JPH0633528Y2 - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPH0633528Y2 JPH0633528Y2 JP1985074522U JP7452285U JPH0633528Y2 JP H0633528 Y2 JPH0633528 Y2 JP H0633528Y2 JP 1985074522 U JP1985074522 U JP 1985074522U JP 7452285 U JP7452285 U JP 7452285U JP H0633528 Y2 JPH0633528 Y2 JP H0633528Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- magnetic head
- ferrite
- pbo
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Glass Compositions (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本考案は磁気ヘツドに関するものであり、特にフエライ
ト磁気ヘツドに関する。
ト磁気ヘツドに関する。
（ロ）従来の技術 特開昭50-115513号公報はフエライト磁気ヘツドのサイ
ドギヤツプ形成ガラス材（コア半体の接合も行なう）に
ついて述べている。
ドギヤツプ形成ガラス材（コア半体の接合も行なう）に
ついて述べている。
この公知例はフエライトに対するガラスの侵蝕を阻止
し、またガラスとフエライト間の熱膨張係数の差に基づ
く融着時の残留歪を分散する技術を提案しているに過ぎ
ない。
し、またガラスとフエライト間の熱膨張係数の差に基づ
く融着時の残留歪を分散する技術を提案しているに過ぎ
ない。
磁気ヘツドのフエライトとガラス間の問題については、
熱膨張係数の問題や侵蝕以外にガラスの溶着温度、摩耗
性（硬度）等種々存する。これら全てのことを考慮して
現在実施されているサイドギヤツプ用ガラスの成分はPb
O、SiO2、K2O、Na2Oで、それぞれ略44Wt％、45Wt％、5W
t％、6Wt％（Wt％は重量％を表わす）の構成比である。
ここではガラスの溶着温度は750〜760℃に選ばれる。こ
の温度はフェライトが熱処理を受ける温度と同程度であ
るので、別途フエライトの熱処理を施こす必要がない。
この溶着温度は前記ガラス成分のうち、特にPbOに依存
し、PbOを44Wt％から下げていくと溶着温度下がる。し
かし、あまり下げ過ぎると別途フエライトの熱処理工程
を導入しなければならなくなる。硬度、従つて摩耗性は
SiO2に特に依存する。その他、熱膨張係数は全体的に効
くがPbOの影響は無視しえない。勿論、熱膨張因数はK2O
やNa2Oのアルカリ系が大きいが、これらはモル％は少な
いので、著しく効くという訳でない。因みに各成分の熱
膨張係数は因数×モル％で得られる。これら各成分の熱
膨張係数を合計したのが、ガラスとしての熱膨張係数で
ある。
熱膨張係数の問題や侵蝕以外にガラスの溶着温度、摩耗
性（硬度）等種々存する。これら全てのことを考慮して
現在実施されているサイドギヤツプ用ガラスの成分はPb
O、SiO2、K2O、Na2Oで、それぞれ略44Wt％、45Wt％、5W
t％、6Wt％（Wt％は重量％を表わす）の構成比である。
ここではガラスの溶着温度は750〜760℃に選ばれる。こ
の温度はフェライトが熱処理を受ける温度と同程度であ
るので、別途フエライトの熱処理を施こす必要がない。
この溶着温度は前記ガラス成分のうち、特にPbOに依存
し、PbOを44Wt％から下げていくと溶着温度下がる。し
かし、あまり下げ過ぎると別途フエライトの熱処理工程
を導入しなければならなくなる。硬度、従つて摩耗性は
SiO2に特に依存する。その他、熱膨張係数は全体的に効
くがPbOの影響は無視しえない。勿論、熱膨張因数はK2O
やNa2Oのアルカリ系が大きいが、これらはモル％は少な
いので、著しく効くという訳でない。因みに各成分の熱
膨張係数は因数×モル％で得られる。これら各成分の熱
膨張係数を合計したのが、ガラスとしての熱膨張係数で
ある。
（ハ）考案が解決しようとする問題点 上記現在実施のガラス成分のものでは、サイドギヤツプ
部に気泡跡が形成されるという欠点がある。斯る気泡跡
はガラス溶着時に生じるものであるが、この気泡跡は磁
気テープと当接するため磁気テープの磁性粉が削り取ら
れたり、その磁性粉が気泡内に入つて摺動ノイズの原因
となつたりする。従つて、Ｓ／Ｎ比が悪くなり、磁気ヘ
ツドの性能を低下させる原因となる。
部に気泡跡が形成されるという欠点がある。斯る気泡跡
はガラス溶着時に生じるものであるが、この気泡跡は磁
気テープと当接するため磁気テープの磁性粉が削り取ら
れたり、その磁性粉が気泡内に入つて摺動ノイズの原因
となつたりする。従つて、Ｓ／Ｎ比が悪くなり、磁気ヘ
ツドの性能を低下させる原因となる。
本考案はこれらの問題を解決する。
（ニ）問題点を解決するための手段 本考案ではPbOの一部を2Wt％程度のCaOで置き換える。
（ホ）作用 ガラス部に発生する気泡の数が著しく減少する。
（ヘ）実施例 第１図は本考案による磁気ヘツドの外観斜視図を示して
おり、（１）はフエライトよりなるコア半体（2a）（2
b）を接合すると共に、テープ当接面（３）における作
用ギヤツプ（４）に対しサイドギヤツプ（13）を形成す
るガラスである。ガラス（１）は各フエライトコア半体
（2a）（2b）の切欠き部（14）に設けられた形となる。
そして、このガラスはPbO、SiO2、K2O、Na2O、およびCa
Oから構成され、その構成比はそれぞれ、43Wt％、45Wt
％、5Wt％、5Wt％および2Wt％である。このガラスは熱
膨張係数が105×10-7℃、硬度460kg／ｍμ２、転位点41
0℃、屈伏点465℃である。
おり、（１）はフエライトよりなるコア半体（2a）（2
b）を接合すると共に、テープ当接面（３）における作
用ギヤツプ（４）に対しサイドギヤツプ（13）を形成す
るガラスである。ガラス（１）は各フエライトコア半体
（2a）（2b）の切欠き部（14）に設けられた形となる。
そして、このガラスはPbO、SiO2、K2O、Na2O、およびCa
Oから構成され、その構成比はそれぞれ、43Wt％、45Wt
％、5Wt％、5Wt％および2Wt％である。このガラスは熱
膨張係数が105×10-7℃、硬度460kg／ｍμ２、転位点41
0℃、屈伏点465℃である。
第５図〜第７図は従来のガラス材と前記本考案実施例の
ガラス材とをそれぞれ第４図に示すように700μｍ×650
μｍ×30mmに切つて洗浄した後、フエライト単結晶ウエ
ハ（５）の上に置き溶着炉で溶かし、その後、ガラスの
断面を切り、中の気泡を調べたものである。尚、（ａ）
が従来例、（ｂ）が本考案実施例を示す。このガラスを
磁気ヘツドに使用するための好適な溶融温度は760℃
（第６図）であるが、その前後、即ち720℃（第５図）
と780℃（第７図）についても調べた。第４図のように
形成され且つ配されたガラス材を前記各温度で溶融した
後、常温でガラス材を30mmの長さの中央と両端近くで断
面し、その３箇所の断面に現われた気泡数を合計したの
が第５図〜第７図における縦軸の気泡数である。これに
よれば、本考案実施例のガラス材は従来例に比し圧倒的
に気泡数が少ないことが分かる。尚、上述でPbOを43Wt
％、Na2Oを5Wt％としたが、例えばPbOを42Wt％とし、Na
2Oを6Wt％としても同様な効果を得ることができる。
ガラス材とをそれぞれ第４図に示すように700μｍ×650
μｍ×30mmに切つて洗浄した後、フエライト単結晶ウエ
ハ（５）の上に置き溶着炉で溶かし、その後、ガラスの
断面を切り、中の気泡を調べたものである。尚、（ａ）
が従来例、（ｂ）が本考案実施例を示す。このガラスを
磁気ヘツドに使用するための好適な溶融温度は760℃
（第６図）であるが、その前後、即ち720℃（第５図）
と780℃（第７図）についても調べた。第４図のように
形成され且つ配されたガラス材を前記各温度で溶融した
後、常温でガラス材を30mmの長さの中央と両端近くで断
面し、その３箇所の断面に現われた気泡数を合計したの
が第５図〜第７図における縦軸の気泡数である。これに
よれば、本考案実施例のガラス材は従来例に比し圧倒的
に気泡数が少ないことが分かる。尚、上述でPbOを43Wt
％、Na2Oを5Wt％としたが、例えばPbOを42Wt％とし、Na
2Oを6Wt％としても同様な効果を得ることができる。
第３図は第１図の磁気ヘツドの製造プロセスを示す図で
あり、（６）（７）は第１、第２フエライトウエハであ
り、第１ウエハ（６）にはSiO2膜（８）が蒸着される。
第１フエライトウエハ（６）にはガラス挿入溝（９）と
巻線溝（10）が形成されると共に、これと直交する方向
にトラツク幅規定溝（11）が設けられる。第２フエライ
トウエハ（７）にはSiO2膜（８）を設けても、設けなく
ともよいが、トラツク幅規定溝（12）が形成される。第
１、第２フエライトウエハ（６）（７）は合体され上述
したガラス（１）′がガラス挿入溝（11）に挿入され溶
融される。その後スライス及びＲ付け研磨して第１図の
磁気ヘツドが得られる。第１図の磁気ヘツドにはコイル
が巻装されるが、図の簡単化のため図示していない。
あり、（６）（７）は第１、第２フエライトウエハであ
り、第１ウエハ（６）にはSiO2膜（８）が蒸着される。
第１フエライトウエハ（６）にはガラス挿入溝（９）と
巻線溝（10）が形成されると共に、これと直交する方向
にトラツク幅規定溝（11）が設けられる。第２フエライ
トウエハ（７）にはSiO2膜（８）を設けても、設けなく
ともよいが、トラツク幅規定溝（12）が形成される。第
１、第２フエライトウエハ（６）（７）は合体され上述
したガラス（１）′がガラス挿入溝（11）に挿入され溶
融される。その後スライス及びＲ付け研磨して第１図の
磁気ヘツドが得られる。第１図の磁気ヘツドにはコイル
が巻装されるが、図の簡単化のため図示していない。
（ト）考案の効果 本考案によればサイドギヤツプに気泡跡が残らないか、
残つても極めて少ないので磁気テープを傷めたり、磁性
粉が貯つたりすることがないという効果がある。従つて
磁気ヘツドの特性も従来例に比し向上する。
残つても極めて少ないので磁気テープを傷めたり、磁性
粉が貯つたりすることがないという効果がある。従つて
磁気ヘツドの特性も従来例に比し向上する。
第１図は本考案を実施した磁気ヘツドの斜視図であり、
第２図はその平面図である。第３図は第１図の磁気ヘツ
ドの製造プロセスを示す図である。第４図、第５図、第
６図、および第７図は本考案の説明図である。 （１）…ガラス、（2a）（2b）…フエライトコア半体、
（13）…サイドギヤツプ、（14）切欠き部。
第２図はその平面図である。第３図は第１図の磁気ヘツ
ドの製造プロセスを示す図である。第４図、第５図、第
６図、および第７図は本考案の説明図である。 （１）…ガラス、（2a）（2b）…フエライトコア半体、
（13）…サイドギヤツプ、（14）切欠き部。
Claims (1)
- 【請求項１】フェライトコアの切り欠き部にガラス材か
らなるサイドギャップを形成した磁気ヘッドにおいて、 前記ガラス材を構成するPbO、SiO2、K2O、Na2O、CaOの
構成比が、それぞれ42〜43Wt％、45Wt％、5Wt％、５〜6
Wt％、2Wt％（Wt％は重量％を表わす）であることを特
徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985074522U JPH0633528Y2 (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985074522U JPH0633528Y2 (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61195505U JPS61195505U (ja) | 1986-12-05 |
| JPH0633528Y2 true JPH0633528Y2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=30614903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985074522U Expired - Lifetime JPH0633528Y2 (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0633528Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4972312A (ja) * | 1972-11-10 | 1974-07-12 | ||
| JPS5439845B2 (ja) * | 1974-03-09 | 1979-11-30 |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP1985074522U patent/JPH0633528Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61195505U (ja) | 1986-12-05 |
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