JPH06338647A - 発光素子の駆動回路及びこれを用いた光増幅中継器 - Google Patents
発光素子の駆動回路及びこれを用いた光増幅中継器Info
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- JPH06338647A JPH06338647A JP5149827A JP14982793A JPH06338647A JP H06338647 A JPH06338647 A JP H06338647A JP 5149827 A JP5149827 A JP 5149827A JP 14982793 A JP14982793 A JP 14982793A JP H06338647 A JPH06338647 A JP H06338647A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】発光素子の駆動回路であり、複数の発光素子の
いずれかが断線障害となる場合でも他の正常な発光素子
からの発光パワーを維持する。 【構成】複数の発光素子ＬＤ1 〜ＬＤn と定電流源Ｉを
接続した直列接続路と、対応する発光素子の発光パワー
を制御する複数の発光パワー制御回路１を有する。発光
パワー制御回路の各々は、対応する発光素子に並列接続
されたバイパス電流制御素子２と、これが接続された発
光素子の発光パワーを検出する受光素子３と、その受光
レベルに応じて、バイパス電流制御素子に流れる電流を
制御する電流制御回路４及び対応する発光素子の端子間
の電圧値を検出し、所定の電圧値以上となる時、バイパ
ス電流制御素子に流れる電流を大きくするように電流制
御回路を制御する電圧検出回路５を有する。
いずれかが断線障害となる場合でも他の正常な発光素子
からの発光パワーを維持する。 【構成】複数の発光素子ＬＤ1 〜ＬＤn と定電流源Ｉを
接続した直列接続路と、対応する発光素子の発光パワー
を制御する複数の発光パワー制御回路１を有する。発光
パワー制御回路の各々は、対応する発光素子に並列接続
されたバイパス電流制御素子２と、これが接続された発
光素子の発光パワーを検出する受光素子３と、その受光
レベルに応じて、バイパス電流制御素子に流れる電流を
制御する電流制御回路４及び対応する発光素子の端子間
の電圧値を検出し、所定の電圧値以上となる時、バイパ
ス電流制御素子に流れる電流を大きくするように電流制
御回路を制御する電圧検出回路５を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光素子の駆動回路及
びこれを用いた光中継器に関する。特に、複数の発光素
子の発光パワーを合成して、発光光源とする駆動回路に
関する。
びこれを用いた光中継器に関する。特に、複数の発光素
子の発光パワーを合成して、発光光源とする駆動回路に
関する。
【０００２】
【従来例】図６は従来の回路を説明する図である。図に
おいて複数の発光素子、具体的にはレーザダイオードＬ
Ｄ1 、ＬＤ2 、・・ＬＤn と定電流源３が直列接続され
た直列接続路が電源Ｖccに接続されている。
おいて複数の発光素子、具体的にはレーザダイオードＬ
Ｄ1 、ＬＤ2 、・・ＬＤn と定電流源３が直列接続され
た直列接続路が電源Ｖccに接続されている。
【０００３】ＰＤ1 、ＰＤ2 、・・ＰＤn はそれぞれ対
応する発光素子からの発光パワーを検出する受光素子、
具体的にはフォトダイオードである。これらフォトダイ
オードは、各々抵抗Ｒ1 、Ｒ2 、・・Ｒn と直列接続さ
れ、更に電源Ｖccに接続されている。
応する発光素子からの発光パワーを検出する受光素子、
具体的にはフォトダイオードである。これらフォトダイ
オードは、各々抵抗Ｒ1 、Ｒ2 、・・Ｒn と直列接続さ
れ、更に電源Ｖccに接続されている。
【０００４】１１、１２、・・１ｎは、それぞれ対応す
る受光素子が検出した発光パワーレベルが入力される第
１の端子と基準電位ＲＥＦが入力される第２の入力端子
を有する発光パワー制御回路（ＡＰＣ）である。
る受光素子が検出した発光パワーレベルが入力される第
１の端子と基準電位ＲＥＦが入力される第２の入力端子
を有する発光パワー制御回路（ＡＰＣ）である。
【０００５】Ｔ1 、Ｔ2 、・・Ｔn はそれぞれ対応する
発光素子ＬＤ1 、ＬＤ2 、・・ＬＤn に並列に接続され
たバイパス電流制御素子であり具体的にはトランジスタ
である。このバイパス電流制御素子Ｔ1 、Ｔ2 、・・Ｔ
n のベースには前記のそれぞれ対応する発光パワー制御
回路１１、１２、・・１ｎからの出力が入力される。
発光素子ＬＤ1 、ＬＤ2 、・・ＬＤn に並列に接続され
たバイパス電流制御素子であり具体的にはトランジスタ
である。このバイパス電流制御素子Ｔ1 、Ｔ2 、・・Ｔ
n のベースには前記のそれぞれ対応する発光パワー制御
回路１１、１２、・・１ｎからの出力が入力される。
【０００６】発光パワー制御回路１１、１２、・・１ｎ
のそれぞれは基準電圧ＲＥＦから対応する受光素子ＰＤ
1 、ＰＤ2 、・・ＰＤn によって検出された受光レベル
に対応する電圧を減じた大きさの制御信号を出力するも
のである。
のそれぞれは基準電圧ＲＥＦから対応する受光素子ＰＤ
1 、ＰＤ2 、・・ＰＤn によって検出された受光レベル
に対応する電圧を減じた大きさの制御信号を出力するも
のである。
【０００７】即ち受光レベルが大きくなると発光パワー
制御回路１１、１２、・・１ｎのそれぞれは対応するバ
イパス電流制御素子Ｔ1 、Ｔ2 、・・Ｔn のベースに供
給する制御信号入力が小さくなる。発光素子の発光パワ
ーに対して負帰還（NegativeFeed Back）の機能を有す
る。
制御回路１１、１２、・・１ｎのそれぞれは対応するバ
イパス電流制御素子Ｔ1 、Ｔ2 、・・Ｔn のベースに供
給する制御信号入力が小さくなる。発光素子の発光パワ
ーに対して負帰還（NegativeFeed Back）の機能を有す
る。
【０００８】発光素子ＬＤ1 、ＬＤ2 、・・ＬＤn から
の発光パワーが大きくなるとそれぞれ対応するバイパス
電流素子Ｔ1 、Ｔ2 、・・Ｔn に流れる電流Ｉ1 、
Ｉ2 、・・Ｉn を大きし、発光素子ＬＤ1 、ＬＤ2 、・
・ＬＤn に流れる電流を小さくし、発光パワーが小さく
なるように発光パワー制御回路１１、１２、・・１ｎの
出力によって制御される。
の発光パワーが大きくなるとそれぞれ対応するバイパス
電流素子Ｔ1 、Ｔ2 、・・Ｔn に流れる電流Ｉ1 、
Ｉ2 、・・Ｉn を大きし、発光素子ＬＤ1 、ＬＤ2 、・
・ＬＤn に流れる電流を小さくし、発光パワーが小さく
なるように発光パワー制御回路１１、１２、・・１ｎの
出力によって制御される。
【０００９】逆に発光素子ＬＤ1 、ＬＤ2 、・・ＬＤn
からの発光パワーが小さくなるとバイパス電流素子
Ｔ1 、Ｔ2 、・・・Ｔn に流れる電流が小さくなり、そ
れぞれ発光素子ＬＤ1 、ＬＤ2 、・・ＬＤn に流れる電
流を大きくし、発光パワーが大きくなるように制御す
る。
からの発光パワーが小さくなるとバイパス電流素子
Ｔ1 、Ｔ2 、・・・Ｔn に流れる電流が小さくなり、そ
れぞれ発光素子ＬＤ1 、ＬＤ2 、・・ＬＤn に流れる電
流を大きくし、発光パワーが大きくなるように制御す
る。
【００１０】このような構成により、発光素子ＬＤ1 、
ＬＤ2 、・・ＬＤn からの発光パワーが一定になるよう
に制御される。ここで上記した構成において、例えば発
光素子ＬＤ2 が不良となる場合、次のような問題が生じ
る。
ＬＤ2 、・・ＬＤn からの発光パワーが一定になるよう
に制御される。ここで上記した構成において、例えば発
光素子ＬＤ2 が不良となる場合、次のような問題が生じ
る。
【００１１】即ち図７はかかる問題について説明するた
めの図である。図７において、今発光素子ＬＤ2 が断線
障害によって発光パワーが零になる場合を考える。
めの図である。図７において、今発光素子ＬＤ2 が断線
障害によって発光パワーが零になる場合を考える。
【００１２】先に説明したように発光素子からの発光パ
ワーが小さくなると発光パワー制御回路１１、１２、・
・１ｎのそれぞれは対応するバイパス電流制御素子
Ｔ1 、Ｔ2 、・・Ｔn のベース入力を小さくして発光素
子ＬＤ1 、ＬＤ2 、・・ＬＤn に流れる電流を大きくす
るように制御を行う。
ワーが小さくなると発光パワー制御回路１１、１２、・
・１ｎのそれぞれは対応するバイパス電流制御素子
Ｔ1 、Ｔ2 、・・Ｔn のベース入力を小さくして発光素
子ＬＤ1 、ＬＤ2 、・・ＬＤn に流れる電流を大きくす
るように制御を行う。
【００１３】従って、もし発光素子ＬＤ2 が断線により
発光パワーが零になると対応する発光パワー制御回路１
２からの出力は、バイパス電流制御素子Ｔ2 に流れる電
流を零とし、すべて発光素子ＬＤ2 に電流を流すように
制御する。
発光パワーが零になると対応する発光パワー制御回路１
２からの出力は、バイパス電流制御素子Ｔ2 に流れる電
流を零とし、すべて発光素子ＬＤ2 に電流を流すように
制御する。
【００１４】しかしながら先に述べたように発光素子Ｌ
Ｄ2 が断線障害による場合には縦続する他の発光素子へ
の電流が発光素子ＬＤ2 を介しては流れなくなる。同時
に発光パワー制御回路１２の出力によってバイパス電流
制御素子Ｔ2 に流れる電流も零となるように制御される
ので他の発光素子ＬＤ1 、・・ＬＤn 及び定電流源３の
直列回路にも電流が流れなくなる。
Ｄ2 が断線障害による場合には縦続する他の発光素子へ
の電流が発光素子ＬＤ2 を介しては流れなくなる。同時
に発光パワー制御回路１２の出力によってバイパス電流
制御素子Ｔ2 に流れる電流も零となるように制御される
ので他の発光素子ＬＤ1 、・・ＬＤn 及び定電流源３の
直列回路にも電流が流れなくなる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来回
路においては、発光素子ＬＤ1 、ＬＤ2 、・・ＬＤn の
いずれかが断線障害を生じると発光パワー制御回路１
１、１２、・・１ｎの制御によって対応するバイパス電
流制御素子Ｔ1 、Ｔ2 、・・Ｔn の電流も零となるよう
に制御される。この結果複数の発光素子ＬＤ1 、Ｌ
Ｄ2 、・・ＬＤn のいずれか１の発光素子が障害により
発光パワーを出力できないものとなると、他の正常な発
光素子からの発光パワーも得られなくなるという問題が
生ずる。
路においては、発光素子ＬＤ1 、ＬＤ2 、・・ＬＤn の
いずれかが断線障害を生じると発光パワー制御回路１
１、１２、・・１ｎの制御によって対応するバイパス電
流制御素子Ｔ1 、Ｔ2 、・・Ｔn の電流も零となるよう
に制御される。この結果複数の発光素子ＬＤ1 、Ｌ
Ｄ2 、・・ＬＤn のいずれか１の発光素子が障害により
発光パワーを出力できないものとなると、他の正常な発
光素子からの発光パワーも得られなくなるという問題が
生ずる。
【００１６】従って本発明は、かかる従来回路の問題を
解決する発光素子の駆動回路を提供することを目的とす
る。更にはかかる従来回路の問題点を解決する発光素子
の駆動回路を用いた光増幅中継器の構成を提供すること
を目的とする。
解決する発光素子の駆動回路を提供することを目的とす
る。更にはかかる従来回路の問題点を解決する発光素子
の駆動回路を用いた光増幅中継器の構成を提供すること
を目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明に従う発光素子の
駆動回路は、複数の発光素子と定電流源を直列接続した
直列接続路と、この直列接続路中の複数の発光素子の対
応する発光素子の発光パワーを制御する複数の発光パワ
ー制御回路を有している。
駆動回路は、複数の発光素子と定電流源を直列接続した
直列接続路と、この直列接続路中の複数の発光素子の対
応する発光素子の発光パワーを制御する複数の発光パワ
ー制御回路を有している。
【００１８】更にこれら複数の発光パワー制御回路の各
々は複数の発光素子の対応する発光素子に並列接続され
たバイパス電流制御素子と、このバイパス電流制御素子
が接続された発光素子の発光パワーを検出する受光素子
と、この受光素子の受光レベルに応じて、バイパス電流
制御素子に流れる電流を制御する電流制御回路（ＡＰ
Ｃ）及びこの対応する発光素子の端子間の電圧値を検出
し、所定の電圧値以上となる時に前記バイパス電流制御
素子に流れる電流を大きくするように電流制御回路を制
御する電圧検出回路を有する。
々は複数の発光素子の対応する発光素子に並列接続され
たバイパス電流制御素子と、このバイパス電流制御素子
が接続された発光素子の発光パワーを検出する受光素子
と、この受光素子の受光レベルに応じて、バイパス電流
制御素子に流れる電流を制御する電流制御回路（ＡＰ
Ｃ）及びこの対応する発光素子の端子間の電圧値を検出
し、所定の電圧値以上となる時に前記バイパス電流制御
素子に流れる電流を大きくするように電流制御回路を制
御する電圧検出回路を有する。
【００１９】更に前記複数の発光素子は、レーザダイオ
ードであり、前記受光素子は、フォトダイオードであ
る。又前記バイパス電流制御素子は、トランジスタで構
成され、そのコレクタ、エミッタ間を前記対応する発光
素子に並列接続し、更にこのトランジスタのベース電流
を前記電流制御回路により制御するように構成する。
ードであり、前記受光素子は、フォトダイオードであ
る。又前記バイパス電流制御素子は、トランジスタで構
成され、そのコレクタ、エミッタ間を前記対応する発光
素子に並列接続し、更にこのトランジスタのベース電流
を前記電流制御回路により制御するように構成する。
【００２０】更に前記電流制御回路は、第一及び第二の
入力端を有する差動増幅器により構成され、この第一の
入力端には前記受光素子により受光した受光パワーに応
じた電位が入力され、第二の入力端には前記電圧検出回
路の出力が入力される。更に差動増幅器は第二の入力端
の入力と第一の入力端の入力の差に対応した出力を前記
バイパス電流制御素子に付与するように構成される。
入力端を有する差動増幅器により構成され、この第一の
入力端には前記受光素子により受光した受光パワーに応
じた電位が入力され、第二の入力端には前記電圧検出回
路の出力が入力される。更に差動増幅器は第二の入力端
の入力と第一の入力端の入力の差に対応した出力を前記
バイパス電流制御素子に付与するように構成される。
【００２１】更に又前記電圧検出回路は定電流源が共通
にエミッタに接続された一対のトランジスタを有し、一
方のトランジスタのベースには固定電位が与えられ、且
つそのコレクタは前記電流制御回路の差動増幅器の第二
の入力端に接続され、他方のトランジスタのベースには
前記発光素子の端子間の電圧値に比例した電位が与えら
れるように構成されている。
にエミッタに接続された一対のトランジスタを有し、一
方のトランジスタのベースには固定電位が与えられ、且
つそのコレクタは前記電流制御回路の差動増幅器の第二
の入力端に接続され、他方のトランジスタのベースには
前記発光素子の端子間の電圧値に比例した電位が与えら
れるように構成されている。
【００２２】又前記電圧検出回路は、定電流源が共通エ
ミッタに接続された一対のトランジスタを有し、一方、
トランジスタのコレクタは、前記電流制御回路の差動増
幅器の第２の入力端に接続され、これら一対のトランジ
スタのベースには前記発光素子の端子間の電圧値に比例
した電位が与えられる。
ミッタに接続された一対のトランジスタを有し、一方、
トランジスタのコレクタは、前記電流制御回路の差動増
幅器の第２の入力端に接続され、これら一対のトランジ
スタのベースには前記発光素子の端子間の電圧値に比例
した電位が与えられる。
【００２３】更に又本発明に従う光増幅中継器は、光フ
ァイバ伝送路と、この光ファイバ伝送路の途中に置かれ
たＥｒドープファイバモジュールと、このＥｒドープフ
ァイバモジュールに励起光を供給する励起光源を有し、
この励起光源は前記した複数の発光素子からの発光パワ
ーを合成してこのＥｒドープファイバモジュールに供給
するように構成される。
ァイバ伝送路と、この光ファイバ伝送路の途中に置かれ
たＥｒドープファイバモジュールと、このＥｒドープフ
ァイバモジュールに励起光を供給する励起光源を有し、
この励起光源は前記した複数の発光素子からの発光パワ
ーを合成してこのＥｒドープファイバモジュールに供給
するように構成される。
【００２４】又上り回線用及び下り回線用の光ファイバ
伝送路と、この上り回線用及び下り回線用の光ファイバ
伝送路のそれぞれに置かれた第１及び第２のＥｒドープ
ファイバモジュールとこの第１及び第２のＥｒドープフ
ァイバモジュールに励起光を供給する励起光源と、この
励起光源からの励起光を分岐するカプラと、このカプラ
により分岐された励起光を上り回線用及び下り回線用の
光ファイバ伝送路に結合する第１及び第２のＷＤＭカプ
ラとを有する。
伝送路と、この上り回線用及び下り回線用の光ファイバ
伝送路のそれぞれに置かれた第１及び第２のＥｒドープ
ファイバモジュールとこの第１及び第２のＥｒドープフ
ァイバモジュールに励起光を供給する励起光源と、この
励起光源からの励起光を分岐するカプラと、このカプラ
により分岐された励起光を上り回線用及び下り回線用の
光ファイバ伝送路に結合する第１及び第２のＷＤＭカプ
ラとを有する。
【００２５】この励起光源は、前記に記載の複数の発光
素子からの発光パワーを合成してこのＥｒドープファイ
バモジュールに供給するように構成される。
素子からの発光パワーを合成してこのＥｒドープファイ
バモジュールに供給するように構成される。
【００２６】
【作用】本発明に従う発光素子の駆動回路においては対
応する発光素子の端子間の電圧値を検出する電圧検出回
路を有する。この電圧検出回路は発光素子の端子間の電
圧値が所定の電圧値以上となる時にバイパス電流制御素
子に流れる電流を大きくするように電流制御回路を制御
するためのものである。
応する発光素子の端子間の電圧値を検出する電圧検出回
路を有する。この電圧検出回路は発光素子の端子間の電
圧値が所定の電圧値以上となる時にバイパス電流制御素
子に流れる電流を大きくするように電流制御回路を制御
するためのものである。
【００２７】即ち発光素子が断線障害を生ずるとその端
子間の電圧値は大きくなる。従って電圧検出回路におい
て発光素子の端子間の電圧値が所定の電圧値以上となる
ことを検出する場合には一応発光素子が断線障害を起こ
していると推定される。従ってかかる場合にはバイパス
電流制御素子に流れる電流を大きくするように電流制御
回路を制御することにより他の正常な発光素子に流れる
電流を維持することが可能となる。
子間の電圧値は大きくなる。従って電圧検出回路におい
て発光素子の端子間の電圧値が所定の電圧値以上となる
ことを検出する場合には一応発光素子が断線障害を起こ
していると推定される。従ってかかる場合にはバイパス
電流制御素子に流れる電流を大きくするように電流制御
回路を制御することにより他の正常な発光素子に流れる
電流を維持することが可能となる。
【００２８】これにより従来回路において単に発光パワ
ーの検出レベルのみからバイパス電流制御素子に流れる
電流をコントロールし、発光素子に流れる電流を制御す
るようにする場合において生じていた発光素子の断線障
害による問題を解決することが可能となる。
ーの検出レベルのみからバイパス電流制御素子に流れる
電流をコントロールし、発光素子に流れる電流を制御す
るようにする場合において生じていた発光素子の断線障
害による問題を解決することが可能となる。
【００２９】
【実施例】以下図面に従って本発明の実施例を説明す
る。図１は本発明の第１の実施例を示す回路である。な
お以下の説明において、同一又は類似のものには同一の
符号及び参照番号を付している。
る。図１は本発明の第１の実施例を示す回路である。な
お以下の説明において、同一又は類似のものには同一の
符号及び参照番号を付している。
【００３０】図１においてＬＤm は複数の発光素子ＬＤ
1 、ＬＤ2 、・・ＬＤn のうちのｍ番目の発光素子を代
表して示すものである。１はこの発光素子ＬＤm を制御
する発光パワー制御回路であるが、この発光パワー制御
回路１は複数の発光素子のそれぞれに対応して備えら
れ、それらは同一構成である。
1 、ＬＤ2 、・・ＬＤn のうちのｍ番目の発光素子を代
表して示すものである。１はこの発光素子ＬＤm を制御
する発光パワー制御回路であるが、この発光パワー制御
回路１は複数の発光素子のそれぞれに対応して備えら
れ、それらは同一構成である。
【００３１】２は、バイパス電流制御素子であり、具体
的には発光素子ＬＤm に並列にそのコレクタ及びエミッ
タが接続されたトランジスタである。３は、受光素子例
えばフォトダイオードであり、発光素子ＬＤm からの発
光パワーを検出する。
的には発光素子ＬＤm に並列にそのコレクタ及びエミッ
タが接続されたトランジスタである。３は、受光素子例
えばフォトダイオードであり、発光素子ＬＤm からの発
光パワーを検出する。
【００３２】６は、受光素子３に接続された負荷抵抗素
子である。従って受光素子３が発光素子ＬＤm からの発
光パワーを受光するとその受光レベルに対応した電流が
流れ、負荷抵抗素子６と受光素子３との接続点において
電位が生ずる
子である。従って受光素子３が発光素子ＬＤm からの発
光パワーを受光するとその受光レベルに対応した電流が
流れ、負荷抵抗素子６と受光素子３との接続点において
電位が生ずる
【００３３】４は、従来回路における受光素子３の受光
レベルに応じてバイパス電流制御素子２に流れる電流を
制御する電流制御回路（ＡＰＣ）４である。この電流制
御回路４は２つの入力端を持ち、その第一の入力端
（─）は受光素子３と抵抗素子６の接続点の電位が入力
される。一方、第二の入力端（＋）には本発明により挿
入される電圧検出回路５からの出力が接続される。
レベルに応じてバイパス電流制御素子２に流れる電流を
制御する電流制御回路（ＡＰＣ）４である。この電流制
御回路４は２つの入力端を持ち、その第一の入力端
（─）は受光素子３と抵抗素子６の接続点の電位が入力
される。一方、第二の入力端（＋）には本発明により挿
入される電圧検出回路５からの出力が接続される。
【００３４】この電圧検出回路５において、５１及び５
２は、共通エミッタが定電流源５３に接続され、差動動
作を行う一対のトランジスタである。この一対のトラン
ジスタ５１、５２の第一のトランジスタ５１のコレクタ
が電圧検出回路５の出力として、前記の電流制御回路４
の第二の入力端（＋）に接続される。
２は、共通エミッタが定電流源５３に接続され、差動動
作を行う一対のトランジスタである。この一対のトラン
ジスタ５１、５２の第一のトランジスタ５１のコレクタ
が電圧検出回路５の出力として、前記の電流制御回路４
の第二の入力端（＋）に接続される。
【００３５】第一のトランジスタ５１のベースには抵抗
５５及び定電流源５４の直列接続回路の接続点が接続さ
れる。一方、第二のトランジスタ５２のベースには抵抗
５６及び５７の接続点が接続される。
５５及び定電流源５４の直列接続回路の接続点が接続さ
れる。一方、第二のトランジスタ５２のベースには抵抗
５６及び５７の接続点が接続される。
【００３６】この抵抗５６及び５７は直列接続され、そ
の両端にはバイパス電流制御素子２のコレクタとエミッ
タ間の電位、即ち発光素子ＬＤm の両端の電位が加わる
ように接続されている。上記の如き構成である本発明に
従う第一の実施例回路の動作を説明すると、次の通りで
ある。
の両端にはバイパス電流制御素子２のコレクタとエミッ
タ間の電位、即ち発光素子ＬＤm の両端の電位が加わる
ように接続されている。上記の如き構成である本発明に
従う第一の実施例回路の動作を説明すると、次の通りで
ある。
【００３７】受光素子３が発光素子ＬＤm からの発光パ
ワーを検出し、その検出レベルに応じた電位が電流制御
回路４の第１の入力端に入力される。更に電圧検出回路
５の第１のトランジスタ５１のコレクタ出力が電流制御
回路４の第２の入力端に入力される。
ワーを検出し、その検出レベルに応じた電位が電流制御
回路４の第１の入力端に入力される。更に電圧検出回路
５の第１のトランジスタ５１のコレクタ出力が電流制御
回路４の第２の入力端に入力される。
【００３８】正常動作において、発光素子ＬＤm に流れ
る電流は一定であり、従ってその端子間の電位も一定で
あるので抵抗５６及び５７の接続点における電位、即ち
第２のトランジスタ５２のベース電位は一定である。
る電流は一定であり、従ってその端子間の電位も一定で
あるので抵抗５６及び５７の接続点における電位、即ち
第２のトランジスタ５２のベース電位は一定である。
【００３９】この時、トランジスタ５２のコレクタ電流
は、定電流源５３の電流に等しく、差動対をなす他方の
第二のトランジスタ５１のコレクタ電流が零となるよう
に抵抗５５、５６、５７の値が設定されている。
は、定電流源５３の電流に等しく、差動対をなす他方の
第二のトランジスタ５１のコレクタ電流が零となるよう
に抵抗５５、５６、５７の値が設定されている。
【００４０】従って、電流制御回路（ＡＰＣ）４は、図
１では図示省略されているリファレンス回路からの定電
流設定基準出力により決められる一定バイアス電流を基
準として、受光素子３が受光した受光電流に比例する出
力電流を出力する。
１では図示省略されているリファレンス回路からの定電
流設定基準出力により決められる一定バイアス電流を基
準として、受光素子３が受光した受光電流に比例する出
力電流を出力する。
【００４１】この出力電流は、バイパス電流制御素子２
のベースに入力し、そのコレクタ電流を制御する。これ
により発光素子ＬＤm に流れる電流は一定となり、従っ
て発光パワーが一定になる。一方、障害時、即ち発光素
子ＬＤm が断線障害等を起こしその発光パワーが零とな
る場合を考える。
のベースに入力し、そのコレクタ電流を制御する。これ
により発光素子ＬＤm に流れる電流は一定となり、従っ
て発光パワーが一定になる。一方、障害時、即ち発光素
子ＬＤm が断線障害等を起こしその発光パワーが零とな
る場合を考える。
【００４２】発光素子ＬＤm が断線障害となり、電流が
流れなくなる場合、その端子間の電位が上昇する。この
時、電圧検出回路５の抵抗５６及び５７の端子間の電位
が上昇し、従って抵抗５６及び５７の接続点の電位即ち
一対のトランジスタの第二のトランジスタ５２のベース
電位が低下する。
流れなくなる場合、その端子間の電位が上昇する。この
時、電圧検出回路５の抵抗５６及び５７の端子間の電位
が上昇し、従って抵抗５６及び５７の接続点の電位即ち
一対のトランジスタの第二のトランジスタ５２のベース
電位が低下する。
【００４３】これによりトランジスタ５２に流れる電流
は小さくなる。したがって、反対に第一のトランジスタ
５１は、オフ状態からオン状態に移り、所定のコレクタ
電流Ｉｃが流れる。このコレクタ電流Ｉｃは、電流制御
回路４の第二の入力端から引き込まれる。
は小さくなる。したがって、反対に第一のトランジスタ
５１は、オフ状態からオン状態に移り、所定のコレクタ
電流Ｉｃが流れる。このコレクタ電流Ｉｃは、電流制御
回路４の第二の入力端から引き込まれる。
【００４４】更にこのコレクタ電流Ｉｃに対応して、電
流制御回路４からバイパス電流制御素子２のベース電流
を大きくする。従ってバイパス電流制御素子２に流れる
電流が大きくなる。
流制御回路４からバイパス電流制御素子２のベース電流
を大きくする。従ってバイパス電流制御素子２に流れる
電流が大きくなる。
【００４５】上記の構成により明らかなように、本発明
により１の発光素子、例えばＬＤmが断線障害を生じる
場合であっても、他の発光素子への電流供給がバイパス
電流制御素子２をバイパス回路として行われるので、他
の発光素子からの発光パワーが継続して得られることに
なる。
により１の発光素子、例えばＬＤmが断線障害を生じる
場合であっても、他の発光素子への電流供給がバイパス
電流制御素子２をバイパス回路として行われるので、他
の発光素子からの発光パワーが継続して得られることに
なる。
【００４６】図２は、図１の電流制御回路（ＡＰＣ）４
の一例である。４１、４２は、差動動作を行う一対のト
ランジスタであり、共通エミッタに定電流源Ｉ2 が接続
されている。又、それぞれのベースには、定電流源Ｉ1
、Ｉ3が接続されている。
の一例である。４１、４２は、差動動作を行う一対のト
ランジスタであり、共通エミッタに定電流源Ｉ2 が接続
されている。又、それぞれのベースには、定電流源Ｉ1
、Ｉ3が接続されている。
【００４７】トランジスタ４１のベースが電流制御回路
４の第一の入力（−）となり、従って、図１において説
明したように受光素子３と負荷抵抗６と接続点に接続さ
れ、受光素子３の受光電流が入力される。
４の第一の入力（−）となり、従って、図１において説
明したように受光素子３と負荷抵抗６と接続点に接続さ
れ、受光素子３の受光電流が入力される。
【００４８】トランジスタ４１、４２のそれぞれのコレ
クタは、トランジスタ４３、４４のベースに接続され
る。トランジスタ４３、４４の共通エミッタは、定電流
源Ｉ4に接続される。更にトランジスタ４３、４４のそ
れぞれのコレクタはトランジスタ１００、１０１に接続
される。
クタは、トランジスタ４３、４４のベースに接続され
る。トランジスタ４３、４４の共通エミッタは、定電流
源Ｉ4に接続される。更にトランジスタ４３、４４のそ
れぞれのコレクタはトランジスタ１００、１０１に接続
される。
【００４９】トランジスタ１０１のベースは、トランジ
スタ４５のベースにコレクタが接続されるトランジスタ
１０２のベースに共通接続される。トランジスタ４４の
コレクタは、図１において示した電圧検出回路５の第二
の入力端（＋）となり、同時にトランジスタ４５のベー
スに接続される。トランジスタ１０３のエミッタは、バ
イパス電流制御素子２のベースに接続される。
スタ４５のベースにコレクタが接続されるトランジスタ
１０２のベースに共通接続される。トランジスタ４４の
コレクタは、図１において示した電圧検出回路５の第二
の入力端（＋）となり、同時にトランジスタ４５のベー
スに接続される。トランジスタ１０３のエミッタは、バ
イパス電流制御素子２のベースに接続される。
【００５０】尚、図２において、Ｒ1 〜Ｒ10は、抵抗で
ある。定電流源Ｉ1 は、トランジスタ４６と抵抗Ｒ10で
構成される。トランジスタ４７、４８及び抵抗Ｒ8 、Ｒ
9 の直列回路のトランジスタ４７のベース電位がトラン
ジスタ４６の共通ベース／コレクタに接続される。
ある。定電流源Ｉ1 は、トランジスタ４６と抵抗Ｒ10で
構成される。トランジスタ４７、４８及び抵抗Ｒ8 、Ｒ
9 の直列回路のトランジスタ４７のベース電位がトラン
ジスタ４６の共通ベース／コレクタに接続される。
【００５１】トランジスタ４８のベースは、図示しない
リファレンス回路から基準電位が与えられ、トランジス
タ４７、即ちトランジスタ４６のコレクタを所定の一定
電位とし、従ってトランジスタ４６に流れる電流は、所
定の定電流に設定される。
リファレンス回路から基準電位が与えられ、トランジス
タ４７、即ちトランジスタ４６のコレクタを所定の一定
電位とし、従ってトランジスタ４６に流れる電流は、所
定の定電流に設定される。
【００５２】定電流源Ｉ2 〜Ｉ4 は、定電流源Ｉ1 と同
様構成であり、図示省略されているがトランジスタ４７
のコレクタに共通に接続されている。又、図１の電圧検
出回路５の定電流源５３、５４も定電流源Ｉ1 と同様構
成であり、前記リファレンス回路から基準電位が与えら
れている。
様構成であり、図示省略されているがトランジスタ４７
のコレクタに共通に接続されている。又、図１の電圧検
出回路５の定電流源５３、５４も定電流源Ｉ1 と同様構
成であり、前記リファレンス回路から基準電位が与えら
れている。
【００５３】上記の構成で、図１において説明した電流
制御回路４の動作が行われる。即ち、正常状態では、ト
ランジスタ４５のエミッタ電位が所定電位となり、バイ
パス制御素子２をオフ状態もしくは、並列接続されるレ
ーザダイオードＬＤm に大部分の電流が流れるように各
素子の定数及び定電流源Ｉ1 〜Ｉ4 の電流が設定されて
いる。
制御回路４の動作が行われる。即ち、正常状態では、ト
ランジスタ４５のエミッタ電位が所定電位となり、バイ
パス制御素子２をオフ状態もしくは、並列接続されるレ
ーザダイオードＬＤm に大部分の電流が流れるように各
素子の定数及び定電流源Ｉ1 〜Ｉ4 の電流が設定されて
いる。
【００５４】一方、レーザダイオードＬＤm が断線障害
となる場合は、電圧検出回路５にトランジスタ５１（図
１参照）のコレクタ電流Ｉc が引き込まれるので、トラ
ンジスタ４４のコレクタ、従ってトランジスタ４５のベ
ースは、高電位となる。
となる場合は、電圧検出回路５にトランジスタ５１（図
１参照）のコレクタ電流Ｉc が引き込まれるので、トラ
ンジスタ４４のコレクタ、従ってトランジスタ４５のベ
ースは、高電位となる。
【００５５】この時、トランジスタ４５は、非導通とな
り、これによりバイパス電流制御素子２のベース電流が
大きくなり、レーザダイオードＬＤm が断線障害となる
場合も縦続される他のレーザダイオードＬＤに電流を供
給することが可能である。
り、これによりバイパス電流制御素子２のベース電流が
大きくなり、レーザダイオードＬＤm が断線障害となる
場合も縦続される他のレーザダイオードＬＤに電流を供
給することが可能である。
【００５６】図３は、本発明の第２の実施例を説明する
回路であって、電圧検出回路５の構成が図１の実施例に
対し簡単化されている。他の構成は、図１の実施例回路
と同様である。即ち図３の実施例における電圧検出回路
５は、一対のトランジスタ５１、５２と抵抗５５乃至５
７及び定電流源５３の直列回路から構成される。
回路であって、電圧検出回路５の構成が図１の実施例に
対し簡単化されている。他の構成は、図１の実施例回路
と同様である。即ち図３の実施例における電圧検出回路
５は、一対のトランジスタ５１、５２と抵抗５５乃至５
７及び定電流源５３の直列回路から構成される。
【００５７】抵抗５５乃至５７の直列回路の両端は、発
光素子ＬＤm の両端に接続される。更にトランジスタ５
１及び５２のそれぞれのベースは、抵抗５６の両端の電
位が与えられている。更にトランジスタ５１のコレクタ
は、電流制御回路４の第２の入力端に接続されている。
光素子ＬＤm の両端に接続される。更にトランジスタ５
１及び５２のそれぞれのベースは、抵抗５６の両端の電
位が与えられている。更にトランジスタ５１のコレクタ
は、電流制御回路４の第２の入力端に接続されている。
【００５８】かかる構成において発光素子ＬＤm が正常
動作状態にある場合は、図１において説明したと同様で
ある。又、発光素子ＬＤm が断線障害を起こし発光パワ
ーが零となる場合の動作は次の通りである。
動作状態にある場合は、図１において説明したと同様で
ある。又、発光素子ＬＤm が断線障害を起こし発光パワ
ーが零となる場合の動作は次の通りである。
【００５９】発光素子であるレーザダイオードＬＤm の
断線によりその両端の端子間電位が、上昇する。従って
この時のトランジスタ５２のベース電位は下がり、反対
にトランジスタ５１のベース電位は高くなる。
断線によりその両端の端子間電位が、上昇する。従って
この時のトランジスタ５２のベース電位は下がり、反対
にトランジスタ５１のベース電位は高くなる。
【００６０】従って、発光素子ＬＤm が正常動作状態の
時のトランジスタ５１のオフ状態からオン状態に遷移
し、コレクタ電流Ｉc が電流制御回路４から引き込まれ
る。このため既に図１及び図２において説明した通り、
バイパス電流制御素子２が導通状態にされ、他の発光素
子ＬＤへの電流の供給が維持される。
時のトランジスタ５１のオフ状態からオン状態に遷移
し、コレクタ電流Ｉc が電流制御回路４から引き込まれ
る。このため既に図１及び図２において説明した通り、
バイパス電流制御素子２が導通状態にされ、他の発光素
子ＬＤへの電流の供給が維持される。
【００６１】図４は、本発明の適用例であって、本発明
の発光素子駆動回路を光増幅中継器のファイバ増幅器の
励起光源とする場合の実施例ブロック図である。尚、図
は、現用と予備の二重化システム（ＳＹＳ１、ＳＹＳ
２）のＳＹＳ１の光増幅中継器の構成ブロック図であ
る。
の発光素子駆動回路を光増幅中継器のファイバ増幅器の
励起光源とする場合の実施例ブロック図である。尚、図
は、現用と予備の二重化システム（ＳＹＳ１、ＳＹＳ
２）のＳＹＳ１の光増幅中継器の構成ブロック図であ
る。
【００６２】図において、３０、３０１は、上下回線の
光伝送路である。上下回線の光伝送路３０、３０１の各
々には、Ｅｒドープファイバモジュール３３、３３１、
ＷＤＭカプラ３４、３４１、及び光アイソレータ３５、
３５１が備えられている。
光伝送路である。上下回線の光伝送路３０、３０１の各
々には、Ｅｒドープファイバモジュール３３、３３１、
ＷＤＭカプラ３４、３４１、及び光アイソレータ３５、
３５１が備えられている。
【００６３】又、上下光伝送路３０、３０１間には出力
回路モジュール３６が備えられ、折り返し通信に使用さ
れる。Ｅｒドープファイバモジュール３３、３３１は、
希土類のエルビウム（Ｅｒ）がドープされた数ｍ〜数１
０ｍの巻回された光ファイバーにより構成される光増幅
器である。
回路モジュール３６が備えられ、折り返し通信に使用さ
れる。Ｅｒドープファイバモジュール３３、３３１は、
希土類のエルビウム（Ｅｒ）がドープされた数ｍ〜数１
０ｍの巻回された光ファイバーにより構成される光増幅
器である。
【００６４】この光増幅器は、励起光（例えば波長１．
４８μｍ）によって、高いエネルギー準位に励起された
光ファイバー中のＥｒ原子に信号光が入力されると、誘
導放出が生じ、信号光のパワーが光ファイバーに沿って
次第に大きくなることを利用して増幅作用を行うもので
ある。
４８μｍ）によって、高いエネルギー準位に励起された
光ファイバー中のＥｒ原子に信号光が入力されると、誘
導放出が生じ、信号光のパワーが光ファイバーに沿って
次第に大きくなることを利用して増幅作用を行うもので
ある。
【００６５】３１は、本発明に従う発光素子の駆動回路
を用いた光励起光源であって、Ｅｒドープファイバモジ
ュール３３、３３１に対する励起光を供給するものであ
る。発光素子である第一、第二のレーザダイオード３１
０、３１１とその駆動回路３１２を有する。
を用いた光励起光源であって、Ｅｒドープファイバモジ
ュール３３、３３１に対する励起光を供給するものであ
る。発光素子である第一、第二のレーザダイオード３１
０、３１１とその駆動回路３１２を有する。
【００６６】二つのレーザダイオード３１０、３１１の
発光パワーは３dBカプラ３２で合成、分岐されて上り回
線用ＷＤＭカプラ３４及び下り回線用ＷＤＭカプラ３４
１により、ファイバ伝送路３０、３０１に結合され、Ｅ
ｒドープファイバモジュール３３、３３１に導かれる。
発光パワーは３dBカプラ３２で合成、分岐されて上り回
線用ＷＤＭカプラ３４及び下り回線用ＷＤＭカプラ３４
１により、ファイバ伝送路３０、３０１に結合され、Ｅ
ｒドープファイバモジュール３３、３３１に導かれる。
【００６７】かかる本発明に従う発光素子の駆動回路を
用いた光励起光源３１は、実施例として図５に示される
如く構成される。図５において、二つのレーザダイオー
ド３１０、３１１に対応して受光素子ＰＤ1 、ＰＤ2 が
備えられる。これら受光素子ＰＤ1 、ＰＤ2 の受光電流
は、図１、図２において説明した電流制御回路４と同様
の構成及び作用である電流制御回路（ＡＰＣ回路）１１
及び１２に入力される。
用いた光励起光源３１は、実施例として図５に示される
如く構成される。図５において、二つのレーザダイオー
ド３１０、３１１に対応して受光素子ＰＤ1 、ＰＤ2 が
備えられる。これら受光素子ＰＤ1 、ＰＤ2 の受光電流
は、図１、図２において説明した電流制御回路４と同様
の構成及び作用である電流制御回路（ＡＰＣ回路）１１
及び１２に入力される。
【００６８】一方、５１、５２は、電圧検出回路であっ
て図１または図３において説明した電圧検出回路５と同
様の構成及び作用である。従って、レーザダイオード３
１０、３１１の遮断（オープン）を検出した時、その出
力により電流制御回路（ＡＰＣ回路）１１、１２をし
て、バイパス電流制御素子Ｔ1 、Ｔ2 のベース電流が増
加するように制御を行わす回路である。
て図１または図３において説明した電圧検出回路５と同
様の構成及び作用である。従って、レーザダイオード３
１０、３１１の遮断（オープン）を検出した時、その出
力により電流制御回路（ＡＰＣ回路）１１、１２をし
て、バイパス電流制御素子Ｔ1 、Ｔ2 のベース電流が増
加するように制御を行わす回路である。
【００６９】従って、図４に戻ると、本発明に従う発光
素子の駆動回路を用いた図５の光励起光源３１により、
二つのレーザダイオード３１０、３１１のいずれかに遮
断障害が生じた場合であっても、３dBカプラ３２からの
光出力は、半減されるが零とはならない。
素子の駆動回路を用いた図５の光励起光源３１により、
二つのレーザダイオード３１０、３１１のいずれかに遮
断障害が生じた場合であっても、３dBカプラ３２からの
光出力は、半減されるが零とはならない。
【００７０】これによりＥｒドープファイバモジュール
３３、３３１の励起光は、維持されることが可能であ
る。即ち、本発明の適用により、レーザダイオード３１
０、３１１のいずれかに遮断障害が生じた場合であって
も光増幅中継器は、ダウンとならずシステムの信頼性は
増加する。
３３、３３１の励起光は、維持されることが可能であ
る。即ち、本発明の適用により、レーザダイオード３１
０、３１１のいずれかに遮断障害が生じた場合であって
も光増幅中継器は、ダウンとならずシステムの信頼性は
増加する。
【００７１】以上実施例に従い本発明を説明したが、本
発明は、その精神又は主要な特徴から逸脱することな
く、他の種々の形で実施することができる。そのため前
記実施例は、全ての点で例示であり、限定的に解釈され
るものではない。本発明の範囲は、添付の特許請求の範
囲によって示されており、それらの特許請求の範囲の意
味の中に入る全ての変形例は本発明に含まれるものであ
る。
発明は、その精神又は主要な特徴から逸脱することな
く、他の種々の形で実施することができる。そのため前
記実施例は、全ての点で例示であり、限定的に解釈され
るものではない。本発明の範囲は、添付の特許請求の範
囲によって示されており、それらの特許請求の範囲の意
味の中に入る全ての変形例は本発明に含まれるものであ
る。
【００７２】
【発明の効果】本発明により、複数の発光素子を縦続し
た回路において、一の発光素子が遮断障害を生じる場合
であっても、他の発光素子へのバイアス電流を維持する
ことが可能である。従って、複数の発光素子からの発光
パワーを、維持することがかのうである。
た回路において、一の発光素子が遮断障害を生じる場合
であっても、他の発光素子へのバイアス電流を維持する
ことが可能である。従って、複数の発光素子からの発光
パワーを、維持することがかのうである。
【００７３】特に、本発明に従う発光素子の駆動回路を
光伝送路システムにおいて、発光パワー源として採用す
る場合は、システムの信頼性を確保することが可能であ
る。
光伝送路システムにおいて、発光パワー源として採用す
る場合は、システムの信頼性を確保することが可能であ
る。
【図１】本発明の第一の実施例回路である。
【図２】図１における電流制御回路（ＡＰＣ回路）の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図３】本発明の第二の実施例回路である。
【図４】本発明を光増幅中継器に適用した時の実施例ブ
ロック図である。
ロック図である。
【図５】光増幅中継器用光源の実施例を示すブロック図
である。
である。
【図６】従来回路の説明図（その１）である。
【図７】従来回路の説明図（その２）である。
１ 発光素子の発光パワー制御回路 ２ バイパス電流制御素子 ３ 受光素子 ４ 電流制御回路 ５ 電圧検出回路 ６ 負荷抵抗素子 ＬＤ1 〜ＬＤｎ 発光素子 Ｉ 定電流源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/04
Claims (8)
- 【請求項１】複数の発光素子（ＬＤ1 〜ＬＤn ) と定電
流源（Ｉ）を直列接続した直列接続路と、 該直列接続路中の複数の発光素子（ＬＤ1 〜ＬＤn ) の
対応する発光素子の発光パワーを制御する複数の発光パ
ワー制御回路（１）を有し、該複数の発光パワー制御回
路（１）の各々は、 該複数の発光素子（ＬＤ1 〜ＬＤn ）の対応する発光素
子に並列接続されたバイパス電流制御素子（２）と、 該バイパス電流制御素子（２）が接続された発光素子の
発光パワーを検出する受光素子（３）と、 該受光素子（３）の受光レベルに応じて、該バイパス電
流制御素子（２）に流れる電流を制御する電流制御回路
（ＡＰＣ）（４）及び該対応する発光素子の端子間の電
圧値を検出し、所定の電圧値以上となる時、該バイパス
電流制御素子（２）に流れる電流を大きくするように該
電流制御回路（４）を制御する電圧検出回路（５）を有
して構成されることを特徴とする発光素子の駆動回路。 - 【請求項２】請求項１において、 前記複数の発光素子（ＬＤ1 〜ＬＤn ）は、レーザダイ
オードであり、前記受光素子（３）は、フォトダイオー
ドであることを特徴とする発光素子の駆動回路。 - 【請求項３】請求項１において、 前記バイパス電流制御素子（２）は、トランジスタで構
成され、そのコレクタ−エミッタ間を前記対応する発光
素子に並列接続し、更に該トランジスタのベース電流を
前記電流制御回路（４）により制御するように構成した
ことを特徴とする発光素子の駆動回路。 - 【請求項４】請求項１乃至３において、 前記電流制御回路（４）は、第一及び第二の入力端を有
する差動増幅器により構成され、 該第一の入力端には前記受光素子（３）により受光した
受光パワーに応じた電位が入力され、該第二の入力端に
は、前記電圧検出回路（５）の出力が入力され、 更に該差動増幅器は、該第二の入力端の入力と該第一の
入力端の入力の差に対応した出力を前記バイパス電流制
御素子（２）に付与するように構成されたことを特徴と
する発光素子の駆動回路。 - 【請求項５】請求項４において、 前記電圧検出回路（５）は、定電流源（５３）が共通エ
ミッタに接続された一対のトランジスタ（５１、５２）
を有し、一方のトランジスタ（５１）のベースには基準
電位が与えられ、且つそのコレクタは、前記電流制御回
路（４）の差動増幅器の第二の入力端に接続され、他方
のトランジスタ（５２）のベースには前記発光素子の端
子間の電圧値に比例した電位が与えられるように構成さ
れたことを特徴とする発光素子の駆動回路。 - 【請求項６】請求項４において、 前記電圧検出回路（５）は、定電流源（５３）が共通エ
ミッタに接続された一対のトランジスタ（５１、５２）
を有し、一方のトランジスタ（５１）のコレクタは、前
記電流制御回路（４）の差動増幅器の第二の入力端に接
続され、該一対のトランジスタ（５１、５２）のベース
間には前記発光素子の端子間の電圧値に比例した電位が
与えられるように構成されたことを特徴とする発光素子
の駆動回路。 - 【請求項７】光ファイバ伝送路（３０、３０１）と、 該光ファイバ伝送路（３０、３０１））の途中に置かれ
たＥｒドープファイバモジュール（３３、３３１）と、 該Ｅｒドープファイバモジュール（３３、３３１）に励
起光を供給する励起光源（３１）を有し、 該励起光源（３１）は、請求項１乃至６に記載の複数の
発光素子（ＬＤ1 〜ＬＤn ）からの発光パワーを合成し
て、該Ｅｒドープファイバモジュール（３３、３３１）
に供給するように構成されたことを特徴とする光増幅中
継器。 - 【請求項８】上り回線用及び下り回線用の光ファイバ伝
送路（３０、３０１）と、 該上り回線用及び下り回線用の光ファイバ伝送路（３
０、３０１）のそれぞれに置かれた第一及び第二のＥｒ
ドープファイバモジュール（３３、３３１）と、 該第一及び第二のＥｒドープファイバモジュール（３
３、３３１）に励起光を供給する励起光源（３１）と、 該励起光源（３１）からの励起光を分岐するカプラ（３
２）と、 該カプラ（３２）により分岐された励起光を、該上り回
線用及び下り回線用の光ファイバ伝送路（３０、３０
１）に結合する第一及び第二のＷＤＭカプラ（３４、３
４１）とを有し、 該励起光源（３１）は、請求項１乃至６に記載の複数の
発光素子（ＬＤ1 〜ＬＤn ）からの発光パワーを合成し
て、該Ｅｒドープファイバモジュール（３３、３３１）
に供給するように構成されたことを特徴とする光増幅中
継器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149827A JP2991893B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 発光素子の駆動回路及びこれを用いた光増幅中継器 |
| US08/226,705 US5459328A (en) | 1993-05-31 | 1994-04-12 | Driver circuit for light emitting elements connected in series and an optical amplifying repeater using the same |
| GB9410561A GB2278717B (en) | 1993-05-31 | 1994-05-26 | Optical driver circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149827A JP2991893B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 発光素子の駆動回路及びこれを用いた光増幅中継器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338647A true JPH06338647A (ja) | 1994-12-06 |
| JP2991893B2 JP2991893B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=15483552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5149827A Expired - Fee Related JP2991893B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 発光素子の駆動回路及びこれを用いた光増幅中継器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5459328A (ja) |
| JP (1) | JP2991893B2 (ja) |
| GB (1) | GB2278717B (ja) |
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|---|---|
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| GB9410561D0 (en) | 1994-07-13 |
| US5459328A (en) | 1995-10-17 |
| JP2991893B2 (ja) | 1999-12-20 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
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