はクロ
ック電力が増加する事である。第５の問題は出力信号電
圧に混入するクロックノイズが増加する事である。アド
レスゲートまたは垂直ＣＯ］）に印加するパルス電圧を
水平帰線期間内に発生する事は可能であるが、ブルーミ
ング低減能力ほかなり低下する。第６の問題はブルーミ
ング低減能力が小さい事である。本発明は上記の問題を
改善するためになされた。したがって本発明の第１の目
的はインタラインＯＯ］）形エリアセンサのブルーミン
グ低減能力を改孫するＪ」ｊである。本発明の第２の目
的はインクラインＣＯＤ形エリアセンサのＳＮ比を改善
する事である。本発明の、’＋（：　３の目的はインタ
ラインＣＯＤ形エリアセンサの構造とクロック回路を簡
単にする事である。上記の目的を達成するために、本明
細−Ｆは複数の独立発明を開示する。これらの独立発明
は深い関係を持ち、−緒に実施する事によって、最良の
効果が得られる。各独立発明の特徴と効果が以下に説明
される。

独立発明１　（クレームｌ） ブルーミングを抑制するインクラインＣＯＤ形エリアセ
ンサの従来技術において、信号′１１も荷と過剰電荷は
交互に蓄積されるので、強いブルーミングが発生する時
、過剰電荷が信号電荷を蓄積する第１電位井戸ｗ１にオ
ーバーフローする。そノ結果、信号のＳＮ比は極端に劣
化する。たとえば１００倍のプルーミング条件において
、１個の垂直ＣＯＤに接続される光セルのうち１０％の
光セルに１００　Ｑｓ＋ｎａｘの過剰電荷が発生する。

これは１水平期間（１水平走査期間＋１水平帰線期間）
に約Ｉ　Ｑ　ＱＳｍａｘの過剰電荷が発生する事を意味
する。

本発明は上記の欠点を改善するために、垂直ＯＣＤが信
号電荷とノイズ電荷を独立に垂直転送し、水平〇０Ｄに
信号電荷を転送する前にノイズ電荷を分岐するインクラ
インＣＯＤ形エリアセンサにおいて、垂直ＣＯＤが信号
電荷を転送する第１７匡位井戸Ｗ１とノイズ電荷を転送
する第２電位井戸Ｗ２を備え、第２電位井戸Ｗ２を構成
する転送電極の総和は第１電位井戸Ｗｔを構成する転送
電極の総和より２倍以上多くする事を特徴とする。この
ようにすれば、２０倍以上のプルーミングが発生しても
信号電荷に過剰電荷が混入する事を防止できる。さらに
信号電荷に混入するスメア電荷も低減される。好ましい
ｌ実施例において、光セルの過剰電荷は第２電位井戸Ｗ
２にだけオーバフローする。第２電位井戸に隣接するア
ドレスゲートの電位を制御する事によって、または光セ
ルの電位をコンデンサを介して制御する事によって、上
記の選択的オーバーフローはｏＪ能になる。１実施例に
おいて、垂直ＣＯＤは複数行の信号電荷を保持する。ｌ
実施例において、光セルから垂直ＣＯＤに読み出さり、
た１行の信号？１荷は１水平期間以内に垂直００Ｄの末
端に転送される。ｌ実施例において、垂直００Ｄは水平
走査期間も垂直転送を実施する。この実施例において、
光セルは大きな過剰電荷保持能力を持つ必要がないので
、光セルの信号電荷蓄積能力は増加する。

電位井戸を構成する転送電極は深い電位Ｖｌ＋を持つ転
送電極を意味する。

ｌ実施例において、１行の光セルの信号電荷は２個以上
の第１電位井戸Ｗ１によって転送さｉ］る。

１実施例において、第Ｎ行の信号′１］元荷を保４；１
１″する第１電位井戸Ｗｔと第Ｎ＋１行の信号電荷を保
持する第１電位井戸Ｗ１の間に複数個の第２電位井戸が
配置される。

従属発明１　（クレーム２） 好ましい実施例において、第２電位井戸は連続する７１
個以上の転送電極によって構成される。このようにすれ
ば、垂直転送速度の増加は最小になるので、クロック電
力とクロック周波数とクロックノイズを低減できる。本
実施例は特に、１行の信号電荷を１水平期間に１５段以
上転送する高速形エリアセンサに応用する時、もっとも
効果がある。

従属発明２　（クレーム３） 好捷しいｌ実施例において、第Ｎ行の光セルの信号電荷
を垂直ＣＯＤの第１電位井戸Ｗ１に読み出す時に、第Ｎ
±Ｍ　ｘ　ＪＣ行の光セルの信号電荷を垂直００Ｄの第
２電位井戸Ｗ２に読み出す事ができる。このようにすれ
ば、光セルの最大信号電荷Ｑｓ１旧ＬＸを越える光が入
射してもブルーミングは発生しない。したがって、絞シ
効果が得られる。木従屈発明は原理的に、垂直００１）
の代わりに垂直信号線を使用するＭＯ８形エリアセンサ
に応用できる。もちろん、第Ｎ行の信号電荷の読み゛出
しと第Ｎ、　Ｘ　、＋（行の過剰電荷の読み出しは同時
でなくてもよい。ただし、Ｍ、１（は整数である。

独立発明２　（クレーム４） ブルーミングを抑制するインタライン００１）形エリア
センサの従来技術において、抜雑な構造と転送りロック
回路が必要であり、歩留まりが悪かった。インクライン
ＣＯＤ形エリアセンサの電極構造を簡単にするために、
垂直０　（Ｊｌ）の転送電極を隣接する光セルの方向に
延長する事によってアドレスゲートを製造する技術は公
知である。しかし上記の２層電極形インタライン００１
）形エリアセンザの光セルは比較的小さな信号７１上荷
蓄積能力を持つ。本発明は上記の欠点を改善するために
、第Ｎ行の転送電極と第Ｎ−１（または第Ｎ　−，１−
１，）行のアドレスゲートを接続する事を！１１１徴と
する。このようにすノ１．ば、隣接する２測具」−の転
送型（餡が深い電位Ｖ１１を持つ連続形電位）１戸にだ
け光セルの電荷は転送され、１個の転送電極だけが深い
電位ｖｎを持つ孤立形電位井戸には光セルの電荷は転送
されない。その結果、インクラインＯＣ］）形エリアセ
ンサの構造とクロック回路は簡単になシ、光セルの信号
電荷蓄積能力は増加する。好ましい実施例において、１
／３以下の光セルが１度に選択される。好ましい実施例
において、垂直００１Ｄの転送電極には３相以上のクロ
ック電圧が印加される。第１実施例において、信号電荷
は孤立形電位井戸Ｖｆ１によって垂直転送される。そし
て、光セルの信号電荷は連続形電位井戸Ｗｅに読み出さ
れる。第２実施例において、信号電荷とノイズ電荷はそ
れぞれ別の孤立形電位井戸Ｗ１によって垂直転送される
。そして光セルの信号電荷は連続形電位井戸Ｗｃに読み
出される。第１または第２実施例において、光セルの信
号電荷を連続形電位井戸Ｗｅに読み出す時に、１行また
はすべての光セルの電位をコンデンサを介して浅くする
事は可能であえ。このようにすれば、光セルのダイナミ
ックレンジを増加できる。第１、第２実施例において、
転送りロック電圧より大きなリードパルス電りを印加す
る小は不要になる。第３実施例において、信号電荷は孤
立形電位井戸Ｗ１によって垂直転送され、ノイズ電荷は
連続形電位井戸ｖＶ（Ｈによって垂直転送される。そし
て、冗セルの信号電荷が連続形電位井戸Ｗｃに読み出さ
）する時、ノイズ電荷は孤立形電位井戸〜Ｖｉによって
保持される。

そして、行選択される光セルまたはすべての光セルの電
位はコンデンサを介してよくさｈる。このようにすれば
、ブルーミング電荷は連続形電位井戸Ｗｅである第２電
位井戸Ｗ２にだけオーバーフローし、孤立形電位井戸Ｗ
皿である第１電位井戸ＷＩＫオーバーフローしない。第
４実施例において、信号電荷は孤立形電位井戸〜Ｖｉに
よって垂直転送され、ノイズ電荷は連続形〒しＬ位井戸
〜）徹によって垂直転送される。その結果、ブルーミン
グ電荷（過剰電荷）は連続形電位井戸’ＶＶ’＋２にだ
けオーバーフローする。そして、光セルの信号電荷はア
ドレスゲートにより深いリードパルスを印加される連続
形電位井戸Ｗｃに読み出される。このようにすれば、過
剰電荷と信号電荷を分前するインタラインＣＯＤ形エリ
アセンサを２層電（４ス構造によって製造できる。本独
立発明において、転送りロンクｌｄ３相以上である事が
好ましく、各相のクロックの変化は同時である事が好ま
しい。

独立発明３　（クレーム５） 光セルから垂直ＣＯＤに読み出された信号電荷を１水平
期間以内に垂直００Ｄの出力端に転送するインタライン
ＯＯＤ形エリアセンサにおいて、垂直転送期間ＴＶが短
かいので、クロック回路の消費電力と周波数は大きくな
り、垂直００　、Ｄの転送効率は小さくなる。本発明は
上記の欠点を改善するために、インタラインＣＯＤ形エ
リアセンザの撮像領域の上下にそれぞれ水平ＣＯＤを配
置し、撮像領域の上半分の光セルの信号電荷を上側に垂
直転送し、撮像領域の下半分の光セルの信号電荷を下側
に垂直転送する事を特徴とする。このようにすれば垂直
転送段数を半減できるので、クロック回路の消費電力と
周波数は半減し、垂直転送効率は改善される。本発明は
特に独立発明ｌと一緒に実施する事が好ましい。行選択
さＩｚた光セルの信号電荷は水平帰線期間に垂直００Ｄ
に読み出す事が好ましい。

従属発明１　（クレーム６） 好ましい実施例において、水平帰線期間または垂直帰線
期間または水平走査期間の最初または最後に、水平ＣＯ
Ｄの出力信号電圧Ｖｓｏがザンプルホールドされる。し
たがって、０信号電ｆ「Ｖｓｏは信号電荷を含まない。

そして、水平走査期間の出力信号電圧ＶＳとＯ信号電圧
Ｖ　ｓ　ｏの差が検出される。

このようにすれば、２つの水平００　］）またはセンス
アンプのＤＣレベル差はＯになる。他の実施例において
相函２重サンプリングが実施する事によって上記のＤｏ
レベル差を相殺する事も可能である。

従属発明２　（クレーム７） 好ましい実施例において、上側の垂直００１）または一
時蓄積用ＯＴ　Ｄまたは水平００１）と、下側の垂直０
０Ｄまたは一時蓄積用ＯＴ　ｌ）または水平Ｃ（３Ｄは
行選択用リードパルスを除いて同一のクロックで動作す
る。そして」二側の信号電荷を読み出す時に、上側の出
力電圧Ｖｕと下側の出力電圧Ｖ（１の差Ｖｕ　　Ｖｔｌ
が検出さ−１１、下（１１１１の信弓′＋１１．荷をｉ
ｔ＋ｃ、み出す時、下側の出力電圧Ｖ＋ｌと上側の出力
電圧’ｖ’＋）の差Ｖｄ　　Ｖｔ＋が検出される。この
ようにすｈば、クロックノイズは大）＋］に低減される
。

発明を実施するための最良の形態 図１は本発明のインクラインＣＯＤ形エリアセンサの１
実施例を表わす平面図である。光セル１（Ａ−１））と
垂直００　Ｊ）　３　Ｘの転送電極３（Ａ−、Ｄ）はア
ドレスゲー１−２　（Ａ〜Ｊ））によって接続される。

垂直走査回路１５と転送電極３（Ａ−Ｄ）は制御線５（
Ａ−Ｄ）によって接続される。転送電極３．１３とアド
レスゲー）　２　Ａは制御線５Ｂによって接続され、他
の転送電極とアドレスゲートも同様に接続さノ′する。

垂直ＯＣＩ）　３　Ｘの末端の転送電極３Ａは転送電極
６と一時蓄積用ＣＣ−０９を介して水平００　］）　１
０に接続される。そして、制御電極６とノイズ７■荷吸
収ドレン８は分岐用転送電極７によって接続される。ア
ドレスゲ−１・２（Ａ−Ｉ））と光セル１（Ａ−η）の
間にさらに第２アドレスゲ−１・４（Ａ〜１））を付加
する事は可能である。

たとえば、垂直Ｕ　Ｏ、Ｄ　３　Ｙの転送−１ｆ４’；
＋ｌｊ　３　（Ａ〜１））と光セル１（Ａ−、Ｄ）の間
に第１アドレスゲ−）２（Ａ−Ｄ）と第２アドレスゲ−
）−４（Ａ〜１〕）が配置されている。そして、ｐ：：
’ｙ　ＬＪｌ−”レスケート２人は制御線５１３に接続
さ」ｌ、転送’ｉシ極３Ａと第２アドレスゲー）４Ａは
制御線５Ａに接続さＪする。他の転送電極とアドレスゲ
ートも同（羊ＩＶＣ接続さＪ゛する。図２は図１のイン
タラインＯ（ｊ　Ｊ）　Ｊ杉工１ノアセンサの１部分子
面図を表わす。図３は図２のＡ−Ａ’断面図である。Ｐ
−基板１３表面に配置さＪｌ。

た酸化物分離領域１２によって光−ヒルであるＮ＋領域
１人は分離されている。垂：（４ＣＣ口）３Ｘの転送電
極３Ｂの下に絶縁膜＋２　Ａを介してＮ形ノ＜ルクチャ
ンネル領域１４が作られている。そして、Ｎ　＋領域Ｉ
ＡとＮ影領域１４はＰ−基板１３上に絶縁膜１３を介し
て作られたアドレスゲート電４ａｒＢＴ３によって接続
される。アドレスゲート″１Ｌ極２Ｂの下のＰ−基板１
３の表面にイオン注入する小はｉ’ｉＪ能である。

図４は図１のインクラインＯＯＩ）形エリアセンシーの
各転送電極に印加される３相りｒｊ　、７り電圧を表わ
すクロック電圧図である。この；５相り１１．ｙり゛、
（！。

圧によって、垂直００１）３Ｘ（または；（Ｙ）の１Ｆ
荷は垂直転送される。図５は互いに隣接する２１個の転
送電極列（トレイン）３（Ａ−Ｕ）によって１行の信号
電荷Ｑｓを転送する事を表わす転送電極の状態を表わす
電位図である。したがって１水平期間に転送電極２１個
分だけ電荷を転送する。

転送７１へ極３（１、〜Ｕ）と：３１と３Ｆと３０は深
い電位を持ち、その下の電位井戸を作る。連続形電位井
戸ｗ２Ａはノイズ電荷ＱＮを保持し、孤立形電位井戸Ｗ
２．は非転送ノイズ電荷ＱＮ１・を保持し、孤立形電位
井戸ＷＩＡは信号電荷Ｑｓを保持し、孤立形電位井戸Ｗ
ａｎは非転送信号電荷ＱｓＩを保持する。

光セルの信号電荷は孤立形電位井戸ＷＩＡに読み出され
る。したがってインクレース読み出しにおいて垂直００
　］）が転逆送電２１±２個分だけ電荷を転送するたび
にアドレスゲートにもっとも深い電位を持つリードパル
スが印加される。図６は図５の２１転送電極列（ＴＩ’
　）Ｌ　’、　１１　）を構成する各転送電極３（Ａ〜
ＴＪ　）に転送りロックφｌ、φ２．φ３とリードパル
スφＩＬを供給する垂直走査回路＋５　（Ａ〜１〕）の
等価回路図である。シフトレジスタ１５Ａはスイッチ回
路１５　Ｂのスイッチ＋８（Ａ−’Ｕ）を順番に制御す
る事によって、制御線５（Ａ〜Ｕ）の１部を３相クロッ
クφ１．φ２．φ３からしゃ断する。シフトレジスタ１
５　Ａの出力線２２　Ａはスイッチ１８　Ａのゲートに
接続され、以下同様に接続さ牙する。図５の状態におい
て、スイダチ１８（（〜ｔ〜′１゛）はターンオフして
おり、したがって制御線５（八４．〜Ｔ）は３相クロッ
ク電圧φｌ、φ２．φ３からしゃ断されている。したが
って、転送電極３（Ｍ〜１゛）は転送電極３Ｌと同じ様
に深い電位を保持している。このようにして連続形電位
井戸Ｗ　２　八が作られる。スイッチ１８（Ａ−Ｕ）と
制御線５（Ａ−Ｕ）はスイッチ１６によって接続される
。そして、スイッチｌｆｉはリードパルスを発生しない
期間ＴＡにターンオンする。シフトレジスタ１５０はス
イッチ回路１５　Ｄのスイッチ１９（Ａ−Ｕ）を順番に
制御する事によって、制御線５（Ａ−Ｕ）の１本にリー
ドパルスφ１Ｌを与える。シフトレジスタ１５Ｃの出力
線２３Ａはスイッチ１９　Ａのゲ−１・に接続され、以
下同様に接続される。スイッチ１！ｌ　（Ａ〜【Ｊ）と
制御線５（Ａ−Ｕ）はスイッチ１７によって接続される
。そして、スイッチ１７はリードパルスを発生する期間
Ｉｌｌ　、、にターンオンする。図５の状態において、
シフトレジスタ１５Ｃの出力線２３］らは深い電位Ｖｌ
＋になり、スイッチ１９　Ｂをターンオンさせる。そし
てリー　ドパルスφ１むは制御線５．１すを通して、垂
直００Ｄの転送電極３１Ｃにもっとも深い電位φルを与
える。その結果、転送電極３Ｆと光セル間のアドレスゲ
ートは制御線５　Ｅに接続されているので、転送′電極
３Ｆに隣接する光セルから転送電極３Ｆに信号電荷が読
み出される。転送１Ｆ極列（トレイン）に図４の３相ク
ロツクパルスを与える事によって垂直転送が実施される
。４相以上のクロックパルスを使用する事が可能である
。

図７は本発明のインタラインＣＣ、’ｌ）形エリアセン
サの他の実施例を表わすブロック線図である。光セル１
とアドレスゲ−ト２と垂直００　、Ｄ　３を備える撮像
領域ツは上側撮像領域２４　Ａと下側撮像領域２４１３
に分割される。リードパルス回路ｒ５Ｃは水平帰線期間
にリードパルスφ１ｔを発生する。そして、域２４　Ｂ
の垂直００１）は下側に電荷を転送するように、転送パ
ルス回路１５　Ａは領域２４Ａ、と２４　Ｂに対称形パ
ルスを供給する。ノイズ電荷分岐用転送電極７と転送電
極６によって構成される転送口・路１９　Ａと、一時蓄
積用００Ｄ９Ａと水平ｏ０．１．）　１０　Ａ　＆−１
：　１９１１．９１３と、１０　Ｂと対称形パルスによ
って同じ動作をする。その結果、センスアンプｌ］　Ａ
と１１１３の出力電圧はほとんど等しいクロックノイズ
を持つ。水平帰線期間の終りに、センスアンプ１１　Ａ
と１１１３のＯ信号電圧はＶＳＯサンプルホールＭ　回
路２ＯＡ、１１Ｂにサンプルホールドされる。そして、
水平走査期間に出力信号電圧ＶＳはスイッチ２０ｃ、２
０　］）によってサンプリングされる。差動アンプ２１
Ａ、２１　Ｂは差電圧Ｖｓ−Ｖｓｏを検出する。したが
って、ｖ８とＶ２Ｏに含まれるｌ）　Ｏノイズは相殺さ
れる。垂直走置期間の前半に差動アンプ２１　Ａの出力
電圧Ｖｌと差動アンプｖ２の出力電圧Ｖ２の差Ｖｉ−Ｖ
２が検出され、垂直走査期間の後半に差ｖ２−ｖｌが検
出される。このようにずれはクロックノイズが相殺で゛
きる。水平帰線期間に第Ｎ性の光セルを読み出す時、第
Ｎ±ＭｘＫ行の光セルを読み出す事も可能である。Ｍ、
には整数であるこのようにすればエリアセンサの有効感
度を小さくする事ができる。図１・−図７の説明におい
て、転送りロックφ１．φ２．φ３よυ深い電位を持つ
リードパルスを使用する事によって、光セルの信号電荷
を垂直００１Ｄに読み出したが、１−発明の詳細な説明
される他の読み出し方式を採用する事も可能である。図
７の実施例において、上側または下側の撮像領域２４　
（Ａ　、　１３　）に含１れる垂直Ｃ，ＣＤはｌ水子期
間内に垂直転送を完了する。一時蓄積用００１）、！１
．　（Ａ　、　Ｂ　）は約２〜１０水千期間の間、信号
電荷を遅延する。［イ１５の実施例において、約１００
倍のブルーミング条件まで、信号電荷とブルーミング電
荷を分離でき、信号電荷に混入するスメア電荷も２０％
以下になる。

【図面の簡単な説明】

図１は本発明のインタラインＣＯＤ形エリアセンザの１
実施例を表わす全体平面図である。図２は図１の詳細を
表わす部分平面図である。図３は図２のＡ−Ａ断面図で
ある。図４は図１のインクラインＣＯＤ形エリアセンザ
に印加される３相りロック電圧図である。図５は垂直０
０Ｄの転送電極列の状態を表わす電位図である。図６は
図５の電位状態を発生する２１相垂直走査回路である。 図７は１水平期間に垂直転送を完了する本発明のインタ
ラインＣＯＤ形エリアセンサのブロック線図である。入
射光量体亀ｅｚ全置紮ｄ１し萱Ａ特許出願人　　１）中
　正　−

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）、行列状に配置された光セルと、垂直００　ｉｆ
   ）と、光セルと垂直ＣＯＤを接続するアドレスゲートと
   、水平〇０Ｄを備え、垂直００　］）は信号電荷を保持
   する第１　Ｔｉ位井戸とノイズ電荷を保持する第２電位
   井戸を持つインタラインＯＯＤ形エリアセンザにおいて
   、 第２電位井戸を作る垂直００１）　３　Ｘの転送電極を
   第１電位井戸を作る垂直００Ｄ３Ｘの転送電極の２倍以
   上配置し、第２電位井戸によって垂直転送されたノイズ
   電荷を垂直００　］）　３　Ｘの出力端と水平００　：
   Ｉ）　１ｏの入力端の間に配置、されたノイズ電荷分岐
   用転送電極７によって分岐し、ぞしてノイズ電荷吸収電
   源８に排出する事を特徴とするインクラインＯＯＤ形エ
   リアセンサ。
2. （２）、第２電位井戸は隣接する・１個以上の転送電極
   によって作られる事を特徴とする第１項記載のインタラ
   インＣＯＤ形エリアセンサ。
3. （３）、第８行の光セルの信号電荷を垂直００１）の第
   １電位井戸に読み出す水平帰線期間または水平走査期間
   内に、第Ｎ　−１−Ａ、ｔ　ｘ　Ｊぐ１１の光セルの４
   電：号電荷を垂直００１Ｊの第２電位井戸に読み出し、
   ＭとＫは２以上の整数である事を髄徴とする第１項記載
   のインタライン００１）形エリアセンザ。
4. （４）、行列状に配置さｈた光セルと、垂直ＣＣ１）と
   、光セルと垂直００　］）を接続するアドレスゲートと
   、水平〇０Ｄを備えるインクラインＣＣＪ〕形エリアセ
   ンサにおいて、 垂直００　］）の第Ｎ行の転送電極と８ｒ；Ｎ　　１行
   −または第Ｎ＋１行のアドレスゲートを接続し、」−記
   のアドレスゲートのＦに存在する半導体基板表面は上記
   の転送電極下に存在する半導体基板表面より浅い電位を
   持つ事を特徴とするインクライン００　］）形エリア七
   ンサ。
5. （５）、行列状に配置された光セルと、垂直ａ　（３１
   ）と、光セルと垂直００　］）を接続するアドレスゲ−
   １・と、水平〇０Ｄを備えるインクラインＯＣＤ形エリ
   アセンサにおいて、 撮像領域の上下にそれぞれ水平００Ｄを配置し、撮像領
   域の上半分の光セルの信号電荷を上側の水平〇０Ｄに転
   送し、撮像領域の下半分の光セルの信号電荷を下側の水
   平ＣＯＤに転送する事を特徴とするインタラインＣＣＤ
   形エリアセンサ。
6. （６）、水平帰線期間、または垂直帰線期間、またけ水
   平走査期間の最初または最後に水平〇０Ｄが出力する第
   １信号電圧をサンプルホールドし、水平走査期間に水平
   ＣＯＤが出力する第２信号電圧と、上記の第１信号電圧
   の差を検出する事を特徴とする第５項記載のインクライ
   ンＣＯＤ形エリアセンサ。
7. （７）、上側の水平〇０Ｄが出力する第３信号電圧と下
   側の水平〇０Ｄが出力する第４信号電圧の差を検出する
   事を特徴とする第５項記載のインクラインＣＯＤ形エリ
   アセンサ。