JPH06345487A - ディスプレイ用反射防止膜及びその製造法 - Google Patents

ディスプレイ用反射防止膜及びその製造法

Info

Publication number
JPH06345487A
JPH06345487A JP5133174A JP13317493A JPH06345487A JP H06345487 A JPH06345487 A JP H06345487A JP 5133174 A JP5133174 A JP 5133174A JP 13317493 A JP13317493 A JP 13317493A JP H06345487 A JPH06345487 A JP H06345487A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
silica
antireflection film
antireflection
oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5133174A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Ishikawa
敬郎 石川
Sachiko Maekawa
幸子 前川
Tomoji Oishi
知司 大石
Ken Takahashi
高橋  研
Shoko Nishizawa
昌紘 西沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP5133174A priority Critical patent/JPH06345487A/ja
Publication of JPH06345487A publication Critical patent/JPH06345487A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02203Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being porous
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02345Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light
    • H01L21/02348Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light treatment by exposure to UV light

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】ゾルゲル法でディスプレイ画面上に薄膜を形成
する工程において、急激な熱処理と同時に光を照射しシ
リカを主体とする多孔質膜2を形成させることによりブ
ラウン管3用のガラスより屈折率の低い反射帯電防止膜
4を作製し、反射率を低下させる。 【効果】シリカ系多孔質膜を作製することができる。こ
れをブラウン管用反射防止膜に用いれば、反射率の低い
高性能なブラウン管を作製できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はディスプレイ用反射防止
膜及びその製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】最近、ブラウン管の高性能化が進み、ブ
ラウン管表面には反射防止膜が形成されるようになって
きている。反射防止膜は外来光の画面上の反射を抑制
し、視認性の向上を目的とする。ブラウン管表面上にブ
ラウン管用ガラスよりも屈折率の低い膜を形成したもの
や、高屈折率の膜と低屈折率の膜を積層したものが光の
干渉作用を利用した反射防止膜として知られている。こ
の他にブラウン管表面上に凹凸を設け、外来光を乱反射
して反射防止膜としたものも知られている。これらの膜
の製造法にはCVD法かPVD法などがある。また、塗
布溶液を使用しスピンコートあるいはスプレーコートし
てブラウン管表面上に薄膜を形成する方法も知られてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記技術のうちCVD
法あるいはPVD法はいずれも大掛かりな装置を必要と
し、ディスプレイ等の大画面コーティングには適さな
い。また、塗布溶液を用いる方法ではブラウン管用ガラ
スの屈折率とほぼ同じシリカ膜が得られるのみで、作製
された膜の屈折率がより低い膜は得られない。従って、
ブラウン管用ガラスよりも屈折率に低い膜の有効な作製
方法は知られていない。
【0004】本発明の目的は、非常に簡便な手法により
ブラウン管用ガラスよりも屈折率の低い膜を形成するた
めの方法を提供するものである。また、高屈折率/低屈
折率の積層膜において、上層の低屈折率膜の屈折率を従
来のシリカ膜の屈折率よりもさらに小さい膜を形成し、
反射防止の効果を高めようとするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の膜製造法はゾルゲル法でブラウン管表面に
製膜する工程において、急激な熱処理を行うと同時に光
を照射し、開気孔率60%以上の多孔質膜を形成させ
る。また、本発明の膜製造法により作製する膜はシリカ
を主体とした反射防止膜であり、膜中に導電材微粒子を
分散させるかあるいは積層膜における下層にさらに導電
材微粒子を添加した膜を形成し反射・帯電防止膜を形成
させる。
【0006】本発明の膜製造法により作製する反射・帯
電防止膜に用いる導電材は酸化スズ,酸化インジウム,
酸化亜鉛のいずれかで、さらにそれぞれの不純物として
アンチモン,スズ,アルミニウムを添加したものを用い
ることができる。
【0007】本発明の膜製造法はブラウン管に用いるこ
とができる。
【0008】
【作用】本発明の膜製造法はゾルゲル法でブラウン管表
面上に製膜する過程で、急激な加熱処理を行うとともに
光処理を行い通常の製造法より多孔質な膜を作製でき
る。すなわち、塗布された溶液に含まれる溶媒等が急激
な加熱処理を行うとともに光を照射することにより急速
に除去され、その脱出速度が速いために多孔体を得るこ
とができる。また、光処理するために膜中におけるカー
ボンの残留を除去することができる。これによりシリカ
膜中には空気が含まれ、多孔質膜が形成される。空気は
シリカよりも屈折率が低いため、本方法で開気孔率60
%以上の多孔質膜とすることでこの膜の屈折率をブラウ
ン管ガラスより低くすることができる。さらに、用いる
溶媒の分子量を変えることにより脱出速度を変化させる
ことができ、多孔率を制御することも可能である。ま
た、加熱処理と同時に光を照射する際、加熱上昇温度及
び光の照射強度を変化させることにより多孔率を変化さ
せることができる。通常の熱処理では多孔体である湿潤
ゲルが溶媒の除去にともない体積収縮し、平滑化してし
まう。しかし、光を照射することにより乾燥および焼結
速度を速くし粒子の再配列等を防止することができ、結
果として平滑化を防ぎ60%以上の開気孔率を持つ多孔
体を得ることができる。
【0009】一方、反射防止技術には屈折率の異なる膜
を積層することにより反射光の干渉を利用して反射率を
低下する方法がある。この場合、低屈折率層として用い
られるシリカ膜の屈折率は1.45 付近で、高屈折率層
として用いられる酸化スズ膜の屈折率は1.6〜1.7で
ある。より反射率を低下させるためにはシリカの屈折率
を約1.3 まで低下させる必要がある。物質の屈折率は
固有であるが多孔質体であれば空気の屈折率と平均化さ
れ膜全体として屈折率を低下することができる。したが
って、多孔質反射防止膜と緻密な導電膜を積層すれば低
屈折率シリカを作製することができ、反射率を低下する
ことができる。これにより、反射帯電防止の両機能を持
った膜が形成できる。また、開気孔率60%以上のシリ
カに導電性酸化物を分散させることによっても、反射率
が低く帯電防止機能を持った膜を形成することができ
る。スプレーコーティングによる表面凹凸を形成した反
射防止膜では、表面凹凸による効果とブラウン管面上に
そのガラスよりも屈折率の低い膜が形成されたことによ
る光の干渉効果の両作用によって、より高性能な反射防
止膜を形成することができる。
【0010】
【実施例】
(実施例1)ケイ酸エチルをエタノールに溶解して調製
したゾル溶液を石英基板上にスプレーコートした後、5
0℃/min.で急激に100℃まで昇温し10分間加熱処
理を行うと同時に254nm,184nmの光照射をし
て膜を作製し、得られた膜の表面積を測定した。その結
果、通常500m2/gであった表面積が650m2/g
まで大きくすることができた。したがって、急激な熱処
理をすると同時に光を照射することにより図1に示すよ
うな多孔質膜が得られることがわかった。図1で、1は
基板で、2はシリカ多孔膜である。シリカ多孔膜の開気
孔率は65%であった。この膜の屈折率は1.36と通
常のシリカ膜の1.46と比べ低いものであった。この
ため、この膜をブラウン管の反射防止膜として用いる
と、反射率が1.5% 前後の反射防止膜が得られ、シリ
カ膜の開気孔率が60%以上の時に反射率低減効果が大
きかった。通常のブラウン管の反射率4%をかなり低く
することができた。
【0011】(実施例2)塩化スズをプロパノールに溶
解しイソプロポキシアンチモンを加えて調製したスズア
ンチモンゾル溶液(Sb:10wt%)を用いて石英基
板上にスピンコートにより塗布した後、400℃で熱処
理を行い酸化スズ膜を作製した。得られた酸化スズ膜上
に実施例1で用いた溶液をスピンコートにより塗布し、
急激な熱処理と同時に光の照射を行う方法でシリカ−酸
化スズ積層膜を作製した。上層のシリカ膜の屈折率は
1.36,下層の酸化スズアンチモン膜の反射率は1.9
0であった。得られた積層膜の反射率を測定したとこ
ろ、反射率を1%以下にすることができた。
【0012】(実施例3)実施例1で使用したゾル溶液
中に4nmの酸化スズ超微粒子20wt%を分散させた
溶液をスプレーコートした後、実施例1と同様な処理を
行い図2に示したようにブラウン管表面3上に反射帯電
防止膜4を作製したところ、反射率が1%で帯電防止効
果も有する高性能なブラウン管を作製することができ
た。
【0013】
【発明の効果】本発明を用いれば、シリカ系多孔質膜を
作製することができる。このため、これをブラウン管用
反射防止膜に応用すれば、高性能なブラウン管を作製で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】多孔質膜の構造の説明図。
【図2】反射帯電防止膜を付けたブラウン管の説明図。
【符号の説明】
1…基板、2…シリカ多孔膜、3…ブラウン管、4…反
射帯電防止膜。
フロントページの続き (72)発明者 高橋 研 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 西沢 昌紘 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基体表面上に形成されたシリカ膜からな
    り、その開気孔率が60%以上であることを特徴とする
    反射防止膜。
  2. 【請求項2】基体表面上に形成された開気孔率が60%
    以上のシリカに導電性金属酸化物を分散させた膜から成
    ることを特徴とする反射防止膜。
  3. 【請求項3】請求項2において、前記金属酸化物が酸化
    スズ,酸化亜鉛、及び酸化インジウムのうちいずれか一
    種である反射防止膜。
  4. 【請求項4】ゾルゲル法でディスプレイ画面上に薄膜を
    形成する工程において急激な熱処理と同時に光を照射す
    ることによりシリカを主体とする多孔質膜を形成させる
    ことを特徴とする反射防止膜製造法。
  5. 【請求項5】請求項4において、前記シリカ膜と導電性
    金属酸化物を含有する膜を積層する膜の製造法。
  6. 【請求項6】請求項5の酸化物として酸化スズ,酸化亜
    鉛、及び酸化インジウムのうちいずれか1種の金属酸化
    物を用いる膜製造法。
  7. 【請求項7】請求項1に記載の前記反射防止膜を含むブ
    ラウン管。
  8. 【請求項8】請求項2に記載の前記反射防止膜を含むブ
    ラウン管。
JP5133174A 1993-06-03 1993-06-03 ディスプレイ用反射防止膜及びその製造法 Pending JPH06345487A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5133174A JPH06345487A (ja) 1993-06-03 1993-06-03 ディスプレイ用反射防止膜及びその製造法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5133174A JPH06345487A (ja) 1993-06-03 1993-06-03 ディスプレイ用反射防止膜及びその製造法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06345487A true JPH06345487A (ja) 1994-12-20

Family

ID=15098410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5133174A Pending JPH06345487A (ja) 1993-06-03 1993-06-03 ディスプレイ用反射防止膜及びその製造法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06345487A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006008239A2 (en) * 2004-07-16 2006-01-26 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Luminescent silicon oxide flakes
WO2014163189A1 (ja) * 2013-04-05 2014-10-09 積水化学工業株式会社 積層バリアシート
CN107129159A (zh) * 2017-06-16 2017-09-05 成都新柯力化工科技有限公司 一种叠层镀膜减反射玻璃及其制备方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006008239A2 (en) * 2004-07-16 2006-01-26 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Luminescent silicon oxide flakes
WO2006008239A3 (en) * 2004-07-16 2006-05-11 Ciba Sc Holding Ag Luminescent silicon oxide flakes
WO2014163189A1 (ja) * 2013-04-05 2014-10-09 積水化学工業株式会社 積層バリアシート
CN107129159A (zh) * 2017-06-16 2017-09-05 成都新柯力化工科技有限公司 一种叠层镀膜减反射玻璃及其制备方法
CN107129159B (zh) * 2017-06-16 2019-10-29 北京冠华东方玻璃科技有限公司 一种叠层镀膜减反射玻璃及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920002531B1 (ko) 화상표시면판 및 그 제조방법
CN100478292C (zh) 无机化合物颗粒及其制备方法
KR950002430B1 (ko) 음극선관 및 그 제조방법
JP4031624B2 (ja) 透明被膜付基材、透明被膜形成用塗布液、および表示装置
JPH10326903A (ja) 微粒子塗布膜およびそれを用いた光電変換素子と光拡散体
JPH0160548B2 (ja)
JPH088080B2 (ja) 陰極線管及び陰極線管の製造方法
JPH0841441A (ja) 紫外線、近赤外線遮へい用インジウム−錫酸化物粉末とこれを用いた紫外線、近赤外線遮へいガラスおよびその製造方法
JP3973330B2 (ja) 透明被膜付基材、透明被膜形成用塗布液、および表示装置
JP4600685B2 (ja) 紫外線、近赤外線遮へいガラス
KR20010041423A (ko) 광투과성이며 낮은 저항 코팅을 갖는 광투과성 기판
JPH06345487A (ja) ディスプレイ用反射防止膜及びその製造法
JP2003151362A (ja) 導電膜および導電膜の製造方法
JP2858821B2 (ja) 反射防止膜とその製法並びに画像表示面板
JP4519343B2 (ja) 結晶性導電性微粒子、該微粒子の製造方法ならびに透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材および表示装置
JP2602514B2 (ja) 陰極線管及びその製造方法
JP2757437B2 (ja) 陰極線管
JPH09178903A (ja) 反射防止膜
JPH04218247A (ja) 陰極線管およびその製造方法
JP2004204174A (ja) 透明導電性被膜形成用塗布液および透明導電性被膜付基材、表示装置
JPH10162756A (ja) 高精細ブラウン管及びその製造方法
JPH1021858A (ja) 高コントラストブラウン管及びその製造方法
JP4178723B2 (ja) 透明導電性基材の製造方法
JPH0873243A (ja) 高精彩ブラウン管及びその製造法
JPH08241626A (ja) 透明導電膜とそれを用いた透明導電膜の製法及び用途