JPH0636684A - マグネトロンアノ−ドの製造方法 - Google Patents
マグネトロンアノ−ドの製造方法Info
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- JPH0636684A JPH0636684A JP19381292A JP19381292A JPH0636684A JP H0636684 A JPH0636684 A JP H0636684A JP 19381292 A JP19381292 A JP 19381292A JP 19381292 A JP19381292 A JP 19381292A JP H0636684 A JPH0636684 A JP H0636684A
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- anode
- vane
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、アノ−ドベインとアンテナリード
のレ−ザ溶接による接合において、安定した接合状態が
得られると共に、信頼性の高いマグネトロンアノ−ドが
得られるマグネトロンアノ−ドの製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】この発明のマグネトロンアノ−ドの製造方法
は、アノ−ドシリンダ−11の内側に配設された板状アノ
−ドベイン12の一端部に、アンテナリード15をレーザ溶
接により接合する場合、アノ−ドベインの一端部に小突
起12e を形成し、この小突起の側面にアンテナリードを
密接し、レ−ザ・ビ−ムLで小突起を溶かしてアノ−ド
ベインとアンテナリードとを溶接することにより、上記
の目的を達成することができる。
のレ−ザ溶接による接合において、安定した接合状態が
得られると共に、信頼性の高いマグネトロンアノ−ドが
得られるマグネトロンアノ−ドの製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】この発明のマグネトロンアノ−ドの製造方法
は、アノ−ドシリンダ−11の内側に配設された板状アノ
−ドベイン12の一端部に、アンテナリード15をレーザ溶
接により接合する場合、アノ−ドベインの一端部に小突
起12e を形成し、この小突起の側面にアンテナリードを
密接し、レ−ザ・ビ−ムLで小突起を溶かしてアノ−ド
ベインとアンテナリードとを溶接することにより、上記
の目的を達成することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はマグネトロンアノ−ド
の製造方法に係わり、特にそのアノ−ドベインとアンテ
ナリードとの接合に関する。
の製造方法に係わり、特にそのアノ−ドベインとアンテ
ナリードとの接合に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に電子レンジ用マグネトロンは、図
7に示すように、銅製のアノ−ドシリンダ−11の内側に
複数枚のアノ−ドベイン12の外端面12a が固着され、そ
れぞれの内端面12b が図示しない中心軸上の陰極の方向
に延長して設けられている。各アノ−ドベイン12は、一
対のストラップリング13,14 により1つ置きに電気的に
短絡されている。そして、1つのアノ−ドベイン12の側
端面12c にアンテナリード15の一端部が接合されてい
る。このアンテナリード15は折曲部15a で斜めに折曲げ
られたうえ、他端部がアノ−ド軸方向に沿って延長さ
れ、図示しない出力アンテナ部に結合されている。通
常、アンテナリード15とアノ−ドベイン12とは、ろう接
により接合されている。又、このアンテナリード15とア
ノ−ドベイン12との接合位置は、アノ−ドシリンダ−11
及びアノ−ドベイン12とで構成される空胴共振器と出力
アンテナ部とのマイクロ波結合度に顕著な影響を及ぼす
ので、大量生産ではこの接合位置をばらつきなく設定す
る必要がある。そのため、図8の(a)に示すように、
アノ−ドベイン12およびアンテナリード15に位置決め用
切欠き12d とガイド用切欠き15b を形成して、それらを
嵌め合わせて位置決めし、この部分をろう接する構造も
実用になっている。
7に示すように、銅製のアノ−ドシリンダ−11の内側に
複数枚のアノ−ドベイン12の外端面12a が固着され、そ
れぞれの内端面12b が図示しない中心軸上の陰極の方向
に延長して設けられている。各アノ−ドベイン12は、一
対のストラップリング13,14 により1つ置きに電気的に
短絡されている。そして、1つのアノ−ドベイン12の側
端面12c にアンテナリード15の一端部が接合されてい
る。このアンテナリード15は折曲部15a で斜めに折曲げ
られたうえ、他端部がアノ−ド軸方向に沿って延長さ
れ、図示しない出力アンテナ部に結合されている。通
常、アンテナリード15とアノ−ドベイン12とは、ろう接
により接合されている。又、このアンテナリード15とア
ノ−ドベイン12との接合位置は、アノ−ドシリンダ−11
及びアノ−ドベイン12とで構成される空胴共振器と出力
アンテナ部とのマイクロ波結合度に顕著な影響を及ぼす
ので、大量生産ではこの接合位置をばらつきなく設定す
る必要がある。そのため、図8の(a)に示すように、
アノ−ドベイン12およびアンテナリード15に位置決め用
切欠き12d とガイド用切欠き15b を形成して、それらを
嵌め合わせて位置決めし、この部分をろう接する構造も
実用になっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、アノ−ドベ
イン12とアンテナリード15とをろう接により接合するこ
とは、銀ろうのような高価なろう材を要するとともに、
大掛かりなろう接加熱炉を必要とする不都合がある。一
方、図8の(b)に示すように、アノ−ドベイン12とア
ンテナリード15との接合部をレーザ・ビームLで溶接す
ることも考えられる。溶接部を符号Cで表わしている。
しかし、両者が直角に交差する点にレーザ・ビームLの
焦点を合致させないと良質の溶接部が得られず、又、そ
こに少しでも隙間があると安定した溶接が出来ない。即
ち、アノ−ドベイン12の板厚はプレス加工等で成形する
ため、寸法変動は比較的少ないが、アンテナリード15の
板厚は材料の製造ロット毎に寸法変動が生じる。従っ
て、アノ−ドベイン12の板厚寸法は、アンテナリード15
の板厚寸法よりも常に若干大き目の寸法にする必要があ
るため、実質的にはアノ−ドベイン12とアンテナリード
15を組み合わせレ−ザ溶接する溶接部Cに、隙間が生
じ、溶接性が悪く安定した溶接状態が得られない。又、
内端面12b と位置決め用の切欠き12d との距離が、アン
テナリード15の位置を決める寸法であるが、この寸法は
マグネトロンの電気的特性に影響するものであり、溶接
部Cの隙間およびレ−ザ照射箇所により、陽極ベイン12
とアンテナリード15の接合が不安定であり、電気的接触
も悪く、マグネトロンの電気的特性にばらつきが生じ不
安定となる。溶接部Cに隙間が殆どない場合でも、アノ
−ドベイン12はプレス加工等で成形しているため、角部
は全て若干のコ−ナ−Rが残り、溶接部C全体のレ−ザ
・ビ−ムの焦点が均一に合わないため、安定した溶接が
出来ず、信頼性に乏しい。
イン12とアンテナリード15とをろう接により接合するこ
とは、銀ろうのような高価なろう材を要するとともに、
大掛かりなろう接加熱炉を必要とする不都合がある。一
方、図8の(b)に示すように、アノ−ドベイン12とア
ンテナリード15との接合部をレーザ・ビームLで溶接す
ることも考えられる。溶接部を符号Cで表わしている。
しかし、両者が直角に交差する点にレーザ・ビームLの
焦点を合致させないと良質の溶接部が得られず、又、そ
こに少しでも隙間があると安定した溶接が出来ない。即
ち、アノ−ドベイン12の板厚はプレス加工等で成形する
ため、寸法変動は比較的少ないが、アンテナリード15の
板厚は材料の製造ロット毎に寸法変動が生じる。従っ
て、アノ−ドベイン12の板厚寸法は、アンテナリード15
の板厚寸法よりも常に若干大き目の寸法にする必要があ
るため、実質的にはアノ−ドベイン12とアンテナリード
15を組み合わせレ−ザ溶接する溶接部Cに、隙間が生
じ、溶接性が悪く安定した溶接状態が得られない。又、
内端面12b と位置決め用の切欠き12d との距離が、アン
テナリード15の位置を決める寸法であるが、この寸法は
マグネトロンの電気的特性に影響するものであり、溶接
部Cの隙間およびレ−ザ照射箇所により、陽極ベイン12
とアンテナリード15の接合が不安定であり、電気的接触
も悪く、マグネトロンの電気的特性にばらつきが生じ不
安定となる。溶接部Cに隙間が殆どない場合でも、アノ
−ドベイン12はプレス加工等で成形しているため、角部
は全て若干のコ−ナ−Rが残り、溶接部C全体のレ−ザ
・ビ−ムの焦点が均一に合わないため、安定した溶接が
出来ず、信頼性に乏しい。
【0004】この発明は、以上のような不都合を解消
し、アノ−ドベインとアンテナリードのレ−ザ溶接によ
る接合において、安定した接合状態が得られると共に、
信頼性の高いマグネトロンアノ−ドが得られるマグネト
ロンアノ−ドの製造方法を提供することを目的とする。
し、アノ−ドベインとアンテナリードのレ−ザ溶接によ
る接合において、安定した接合状態が得られると共に、
信頼性の高いマグネトロンアノ−ドが得られるマグネト
ロンアノ−ドの製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は、アノ−ドシ
リンダ−の内側に配設された板状アノ−ドベインの一端
部に、アンテナリードをレーザ溶接により接合する場
合、アノ−ドベインの一端部に小突起を形成し、この小
突起の側面にアンテナリードを密接し、レ−ザ・ビ−ム
で小突起を溶かしてアノ−ドベインとアンテナリードと
を溶接するマグネトロンアノ−ドの製造方法である。
リンダ−の内側に配設された板状アノ−ドベインの一端
部に、アンテナリードをレーザ溶接により接合する場
合、アノ−ドベインの一端部に小突起を形成し、この小
突起の側面にアンテナリードを密接し、レ−ザ・ビ−ム
で小突起を溶かしてアノ−ドベインとアンテナリードと
を溶接するマグネトロンアノ−ドの製造方法である。
【0006】
【作用】この発明によれば、アノ−ドベインとアンテナ
リードのレ−ザ溶接による接合において、安定した接合
状態が得られると共に、信頼性の高いマグネトロンアノ
−ドが得られる。
リードのレ−ザ溶接による接合において、安定した接合
状態が得られると共に、信頼性の高いマグネトロンアノ
−ドが得られる。
【0007】
【実施例】以下、その実施例を図面を参照して説明す
る。尚、従来例(図8)と同一部分は同一符号で表わ
す。図1に示す実施例は、次の構成を有する。即ち、図
1の(a)に示すように、アノ−ドベイン12の側端面12
c の所定箇所に、アノ−ドベインの長手方向に沿ってア
ンテナリード位置決め用切欠き12d が形成され、このア
ンテナリード位置決め用切欠き12d のアノ−ドシリンダ
−(図7参照)寄りに、小突起12e が一体に形成されて
いる。一方、アンテナリード15の一端部には、ガイド用
切欠き15b が形成されている。
る。尚、従来例(図8)と同一部分は同一符号で表わ
す。図1に示す実施例は、次の構成を有する。即ち、図
1の(a)に示すように、アノ−ドベイン12の側端面12
c の所定箇所に、アノ−ドベインの長手方向に沿ってア
ンテナリード位置決め用切欠き12d が形成され、このア
ンテナリード位置決め用切欠き12d のアノ−ドシリンダ
−(図7参照)寄りに、小突起12e が一体に形成されて
いる。一方、アンテナリード15の一端部には、ガイド用
切欠き15b が形成されている。
【0008】各部の寸法は、図2の(a)および(b)
と図3の(a)および(b)に示すように、アンテナリ
ード15のガイド用切欠き15b の幅寸法T1 は、アノ−ド
ベイン12の板厚の寸法T2 よりも若干大きめの寸法であ
る。又、ガイド用切欠き15bの深さ寸法f1 は、アノ−
ドベイン12のサイド部ガイドの長さである。小突起12e
のh1 はその高さ、h2 がその長さを示す。アノ−ドベ
イン12において、Sが内端面12b からのアンテナリード
15の位置を決めるための寸法である。t2 はアンテナリ
ード位置決め用切欠き12d の長さ寸法であり、アンテナ
リード15の板厚t1 よりも若干大きめの寸法となってい
る。f2 は位置決め用切欠き12d の深さ寸法である。
と図3の(a)および(b)に示すように、アンテナリ
ード15のガイド用切欠き15b の幅寸法T1 は、アノ−ド
ベイン12の板厚の寸法T2 よりも若干大きめの寸法であ
る。又、ガイド用切欠き15bの深さ寸法f1 は、アノ−
ドベイン12のサイド部ガイドの長さである。小突起12e
のh1 はその高さ、h2 がその長さを示す。アノ−ドベ
イン12において、Sが内端面12b からのアンテナリード
15の位置を決めるための寸法である。t2 はアンテナリ
ード位置決め用切欠き12d の長さ寸法であり、アンテナ
リード15の板厚t1 よりも若干大きめの寸法となってい
る。f2 は位置決め用切欠き12d の深さ寸法である。
【0009】さて、このように整形したアノ−ドベイン
12とアンテナリード15とを、図1の(b)に示すよう
に、アンテナリード15をベイン側端面のアンテナリード
位置決め用切欠き12d に合致させて挿入し、組合わせ
る。この時、アンテナリード15は、小突起12e の近傍側
面に沿って密接し、しかも、組合わせ位置も自動的に決
まる。この状態で、斜め方向からレーザ・ビームL(図
8参照)を小突起12e に照射して小突起12e を溶かし、
アノ−ドベイン12とアンテナリード15とをレーザ溶接す
る。図1の(b)の符号Aが溶接部を示す。
12とアンテナリード15とを、図1の(b)に示すよう
に、アンテナリード15をベイン側端面のアンテナリード
位置決め用切欠き12d に合致させて挿入し、組合わせ
る。この時、アンテナリード15は、小突起12e の近傍側
面に沿って密接し、しかも、組合わせ位置も自動的に決
まる。この状態で、斜め方向からレーザ・ビームL(図
8参照)を小突起12e に照射して小突起12e を溶かし、
アノ−ドベイン12とアンテナリード15とをレーザ溶接す
る。図1の(b)の符号Aが溶接部を示す。
【0010】こうして、アノ−ドベイン12とアンテナリ
ード15とは、確実に溶接される。この場合、小突起12e
を溶かしているため、レーザ溶接は確実容易であり、且
つ安定な溶接状態が得られる。尚、レーザ・ビームLを
被溶接面に対して斜め方向から照射するのは、被溶接面
で反射したレーザ光がレーザ発振機に戻り、レーザ発振
が不安定になるのを防止するためである。
ード15とは、確実に溶接される。この場合、小突起12e
を溶かしているため、レーザ溶接は確実容易であり、且
つ安定な溶接状態が得られる。尚、レーザ・ビームLを
被溶接面に対して斜め方向から照射するのは、被溶接面
で反射したレーザ光がレーザ発振機に戻り、レーザ発振
が不安定になるのを防止するためである。
【0011】又、寸法Sがアノ−ドベイン12の内端面12
b からのアンテナリード15の位置を決めるための寸法で
あるが、この寸法Sはマグネトロンの電気的特性に影響
するものである。しかし、この発明では陽極ベイン12と
アンテナリード15との電気的接触が良く、従ってマグネ
トロンの電気的特性ばらつきは少なく安定となる。 (他の実施例)
b からのアンテナリード15の位置を決めるための寸法で
あるが、この寸法Sはマグネトロンの電気的特性に影響
するものである。しかし、この発明では陽極ベイン12と
アンテナリード15との電気的接触が良く、従ってマグネ
トロンの電気的特性ばらつきは少なく安定となる。 (他の実施例)
【0012】図4はこの発明の他の実施例を示したもの
で、上記実施例と同様効果が得られる。即ち、この他の
実施例では、アノ−ドベイン12に上記実施例のような小
突起を形成しない。その代わりに、アンテナリード15の
ガイド用切欠き15b を上記実施例よりは深く、その底部
15c で更に折り曲げており、ガイド用切欠き15b の脚部
15d,15d は長く延びている。
で、上記実施例と同様効果が得られる。即ち、この他の
実施例では、アノ−ドベイン12に上記実施例のような小
突起を形成しない。その代わりに、アンテナリード15の
ガイド用切欠き15b を上記実施例よりは深く、その底部
15c で更に折り曲げており、ガイド用切欠き15b の脚部
15d,15d は長く延びている。
【0013】各部の寸法は、図5の(a)および(b)
と図6の(a)および(b)に示すように、アンテナリ
ード15のガイド用切欠き15b の幅寸法T1 は、アノ−ド
ベイン12の板厚の寸法T2 よりも若干大きめの寸法であ
る。h1 は脚部15d,15d の長さであり、t1 および
t1 ′はアンテナリード15の板厚である。h1 とf1 は
アノ−ドベイン12に密接する長さである。アノ−ドベイ
ン12のt2 はアンテナリード位置決め用切欠き12d の長
さ寸法であり、f2 はその深さ寸法であって、アンテナ
リード15の板厚t1 に対応している。
と図6の(a)および(b)に示すように、アンテナリ
ード15のガイド用切欠き15b の幅寸法T1 は、アノ−ド
ベイン12の板厚の寸法T2 よりも若干大きめの寸法であ
る。h1 は脚部15d,15d の長さであり、t1 および
t1 ′はアンテナリード15の板厚である。h1 とf1 は
アノ−ドベイン12に密接する長さである。アノ−ドベイ
ン12のt2 はアンテナリード位置決め用切欠き12d の長
さ寸法であり、f2 はその深さ寸法であって、アンテナ
リード15の板厚t1 に対応している。
【0014】さて、このように整形したアノ−ドベイン
12とアンテナリード15とを、図4の(b)に示すよう
に、アンテナリード15をベイン側端面のアンテナリード
位置決め用切欠き12d に合致させて挿入し、組合わせ
る。この時、ガイド用切欠き15bの脚部15d,15d は、ア
ンテナリード15の両側に沿って密接し、アノ−ドベイン
12を挾持する形になる。この状態で、斜め方向からレー
ザ・ビームL(図8参照)をガイド用切欠き15b に対応
するアンテナリード15の側端面12c に照射して、その側
端面12c を溶かし、アノ−ドベイン12とアンテナリード
15とをレーザ溶接する。図1の(b)の符号Bが溶接部
を示す。この他の実施例では、溶融されるアンテナリー
ド15の側端面12c が、上記実施例の小突起12e に相当す
ることになる。そして、両脚部15d,15d がアノ−ドベイ
ン12を挾持して溶接するため、アノ−ドベイン12とアン
テナリード15は確実に溶接され、強度的にも信頼性の高
いマグネトロンアノ−ドが得られる。
12とアンテナリード15とを、図4の(b)に示すよう
に、アンテナリード15をベイン側端面のアンテナリード
位置決め用切欠き12d に合致させて挿入し、組合わせ
る。この時、ガイド用切欠き15bの脚部15d,15d は、ア
ンテナリード15の両側に沿って密接し、アノ−ドベイン
12を挾持する形になる。この状態で、斜め方向からレー
ザ・ビームL(図8参照)をガイド用切欠き15b に対応
するアンテナリード15の側端面12c に照射して、その側
端面12c を溶かし、アノ−ドベイン12とアンテナリード
15とをレーザ溶接する。図1の(b)の符号Bが溶接部
を示す。この他の実施例では、溶融されるアンテナリー
ド15の側端面12c が、上記実施例の小突起12e に相当す
ることになる。そして、両脚部15d,15d がアノ−ドベイ
ン12を挾持して溶接するため、アノ−ドベイン12とアン
テナリード15は確実に溶接され、強度的にも信頼性の高
いマグネトロンアノ−ドが得られる。
【0015】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
アノ−ドベインの一端部に小突起を形成し、この小突起
の側面にアンテナリードを密接し、レ−ザビ−ムで小突
起を溶かしてアノ−ドベインとアンテナリードとを溶接
しているので、安定した接合状態が得られると共に、信
頼性の高いマグネトロンアノ−ドが得られる。
アノ−ドベインの一端部に小突起を形成し、この小突起
の側面にアンテナリードを密接し、レ−ザビ−ムで小突
起を溶かしてアノ−ドベインとアンテナリードとを溶接
しているので、安定した接合状態が得られると共に、信
頼性の高いマグネトロンアノ−ドが得られる。
【図1】この発明の一実施例を示す要部斜視図。
【図2】図1のアンテナリードを取出して示す平面図と
側面図。
側面図。
【図3】図1のアノ−ドベインを取出して示す正面図と
底面図。
底面図。
【図4】この発明の他の実施例を示す要部斜視図。
【図5】図4のアンテナリードを取出して示す平面図と
側面図。
側面図。
【図6】図4のアノ−ドベインを取出して示す正面図と
底面図。
底面図。
【図7】従来構造を示す要部斜視図。
【図8】従来構造を示す要部斜視図。
11…アノ−ドシリンダ−、12…アノ−ドベイン、12d …
位置決め用切欠き、12e …小突起、15…アンテナリー
ド、15b …ガイド用切欠き、A,B…溶接部、L…レー
ザ・ビーム。
位置決め用切欠き、12e …小突起、15…アンテナリー
ド、15b …ガイド用切欠き、A,B…溶接部、L…レー
ザ・ビーム。
Claims (1)
- 【請求項1】 アノ−ドシリンダ−の内側に配設された
板状アノ−ドベインの一端部に、アンテナリードをレー
ザ溶接により接合するマグネトロンアノ−ドの製造方法
において、 上記アノ−ドベインの一端部に小突起を形成し、この小
突起の側面に上記アンテナリードを密接し、レ−ザ・ビ
−ムで上記小突起を溶かしてアノ−ドベインとアンテナ
リードとを溶接することを特徴とするマグネトロンアノ
−ドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19381292A JPH0636684A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | マグネトロンアノ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19381292A JPH0636684A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | マグネトロンアノ−ドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0636684A true JPH0636684A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16314177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19381292A Pending JPH0636684A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | マグネトロンアノ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0636684A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1383154A1 (en) * | 2002-07-18 | 2004-01-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetron |
-
1992
- 1992-07-21 JP JP19381292A patent/JPH0636684A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1383154A1 (en) * | 2002-07-18 | 2004-01-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetron |
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