JPS6284556A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS6284556A JPS6284556A JP60225262A JP22526285A JPS6284556A JP S6284556 A JPS6284556 A JP S6284556A JP 60225262 A JP60225262 A JP 60225262A JP 22526285 A JP22526285 A JP 22526285A JP S6284556 A JPS6284556 A JP S6284556A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- signal charges
- photoelectric conversion
- solid
- transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｅ産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像装置に関する。
電荷結合素子（ＣＯＤ）ｔ？用い友固体撮像装置はビデ
オテープレコーダの普及に伴ないビデオカメラの撮像装
置として大きな期待が寄せられている。しかし固体撮像
装置をビデオカメラの撮像装置として使用するには光電
変換部が２０万個以上必要となる為チップ面積も８〜１
ｏ鰭２と大きくなる。
オテープレコーダの普及に伴ないビデオカメラの撮像装
置として大きな期待が寄せられている。しかし固体撮像
装置をビデオカメラの撮像装置として使用するには光電
変換部が２０万個以上必要となる為チップ面積も８〜１
ｏ鰭２と大きくなる。
ま友、取扱う信号がアナログ量であるため半導体基板上
にこれら２０万個以上の光電変換部を無欠陥で作る事は
困難を極める。従って、製品の歩留りが低く製品のコス
トヲ高くする要因になっている。
にこれら２０万個以上の光電変換部を無欠陥で作る事は
困難を極める。従って、製品の歩留りが低く製品のコス
トヲ高くする要因になっている。
上述した従来の固体撮像装置は、面積が他の素子のチッ
プに比べて大きく、又取扱う信号がアナログ量である几
め半導体基板に小さな結晶欠陥があっでも、撮像しｔ時
画面では白い点状のきずになっ友り線状のきずになっ次
すしてしまう。しかしながら、これら白点きずはそのき
すに隣接する光電変換部の情報をきすの情報の代りに珀
いて等測的にきすがない状態が作れればその製品は良品
として使用する事が出来る。
プに比べて大きく、又取扱う信号がアナログ量である几
め半導体基板に小さな結晶欠陥があっでも、撮像しｔ時
画面では白い点状のきずになっ友り線状のきずになっ次
すしてしまう。しかしながら、これら白点きずはそのき
すに隣接する光電変換部の情報をきすの情報の代りに珀
いて等測的にきすがない状態が作れればその製品は良品
として使用する事が出来る。
これらきずの情鴇を補償する方法としては、きすの位置
を記憶しておき、光電変換部の情報をアナログ回路を通
して順次出力し、きすのある光電変換部の情報が出力さ
れた場合はその情報を取らずにその前の情報を用いるこ
とにより補償する方法が一般的である。この様に従来の
固体撮像装置はきすの情報を補償する定めに、光電変換
部の出力を補償するための専用のアナログ回路が必要で
あるという問題がある。更に、固体撮像装置の駆動周波
数が高い為、容量を精度良く保持することができないこ
とからきすの情報を完全に補償する事が困難であるとい
う問題もある。
を記憶しておき、光電変換部の情報をアナログ回路を通
して順次出力し、きすのある光電変換部の情報が出力さ
れた場合はその情報を取らずにその前の情報を用いるこ
とにより補償する方法が一般的である。この様に従来の
固体撮像装置はきすの情報を補償する定めに、光電変換
部の出力を補償するための専用のアナログ回路が必要で
あるという問題がある。更に、固体撮像装置の駆動周波
数が高い為、容量を精度良く保持することができないこ
とからきすの情報を完全に補償する事が困難であるとい
う問題もある。
本発明の目的は、きすの情報を補償する為の専用のアナ
ログ回路を必要としない固体撮像装置を提供することに
ある。
ログ回路を必要としない固体撮像装置を提供することに
ある。
Ｃ問題点全解決する友めの手段〕
本発明の固体撮像装置は、−導電型半導体基板表面に形
成された光電変換部と、この半導体基板上に絶縁表を介
して形成された複数の電極を有し前記光電変換部からの
信号電荷を転送する水平レジスタと、リセット用のＭＯ
Ｓトランジスタを有し水平レジスタから転送された信号
電荷を検出する信号電荷検出部とを有する固体撮像装置
であって、ＭＯＳトランジスタのソース領域に隣接する
水平シフトレジスタの２つの電極の間に電荷除去用の笛
１の電極を設け、信号電荷転送方向に垂直方向の第１の
電極の端部に隣接して嬉２の電極を設け、この第２の電
極に隣接しかつ半導体基板上の逆導電型ウェル領域内に
一導電型拡散層を設けたものである。
成された光電変換部と、この半導体基板上に絶縁表を介
して形成された複数の電極を有し前記光電変換部からの
信号電荷を転送する水平レジスタと、リセット用のＭＯ
Ｓトランジスタを有し水平レジスタから転送された信号
電荷を検出する信号電荷検出部とを有する固体撮像装置
であって、ＭＯＳトランジスタのソース領域に隣接する
水平シフトレジスタの２つの電極の間に電荷除去用の笛
１の電極を設け、信号電荷転送方向に垂直方向の第１の
電極の端部に隣接して嬉２の電極を設け、この第２の電
極に隣接しかつ半導体基板上の逆導電型ウェル領域内に
一導電型拡散層を設けたものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図及び第３図
は第１図の実施例のＡ−Ａ’線及びＢ−ＢＩ線断面図で
ある。
は第１図の実施例のＡ−Ａ’線及びＢ−ＢＩ線断面図で
ある。
第１図〜第３図において、水平レジスタを構成する転送
電＆Ｔ１〜Ｔ５はＮ型半導体基板１上に酸化膜７を介し
て形成されており、これら電極に印加される転送信号に
より光電変換部からの信号電荷を順次転送する。そして
転送電極Ｔｌ及びＴ２の間には電荷除去用の第１の電極
１１がそしてその端部に第２の電極１２とが設けられて
おり、更にこの第２の電極１２に隣接し、かつＮ型半導
体基板１上のＰ型ウェル領域２内はＮ＋型型数散層１３
設けられている。
電＆Ｔ１〜Ｔ５はＮ型半導体基板１上に酸化膜７を介し
て形成されており、これら電極に印加される転送信号に
より光電変換部からの信号電荷を順次転送する。そして
転送電極Ｔｌ及びＴ２の間には電荷除去用の第１の電極
１１がそしてその端部に第２の電極１２とが設けられて
おり、更にこの第２の電極１２に隣接し、かつＮ型半導
体基板１上のＰ型ウェル領域２内はＮ＋型型数散層１３
設けられている。
最終転送電極Ｔ１ の下部に送られ次信号電荷は、信号
電荷検出部全構成するＭＯＳトランジスタ１０のソース
領域４（一般に浮遊拡散領域と呼ばれている）に送られ
、その信号電荷が検出される。このＭＯＳトランジスタ
１０は、Ｎ型半導体基板１上に形成され７ｊＰ型ウエル
領域２内にＮ型不純物全導入して形成され次ソース領域
４．ドレイン領域５及びゲート酸化膜上のゲート電極６
とから構成されており、リセットトランジスタとしての
機能を有している。
電荷検出部全構成するＭＯＳトランジスタ１０のソース
領域４（一般に浮遊拡散領域と呼ばれている）に送られ
、その信号電荷が検出される。このＭＯＳトランジスタ
１０は、Ｎ型半導体基板１上に形成され７ｊＰ型ウエル
領域２内にＮ型不純物全導入して形成され次ソース領域
４．ドレイン領域５及びゲート酸化膜上のゲート電極６
とから構成されており、リセットトランジスタとしての
機能を有している。
次にこのように構成された水平レジスタと検出部との動
作について説明する。
作について説明する。
今、信号電荷が転送電極Ｔ２の下に蓄積されており、こ
の信号電荷が正常な光電変換部からの情報である場合に
は、第２の電極１２に印加される電圧金低レベルとし、
第１の電極１１に印加される電圧を転送電極Ｔｌと同レ
ベルにすれば、信号電荷は第１の電極１１及び転送電極
Ｔｌとによりソース領域１に転送されて検出される。一
方、転送電極Ｔ２の下に蓄積された信号電荷がきすのあ
る光電変換部からの情報である場合は、第１の電極１１
に印加する電圧を転送電極Ｔ１ より高レベルとし、
第２の電極１２に印加する電圧を第１の電極１１に印加
される電圧に等しいかそれ以上の高レベルに設定するこ
とにより、信号電荷は第１の電極１１及び第２の電極１
２によりＮ＋型型数散層１３転送されて除去される。
の信号電荷が正常な光電変換部からの情報である場合に
は、第２の電極１２に印加される電圧金低レベルとし、
第１の電極１１に印加される電圧を転送電極Ｔｌと同レ
ベルにすれば、信号電荷は第１の電極１１及び転送電極
Ｔｌとによりソース領域１に転送されて検出される。一
方、転送電極Ｔ２の下に蓄積された信号電荷がきすのあ
る光電変換部からの情報である場合は、第１の電極１１
に印加する電圧を転送電極Ｔ１ より高レベルとし、
第２の電極１２に印加する電圧を第１の電極１１に印加
される電圧に等しいかそれ以上の高レベルに設定するこ
とにより、信号電荷は第１の電極１１及び第２の電極１
２によりＮ＋型型数散層１３転送されて除去される。
この時、ＭＯＳトランジスタ１０のゲート電極９をオン
としなければ、ソース領域７ｉ！−は前の信号電荷の状
態が保持されている為、きすのある光電変換部からの情
報はその前の情報に置き換えられたことになる。すなわ
ち、きすのある光電変換部からの情報はその前に送られ
てきた情報により補償されたことになる几め、従来のよ
うに専用のアナログ回路を設ける必要はない。
としなければ、ソース領域７ｉ！−は前の信号電荷の状
態が保持されている為、きすのある光電変換部からの情
報はその前の情報に置き換えられたことになる。すなわ
ち、きすのある光電変換部からの情報はその前に送られ
てきた情報により補償されたことになる几め、従来のよ
うに専用のアナログ回路を設ける必要はない。
一般に、固体撮像装置においては、白点きず、白線きず
、光電変換部のむら等は暗時状態の撮像画面において最
も目立ち、明時になる程緩和される傾向にある。従って
、上記実施例において、第１の電極ｌｉ′ｔ−転送電極
Ｔ１ よシ少し高い電圧に設定すれば、第１の電極１１
の下には信号電荷の一部が取残される。すなわち、ある
レベル以下の信号電荷が除去される為、きずやむらの程
度によし発明の効果〕 以上詳細に説明したように、本発明によれば、きすによ
る信号電荷は水平レジスタ中で除去されるので、きずの
情報−を補償する為の専用のアナログ回路が不要となる
という効果のある固体撮像装置が得られる。
、光電変換部のむら等は暗時状態の撮像画面において最
も目立ち、明時になる程緩和される傾向にある。従って
、上記実施例において、第１の電極ｌｉ′ｔ−転送電極
Ｔ１ よシ少し高い電圧に設定すれば、第１の電極１１
の下には信号電荷の一部が取残される。すなわち、ある
レベル以下の信号電荷が除去される為、きずやむらの程
度によし発明の効果〕 以上詳細に説明したように、本発明によれば、きすによ
る信号電荷は水平レジスタ中で除去されるので、きずの
情報−を補償する為の専用のアナログ回路が不要となる
という効果のある固体撮像装置が得られる。
第１図は本発明の一豐施例の平面図、第２図及び第３図
は第１図の実施例のＡ−Ａ’線及びＢ−Ｂ″線断面図で
ある。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐ型ウ
ェル領域、３・・・・・・Ｎ−型拡散層、４・・・・・
・ソース領域、５・・・・・・ドレイン領域％ ６・・
・・・・ゲート電極、７・・・・・・酸化膜、１０・・
・・・・ＭＯＳトランジスタ、１１・・・・・・第１の
電極、１２・・・・・・第２の電極、１３・・・・・・
Ｎ＋型型数散層Ｔ１〜Ｔ５・・・・・・転送電極。
は第１図の実施例のＡ−Ａ’線及びＢ−Ｂ″線断面図で
ある。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐ型ウ
ェル領域、３・・・・・・Ｎ−型拡散層、４・・・・・
・ソース領域、５・・・・・・ドレイン領域％ ６・・
・・・・ゲート電極、７・・・・・・酸化膜、１０・・
・・・・ＭＯＳトランジスタ、１１・・・・・・第１の
電極、１２・・・・・・第２の電極、１３・・・・・・
Ｎ＋型型数散層Ｔ１〜Ｔ５・・・・・・転送電極。
Claims (1)
- 一導電型半導体基板表面に形成された光電変換部と、前
記半導体基板上に絶縁膜を介して形成された複数の電極
を有し前記光電変換部からの信号電荷を転送する水平レ
ジスタと、リセット用のＭＯＳトランジスタを有し前記
水平レジスタから転送された信号電荷を検出する信号電
荷検出部とを有する固体撮像装置において、前記ＭＯＳ
トランジスタのソース領域に隣接する水平シフトレジス
タの２つの電極の間に電荷除去用の第１の電極を設け、
信号電荷転送方向に垂直方向の前記第１の電極の端部に
隣接して第２の電極を設け、該第２の電極に隣接しかつ
半導体基板上の逆導電型ウェル領域内に一導電型拡散層
を設けたことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225262A JPH0644622B2 (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225262A JPH0644622B2 (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284556A true JPS6284556A (ja) | 1987-04-18 |
| JPH0644622B2 JPH0644622B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=16826558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60225262A Expired - Lifetime JPH0644622B2 (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644622B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5987855A (ja) * | 1982-11-11 | 1984-05-21 | Shoichi Tanaka | 固体撮像装置 |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP60225262A patent/JPH0644622B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5987855A (ja) * | 1982-11-11 | 1984-05-21 | Shoichi Tanaka | 固体撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0644622B2 (ja) | 1994-06-08 |
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