JPH0635660B2 - ガス相析出による金属ケイ化物層形成方法 - Google Patents
ガス相析出による金属ケイ化物層形成方法Info
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- JPH0635660B2 JPH0635660B2 JP60072512A JP7251285A JPH0635660B2 JP H0635660 B2 JPH0635660 B2 JP H0635660B2 JP 60072512 A JP60072512 A JP 60072512A JP 7251285 A JP7251285 A JP 7251285A JP H0635660 B2 JPH0635660 B2 JP H0635660B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 title claims description 19
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 8
- OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I tantalum(v) chloride Chemical compound Cl[Ta](Cl)(Cl)(Cl)Cl OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- -1 hydrogen compound Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 claims description 2
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 claims description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N trichlorosilicon Chemical compound Cl[Si](Cl)Cl PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 12
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 6
- MANYRMJQFFSZKJ-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)tantalum Chemical compound [Si]=[Ta]=[Si] MANYRMJQFFSZKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010022998 Irritability Diseases 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004529 TaF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N silicon tantalum Chemical compound [Si].[Ta] HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/42—Silicides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28518—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising silicides
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、シリコンを含む水素化合物、ハロゲン水素
化合物および金属ハロゲン化物を熱分解し金属ケイ化物
を減圧の下にガス相から析出させることにより、例えば
ＶＬＳＩ回路に使用するシリコン又は酸化シリコン基板
上に高融点金属のケイ化物から成る層を形成させる方法
に関するものである。
化合物および金属ハロゲン化物を熱分解し金属ケイ化物
を減圧の下にガス相から析出させることにより、例えば
ＶＬＳＩ回路に使用するシリコン又は酸化シリコン基板
上に高融点金属のケイ化物から成る層を形成させる方法
に関するものである。
ケイ化タンタル層を対象にするこの種の方法はＶＬＳＩ
に関する第１回国際シンポジウムの報告書中のレーラー
（Lehrer）の論文および米国特許第４３５９４９０号明
細書に記載されている。
に関する第１回国際シンポジウムの報告書中のレーラー
（Lehrer）の論文および米国特許第４３５９４９０号明
細書に記載されている。
ＶＬＳＩ技術では接続導体路構造の作成に対して微小な
部分的には１μｍに達する深さの接触孔を必要とする
が、このような接触孔は蒸着又はスパッタリング等の従
来の層形成方法ではその縁端をケイ化物例えばチタン、
タンタル、モリブデン、タングステン、コバルト等の二
ケイ化物の層で完全に覆うことは不可能である。縁端部
の完全な被覆はＣＶＤ法によつて層を形成させる場合に
限つて達成される。
部分的には１μｍに達する深さの接触孔を必要とする
が、このような接触孔は蒸着又はスパッタリング等の従
来の層形成方法ではその縁端をケイ化物例えばチタン、
タンタル、モリブデン、タングステン、コバルト等の二
ケイ化物の層で完全に覆うことは不可能である。縁端部
の完全な被覆はＣＶＤ法によつて層を形成させる場合に
限つて達成される。
蒸着装置又はスパツタリング装置によつて縁端部を充分
に被覆しようと思えば、基板支持体を使用しそれに遊星
運動に加えて千鳥足運動をも行わせて、蒸気流が種々の
方向からできるだけ大きな入射角をもつて基板に当るよ
うにしなければならない。そのための機械的装置は極め
て微細な粒子を作り微細構造のデバイスに欠陥を生ず
る。この理由から縁端部を良好に被覆する層形成方法は
大きな利点をもたらすものである。ＣＶＤ法はこの種の
方法の一つであり、層材料はガス相から析出し特殊な断
面形状を持つ基板上にも一様な層を形成させる。
に被覆しようと思えば、基板支持体を使用しそれに遊星
運動に加えて千鳥足運動をも行わせて、蒸気流が種々の
方向からできるだけ大きな入射角をもつて基板に当るよ
うにしなければならない。そのための機械的装置は極め
て微細な粒子を作り微細構造のデバイスに欠陥を生ず
る。この理由から縁端部を良好に被覆する層形成方法は
大きな利点をもたらすものである。ＣＶＤ法はこの種の
方法の一つであり、層材料はガス相から析出し特殊な断
面形状を持つ基板上にも一様な層を形成させる。
次の熱分解式 SiH4→Si＋2H2 (1) で表わされる多結晶シリコンの析出過程において反応圧
力を標準圧力から低下させると、近接して配置された多
数の基板に対しても基板上の層の厚さを一様にすること
ができることは文献に記載されている（ジエンセン（K.
F.Jensen）およびグレーブス（D.B.Graves）の論文、雑
誌「ジヤーナル・エレクトロケミカル・ソサエテイ」
（J.Electrochem.Soc.）Vol.１３０，No.９．１９８
３，pp.１９５０）。前記のレーラー（Lehrer）の論文
により多結晶シリコンの析出に対する次の操作パラメー
タが公知である。
力を標準圧力から低下させると、近接して配置された多
数の基板に対しても基板上の層の厚さを一様にすること
ができることは文献に記載されている（ジエンセン（K.
F.Jensen）およびグレーブス（D.B.Graves）の論文、雑
誌「ジヤーナル・エレクトロケミカル・ソサエテイ」
（J.Electrochem.Soc.）Vol.１３０，No.９．１９８
３，pp.１９５０）。前記のレーラー（Lehrer）の論文
により多結晶シリコンの析出に対する次の操作パラメー
タが公知である。
ポリシリコンの析出に対して保証された操作パラメータ
に従つて例えば金属ハロゲン化物（例えば塩化タンタ
ル）を混合して低抵抗金属ケイ化物（例えばケイ化タン
タル）を作ろうとすると、層の厚さと成分組成の均一性
に関して難点が生ずる。その原因は両反応ガスの分子量
の大きな差異と例えば次反応式 SiH4＋TaCl5→Ta＋SiCl4＋3/2H2＋HCl） (2) による副反応に基いて両反応ガスの分離が起ることにあ
る。タンタル・シリコン層の厚さの分布と物質組成の均
等性は反応器圧力に大きく関係し、多数のシリコン板に
例えば二ケイ化タンタル層を均等に形成させることは困
難であることも前記のレーラー（Lehrer）の論文により
公知である。例えば２５枚の３インチシリコン板に同時
に層を成長させるためには、シリコン板が通常約３ｎｍ
の酸化膜で覆われていることから上記の層形成法を変え
て最初に一つのシリコン層を析出させ、その上にタンタ
ル分の多いケイ化物層を次の反応3SiH4＋5TaCl5＋13/2H
2→Ta5Si3＋25HCl (3) に基いて析出させなければならない。
に従つて例えば金属ハロゲン化物（例えば塩化タンタ
ル）を混合して低抵抗金属ケイ化物（例えばケイ化タン
タル）を作ろうとすると、層の厚さと成分組成の均一性
に関して難点が生ずる。その原因は両反応ガスの分子量
の大きな差異と例えば次反応式 SiH4＋TaCl5→Ta＋SiCl4＋3/2H2＋HCl） (2) による副反応に基いて両反応ガスの分離が起ることにあ
る。タンタル・シリコン層の厚さの分布と物質組成の均
等性は反応器圧力に大きく関係し、多数のシリコン板に
例えば二ケイ化タンタル層を均等に形成させることは困
難であることも前記のレーラー（Lehrer）の論文により
公知である。例えば２５枚の３インチシリコン板に同時
に層を成長させるためには、シリコン板が通常約３ｎｍ
の酸化膜で覆われていることから上記の層形成法を変え
て最初に一つのシリコン層を析出させ、その上にタンタ
ル分の多いケイ化物層を次の反応3SiH4＋5TaCl5＋13/2H
2→Ta5Si3＋25HCl (3) に基いて析出させなければならない。
TaSi2を得るためにはこのSi/Ta5Si3二重層を短時間例え
ば８００℃まで加熱してテンパー処理する必要がある。
ば８００℃まで加熱してテンパー処理する必要がある。
タンタル、シリコン析出に対しては上記の文献により次
のパラメータが適用される。
のパラメータが適用される。
上記の操作パラメータにおいて分解生成物の増強発生は
特に反応ガスを加熱壁反応器内で予備加熱することによ
つて起るものである。その割合の低下は１チヤージの板
数が低下することをがまんすれば冷壁反応器を使用し反
応ガス混合物を不活性ガスで薄めることで可能である。
この場合の反応は例えばケイ化タングステン析出に対し
て となる。温度は３５０〜４００℃、 である。
特に反応ガスを加熱壁反応器内で予備加熱することによ
つて起るものである。その割合の低下は１チヤージの板
数が低下することをがまんすれば冷壁反応器を使用し反
応ガス混合物を不活性ガスで薄めることで可能である。
この場合の反応は例えばケイ化タングステン析出に対し
て となる。温度は３５０〜４００℃、 である。
最後に文献（アキモト（K.Akimoto）およびワタナベ（K
・Watanabe）の論文、「アプライド・フイジツクス・レ
ター」（Appl.Phys.Letter）３９（１９８１）、ｐ．４
４５〜４４７）によりシランとフツ化タングステンを使
用してプラズマでバツクアツプされた蒸気析出（ＰＥＣ
ＶＤ）によりWxSil-xを形成させられることが公知であ
る。この場合のパラメータは温度２３０℃、 であつた。
・Watanabe）の論文、「アプライド・フイジツクス・レ
ター」（Appl.Phys.Letter）３９（１９８１）、ｐ．４
４５〜４４７）によりシランとフツ化タングステンを使
用してプラズマでバツクアツプされた蒸気析出（ＰＥＣ
ＶＤ）によりWxSil-xを形成させられることが公知であ
る。この場合のパラメータは温度２３０℃、 であつた。
これらのＣＶＤ法には総て分解生成物発生量が多くなる
か反応成分が分離することにより層の厚さ、物質組成の
均等性の外に金属・シリコン合金層製作の際の層の組合
せの自由選択性に関して欠点がある。
か反応成分が分離することにより層の厚さ、物質組成の
均等性の外に金属・シリコン合金層製作の際の層の組合
せの自由選択性に関して欠点がある。
この発明の目的は、このような欠点がなく、更に大量生
産に際しても縁端部の充分良好な被覆が達成される金属
ケイ化物層形成方法を提供することである。更に導体路
の形成に対しても階段状の厚さの低下が発生することな
く良好なデバイスの歩留りを上昇させることもこの発明
の目的である。
産に際しても縁端部の充分良好な被覆が達成される金属
ケイ化物層形成方法を提供することである。更に導体路
の形成に対しても階段状の厚さの低下が発生することな
く良好なデバイスの歩留りを上昇させることもこの発明
の目的である。
この目的は冒頭に挙げた方法において、ガスの分解と金
属ケイ化物の析出中反応室内の反応ガス圧力を吸引性能
の高いターボ分子ポンプを使用して1.3×１０-3から５
×１０-2mbarの間に低下させることによつて達成され
る。反応ガス圧力は特に２×１０-3mbarと４×１０-2mb
arの間に調整し、低圧ＣＶＤ法と呼ばれている方法にお
いての値より低くするのが有利である。
属ケイ化物の析出中反応室内の反応ガス圧力を吸引性能
の高いターボ分子ポンプを使用して1.3×１０-3から５
×１０-2mbarの間に低下させることによつて達成され
る。反応ガス圧力は特に２×１０-3mbarと４×１０-2mb
arの間に調整し、低圧ＣＶＤ法と呼ばれている方法にお
いての値より低くするのが有利である。
公知の低圧ＣＶＤ法（ＬＰＣＶＤ法）に比べて著しく低
いガス圧（これは層流から分子流領域に移ることであ
る）と少ないガス量とすることにより、ガスの混和が良
くなり微小な接触孔からの分解生成物の取り除きも迅速
に行われる。このような圧力低下は吸引能力の大きいタ
ーボ分子ポンプの使用によつて実現されるが、このター
ボ分子ポンプは軸受に不活性ガス洗浄を実施し、腐食防
止されたロータを使用し、１０-2mbarの圧力においても
高い回転数とする等の方法により腐食防止されていなけ
ればならない。
いガス圧（これは層流から分子流領域に移ることであ
る）と少ないガス量とすることにより、ガスの混和が良
くなり微小な接触孔からの分解生成物の取り除きも迅速
に行われる。このような圧力低下は吸引能力の大きいタ
ーボ分子ポンプの使用によつて実現されるが、このター
ボ分子ポンプは軸受に不活性ガス洗浄を実施し、腐食防
止されたロータを使用し、１０-2mbarの圧力においても
高い回転数とする等の方法により腐食防止されていなけ
ればならない。
反応ガス圧力が３×１０-2mbar以上のとき必要な圧力勾
配を作るため反応室への接続が絞られた断面特に絞り弁
を通しているターボ分子ポンプを使用することもこの発
明の枠内にある。これによつて反応ガス圧が約３×１０
-2mbar以上のときもターボ分子ポンプ自体はこれより低
い圧力範囲（例えば反応室内では４×１０-2mbar、ター
ボ分子ポンプでは１×１０-3mbar以下）内で動作するこ
とが可能となる。
配を作るため反応室への接続が絞られた断面特に絞り弁
を通しているターボ分子ポンプを使用することもこの発
明の枠内にある。これによつて反応ガス圧が約３×１０
-2mbar以上のときもターボ分子ポンプ自体はこれより低
い圧力範囲（例えば反応室内では４×１０-2mbar、ター
ボ分子ポンプでは１×１０-3mbar以下）内で動作するこ
とが可能となる。
このような減圧従つて低い濃度においてもなお析出が行
われるという事実は自明の事柄ではない。このように僅
かの過飽和では析出核の成立が困難であることは次の反
応式に従う純タンタルの析出において示される。
われるという事実は自明の事柄ではない。このように僅
かの過飽和では析出核の成立が困難であることは次の反
応式に従う純タンタルの析出において示される。
TaCl5＋5/2H2→Ta＋5HCl (5) 反応圧を下げると核密度が急激に低下し粗大結晶が析出
するようになる。この場合形成層は粗面となり緻密層で
はない。ケイ化析出の場合のように分解温度を例えば６
５０℃に下げてもなおこの効果が認められる。
するようになる。この場合形成層は粗面となり緻密層で
はない。ケイ化析出の場合のように分解温度を例えば６
５０℃に下げてもなおこの効果が認められる。
約６２０℃においてのケイ化タンタル析出の場合圧力を
0.36mbarから0.26mbarに下げると層の密度と成分組成の
一方又は双方が悪化することは上記のレーラー（Lehre
r）の論文から公知である。
0.36mbarから0.26mbarに下げると層の密度と成分組成の
一方又は双方が悪化することは上記のレーラー（Lehre
r）の論文から公知である。
この発明の方法では、シランの熱分解に際して1.3×１
０-3mbarから５×１０-2mbarの間の圧力範囲においても
シリコンが析出し、原子水素が基板表面で解放され高い
収率をもつて金属ハロゲン化物（例えばTaCl5，TaF5）
に還元されるという効果が利用される。この効果的な反
応に基いてハロゲン化金属の低い分圧にも拘らず例えば
タンタルが基板表面上で過飽和となり析出核が形成され
る。ハロゲン化金属の分圧を等しくしても分子水素の場
合には例えばタンタルの核形成に必要な過飽和が基板表
面との境界層内では達成されないことは文献（ヒーバー
（K.Hieber）およびシユトルツ（M.Stolz）論文、「シ
ーメンス・フオルシユング・ウント・エントウイツクル
ングス・ベリヒト（Siemens Forsch.und Entw.Ber.）６
（１９７７）、４、ｐ．２３２〜２３５）に示されてい
る。
０-3mbarから５×１０-2mbarの間の圧力範囲においても
シリコンが析出し、原子水素が基板表面で解放され高い
収率をもつて金属ハロゲン化物（例えばTaCl5，TaF5）
に還元されるという効果が利用される。この効果的な反
応に基いてハロゲン化金属の低い分圧にも拘らず例えば
タンタルが基板表面上で過飽和となり析出核が形成され
る。ハロゲン化金属の分圧を等しくしても分子水素の場
合には例えばタンタルの核形成に必要な過飽和が基板表
面との境界層内では達成されないことは文献（ヒーバー
（K.Hieber）およびシユトルツ（M.Stolz）論文、「シ
ーメンス・フオルシユング・ウント・エントウイツクル
ングス・ベリヒト（Siemens Forsch.und Entw.Ber.）６
（１９７７）、４、ｐ．２３２〜２３５）に示されてい
る。
分解中圧力を1.3〜１０-3〜５×１０-2mbarに減圧する
ことは次の利点を示す。
ことは次の利点を示す。
1. シランとその反応相手例えば五塩化タンタル又は五
フツ化タンタルとの混和が良好となり、 2. シランの均等な熱分解によりハロゲン化金属の分解
が制御され、層の厚さと材料組成が著しく均等化され
る。
フツ化タンタルとの混和が良好となり、 2. シランの均等な熱分解によりハロゲン化金属の分解
が制御され、層の厚さと材料組成が著しく均等化され
る。
この発明による圧力条件の下に行われる二ケイ化タンタ
ルの析出は次の反応式に従う。
ルの析出は次の反応式に従う。
2SiH4＋TaCl5→TaSi2＋3/2H2＋5HCl (6) 任意の基板上に析出した層の組成（たとえば金属ケイ化
物）はシランと塩化タンタルの供給量によつて任意に調
整することができる。一例を挙げればシラン又はハロゲ
ン化シランSiHxCl4-x（ｘ＝１，…，４）を使用して金
属ケイ化物MeSi2（Me＝Ti，Nb，Ta，Mo，Ｗ）を作るこ
とができる。更に高次のハロゲン化シラン例えばリコク
ロロホルム（SiHl3）を使用すると、熱分解に際して遊
離した原子水素が例えば五塩化タンタルの還元に対して
充分な量だけ存在しないことがあり得る。このような場
合この発明の一つの実施例では例えばプラズマ活性化に
よつて発生した原子水素を反応ガス混合物に追加する。
物）はシランと塩化タンタルの供給量によつて任意に調
整することができる。一例を挙げればシラン又はハロゲ
ン化シランSiHxCl4-x（ｘ＝１，…，４）を使用して金
属ケイ化物MeSi2（Me＝Ti，Nb，Ta，Mo，Ｗ）を作るこ
とができる。更に高次のハロゲン化シラン例えばリコク
ロロホルム（SiHl3）を使用すると、熱分解に際して遊
離した原子水素が例えば五塩化タンタルの還元に対して
充分な量だけ存在しないことがあり得る。このような場
合この発明の一つの実施例では例えばプラズマ活性化に
よつて発生した原子水素を反応ガス混合物に追加する。
この発明の方法を実施する水平型層形成装置の断面を示
す図面を参照してこの発明の実施例を説明する。この実
施例は二ケイ化タンタル（TaSi2）の金属化層を作るも
のである。
す図面を参照してこの発明の実施例を説明する。この実
施例は二ケイ化タンタル（TaSi2）の金属化層を作るも
のである。
タンタル濃度が３３乃至３６Mol%の高融点ケイ化タンタ
ルを極めて低い圧力の下にガス相から析出させるためシ
ランはガス流調整弁１を通して、五塩化タンタルの輸送
ガスとしての水素はガス流調整弁１１を通して反応室４
に導く。五塩化タンタルはサーモスタツト２内で蒸発さ
せ水素と混合する。水素１０乃至２５sccmとシラン２０
sccmの混合ガスとサーモスタツト２内で分圧が0.05mbar
の五塩化タンタルから成る反応ガス混合物を矢印１０で
示した個所から反応器４に入れる。この反応器は三帯域
炉で包囲され、予め１０-4mbar以下の気圧まで排気して
基板３をとりつけた基板支持体１３を加熱領域１４に入
れ、６５０℃に加熱しておく。反応器４の排気は８とし
て示した補助真空ポンプとそれに続くターボ分子ポンプ
７による。ターボ分子ポンプ７は反応ガス圧が３×１０
-2mbar以上のときも自身は低い気圧範囲で動作しなけれ
ばならない。これはポンプの吸引能力を過大に定めてお
き、反応室４に向つて絞り弁６によつて断面縮小させる
ことにより必要な圧力勾配を作る。これによつて反応室
内の圧力が４×１０-2mbarのときターボ分子ポンプ７内
では１×１０-3mbar以下の圧力に調整することができ
る。
ルを極めて低い圧力の下にガス相から析出させるためシ
ランはガス流調整弁１を通して、五塩化タンタルの輸送
ガスとしての水素はガス流調整弁１１を通して反応室４
に導く。五塩化タンタルはサーモスタツト２内で蒸発さ
せ水素と混合する。水素１０乃至２５sccmとシラン２０
sccmの混合ガスとサーモスタツト２内で分圧が0.05mbar
の五塩化タンタルから成る反応ガス混合物を矢印１０で
示した個所から反応器４に入れる。この反応器は三帯域
炉で包囲され、予め１０-4mbar以下の気圧まで排気して
基板３をとりつけた基板支持体１３を加熱領域１４に入
れ、６５０℃に加熱しておく。反応器４の排気は８とし
て示した補助真空ポンプとそれに続くターボ分子ポンプ
７による。ターボ分子ポンプ７は反応ガス圧が３×１０
-2mbar以上のときも自身は低い気圧範囲で動作しなけれ
ばならない。これはポンプの吸引能力を過大に定めてお
き、反応室４に向つて絞り弁６によつて断面縮小させる
ことにより必要な圧力勾配を作る。これによつて反応室
内の圧力が４×１０-2mbarのときターボ分子ポンプ７内
では１×１０-3mbar以下の圧力に調整することができ
る。
ターボ分子ポンプは腐食防止されていなければならない
から、その軸受には矢印１２で示す窒素流洗浄を行い腐
食防止したロータを使用する。
から、その軸受には矢印１２で示す窒素流洗浄を行い腐
食防止したロータを使用する。
５と１５は逆止弁であり、残りガスは矢印９で示すよう
に排出される。
に排出される。
層を設ける基板３はデバイス構造を備えたシリコン結晶
板である。基板３の加熱は図に示されていない熱電対に
よつてコントロールされる。反応器内の気圧は析出過程
中４×１０-2mbarに保持される。基板温度が６５０℃の
とき反応式(6)による二ケイ化タンタル層の成長速度は
５〜ｎｍ/minとなる。
板である。基板３の加熱は図に示されていない熱電対に
よつてコントロールされる。反応器内の気圧は析出過程
中４×１０-2mbarに保持される。基板温度が６５０℃の
とき反応式(6)による二ケイ化タンタル層の成長速度は
５〜ｎｍ/minとなる。
図面はこの発明の方法を実施する装置の一例の構成を示
す略図であり、２は熱分解サーモスタツト、３は層形成
基板、４は反応器、８は補助真空ポンプ、７はターボ分
子ポンプである。
す略図であり、２は熱分解サーモスタツト、３は層形成
基板、４は反応器、８は補助真空ポンプ、７はターボ分
子ポンプである。
Claims (7)
- 【請求項１】シリコンを含む水素化合物、ハロゲン水素
化合物および金属ハロゲン化物を熱分解し減圧の下にガ
ス相から金属ケイ化物を析出させることによりシリコン
又は酸化シリコンの基板上に高融点金属のケイ化物から
成る層を形成させる方法において、ガスの分解と金属ケ
イ化物の析出中反応室（４）内の反応ガス圧力を高い吸
引能力のターボ分子ポンプ（７）を使用して1.3×１０
-3mbarと５×１０-2mbarの間に減圧することを特徴とす
るガス相析出による金属ケイ化物層形成方法。 - 【請求項２】反応ガス圧力を２×１０-3mbarから４×１
０-2mbarの間に調整することを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の方法。 - 【請求項３】ターボ分子ポンプ（７）の軸受に対して不
活性ガス洗浄（１２）を行うこと、腐食防止ロータを使
用することを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
項記載の方法。 - 【請求項４】反応ガス圧力が３×１０-2mbar以上である
とき必要なガス圧の勾配を作るため反応室（４）への接
続が絞られた断面特に絞り弁（６）を通して形成される
ターボ分子ポンプ（７）を使用することを特徴とする特
許請求の範囲第１項乃至第３項の一つに記載の方法。 - 【請求項５】高次ハロゲン化シラン例えばシリコクロロ
ホルム（SiHCl3）を使用する場合反応ガスにプラズマ活
性化によつて作られた原子水素を加えることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項乃至第４項の一つに記載の方
法。 - 【請求項６】金属ハロゲン化物の輸送に水素又は水素・
不活性ガス混合物を使用し、これを金属ハロゲン化物の
上に導くことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
５項の一つに記載の方法。 - 【請求項７】金属ハロゲン化物として五塩化タンタル
（TaCl5）を使用することを特徴とする特許請求の範囲
第１項乃至第６項の一つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19843413064 DE3413064A1 (de) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | Verfahren zum herstellen von metallsilizidschichten durch abscheidung aus der gasphase bei vermindertem druck und deren verwendung |
| DE3413064.0 | 1984-04-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60230983A JPS60230983A (ja) | 1985-11-16 |
| JPH0635660B2 true JPH0635660B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=6232906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60072512A Expired - Lifetime JPH0635660B2 (ja) | 1984-04-06 | 1985-04-05 | ガス相析出による金属ケイ化物層形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4608271A (ja) |
| JP (1) | JPH0635660B2 (ja) |
| CA (1) | CA1238822A (ja) |
| DE (1) | DE3413064A1 (ja) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61250172A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-07 | Fujitsu Ltd | タングステンシリサイド膜の成長方法 |
| FR2589887B1 (fr) * | 1985-11-14 | 1988-10-07 | Semy Engineering | Procede et reacteur de depot de couches de siliciure |
| US4835114A (en) * | 1986-02-19 | 1989-05-30 | Hitachi, Ltd. | Method for LPCVD of semiconductors using oil free vacuum pumps |
| US4696834A (en) * | 1986-02-28 | 1987-09-29 | Dow Corning Corporation | Silicon-containing coatings and a method for their preparation |
| US4766006A (en) * | 1986-05-15 | 1988-08-23 | Varian Associates, Inc. | Low pressure chemical vapor deposition of metal silicide |
| US4684542A (en) * | 1986-08-11 | 1987-08-04 | International Business Machines Corporation | Low pressure chemical vapor deposition of tungsten silicide |
| JP2592844B2 (ja) * | 1987-07-10 | 1997-03-19 | 株式会社東芝 | 高融点金属膜の形成方法 |
| GB2213836B (en) * | 1987-12-18 | 1992-08-26 | Gen Electric Co Plc | Vacuum deposition process |
| GB2213835B (en) * | 1987-12-18 | 1992-07-08 | Gen Electric Co Plc | Deposition apparatus |
| JPH02185973A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Tokyo Electron Ltd | 金属シリサイド膜の形成方法 |
| US5110760A (en) * | 1990-09-28 | 1992-05-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of nanometer lithography |
| US5344792A (en) * | 1993-03-04 | 1994-09-06 | Micron Technology, Inc. | Pulsed plasma enhanced CVD of metal silicide conductive films such as TiSi2 |
| JPH09202973A (ja) * | 1996-01-24 | 1997-08-05 | Tokyo Electron Ltd | 成膜処理装置の排気システム構造 |
| US5919531A (en) * | 1997-03-26 | 1999-07-06 | Gelest, Inc. | Tantalum and tantalum-based films and methods of making the same |
| US5856237A (en) * | 1997-10-20 | 1999-01-05 | Industrial Technology Research Institute | Insitu formation of TiSi2/TiN bi-layer structures using self-aligned nitridation treatment on underlying CVD-TiSi2 layer |
| KR20000007363A (ko) * | 1998-07-02 | 2000-02-07 | 제임스 알. 데니히 | 탄탈 및 탄탈을 주성분으로 하는 막과 그의제조방법 |
| WO2000047404A1 (en) * | 1999-02-12 | 2000-08-17 | Gelest, Inc. | Chemical vapor deposition of tungsten nitride |
| US6265311B1 (en) | 1999-04-27 | 2001-07-24 | Tokyo Electron Limited | PECVD of TaN films from tantalum halide precursors |
| US6139922A (en) * | 1999-05-18 | 2000-10-31 | Gelest, Inc. | Tantalum and tantalum-based films formed using fluorine-containing source precursors and methods of making the same |
| US6632737B1 (en) * | 2000-10-13 | 2003-10-14 | Tokyo Electron Limited | Method for enhancing the adhesion of a barrier layer to a dielectric |
| DE10221112B4 (de) * | 2002-05-03 | 2008-04-03 | Fhr Anlagenbau Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines metallisch glänzenden Schichtsystems auf einem Substrat und Verwendung des Verfahrens |
| US6586330B1 (en) | 2002-05-07 | 2003-07-01 | Tokyo Electron Limited | Method for depositing conformal nitrified tantalum silicide films by thermal CVD |
| US6995081B2 (en) * | 2002-08-28 | 2006-02-07 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming tantalum silicide layers |
| US6967159B2 (en) * | 2002-08-28 | 2005-11-22 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming refractory metal nitride layers using organic amines |
| US6794284B2 (en) * | 2002-08-28 | 2004-09-21 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming refractory metal nitride layers using disilazanes |
| US7399335B2 (en) * | 2005-03-22 | 2008-07-15 | H.C. Starck Inc. | Method of preparing primary refractory metal |
| WO2010108065A1 (en) * | 2009-03-19 | 2010-09-23 | Ae Polysilicon Corporation | Silicide - coated metal surfaces and methods of utilizing same |
| WO2010123873A1 (en) * | 2009-04-20 | 2010-10-28 | Ae Polysilicon Corporation | A reactor with silicide-coated metal surfaces |
| WO2010123869A1 (en) | 2009-04-20 | 2010-10-28 | Ae Polysilicon Corporation | Methods and system for cooling a reaction effluent gas |
| KR20120023678A (ko) * | 2009-04-20 | 2012-03-13 | 에이이 폴리실리콘 코포레이션 | 고순도 폴리실리콘의 제조를 위한 방법 및 장치 |
| CN102936720A (zh) * | 2012-11-15 | 2013-02-20 | 复旦大学 | 一种低压热壁密集装片原子层淀积设备和工艺 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4359490A (en) * | 1981-07-13 | 1982-11-16 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Method for LPCVD co-deposition of metal and silicon to form metal silicide |
-
1984
- 1984-04-06 DE DE19843413064 patent/DE3413064A1/de active Granted
-
1985
- 1985-03-22 US US06/714,850 patent/US4608271A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-04-04 CA CA000478372A patent/CA1238822A/en not_active Expired
- 1985-04-05 JP JP60072512A patent/JPH0635660B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60230983A (ja) | 1985-11-16 |
| US4608271A (en) | 1986-08-26 |
| DE3413064A1 (de) | 1985-10-31 |
| DE3413064C2 (ja) | 1993-01-21 |
| CA1238822A (en) | 1988-07-05 |
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Legal Events
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