JPH06338467A - 半導体製造装置におけるウエハ支持機構 - Google Patents
半導体製造装置におけるウエハ支持機構Info
- Publication number
- JPH06338467A JPH06338467A JP14826693A JP14826693A JPH06338467A JP H06338467 A JPH06338467 A JP H06338467A JP 14826693 A JP14826693 A JP 14826693A JP 14826693 A JP14826693 A JP 14826693A JP H06338467 A JPH06338467 A JP H06338467A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造装置におけるウエハ支持機構によ
る熱応力転位によってウエハに反りが生ずるのを防止す
る。 【構成】 ウエハボ−トの二対の垂直支持柱１１Ａ〜１
１Ｄは円弧状の複数個の水平棚部に形成すると共に，こ
れらの内のウエハ前方側の一対の支持柱１１Ａ，１１Ｂ
の棚部のウエハ支持面積１６ａ，１６ｂを後方側の一対
の支持柱１１Ｃ，１１Ｄの棚部のウエハ支持面積１６
ｃ，１６ｄより大きくし，また前記前方側の一対の支持
柱１１Ａ，１１Ｂの前方側端面位置は，夫々後方側の支
持柱１１Ｃ，１１Ｄの垂直中心面からウエハボ−トの中
心線を中心にして９０゜前方側へ回転した垂直面上に配
置するように構成した。なお，各支持柱１１Ａ〜１１Ｄ
の材質としてＳｉＣを用い，その表面にはＣＶＤコ−テ
ィングを施すようにすることが望ましい。
る熱応力転位によってウエハに反りが生ずるのを防止す
る。 【構成】 ウエハボ−トの二対の垂直支持柱１１Ａ〜１
１Ｄは円弧状の複数個の水平棚部に形成すると共に，こ
れらの内のウエハ前方側の一対の支持柱１１Ａ，１１Ｂ
の棚部のウエハ支持面積１６ａ，１６ｂを後方側の一対
の支持柱１１Ｃ，１１Ｄの棚部のウエハ支持面積１６
ｃ，１６ｄより大きくし，また前記前方側の一対の支持
柱１１Ａ，１１Ｂの前方側端面位置は，夫々後方側の支
持柱１１Ｃ，１１Ｄの垂直中心面からウエハボ−トの中
心線を中心にして９０゜前方側へ回転した垂直面上に配
置するように構成した。なお，各支持柱１１Ａ〜１１Ｄ
の材質としてＳｉＣを用い，その表面にはＣＶＤコ−テ
ィングを施すようにすることが望ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化学気相成長技術により
半導体デバイスの製造に使用され，一般にＣＶＤ装置と
称される半導体製造装置に関し，特に同装置の反応炉内
に配置されるウエハボ−トにおけるウエハ支持機構の改
良に関する。
半導体デバイスの製造に使用され，一般にＣＶＤ装置と
称される半導体製造装置に関し，特に同装置の反応炉内
に配置されるウエハボ−トにおけるウエハ支持機構の改
良に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置において，Ｓｉウエハを
熱処理する場合，ウエハボ−トに複数個のウエハを載せ
て反応炉内に入れ熱処理を行う。図３はウエハボ−トの
横断平面図，図４は図３のＡ1矢視部分側面図で，４本
の支持柱１Ｈ1〜１Ｈ4は図示しない上，下の円板状プレ
−トで連結されウエハボ−トを形成する。そのウエハボ
−トの垂直中心面Ｘ−Ｘに対し，支持柱１Ｈ1〜１Ｈ4は
２本宛対称の外周位置に直立して配置され，その中の一
対である支持柱１Ｈ2，１Ｈ4はウエハボ−トの直径の位
置に対向する。なお，各支持柱１Ｈ1〜１Ｈ4は円柱の側
面を切り落として厚さｔの水平な棚部１ａ1，１ａ2，１
ａ3，・・・が垂直方向に等間隔に複数個設けられる構
造になっていて，その棚部１ａ1，１ａ2，１ａ3，・・
・・にウエハ２ａ1，２ａ2，２ａ3，・・・・が手前
（図３で下方）から挿入されて載せられ，図４に示すよ
うに複数個のウエハ２ａ1，２ａ2，２ａ3，・・・・が
積載されたウエハボ−トが反応炉に入れられて熱処理が
行われるようになっている。なお，２ａ1ａはウエハ２
ａ1のオリフラ部である。なお，反応炉内ではＨ2，
Ｏ2，Ｎ2又はＡｒ等のガス雰囲気中で，例えば８００℃
から１，２００℃へ加熱され，再び８００℃へ温度を下
げるような熱処理が行われる。
熱処理する場合，ウエハボ−トに複数個のウエハを載せ
て反応炉内に入れ熱処理を行う。図３はウエハボ−トの
横断平面図，図４は図３のＡ1矢視部分側面図で，４本
の支持柱１Ｈ1〜１Ｈ4は図示しない上，下の円板状プレ
−トで連結されウエハボ−トを形成する。そのウエハボ
−トの垂直中心面Ｘ−Ｘに対し，支持柱１Ｈ1〜１Ｈ4は
２本宛対称の外周位置に直立して配置され，その中の一
対である支持柱１Ｈ2，１Ｈ4はウエハボ−トの直径の位
置に対向する。なお，各支持柱１Ｈ1〜１Ｈ4は円柱の側
面を切り落として厚さｔの水平な棚部１ａ1，１ａ2，１
ａ3，・・・が垂直方向に等間隔に複数個設けられる構
造になっていて，その棚部１ａ1，１ａ2，１ａ3，・・
・・にウエハ２ａ1，２ａ2，２ａ3，・・・・が手前
（図３で下方）から挿入されて載せられ，図４に示すよ
うに複数個のウエハ２ａ1，２ａ2，２ａ3，・・・・が
積載されたウエハボ−トが反応炉に入れられて熱処理が
行われるようになっている。なお，２ａ1ａはウエハ２
ａ1のオリフラ部である。なお，反応炉内ではＨ2，
Ｏ2，Ｎ2又はＡｒ等のガス雰囲気中で，例えば８００℃
から１，２００℃へ加熱され，再び８００℃へ温度を下
げるような熱処理が行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで，従来の半導
体製造装置のウエハボ−トにおけるウエハの支持機構
は，次のような問題点があった。 ウエハボ−トの後側の２本の支持柱にかかる自重より
も手前の支持柱にかかる自重の方が大きいためウエハの
自重支持にアンバランスが生じる。また，支持柱は石英
で構成されるが，石英はＳｉウエハに比較し，熱容量が
大きいため反応炉内温度が変化すると，Ｓｉウエハの方
が熱応答性が早く，石英は遅れる。そのために支持柱の
ウエハ支持部がＳｉウエハに影響し，面内温度差を生ず
る。 このようなウエハ自重のアンバランスやウエハ面内温
度分布の不均一性が原因でウエハの結晶構造に疲労を生
じ，図３に示すように，支持されるウエハの後側の２本
の支持柱の近くにモ−ドＡの熱応力転位が，手前の２本
の支持柱の近くにモ−ドＢの熱応力転位が生じ，極端な
場合にはスリップが発生してウエハの反りをもたらす。 本発明は従来のものにおける上記課題（問題点）を解決
するようにした半導体製造装置におけるウエハ支持機構
を提供することを目的とする。
体製造装置のウエハボ−トにおけるウエハの支持機構
は，次のような問題点があった。 ウエハボ−トの後側の２本の支持柱にかかる自重より
も手前の支持柱にかかる自重の方が大きいためウエハの
自重支持にアンバランスが生じる。また，支持柱は石英
で構成されるが，石英はＳｉウエハに比較し，熱容量が
大きいため反応炉内温度が変化すると，Ｓｉウエハの方
が熱応答性が早く，石英は遅れる。そのために支持柱の
ウエハ支持部がＳｉウエハに影響し，面内温度差を生ず
る。 このようなウエハ自重のアンバランスやウエハ面内温
度分布の不均一性が原因でウエハの結晶構造に疲労を生
じ，図３に示すように，支持されるウエハの後側の２本
の支持柱の近くにモ−ドＡの熱応力転位が，手前の２本
の支持柱の近くにモ−ドＢの熱応力転位が生じ，極端な
場合にはスリップが発生してウエハの反りをもたらす。 本発明は従来のものにおける上記課題（問題点）を解決
するようにした半導体製造装置におけるウエハ支持機構
を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は，上記課題を解
決するために，半導体製造装置におけるウエハ支持機構
において，ウエハボ−トの二対の垂直支持柱の各々は円
弧状の複数個の水平棚部とすると共に，これらの内のウ
エハ前方側の一対の支持柱の棚部のウエハ支持面積を後
方側の一対の支持柱の棚部のウエハ支持面積より大きく
し，また前記前方側の一対の支持柱の前方側端面位置
は，夫々後方側の支持柱の垂直中心面からウエハボ−ト
の中心線を中心にして９０゜前方側へ回転した垂直面上
に配置するように構成した。この場合，前記の各支持柱
の材質としてＳｉＣを用い，その表面にはＣＶＤコ−テ
ィングを施すようにすることが望ましい。
決するために，半導体製造装置におけるウエハ支持機構
において，ウエハボ−トの二対の垂直支持柱の各々は円
弧状の複数個の水平棚部とすると共に，これらの内のウ
エハ前方側の一対の支持柱の棚部のウエハ支持面積を後
方側の一対の支持柱の棚部のウエハ支持面積より大きく
し，また前記前方側の一対の支持柱の前方側端面位置
は，夫々後方側の支持柱の垂直中心面からウエハボ−ト
の中心線を中心にして９０゜前方側へ回転した垂直面上
に配置するように構成した。この場合，前記の各支持柱
の材質としてＳｉＣを用い，その表面にはＣＶＤコ−テ
ィングを施すようにすることが望ましい。
【０００５】
【作用】ウエハをウエハボ−トにロボットフィンガで挿
入して積載する都合上，挿入する手前には支持柱を設け
られないので，支持柱の配置は均一にならないが，上記
のように手前の支持柱のウエハ支持部の面積を大きくし
て手前と後側とのウエハ自重負荷を等しくすると共に，
全部の支持部を弧状に形成してウエハの支持面積を大き
くし，さらにロボットフィンガに邪魔にならない程度に
手前の支持柱の支持部端面を手前に寄せたので，ウエハ
自重のアンバランスがなくなり，このような自重アンバ
ランスの原因による熱応力転移の発生が減少される。ま
た，支持柱の材質を石英からＳｉＣに変更することによ
っても，面内温度差が減少するので，これに伴い熱応力
転位が減少される。さらに，支持柱の表面にＣＶＤコ−
ティングを施すようにすれば，汚染が防止される。
入して積載する都合上，挿入する手前には支持柱を設け
られないので，支持柱の配置は均一にならないが，上記
のように手前の支持柱のウエハ支持部の面積を大きくし
て手前と後側とのウエハ自重負荷を等しくすると共に，
全部の支持部を弧状に形成してウエハの支持面積を大き
くし，さらにロボットフィンガに邪魔にならない程度に
手前の支持柱の支持部端面を手前に寄せたので，ウエハ
自重のアンバランスがなくなり，このような自重アンバ
ランスの原因による熱応力転移の発生が減少される。ま
た，支持柱の材質を石英からＳｉＣに変更することによ
っても，面内温度差が減少するので，これに伴い熱応力
転位が減少される。さらに，支持柱の表面にＣＶＤコ−
ティングを施すようにすれば，汚染が防止される。
【０００６】
【実施例】本発明による半導体製造装置の反応炉内にお
けるウエハ支持機構の一実施例の横断平面図を図１に，
図１のＡ2矢視部分側面図を図２に示す。１１Ａ及び１
１Ｂは夫々一対の支持柱で，これらの支持柱１１Ａ，１
１Ｂは夫々幅ｂの２個の弧状断面を有する素材の内側を
切り落として形成される厚さｔの棚部１３ａ，１３ｂを
有する。１１Ｃ及び１１Ｄは夫々一対の支持柱で，これ
らの支持柱１１Ｃ及び１１Ｄは，幅ｂで長さが前記素材
の約半分の弧状断面を有する素材の内側を切り落として
形成される厚さｔの棚部１３ｃ及び１３ｄを有する。こ
のように各支持柱１１Ａ乃至１１Ｄの棚部１１ａ乃至１
１ｄの面積は弧状に形成するようにしたから従来の棚部
よりウエハの支持面積が増大され，さらに支持柱１１
Ａ，１１Ｂの棚部１１ａ，１１ｂの方が支持柱１１Ｃ，
１１Ｄの棚部１１ｃ，１１ｄよりもウエハの支持面積が
大となるように設定されている。なお，４個の支持柱１
１Ａ乃至１１Ｄは直立して，上，下を図示しない上プレ
−ト，下プレ−トで連結され，ウエハボ−トを形成する
ようになっている。また，一対の支持柱１１Ｃ及び１１
Ｄは夫々の垂直中心面Ｏ1Ｐ，Ｏ1Ｑがボ−トの垂直中心
面Ｘ1Ｘ1に対し夫々３０゜の対称位置にあり，弧状横断
面の扇形角度はともに約２０゜である。一方，一対の対
称形横断面を有する支持柱１１Ａ，１１Ｂの手前（図１
で下側）の棚部１３ａ，１３ｂの端面１４ａ，１４ｂは
夫々後側の支持柱１１Ｃ，１１Ｃの垂直中心面Ｏ1Ｐ，
Ｏ1Ｑからウエハボ−トの中心線を中心として略９０゜
回転した垂直面上に配置され，棚部１３ａ，１３ｂを含
む横断面の扇形角度は夫々約４０゜で，切落し部の夫々
の平面壁１５ａ，１５ｂは平行に対向するように配置さ
れている。この結果，ウエハ２０は図１に示すように，
この壁１５ａ，１５ｂ及び支持柱１１Ｃ，１１Ｄの弧状
の切落し部壁１５ｃ，１５ｄに内接して夫々の棚部１３
ａ，１３ｂ，１３ｃ及び１３ｄにより水平に支持される
ようになっている。このような棚部１３ａ，１３ｂ，１
３ｃ及び１３ｄが複数個，垂直方向に等間隔を隔てて各
支持柱１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ及び１１Ｄに設けられ
る。なお，２０ａはウエハ２０のオリフラ部である。な
お，各支持柱１１Ａ乃至１１Ｄの材質としてはＳｉＣを
用い，これらの表面にＣＶＤコ−ティングを施すように
することが望ましい。
けるウエハ支持機構の一実施例の横断平面図を図１に，
図１のＡ2矢視部分側面図を図２に示す。１１Ａ及び１
１Ｂは夫々一対の支持柱で，これらの支持柱１１Ａ，１
１Ｂは夫々幅ｂの２個の弧状断面を有する素材の内側を
切り落として形成される厚さｔの棚部１３ａ，１３ｂを
有する。１１Ｃ及び１１Ｄは夫々一対の支持柱で，これ
らの支持柱１１Ｃ及び１１Ｄは，幅ｂで長さが前記素材
の約半分の弧状断面を有する素材の内側を切り落として
形成される厚さｔの棚部１３ｃ及び１３ｄを有する。こ
のように各支持柱１１Ａ乃至１１Ｄの棚部１１ａ乃至１
１ｄの面積は弧状に形成するようにしたから従来の棚部
よりウエハの支持面積が増大され，さらに支持柱１１
Ａ，１１Ｂの棚部１１ａ，１１ｂの方が支持柱１１Ｃ，
１１Ｄの棚部１１ｃ，１１ｄよりもウエハの支持面積が
大となるように設定されている。なお，４個の支持柱１
１Ａ乃至１１Ｄは直立して，上，下を図示しない上プレ
−ト，下プレ−トで連結され，ウエハボ−トを形成する
ようになっている。また，一対の支持柱１１Ｃ及び１１
Ｄは夫々の垂直中心面Ｏ1Ｐ，Ｏ1Ｑがボ−トの垂直中心
面Ｘ1Ｘ1に対し夫々３０゜の対称位置にあり，弧状横断
面の扇形角度はともに約２０゜である。一方，一対の対
称形横断面を有する支持柱１１Ａ，１１Ｂの手前（図１
で下側）の棚部１３ａ，１３ｂの端面１４ａ，１４ｂは
夫々後側の支持柱１１Ｃ，１１Ｃの垂直中心面Ｏ1Ｐ，
Ｏ1Ｑからウエハボ−トの中心線を中心として略９０゜
回転した垂直面上に配置され，棚部１３ａ，１３ｂを含
む横断面の扇形角度は夫々約４０゜で，切落し部の夫々
の平面壁１５ａ，１５ｂは平行に対向するように配置さ
れている。この結果，ウエハ２０は図１に示すように，
この壁１５ａ，１５ｂ及び支持柱１１Ｃ，１１Ｄの弧状
の切落し部壁１５ｃ，１５ｄに内接して夫々の棚部１３
ａ，１３ｂ，１３ｃ及び１３ｄにより水平に支持される
ようになっている。このような棚部１３ａ，１３ｂ，１
３ｃ及び１３ｄが複数個，垂直方向に等間隔を隔てて各
支持柱１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ及び１１Ｄに設けられ
る。なお，２０ａはウエハ２０のオリフラ部である。な
お，各支持柱１１Ａ乃至１１Ｄの材質としてはＳｉＣを
用い，これらの表面にＣＶＤコ−ティングを施すように
することが望ましい。
【０００７】上記構成において，ロボットのフィンガで
手前（図１の下方）からウエハボ−トに挿入された各ウ
エハ２０は，支持柱１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ及び１１Ｄ
の棚部１３ａ，１３ｂ，１３ｃ及び１３ｄに移載され，
そのボ−トが反応炉に挿入されて熱処理されるが，図１
で明らかな通り，従来の円形横断面のウエハ支持面積
（図３参照）よりも大きい支持面積１６ａ，１６ｂ，１
６ｃ及び１６ｄでウエハ自重を受けられ，さらに，支持
柱１１Ａ，１１Ｂの棚部のウエハ支持面積１６ａ，１６
ｂは支持柱１１Ｃの支持面積１６ｃ，１６ｄの約２倍あ
って，しかも手前に片寄せてあるので，ウエハ自重のア
ンバランスが解消される。また，各支持柱１１Ａ乃至１
１Ｄが石英からＳｉＣへと材質変更されたことにより支
持柱とウエハとに熱応答性の差異がなくなり，ウエハ面
内の温度差が生じなくなった。さらに，各支持柱１１Ａ
乃至１１Ｄの表面にはＣＶＤコ−ティングが施され棚部
の汚染が防止されるようになった。
手前（図１の下方）からウエハボ−トに挿入された各ウ
エハ２０は，支持柱１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ及び１１Ｄ
の棚部１３ａ，１３ｂ，１３ｃ及び１３ｄに移載され，
そのボ−トが反応炉に挿入されて熱処理されるが，図１
で明らかな通り，従来の円形横断面のウエハ支持面積
（図３参照）よりも大きい支持面積１６ａ，１６ｂ，１
６ｃ及び１６ｄでウエハ自重を受けられ，さらに，支持
柱１１Ａ，１１Ｂの棚部のウエハ支持面積１６ａ，１６
ｂは支持柱１１Ｃの支持面積１６ｃ，１６ｄの約２倍あ
って，しかも手前に片寄せてあるので，ウエハ自重のア
ンバランスが解消される。また，各支持柱１１Ａ乃至１
１Ｄが石英からＳｉＣへと材質変更されたことにより支
持柱とウエハとに熱応答性の差異がなくなり，ウエハ面
内の温度差が生じなくなった。さらに，各支持柱１１Ａ
乃至１１Ｄの表面にはＣＶＤコ−ティングが施され棚部
の汚染が防止されるようになった。
【０００８】
【発明の効果】本発明の半導体製造装置におけるウエハ
支持機構は上記のように構成されるから，次のような優
れた効果を有する。 手前の支持柱のウエハ支持部の面積を大きくして手前
と後側とのウエハ自重負荷を等しくすると共に，全部の
支持部を弧状に形成してウエハの支持面積を大きくし，
更に手前の支持柱の支持部端面を手前に寄せるように配
置したので，ウエハ自重のアンバランスが大幅に減少
し，これにより自重のアンバランス支持に伴うウエハに
熱応力転移の発生は大幅に減少されるようになった。 また，支持柱の材質を石英からＳｉＣに変更すること
により熱応答性もウエハと差異なく，面内温度差が減少
させることができるから，この点からも熱応力転移の発
生を，さらに減少させることができる。 このように本発明は，の理由によって，熱応力転
位の発生が大幅に減少しスリップを起こさず，ウエハの
反り不良を大幅に低下させることができ，製造されるウ
エハの質が大幅に向上できるようになった。 さらに，支持柱の表面にＣＶＤコ−ティングが施すよ
うにすれば，汚染の付着を大幅に減少することができ
る。
支持機構は上記のように構成されるから，次のような優
れた効果を有する。 手前の支持柱のウエハ支持部の面積を大きくして手前
と後側とのウエハ自重負荷を等しくすると共に，全部の
支持部を弧状に形成してウエハの支持面積を大きくし，
更に手前の支持柱の支持部端面を手前に寄せるように配
置したので，ウエハ自重のアンバランスが大幅に減少
し，これにより自重のアンバランス支持に伴うウエハに
熱応力転移の発生は大幅に減少されるようになった。 また，支持柱の材質を石英からＳｉＣに変更すること
により熱応答性もウエハと差異なく，面内温度差が減少
させることができるから，この点からも熱応力転移の発
生を，さらに減少させることができる。 このように本発明は，の理由によって，熱応力転
位の発生が大幅に減少しスリップを起こさず，ウエハの
反り不良を大幅に低下させることができ，製造されるウ
エハの質が大幅に向上できるようになった。 さらに，支持柱の表面にＣＶＤコ−ティングが施すよ
うにすれば，汚染の付着を大幅に減少することができ
る。
【図１】本発明による半導体製造装置の反応炉内におけ
るウエハ支持機構の一実施例の横断平面図である。
るウエハ支持機構の一実施例の横断平面図である。
【図２】図１のＡ2矢視部分側面図である。
【図３】従来の半導体製造装置の反応炉内におけるウエ
ハ支持機構の横断平面図である。
ハ支持機構の横断平面図である。
【図４】図３のＡ1矢視部分側面図である。
１１Ａ〜１１Ｄ：支持柱 １３ａ〜１３ｄ：棚部 １４ａ，１４ｂ：端面 １６ａ〜１６ｄ：ウエハ支持面積 Ｏ1Ｏ1：中心線 Ｏ1Ｐ：垂直中心面 Ｏ1Ｑ：垂直中心面 Ｘ1Ｘ1：垂直中心面
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体製造装置におけるウエハ支持機構
において，ウエハボ−トの二対の垂直支持柱の各々は円
弧状の複数個の水平棚部とすると共に，これらの内のウ
エハ前方側の一対の支持柱の棚部のウエハ支持面積を後
方側の一対の支持柱の棚部のウエハ支持面積より大きく
し，また前記前方側の一対の支持柱の前方側端面位置
は，夫々後方側の支持柱の垂直中心面からウエハボ−ト
の中心線を中心にして９０゜前方側へ回転した垂直面上
に配置するようにしたことを特徴とする半導体製造装置
におけるウエハ支持機構。 - 【請求項２】 前記の各支持柱の材質としてＳｉＣを用
い，その表面にはＣＶＤコ−ティングを施すようにした
請求項１記載の半導体製造装置におけるウエハ支持機
構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14826693A JPH06338467A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 半導体製造装置におけるウエハ支持機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14826693A JPH06338467A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 半導体製造装置におけるウエハ支持機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338467A true JPH06338467A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=15448931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14826693A Pending JPH06338467A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 半導体製造装置におけるウエハ支持機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338467A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005072277A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 熱処理用縦型ボート及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-05-28 JP JP14826693A patent/JPH06338467A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005072277A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 熱処理用縦型ボート及びその製造方法 |
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