JPH0637095A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
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- JPH0637095A JPH0637095A JP4213320A JP21332092A JPH0637095A JP H0637095 A JPH0637095 A JP H0637095A JP 4213320 A JP4213320 A JP 4213320A JP 21332092 A JP21332092 A JP 21332092A JP H0637095 A JPH0637095 A JP H0637095A
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- Japan
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- bumps
- bump
- opening
- polyimide
- resist
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体の高密度化に伴い、バンプ配列のピッ
チが狭くなっても安定した高さと断面積を有し、隣りの
バンプと短絡する危険の少ない形状を有するバンプを形
成する方法を提供する。 【構成】 ウェハー上に多数形成せる半導体素子のダイ
シングラインに沿って多数配列形成された電極部上にバ
ンプを形成するに於いて、電極部上にダイシングライン
から見て頂点が上向きと下向きに交互に三角形のポリイ
ミド開口部を配列形成し、この電極部上のポリイミド開
口部に、数倍の面積の相似形状の底面を有し且つ電極部
が底面の一頂点側にくるように交互に逆の方向性を持つ
三角形のレジスト開口部を形成し、このレジスト開口部
に三角柱状のバンプを形成することを特徴とするバンプ
形成方法。
チが狭くなっても安定した高さと断面積を有し、隣りの
バンプと短絡する危険の少ない形状を有するバンプを形
成する方法を提供する。 【構成】 ウェハー上に多数形成せる半導体素子のダイ
シングラインに沿って多数配列形成された電極部上にバ
ンプを形成するに於いて、電極部上にダイシングライン
から見て頂点が上向きと下向きに交互に三角形のポリイ
ミド開口部を配列形成し、この電極部上のポリイミド開
口部に、数倍の面積の相似形状の底面を有し且つ電極部
が底面の一頂点側にくるように交互に逆の方向性を持つ
三角形のレジスト開口部を形成し、このレジスト開口部
に三角柱状のバンプを形成することを特徴とするバンプ
形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハー上に多数形成
された半導体素子の電極部上に、チップ部品の実装に好
適なバンプを形成する方法に関する。
された半導体素子の電極部上に、チップ部品の実装に好
適なバンプを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図13に示すようにウェハー１上に多数形
成された半導体素子２は、ダイシングライン３で区画さ
れ、ダイシングライン３に沿って図14に示すように電極
部４が多数配設されている。
成された半導体素子２は、ダイシングライン３で区画さ
れ、ダイシングライン３に沿って図14に示すように電極
部４が多数配設されている。
【０００３】電極部４上にチップ部品実装の為のバンプ
を形成する従来の方法は、先ず図13、14に示すように半
導体素子２が多数形成されたウェハー１の全面に、図１
に示すようにポリイミド前駆体５を塗布した後、図18に
示すようなポリイミド開口部６をフォトリソグラフによ
り図２に示すようにポリイミド前駆体５にパターニング
する。次にポリイミド前駆体５のキュアを行って図３に
示すように配線保護膜（ポリイミド）７を形成する。次
いでウェハー１の全面に図４に示すようにバリアメタル
８をスパッタリングにより被着する。次に図５に示すよ
うにストレートバンプ用に厚膜の感光性レジスト９を全
面に塗布した後、図19に示すように電極部４上のポリイ
ミド開口部６に重合するレジスト開口部10を形成する為
にフォトリソグラフにより図６に示すように感光性レジ
スト９をパターニングする。次いで図７に示すようにバ
リアメタル８をメッキ用電極として湿式メッキ法により
レジスト開口部10にバンプ11を形成する。次に図８に示
すように感光性レジスト９を剥離し、ウェハー１を純水
で洗浄する。次いで図９に示すように全面に感光性レジ
スト12を塗布し、バンプ11を被うようにフォトリソグラ
フにより図10に示すように感光性レジスト12をパターニ
ングする。次にバンプ11を変質、溶解させない為にパタ
ーニングされた感光性レジスト12をマスクに、バリアメ
タル８を図11に示すようにエッチングし、個々のバンプ
11の電気的短絡を断つ。然る後、図12に示すようにバン
プ11を被っていた感光性レジスト12を剥離することで、
図20に示すようにバンプ11の形成を完了させていた。
を形成する従来の方法は、先ず図13、14に示すように半
導体素子２が多数形成されたウェハー１の全面に、図１
に示すようにポリイミド前駆体５を塗布した後、図18に
示すようなポリイミド開口部６をフォトリソグラフによ
り図２に示すようにポリイミド前駆体５にパターニング
する。次にポリイミド前駆体５のキュアを行って図３に
示すように配線保護膜（ポリイミド）７を形成する。次
いでウェハー１の全面に図４に示すようにバリアメタル
８をスパッタリングにより被着する。次に図５に示すよ
うにストレートバンプ用に厚膜の感光性レジスト９を全
面に塗布した後、図19に示すように電極部４上のポリイ
ミド開口部６に重合するレジスト開口部10を形成する為
にフォトリソグラフにより図６に示すように感光性レジ
スト９をパターニングする。次いで図７に示すようにバ
リアメタル８をメッキ用電極として湿式メッキ法により
レジスト開口部10にバンプ11を形成する。次に図８に示
すように感光性レジスト９を剥離し、ウェハー１を純水
で洗浄する。次いで図９に示すように全面に感光性レジ
スト12を塗布し、バンプ11を被うようにフォトリソグラ
フにより図10に示すように感光性レジスト12をパターニ
ングする。次にバンプ11を変質、溶解させない為にパタ
ーニングされた感光性レジスト12をマスクに、バリアメ
タル８を図11に示すようにエッチングし、個々のバンプ
11の電気的短絡を断つ。然る後、図12に示すようにバン
プ11を被っていた感光性レジスト12を剥離することで、
図20に示すようにバンプ11の形成を完了させていた。
【０００４】ところで半導体の高密度化に伴い前記従来
の方法のままバンプ11の狭ピッチ化を行うと、必要とさ
れるバンプ11の高さに対してバンプ11の断面積が小さく
なる為、メッキ用レジスト開口部10にメッキ液が入りに
くくなり、バンプ11が生長しなかったり、バンプ11の高
さが不安定になるものである。またこれを防ぐ為に前記
従来の方法で、バンプ11の底面積を極力大きくしようと
すると、隣りのバンプ11と短絡する危険が増える。
の方法のままバンプ11の狭ピッチ化を行うと、必要とさ
れるバンプ11の高さに対してバンプ11の断面積が小さく
なる為、メッキ用レジスト開口部10にメッキ液が入りに
くくなり、バンプ11が生長しなかったり、バンプ11の高
さが不安定になるものである。またこれを防ぐ為に前記
従来の方法で、バンプ11の底面積を極力大きくしようと
すると、隣りのバンプ11と短絡する危険が増える。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、半導
体の高密度化に伴い、バンプ配列のピッチが狭くなって
も、安定した高さと断面積を有し、隣りのバンプと短絡
する危険の少ない形状を有するバンプを形成する方法を
提供しようとするものである。
体の高密度化に伴い、バンプ配列のピッチが狭くなって
も、安定した高さと断面積を有し、隣りのバンプと短絡
する危険の少ない形状を有するバンプを形成する方法を
提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のバンプ形成方法は、ウェハー上に多数形成せ
る半導体素子のダイシングラインに沿って多数配列形成
された電極部上にバンプを形成するに於いて、電極部上
に、ダイシングラインから見て頂点が上向きと下向きに
交互に三角形のポリイミド開口部を配列形成し、この電
極部上のポリイミド開口部に、数倍の面積の相似形状の
底面を有し且つ電極部が底面の一頂点側にくるように交
互に逆の方向性を持つ三角形のレジスト開口部を形成
し、このレジスト開口部に三角柱状のバンプを形成する
ことを特徴とするものである。
の本発明のバンプ形成方法は、ウェハー上に多数形成せ
る半導体素子のダイシングラインに沿って多数配列形成
された電極部上にバンプを形成するに於いて、電極部上
に、ダイシングラインから見て頂点が上向きと下向きに
交互に三角形のポリイミド開口部を配列形成し、この電
極部上のポリイミド開口部に、数倍の面積の相似形状の
底面を有し且つ電極部が底面の一頂点側にくるように交
互に逆の方向性を持つ三角形のレジスト開口部を形成
し、このレジスト開口部に三角柱状のバンプを形成する
ことを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】上記のように本発明のバンプ形成方法は、交互
に逆の方向性を持つ三角柱状のバンプを形成するので、
この三角柱状のバンプを千鳥状に２列のバンプ配列とす
ることにより、電極部ピッチの２倍に近いスペースでバ
ンプを形成することができ、隣り同志のバンプが短絡す
る危険が減る。また、短絡などの危険性を増やさずに水
平方向のバンプ断面積を増やせるので、湿式バンプメッ
キに於いて、レジスト開口部の面積が小さいことによる
フォトリソグラフィ時、レジスト現像の不良やメッキ時
の高さ分布のばらつきによる不良を減らすことができ、
安定した高さと断面積を有するバンプを得ることができ
る。
に逆の方向性を持つ三角柱状のバンプを形成するので、
この三角柱状のバンプを千鳥状に２列のバンプ配列とす
ることにより、電極部ピッチの２倍に近いスペースでバ
ンプを形成することができ、隣り同志のバンプが短絡す
る危険が減る。また、短絡などの危険性を増やさずに水
平方向のバンプ断面積を増やせるので、湿式バンプメッ
キに於いて、レジスト開口部の面積が小さいことによる
フォトリソグラフィ時、レジスト現像の不良やメッキ時
の高さ分布のばらつきによる不良を減らすことができ、
安定した高さと断面積を有するバンプを得ることができ
る。
【０００８】
【実施例】本発明のバンプ形成方法の一実施例を図によ
って説明すると、直径５インチ、厚さ 0.4mmのウェハー
１の全面に、図１に示すようにポリイミド前駆体５を塗
布した後、図15に示すようにダイシングライン３に沿っ
て50μｍ間隔に配設された多数の一辺 100μｍの方形の
電極部４上の内側寄りの側縁に沿って、ダイシングライ
ン３から見て頂点が上向きと下向きに交互に配列される
一辺50μｍの正三角形のポリイミド開口部６′をフォト
リソグラフにより図２に示すようにポリイミド前駆体５
にパターニングした。次にポリイミド前駆体５のキュア
を行って図３に示すように配線保護膜（ポリイミド）７
を形成した。次いでウェハー１の全面に図４に示すよう
にバリアメタル８をスパッタリングにより被着した。次
に図５に示すように全面に感光性レジスト９を35μｍ塗
布した後、図16に示すように電極部４上の正三角形のポ
リイミド開口部６′に、一辺 100μｍの正三角形のレジ
スト開口部10′が頂点側で重なるように、フォトリソグ
ラフにより図６に示すように感光性レジスト９をパター
ニングした。次いで図７に示すようにバリアメタル８を
メッキ用電極として湿式メッキ法（メッキ液：ＥＥＪＡ
ミクロファブＳｎ・60、メッキ液流量：10リットル／mi
n 、メッキ時間：35分）によりレジスト開口部10′にバ
ンプ11′を形成した。次に図８に示すように感光性レジ
スト９を剥離し、ウェハー１を純水で洗浄した。次いで
図９に示すように全面に感光性レジスト12を塗布し、バ
ンプ11′を被うようにフォトリソグラフにより図10に示
すように感光性レジスト12をパターニングした。次にバ
ンプ11′を変質、溶解させない為にパターニングされた
感光性レジスト12をマスクに、バリアメタル８を図11に
示すようにエッチングし、個々のバンプ11′の電気的短
絡を断った。然る後、図12に示すようにバンプ11′を被
っていた感光性レジスト12を剥離して、図17に示すよう
にバンプ11′の形成を完成させた。
って説明すると、直径５インチ、厚さ 0.4mmのウェハー
１の全面に、図１に示すようにポリイミド前駆体５を塗
布した後、図15に示すようにダイシングライン３に沿っ
て50μｍ間隔に配設された多数の一辺 100μｍの方形の
電極部４上の内側寄りの側縁に沿って、ダイシングライ
ン３から見て頂点が上向きと下向きに交互に配列される
一辺50μｍの正三角形のポリイミド開口部６′をフォト
リソグラフにより図２に示すようにポリイミド前駆体５
にパターニングした。次にポリイミド前駆体５のキュア
を行って図３に示すように配線保護膜（ポリイミド）７
を形成した。次いでウェハー１の全面に図４に示すよう
にバリアメタル８をスパッタリングにより被着した。次
に図５に示すように全面に感光性レジスト９を35μｍ塗
布した後、図16に示すように電極部４上の正三角形のポ
リイミド開口部６′に、一辺 100μｍの正三角形のレジ
スト開口部10′が頂点側で重なるように、フォトリソグ
ラフにより図６に示すように感光性レジスト９をパター
ニングした。次いで図７に示すようにバリアメタル８を
メッキ用電極として湿式メッキ法（メッキ液：ＥＥＪＡ
ミクロファブＳｎ・60、メッキ液流量：10リットル／mi
n 、メッキ時間：35分）によりレジスト開口部10′にバ
ンプ11′を形成した。次に図８に示すように感光性レジ
スト９を剥離し、ウェハー１を純水で洗浄した。次いで
図９に示すように全面に感光性レジスト12を塗布し、バ
ンプ11′を被うようにフォトリソグラフにより図10に示
すように感光性レジスト12をパターニングした。次にバ
ンプ11′を変質、溶解させない為にパターニングされた
感光性レジスト12をマスクに、バリアメタル８を図11に
示すようにエッチングし、個々のバンプ11′の電気的短
絡を断った。然る後、図12に示すようにバンプ11′を被
っていた感光性レジスト12を剥離して、図17に示すよう
にバンプ11′の形成を完成させた。
【０００９】一方、従来のバンプ形成方法の具体例を図
によって説明すると、実施例と同じウェハー１の全面
に、図１に示すようにポリイミド前駆体５を塗布した
後、図18に示すようにダイシングライン３に沿って50μ
ｍ間隔に配設された多数の一辺100μｍの方形の電極部
４上に、一辺90μｍの方形のポリイミド開口部６をフォ
トリソグラフにより図２に示すようにポリイミド前駆体
５にパターニングした。次にポリイミド前駆体５のキュ
アを行って図３に示すように配線保護膜（ポリイミド）
７を形成した。次いでウェハー１の全面に図４に示すよ
うにバリアメタル８をスパッタリングにより被着した。
次に図５に示すように全面に感光性レジスト９を35μｍ
塗布した後、図19に示すように電極部４上の方形のポリ
イミド開口部６に、一辺 100μｍの方形のレジスト開口
部10が重合するように、フォトリソグラフにより図６に
示すように感光性レジスト９をパターニングした。次い
で図７に示すようにバリアメタル８をメッキ用電極とし
て湿式メッキ法（メッキ液：ＥＥＪＡミクロファブＳｎ
・60、メッキ液流量：10リットル／min 、メッキ時間：
35分）によりレジスト開口部10にバンプ11を形成した。
次に図８に示すように感光性レジスト９を剥離し、ウェ
ハー１を純水で洗浄した。次いで図９に示すように全面
に感光性レジストを塗布し、バンプ11を被うようにフォ
トリソグラフにより図10に示すように感光性レジスト12
をパターニングした。次にバンプ11を変質、溶解させな
い為にパターニングされた感光性レジスト12をマスク
に、バリアメタル８を図11に示すようにエッチングし、
個々のバンプ11の電気的短絡を断った。然る後、図12に
示すようにバンプ11を被っていた感光性レジスト12を剥
離して、図20に示すようにバンプ11の形成を完了させ
た。
によって説明すると、実施例と同じウェハー１の全面
に、図１に示すようにポリイミド前駆体５を塗布した
後、図18に示すようにダイシングライン３に沿って50μ
ｍ間隔に配設された多数の一辺100μｍの方形の電極部
４上に、一辺90μｍの方形のポリイミド開口部６をフォ
トリソグラフにより図２に示すようにポリイミド前駆体
５にパターニングした。次にポリイミド前駆体５のキュ
アを行って図３に示すように配線保護膜（ポリイミド）
７を形成した。次いでウェハー１の全面に図４に示すよ
うにバリアメタル８をスパッタリングにより被着した。
次に図５に示すように全面に感光性レジスト９を35μｍ
塗布した後、図19に示すように電極部４上の方形のポリ
イミド開口部６に、一辺 100μｍの方形のレジスト開口
部10が重合するように、フォトリソグラフにより図６に
示すように感光性レジスト９をパターニングした。次い
で図７に示すようにバリアメタル８をメッキ用電極とし
て湿式メッキ法（メッキ液：ＥＥＪＡミクロファブＳｎ
・60、メッキ液流量：10リットル／min 、メッキ時間：
35分）によりレジスト開口部10にバンプ11を形成した。
次に図８に示すように感光性レジスト９を剥離し、ウェ
ハー１を純水で洗浄した。次いで図９に示すように全面
に感光性レジストを塗布し、バンプ11を被うようにフォ
トリソグラフにより図10に示すように感光性レジスト12
をパターニングした。次にバンプ11を変質、溶解させな
い為にパターニングされた感光性レジスト12をマスク
に、バリアメタル８を図11に示すようにエッチングし、
個々のバンプ11の電気的短絡を断った。然る後、図12に
示すようにバンプ11を被っていた感光性レジスト12を剥
離して、図20に示すようにバンプ11の形成を完了させ
た。
【００１０】このようにして形成した実施例及び従来例
のバンプについて検査した処、実施例のバンプは高さが
30〜35μｍあり、隣接バンプとの最短距離が95μｍもあ
り、外観も安定していたのに対し、従来例のバンプは外
観が安定していたが、高さが17μｍしかなく、隣接バン
プとの最短距離は45μｍしかなかった。
のバンプについて検査した処、実施例のバンプは高さが
30〜35μｍあり、隣接バンプとの最短距離が95μｍもあ
り、外観も安定していたのに対し、従来例のバンプは外
観が安定していたが、高さが17μｍしかなく、隣接バン
プとの最短距離は45μｍしかなかった。
【００１１】尚、上記実施例は、従来と同じ方形の電極
部４上に正三角形のバンプを形成する場合であるが、予
めウェハー１の半導体素子２上にダイシングライン３に
沿って正三角形の電極部を千鳥配列に対向して設け、こ
の電極部上に正三角形のバンプを形成するようにしても
良いものである。
部４上に正三角形のバンプを形成する場合であるが、予
めウェハー１の半導体素子２上にダイシングライン３に
沿って正三角形の電極部を千鳥配列に対向して設け、こ
の電極部上に正三角形のバンプを形成するようにしても
良いものである。
【００１２】
【発明の効果】以上の通り本発明のバンプ形成方法は、
交互に逆の方向性を持つ三角柱状のバンプを形成するの
で、この三角注状のバンプを千鳥状に２列のバンプ配列
とすることにより、与えられた電極部ピッチに対して大
きなバンプ間距離が得られ、且つバンプ間距離を狭めず
にバンプ断面積をある程度まで拡大できる。従って、半
導体の高密度化に伴い、バンプ配列が狭くなっても、安
定した高さと断面積を有し、隣りのバンプと短絡する危
険の少ないバンプを形成できる。
交互に逆の方向性を持つ三角柱状のバンプを形成するの
で、この三角注状のバンプを千鳥状に２列のバンプ配列
とすることにより、与えられた電極部ピッチに対して大
きなバンプ間距離が得られ、且つバンプ間距離を狭めず
にバンプ断面積をある程度まで拡大できる。従って、半
導体の高密度化に伴い、バンプ配列が狭くなっても、安
定した高さと断面積を有し、隣りのバンプと短絡する危
険の少ないバンプを形成できる。
【図１】バンプ形成方法の工程を示す図である。
【図２】バンプ形成方法の工程を示す図である。
【図３】バンプ形成方法の工程を示す図である。
【図４】バンプ形成方法の工程を示す図である。
【図５】バンプ形成方法の工程を示す図である。
【図６】バンプ形成方法の工程を示す図である。
【図７】バンプ形成方法の工程を示す図である。
【図８】バンプ形成方法の工程を示す図である。
【図９】バンプ形成方法の工程を示す図である。
【図10】バンプ形成方法の工程を示す図である。
【図11】バンプ形成方法の工程を示す図である。
【図12】バンプ形成方法の工程を示す図である。
【図13】半導体素子が多数形成されたウェハーを示す概
略斜視図である。
略斜視図である。
【図14】図13のウェハーの上面における半導体素子の電
極部の配列を示す拡大斜視図である。
極部の配列を示す拡大斜視図である。
【図15】本発明のバンプ形成方法において半導体素子の
電極部上に形成したポリイミド開口部を示す図である。
電極部上に形成したポリイミド開口部を示す図である。
【図16】本発明のバンプ形成方法において半導体素子の
電極部上に形成せる図15のポリイミド開口部上に形成し
たレジスト開口部を示す図である。
電極部上に形成せる図15のポリイミド開口部上に形成し
たレジスト開口部を示す図である。
【図17】本発明のバンプ形成方法によって形成したバン
プを示す一部拡大斜視図である。
プを示す一部拡大斜視図である。
【図18】従来のバンプ形成方法において半導体素子の電
極部上に形成したポリイミド開口部を示す図である。
極部上に形成したポリイミド開口部を示す図である。
【図19】従来のバンプ形成方法において図18のポリイミ
ド開口部上に形成したレジスト開口部を示す図である。
ド開口部上に形成したレジスト開口部を示す図である。
【図20】従来のバンプ形成方法によって形成したバンプ
を示す一部拡大斜視図である。
を示す一部拡大斜視図である。
１ ウェハー ２ 半導体素子 ３ ダイシングライン ４ 電極部 ６′ ポリイミド開口部 １０′ レジスト開口部 １１′ バンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハー上に多数形成せる半導体素子の
ダイシングラインに沿って多数配列形成された電極部上
にバンプを形成するに於いて、電極部上に、ダイシング
ラインから見て頂点が上向きと下向きに交互に三角形の
ポリイミド開口部を配列形成し、この電極部上のポリイ
ミド開口部に、数倍の面積の相似形状の底面を有し且つ
電極部が底面の一頂点側にくるように交互に逆の方向性
を持つ三角形のレジスト開口部を形成し、このレジスト
開口部に三角柱状のバンプを形成することを特徴とする
バンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4213320A JPH0637095A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4213320A JPH0637095A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637095A true JPH0637095A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16637202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4213320A Pending JPH0637095A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637095A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190138262A (ko) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | 시키시마 코퍼레이션 | 물 냉각 장치 |
-
1992
- 1992-07-17 JP JP4213320A patent/JPH0637095A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190138262A (ko) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | 시키시마 코퍼레이션 | 물 냉각 장치 |
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