JPH06350146A - 超電導装置 - Google Patents
超電導装置Info
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- JPH06350146A JPH06350146A JP5141974A JP14197493A JPH06350146A JP H06350146 A JPH06350146 A JP H06350146A JP 5141974 A JP5141974 A JP 5141974A JP 14197493 A JP14197493 A JP 14197493A JP H06350146 A JPH06350146 A JP H06350146A
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- JP
- Japan
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- envelope
- cooling
- superconducting
- electronic cooling
- sealed
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- Pending
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B21/00—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
- F25B21/02—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/81—Containers; Mountings
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
- Y10S257/93—Thermoelectric, e.g. peltier effect cooling
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 超電導素子とペルチエ効果素子を一体的にし
て不活性ガス雰囲気にて封印した超電導装置において、
冷却効率を向上させ、さらに外部の水分が外囲器上へ結
露することを防止する。 【構成】 超電導現象を示す被冷却体である超電導素子
１と、超電導素子１に絶縁層６を介して設けた冷却電極
８、冷却電極８に連結して形成されたｐ型およびｎ型半
導体層２ｂおよび２ａ、半導体層２ａ、２ｂのそれぞれ
の導電型半導体層に別々に形成された放熱電極７、放熱
電極７に絶縁層６を介して設けられた放熱板５からなる
電子冷却素子と、外部回路と超電導素子１と電子冷却素
子とをそれぞれ電気的に接続するリード線とを有し、超
電導素子１と電子冷却素子が一体的にパッケージングさ
れて第１の外囲器３内に設置され、第１の外囲器３内
が、不活性ガス雰囲気にて封印され、第１の外囲器３が
第２の外囲器４内に設置され、第２の外囲器４内が、真
空状態で封印されてなる。
て不活性ガス雰囲気にて封印した超電導装置において、
冷却効率を向上させ、さらに外部の水分が外囲器上へ結
露することを防止する。 【構成】 超電導現象を示す被冷却体である超電導素子
１と、超電導素子１に絶縁層６を介して設けた冷却電極
８、冷却電極８に連結して形成されたｐ型およびｎ型半
導体層２ｂおよび２ａ、半導体層２ａ、２ｂのそれぞれ
の導電型半導体層に別々に形成された放熱電極７、放熱
電極７に絶縁層６を介して設けられた放熱板５からなる
電子冷却素子と、外部回路と超電導素子１と電子冷却素
子とをそれぞれ電気的に接続するリード線とを有し、超
電導素子１と電子冷却素子が一体的にパッケージングさ
れて第１の外囲器３内に設置され、第１の外囲器３内
が、不活性ガス雰囲気にて封印され、第１の外囲器３が
第２の外囲器４内に設置され、第２の外囲器４内が、真
空状態で封印されてなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超電導現象を示す素子
と冷却用素子を組み合わせた超電導装置に関するもので
ある。
と冷却用素子を組み合わせた超電導装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ある種の導電材料を低温冷却
すると電気抵抗が零になる超電導現象について、例えば
鉛やニオブ合金を液体ヘリウム温度程度の極低温に冷却
した場合に現れることが知られている。従って、このよ
うな超電導現象をスイッチング素子や高感度センサ素子
に利用した場合、電力損失を生じることなく高速、高感
度動作させることができるという非常に優れた利点を有
する。しかし、反面極低温に冷却することが必要であ
り、液体ヘリウムと液体窒素を用いたクライオスタット
と称される冷却装置内に収納して用いなければならず、
この冷却装置は、大型で複雑かつ高価であるため実用性
を著しく阻害する原因となっている。現時点では、この
問題点が解消されていないので、超電導現象が広く一般
に利用されるには至っていないというのが実情である。
すると電気抵抗が零になる超電導現象について、例えば
鉛やニオブ合金を液体ヘリウム温度程度の極低温に冷却
した場合に現れることが知られている。従って、このよ
うな超電導現象をスイッチング素子や高感度センサ素子
に利用した場合、電力損失を生じることなく高速、高感
度動作させることができるという非常に優れた利点を有
する。しかし、反面極低温に冷却することが必要であ
り、液体ヘリウムと液体窒素を用いたクライオスタット
と称される冷却装置内に収納して用いなければならず、
この冷却装置は、大型で複雑かつ高価であるため実用性
を著しく阻害する原因となっている。現時点では、この
問題点が解消されていないので、超電導現象が広く一般
に利用されるには至っていないというのが実情である。
【０００３】近年、新たな超電導現象を示す酸化物材料
が順次出現しており、これらの材料を用いれば、より室
温に近い低温で超電導装置を構成することができるもの
と期待されている。また、集積回路又は薄膜素子の分野
において用いられている微細加工技術により、電界放出
型電子源を用いた微小電子管や薄型表示素子等の電界放
出型電子素子が製造されている。
が順次出現しており、これらの材料を用いれば、より室
温に近い低温で超電導装置を構成することができるもの
と期待されている。また、集積回路又は薄膜素子の分野
において用いられている微細加工技術により、電界放出
型電子源を用いた微小電子管や薄型表示素子等の電界放
出型電子素子が製造されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、再現性
良く超電導現象を生起させ、信頼性の高い装置とするた
めには、これらの材料を用いた場合であっても相当に低
い温度まで冷却するための手段を付加することは必要不
可欠であり、装置全体の大型化及び高価格化を招来する
結果となる。
良く超電導現象を生起させ、信頼性の高い装置とするた
めには、これらの材料を用いた場合であっても相当に低
い温度まで冷却するための手段を付加することは必要不
可欠であり、装置全体の大型化及び高価格化を招来する
結果となる。
【０００５】以上の問題を解決するため、本発明者は昭
和62年６月19日付で超電導素子をペルチエ効果素子の冷
却部に配置し、外囲器内に収納した構造の超電導装置を
特許出願している（特願昭６２−１７４４４３号参
照）。
和62年６月19日付で超電導素子をペルチエ効果素子の冷
却部に配置し、外囲器内に収納した構造の超電導装置を
特許出願している（特願昭６２−１７４４４３号参
照）。
【０００６】また、上記出願発明で、外囲器内が不活性
ガス雰囲気にて封印されることを提唱しており、不活性
ガスを用いて封印することにより信頼性が向上するが、
実際には、不活性ガスの存在により外囲器が冷却される
ため、冷却効率の低下や空気中の水分が結露して外囲器
へ付着するなどの問題点がある。
ガス雰囲気にて封印されることを提唱しており、不活性
ガスを用いて封印することにより信頼性が向上するが、
実際には、不活性ガスの存在により外囲器が冷却される
ため、冷却効率の低下や空気中の水分が結露して外囲器
へ付着するなどの問題点がある。
【０００７】本発明は、上記のような課題を解決するも
のになされたものであって、室温に近い低温(例えば１
００Ｋ以上)で超電導現象を示す素子の冷却手段として
ペルチエ効果を利用した装置の改良を目的とする。即
ち、超電導素子とペルチエ効果素子を一体的にして不活
性ガス雰囲気にて封印した超電導装置において、冷却効
率を向上させ、さらに外部の水分が外囲器上へ結露する
ことを防止することを目的とするものである。
のになされたものであって、室温に近い低温(例えば１
００Ｋ以上)で超電導現象を示す素子の冷却手段として
ペルチエ効果を利用した装置の改良を目的とする。即
ち、超電導素子とペルチエ効果素子を一体的にして不活
性ガス雰囲気にて封印した超電導装置において、冷却効
率を向上させ、さらに外部の水分が外囲器上へ結露する
ことを防止することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では、超電導現象
を示す被冷却体と、その被冷却体に絶縁層を介して設け
た冷却用金属電極、その金属電極に連結して形成された
ｐ型およびｎ型半導体層、その半導体層のそれぞれの導
電型半導体層に別々に形成された放熱用金属電極層、そ
の金属電極層に絶縁層を介して設けられた放熱板からな
る電子冷却素子と、外部回路と被冷却体と電子冷却素子
とをそれぞれ電気的に接続するリード線とを有し、冷却
体と電子冷却素子が一体的にパッケージングされて第１
の外囲器内に設置され、第１の外囲器内が、不活性ガス
雰囲気にて封印され、第１の外囲器が第２の外囲器内に
設置され、第２の外囲器内が、真空状態で封印されてな
るように超電導装置を構成している。
を示す被冷却体と、その被冷却体に絶縁層を介して設け
た冷却用金属電極、その金属電極に連結して形成された
ｐ型およびｎ型半導体層、その半導体層のそれぞれの導
電型半導体層に別々に形成された放熱用金属電極層、そ
の金属電極層に絶縁層を介して設けられた放熱板からな
る電子冷却素子と、外部回路と被冷却体と電子冷却素子
とをそれぞれ電気的に接続するリード線とを有し、冷却
体と電子冷却素子が一体的にパッケージングされて第１
の外囲器内に設置され、第１の外囲器内が、不活性ガス
雰囲気にて封印され、第１の外囲器が第２の外囲器内に
設置され、第２の外囲器内が、真空状態で封印されてな
るように超電導装置を構成している。
【０００９】また、上記の超電導装置において、電子冷
却素子を少なくとも２個以上具備し、該電子冷却素子に
流れる電流により形成される磁界が、互いに相殺するよ
うに配設している。
却素子を少なくとも２個以上具備し、該電子冷却素子に
流れる電流により形成される磁界が、互いに相殺するよ
うに配設している。
【００１０】
【作用】本発明は、超電導現象を示す被冷却体と、通電
によってペルチエ効果を呈する冷却素子を一体的に不活
性ガス雰囲気でパッケージした外囲器をさらに真空雰囲
気でパッケージして、冷却素子によって冷却された外囲
器を外部から熱的に遮断しているので、超電導装置の冷
却効率を向上させ、さらに外部の水分が外囲器上へ結露
することを防止することができる。
によってペルチエ効果を呈する冷却素子を一体的に不活
性ガス雰囲気でパッケージした外囲器をさらに真空雰囲
気でパッケージして、冷却素子によって冷却された外囲
器を外部から熱的に遮断しているので、超電導装置の冷
却効率を向上させ、さらに外部の水分が外囲器上へ結露
することを防止することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明に基づく超電導装置の一実施例
について図面を参照して説明する。図１は、本発明の一
実施例を示す超電導装置の基本構成図である。タリウ
ム、バリウム、カルシウムに銅と酸素を結合させた、比
較的高温で超電導現象を示す被冷却体である超電導素子
１が、半導体のペルチエ効果を利用した電子冷却素子を
内蔵した冷却器２上に載置されている。この超電導素子
１は、１２５Ｋで超電導特性を示し、ジョセフソン素
子、マイクロ波センサ、磁気センサ等として利用され
る。尚、上記構成以外に、電子冷却素子と熱的に連結さ
れた冷却板上に、超電導材料を半導体回路の配線として
用いた半導体装置や集積回路等を載置した構成とするこ
ともできる。
について図面を参照して説明する。図１は、本発明の一
実施例を示す超電導装置の基本構成図である。タリウ
ム、バリウム、カルシウムに銅と酸素を結合させた、比
較的高温で超電導現象を示す被冷却体である超電導素子
１が、半導体のペルチエ効果を利用した電子冷却素子を
内蔵した冷却器２上に載置されている。この超電導素子
１は、１２５Ｋで超電導特性を示し、ジョセフソン素
子、マイクロ波センサ、磁気センサ等として利用され
る。尚、上記構成以外に、電子冷却素子と熱的に連結さ
れた冷却板上に、超電導材料を半導体回路の配線として
用いた半導体装置や集積回路等を載置した構成とするこ
ともできる。
【００１２】超電導素子１は、冷却器２上に絶縁体を介
して熱伝導の良好な状態で接着され、ガラスや金属等か
ら成る第１の外囲器３内でアルゴン、窒素、ネオン、ヘ
リウム等の不活性ガス雰囲気にて封止されており、さら
に第２の外囲器４で真空雰囲気で封止されている。冷却
器２は、外囲器３、４の底面内壁に固着され、リードを
介して外部通電回路と接続される。同様に、超電導素子
１にも、リードを介して外部回路と信号入出力経路が形
成されている。
して熱伝導の良好な状態で接着され、ガラスや金属等か
ら成る第１の外囲器３内でアルゴン、窒素、ネオン、ヘ
リウム等の不活性ガス雰囲気にて封止されており、さら
に第２の外囲器４で真空雰囲気で封止されている。冷却
器２は、外囲器３、４の底面内壁に固着され、リードを
介して外部通電回路と接続される。同様に、超電導素子
１にも、リードを介して外部回路と信号入出力経路が形
成されている。
【００１３】冷却部２の電子冷却素子へ通電することに
より、冷却器２の温度が下がり、この冷却器２と熱的に
連結されている超電導素子１が、動作温度まで冷却され
る。このとき、第１の外囲器３の外部周辺は、第２の外
囲器４によって、真空に保持されているため、第１の外
囲器３上に結露等を生じることなく、効率良く超電導素
子１を冷却することができる。
より、冷却器２の温度が下がり、この冷却器２と熱的に
連結されている超電導素子１が、動作温度まで冷却され
る。このとき、第１の外囲器３の外部周辺は、第２の外
囲器４によって、真空に保持されているため、第１の外
囲器３上に結露等を生じることなく、効率良く超電導素
子１を冷却することができる。
【００１４】図２は、図１の実施例に用いられる超電導
素子１と冷却器２の具体的構造を示す断面図である。外
囲器３、４の底部を構成する放熱板５上に、薄い絶縁層
６を介して電子冷却素子の放熱電極７が並設され、各放
熱電極７にペルチエ効果を得るためのｎ型及びｐ型半導
体層２ａ及び２ｂ端部が、それぞれ連結されている。ま
た、双方の半導体層２ａ、２ｂの他方端には、冷却電極
８が架設されている。放熱板５には、外部接続用リード
端子９が絶縁層を介して電気的に絶縁化された状態で貫
通固定され、このリード端子９と放熱電極７とが接続さ
れて電子冷却素子が通電される。冷却電極８上には、絶
縁層６を介して超電導素子１が固着されている。超電導
素子１は、ワイヤリード１０を介して第１、第２の外囲
器３、４の上部壁に貫通固定された電極素子１１と電気
的に接続されており、外部回路との間で信号の入出力経
路が確保されている。尚、超電導素子１が絶縁物で被覆
されている場合には、絶縁層６は不要である。
素子１と冷却器２の具体的構造を示す断面図である。外
囲器３、４の底部を構成する放熱板５上に、薄い絶縁層
６を介して電子冷却素子の放熱電極７が並設され、各放
熱電極７にペルチエ効果を得るためのｎ型及びｐ型半導
体層２ａ及び２ｂ端部が、それぞれ連結されている。ま
た、双方の半導体層２ａ、２ｂの他方端には、冷却電極
８が架設されている。放熱板５には、外部接続用リード
端子９が絶縁層を介して電気的に絶縁化された状態で貫
通固定され、このリード端子９と放熱電極７とが接続さ
れて電子冷却素子が通電される。冷却電極８上には、絶
縁層６を介して超電導素子１が固着されている。超電導
素子１は、ワイヤリード１０を介して第１、第２の外囲
器３、４の上部壁に貫通固定された電極素子１１と電気
的に接続されており、外部回路との間で信号の入出力経
路が確保されている。尚、超電導素子１が絶縁物で被覆
されている場合には、絶縁層６は不要である。
【００１５】また、放熱板５と第１の外囲器３及び第２
の外囲器４の周囲壁との接合部は、内部を気密封止する
ようにシールされている。第１の外囲器３は、さらに真
空雰囲気で第２の外囲器４に封止されている。第２の外
囲器の周囲壁は、外部からの輻射熱を防止するようにコ
ーティングされたガラス容器あるいは光沢を呈する金属
容器で構成される。
の外囲器４の周囲壁との接合部は、内部を気密封止する
ようにシールされている。第１の外囲器３は、さらに真
空雰囲気で第２の外囲器４に封止されている。第２の外
囲器の周囲壁は、外部からの輻射熱を防止するようにコ
ーティングされたガラス容器あるいは光沢を呈する金属
容器で構成される。
【００１６】電子冷却素子の半導体層２ａ、２ｂとして
はビスマス、テルル、アンチモン等の合金で作製しても
よいが、低温での冷却効果の優れている金属の酸化物半
導体やその化合物を用いると、より一層の効果が得られ
る。
はビスマス、テルル、アンチモン等の合金で作製しても
よいが、低温での冷却効果の優れている金属の酸化物半
導体やその化合物を用いると、より一層の効果が得られ
る。
【００１７】以上により、リード端子９を介して通電す
ることにより、第１の外囲器３内でペルチエ効果に基づ
いて冷却電極８が低温冷却され、この温度が超電導素子
１に伝達される。一方、放熱電極７で生ずる発熱は、放
熱板５を介して外部へ効率良く放散される。
ることにより、第１の外囲器３内でペルチエ効果に基づ
いて冷却電極８が低温冷却され、この温度が超電導素子
１に伝達される。一方、放熱電極７で生ずる発熱は、放
熱板５を介して外部へ効率良く放散される。
【００１８】図３は、本発明に用いられる冷却器の他の
実施例を示す構成図である。本実施例では、電子冷却素
子を二段カスケード構造に構成している。このような構
成とすることにより、冷却電極８上に絶縁層６を介して
載置された超電導素子をより一層低温にまで冷却するこ
とができる。
実施例を示す構成図である。本実施例では、電子冷却素
子を二段カスケード構造に構成している。このような構
成とすることにより、冷却電極８上に絶縁層６を介して
載置された超電導素子をより一層低温にまで冷却するこ
とができる。
【００１９】電子冷却素子は、ｎ型半導体２ａとｐ型半
導体２ｂを対として作製されており、一対の電子冷却素
子で約５０度の冷却が容易に行われる。これ以上の冷却
を要する場合には、図３に示すごとく電子冷却素子をカ
スケード構造とし、必要に応じて多段に構成することに
より、冷却能力を適宜増強することができる。例えば、
３段あるいは４段のカスケード接続にすれば、１５０度
程度の冷却は容易に実現し得るので、超電導素子１の温
度を絶対温度１２０度程度に維持することは容易であ
る。また、この程度の低温で超電導現象を示す材料は、
これまでにタリウム−バリウム−カルシウム−銅の酸化
物において得られている。
導体２ｂを対として作製されており、一対の電子冷却素
子で約５０度の冷却が容易に行われる。これ以上の冷却
を要する場合には、図３に示すごとく電子冷却素子をカ
スケード構造とし、必要に応じて多段に構成することに
より、冷却能力を適宜増強することができる。例えば、
３段あるいは４段のカスケード接続にすれば、１５０度
程度の冷却は容易に実現し得るので、超電導素子１の温
度を絶対温度１２０度程度に維持することは容易であ
る。また、この程度の低温で超電導現象を示す材料は、
これまでにタリウム−バリウム−カルシウム−銅の酸化
物において得られている。
【００２０】図４は、電子冷却素子のさらに他の実施例
を示す構成図である。図４（ａ）に結線図として示すご
とく、２個一対の電子冷却素子のｐ型とｎ型を直列接続
して、これを図４（ｂ）に示すごとく並置する。これに
よって、ｐ型半導体、冷却電極及びｎ型半導体を介して
形成される回路で形成される磁界が互いに相殺する方向
に働くため、磁界による悪影響を解消することができ
る。このように、電子冷却素子の冷却電極８に流れる電
流の方向を隣接する相互間で逆に設定して、電子冷却素
子を順次並設することにより、冷却機能の高い冷却器が
得られる。
を示す構成図である。図４（ａ）に結線図として示すご
とく、２個一対の電子冷却素子のｐ型とｎ型を直列接続
して、これを図４（ｂ）に示すごとく並置する。これに
よって、ｐ型半導体、冷却電極及びｎ型半導体を介して
形成される回路で形成される磁界が互いに相殺する方向
に働くため、磁界による悪影響を解消することができ
る。このように、電子冷却素子の冷却電極８に流れる電
流の方向を隣接する相互間で逆に設定して、電子冷却素
子を順次並設することにより、冷却機能の高い冷却器が
得られる。
【００２１】超電導素子１としては、前述したものの
他、スーパーショットキー接合より成る高感度センサ、
ＳＱＵＩＤあるいは半導体と超伝導体とからなる三端子
素子等が実用に供される。さらに、ＳｉやＧａＡｓ等の
回路素子間を結ぶ配線として超電導材料を用いた集積回
路がある。
他、スーパーショットキー接合より成る高感度センサ、
ＳＱＵＩＤあるいは半導体と超伝導体とからなる三端子
素子等が実用に供される。さらに、ＳｉやＧａＡｓ等の
回路素子間を結ぶ配線として超電導材料を用いた集積回
路がある。
【００２２】
【発明の効果】以上詳説したごとく、本発明によれば、
非常に簡単な構成及び制御手段により、超電導素子を動
作させることができると共に、外部の水分が外囲器上へ
結露することを防止することができ、超電導現象を示す
装置の実用化が達成される。また、構造が簡単で製作も
容易であるため、コスト的にも安価であり、装置全体と
しても小型化することができる。
非常に簡単な構成及び制御手段により、超電導素子を動
作させることができると共に、外部の水分が外囲器上へ
結露することを防止することができ、超電導現象を示す
装置の実用化が達成される。また、構造が簡単で製作も
容易であるため、コスト的にも安価であり、装置全体と
しても小型化することができる。
【図１】本発明の１実施例を示す超電導装置の基本構成
図である。
図である。
【図２】図１に示す超電導装置の冷却構造の要部詳細断
面図である。
面図である。
【図３】電子冷却素子の他の実施例を示す構成図であ
る。
る。
【図４】電子冷却素子の更に他の実施例を示す構成図で
ある。
ある。
１ 超電導素子 ２ 冷却器 ３ 第１の外囲器 ４ 第２の外囲器 ５ 放熱板 ６ 絶縁層 ７ 放熱電極 ８ 冷却電極
Claims (2)
- 【請求項１】 超電導現象を示す被冷却体と、 該被冷却体に絶縁層を介して設けた冷却用金属電極、該
金属電極に連結して形成されたｐ型およびｎ型半導体
層、該半導体層のそれぞれの導電型半導体層に別々に形
成された放熱用金属電極層、該金属電極層に絶縁層を介
して設けられた放熱板からなる電子冷却素子と、 外部回路と前記被冷却体と前記電子冷却素子とをそれぞ
れ電気的に接続するリード線とを有する超電導装置であ
って、 前記冷却体と前記電子冷却素子が一体的にパッケージン
グされて第１の外囲器内に設置され、該第１の外囲器内
が、不活性ガス雰囲気にて封印され、該第１の外囲器が
第２の外囲器内に設置され、該第２の外囲器内が、真空
状態で封印されてなることを特徴とする超電導装置。 - 【請求項２】 前記電子冷却素子を少なくとも２個以上
具備し、該電子冷却素子に流れる電流により形成される
磁界が、互いに相殺するように配設されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の超電導装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5141974A JPH06350146A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 超電導装置 |
| US08/236,109 US5449952A (en) | 1993-06-14 | 1994-05-02 | Superconducting apparatus having dew-preventable Peltier-effect element integrated therewith |
| EP94304279A EP0630059B1 (en) | 1993-06-14 | 1994-06-14 | Superconducting apparatus having dew-preventable peltier-effect element integrated therewith |
| DE69415089T DE69415089T2 (de) | 1993-06-14 | 1994-06-14 | Supraleitende Vorrichtung mit darin integriertem Beschlag vorbeugenden Peltierelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5141974A JPH06350146A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 超電導装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06350146A true JPH06350146A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15304456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5141974A Pending JPH06350146A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 超電導装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5449952A (ja) |
| EP (1) | EP0630059B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06350146A (ja) |
| DE (1) | DE69415089T2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5714791A (en) * | 1995-12-22 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | On-chip Peltier cooling devices on a micromachined membrane structure |
| WO2002030069A1 (en) * | 2000-10-06 | 2002-04-11 | Irvine Sensors Corporation | High speed multi-stage stacked layers switch |
| DE10132763B4 (de) * | 2001-07-10 | 2007-10-11 | Robert Bosch Gmbh | Integrierte Halbleiterschaltung, Verfahren zum Kühlen eines Mikrowellenschaltungsbereiches und Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltung |
| KR100475010B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2005-03-10 | 주식회사 제펠 | 전자냉각 디바이스 검사 방법 및 시스템 |
| US7615385B2 (en) | 2006-09-20 | 2009-11-10 | Hypres, Inc | Double-masking technique for increasing fabrication yield in superconducting electronics |
| US8510244B2 (en) | 2009-03-20 | 2013-08-13 | ISC8 Inc. | Apparatus comprising artificial neuronal assembly |
| CN108207097B (zh) | 2018-02-09 | 2022-04-29 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种隔热装置和电子产品 |
| CN114019258B (zh) * | 2022-01-07 | 2022-03-22 | 江苏浦丹光电技术有限公司 | 一种电场传感器用具有高灵敏度的封装盖板及其封装装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3814964A (en) * | 1973-01-19 | 1974-06-04 | Ace Sophisticates Inc | External photodetector cooling techniques |
| US4375157A (en) * | 1981-12-23 | 1983-03-01 | Borg-Warner Corporation | Downhole thermoelectric refrigerator |
| JPS59147472A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | Agency Of Ind Science & Technol | 超伝導集積回路 |
| JPS60224253A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS6196782A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導集積回路用配線 |
| JPH0828533B2 (ja) * | 1987-07-13 | 1996-03-21 | シャープ株式会社 | 超電導装置 |
| DE3854679T2 (de) * | 1987-04-22 | 1996-07-18 | Sharp Kk | Supraleitfähiges Gerät. |
| US5006505A (en) * | 1988-08-08 | 1991-04-09 | Hughes Aircraft Company | Peltier cooling stage utilizing a superconductor-semiconductor junction |
| JP2681288B2 (ja) * | 1988-11-02 | 1997-11-26 | 富士通株式会社 | 超伝導素子用パッケージ |
| FR2661780B1 (fr) * | 1990-05-04 | 1994-04-29 | Telemecanique | Dispositif de commutation de courant. |
-
1993
- 1993-06-14 JP JP5141974A patent/JPH06350146A/ja active Pending
-
1994
- 1994-05-02 US US08/236,109 patent/US5449952A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-14 EP EP94304279A patent/EP0630059B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-14 DE DE69415089T patent/DE69415089T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0630059A2 (en) | 1994-12-21 |
| US5449952A (en) | 1995-09-12 |
| EP0630059A3 (en) | 1995-02-01 |
| DE69415089D1 (de) | 1999-01-21 |
| EP0630059B1 (en) | 1998-12-09 |
| DE69415089T2 (de) | 1999-06-10 |
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