JP2551014B2 - 複合磁気ヘッド - Google Patents
複合磁気ヘッドInfo
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- JP2551014B2 JP2551014B2 JP62182055A JP18205587A JP2551014B2 JP 2551014 B2 JP2551014 B2 JP 2551014B2 JP 62182055 A JP62182055 A JP 62182055A JP 18205587 A JP18205587 A JP 18205587A JP 2551014 B2 JP2551014 B2 JP 2551014B2
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- glass
- fused glass
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はVTR等に使用して好適な複合磁気ヘッドに関
する。
する。
本発明はVTR等に使用して好適な複合磁気ヘッドであ
って、基板上に金属磁性薄膜が形成された磁気コア半体
対をガラス融着により一体化し、金属磁性薄膜により作
動ギャップを構成してなる複合磁気ヘッドに於いて、融
着ガラスの組成をPbO 40〜62重量％、SiO2 11〜25重量
％、B2O3 5〜９重量％、Bi2O3 4〜９重量％、Na2O 0〜1
1重量％（但し０重量％は含まず）、Fe2O3及びZnOの合
計10〜18重量％とすることにより融着ガラスの転移温度
の適正化を図り、金属磁性薄膜の磁気特性に影響を与え
ない温度条件で融着作業を行うことができる様にし、ま
た融着ガラスの熱膨脹係数の適正化と硬度の向上とを図
り、融着作業時及び研磨作業時、融着ガラスにクラック
が発生しない様にし、また融着ガラスの耐水性の向上を
図り、研磨作業時、融着ガラスが研磨液に溶出しない様
にし、また金属磁性薄膜をなす金属の融着ガラス中への
拡散の抑制を図り、デプスを目視できる様にし、所要寸
法のデプスを容易に形成できる様にすると共に融着ガラ
スの変質による割れを防止する様にしたものである。
って、基板上に金属磁性薄膜が形成された磁気コア半体
対をガラス融着により一体化し、金属磁性薄膜により作
動ギャップを構成してなる複合磁気ヘッドに於いて、融
着ガラスの組成をPbO 40〜62重量％、SiO2 11〜25重量
％、B2O3 5〜９重量％、Bi2O3 4〜９重量％、Na2O 0〜1
1重量％（但し０重量％は含まず）、Fe2O3及びZnOの合
計10〜18重量％とすることにより融着ガラスの転移温度
の適正化を図り、金属磁性薄膜の磁気特性に影響を与え
ない温度条件で融着作業を行うことができる様にし、ま
た融着ガラスの熱膨脹係数の適正化と硬度の向上とを図
り、融着作業時及び研磨作業時、融着ガラスにクラック
が発生しない様にし、また融着ガラスの耐水性の向上を
図り、研磨作業時、融着ガラスが研磨液に溶出しない様
にし、また金属磁性薄膜をなす金属の融着ガラス中への
拡散の抑制を図り、デプスを目視できる様にし、所要寸
法のデプスを容易に形成できる様にすると共に融着ガラ
スの変質による割れを防止する様にしたものである。
従来、VTR等に使用される複合磁気ヘッドとして第５
図にその斜視図を示す様なものが提案されている。
図にその斜視図を示す様なものが提案されている。
この複合磁気ヘッドは、ギャップ幅規制溝（1A）（1
A），（1B）（1B）を形成したMn−Znフェライト等から
なる基板（2A），（2B）にFe−Si−Ga−Ru合金等からな
る金属磁性薄膜（3A），（3B）を形成してなる磁気コア
半体（4A），（4B）を金属磁性薄膜（3A），（3B）同士
を対向させる様に突き合わせ、これら磁気コア半体（4
A），（4B）を融着ガラス（５），（５）によって融着
一体化して構成されており、作動ギャップ（６）は金属
磁性薄膜（3A），（3B）間に形成されている。ここに金
属磁性薄膜（3A），（3B）のギャップ形成面には第６図
に示す様にギャップスペーサをなすSiO2膜（7A），（7
B）が形成されており、また融着ガラス（５），（５）
はPbOを70重量％、SiO2を20重量％、B2O3を10重量％と
する組成のものが使用されている。尚、（８）は巻き線
穴である。
A），（1B）（1B）を形成したMn−Znフェライト等から
なる基板（2A），（2B）にFe−Si−Ga−Ru合金等からな
る金属磁性薄膜（3A），（3B）を形成してなる磁気コア
半体（4A），（4B）を金属磁性薄膜（3A），（3B）同士
を対向させる様に突き合わせ、これら磁気コア半体（4
A），（4B）を融着ガラス（５），（５）によって融着
一体化して構成されており、作動ギャップ（６）は金属
磁性薄膜（3A），（3B）間に形成されている。ここに金
属磁性薄膜（3A），（3B）のギャップ形成面には第６図
に示す様にギャップスペーサをなすSiO2膜（7A），（7
B）が形成されており、また融着ガラス（５），（５）
はPbOを70重量％、SiO2を20重量％、B2O3を10重量％と
する組成のものが使用されている。尚、（８）は巻き線
穴である。
ここに斯る複合磁気ヘッドは次の様にして製造するこ
とができる。
とができる。
即ち先ず第７図Ａに示す様に同一形状の一対の基板形
成用ブロック（9A），（9B）を用意し、一方の基板形成
用ブロック（9A）の一面にギャップ幅規制溝（1A）を形
成した後、この面全面に金属磁性薄膜（3A）及びSiO2膜
（7A）をスパッタリングによって順次に形成し、一方の
磁気コア半体形成用ブロック（10A）を構成する。
成用ブロック（9A），（9B）を用意し、一方の基板形成
用ブロック（9A）の一面にギャップ幅規制溝（1A）を形
成した後、この面全面に金属磁性薄膜（3A）及びSiO2膜
（7A）をスパッタリングによって順次に形成し、一方の
磁気コア半体形成用ブロック（10A）を構成する。
次に他方の基板形成用ブロック（9B）の一面にギャッ
プ幅規制溝（1B）、巻き線穴形成溝（11）及びバック溝
（12）を形成した後、この面全面に金属磁性薄膜（3B）
及びSiO2膜（7B）をスパッタリングによって順次に形成
し、他方の磁気コア半体形成用ブロック（10B）を構成
する。
プ幅規制溝（1B）、巻き線穴形成溝（11）及びバック溝
（12）を形成した後、この面全面に金属磁性薄膜（3B）
及びSiO2膜（7B）をスパッタリングによって順次に形成
し、他方の磁気コア半体形成用ブロック（10B）を構成
する。
次にこれら一方の磁気コア半体形成用ブロック（10
A）と他方の磁気コア半体形成用ブロック（10B）とを第
７図Ｂに示す様に突き合わせ、巻き線穴形成溝（11）及
びバック溝（12）あるいは、トラック幅規制溝（1A），
（1B）の上部及び巻線穴形成溝（11）あるいはバック溝
（12）のみにガラス棒を挿入し、このガラス棒を熔融す
ることによってトラック幅規制溝（1A），（1B）、巻き
線穴形成溝（11）及びバック溝（12）に融着用のガラス
（５）を充填し、このガラス（５）によって一方の磁気
コア半体形成用ブロック（10A）と他方の磁気コア半体
形成用ブロック（10B）とを接合し、合体ブロック（1
3）となす。
A）と他方の磁気コア半体形成用ブロック（10B）とを第
７図Ｂに示す様に突き合わせ、巻き線穴形成溝（11）及
びバック溝（12）あるいは、トラック幅規制溝（1A），
（1B）の上部及び巻線穴形成溝（11）あるいはバック溝
（12）のみにガラス棒を挿入し、このガラス棒を熔融す
ることによってトラック幅規制溝（1A），（1B）、巻き
線穴形成溝（11）及びバック溝（12）に融着用のガラス
（５）を充填し、このガラス（５）によって一方の磁気
コア半体形成用ブロック（10A）と他方の磁気コア半体
形成用ブロック（10B）とを接合し、合体ブロック（1
3）となす。
次に、この合体ブロック（13）を第７図Ｂに示す２点
鎖線に沿って切断し、フロント面を円筒面状に研磨す
る。
鎖線に沿って切断し、フロント面を円筒面状に研磨す
る。
この様にすることによって第５図に示す複合磁気ヘッ
ドを得ることができる。
ドを得ることができる。
しかしながら、斯る従来の複合磁気ヘッドにおいて
は、一方の磁気コア半体ブロック（10A）と他方の磁気
コア半体ブロック（10B）とをガラス（５）によって接
合する場合、金属磁性薄膜（3A），（3B）を構成する金
属がSiO2膜（7A），（7B）を通して融着ガラス（５）中
に拡散してしまい、このため第６図に示す様に融着ガラ
ス（５）中に金属拡散部（14）（第６図に斜線で示す部
分）が形成され、この金属拡散部（14）からひび割れが
生じ、この複合磁気ヘッドが割れしまう場合があるとい
う不都合があった。
は、一方の磁気コア半体ブロック（10A）と他方の磁気
コア半体ブロック（10B）とをガラス（５）によって接
合する場合、金属磁性薄膜（3A），（3B）を構成する金
属がSiO2膜（7A），（7B）を通して融着ガラス（５）中
に拡散してしまい、このため第６図に示す様に融着ガラ
ス（５）中に金属拡散部（14）（第６図に斜線で示す部
分）が形成され、この金属拡散部（14）からひび割れが
生じ、この複合磁気ヘッドが割れしまう場合があるとい
う不都合があった。
また、たとえ金属拡散部（14）からひび割れが生じな
い場合であっても、この金属拡散部（14）は金属色に濁
ってしまうため、第８図に示す様にガラス（５）を通し
て巻き線穴（８）の頂点Ｐを観察することができず、フ
ロント面から巻き線穴（８）の頂点までの長さＬ、所謂
デプス長Ｌを所要寸法に加工することができないという
不都合があった。
い場合であっても、この金属拡散部（14）は金属色に濁
ってしまうため、第８図に示す様にガラス（５）を通し
て巻き線穴（８）の頂点Ｐを観察することができず、フ
ロント面から巻き線穴（８）の頂点までの長さＬ、所謂
デプス長Ｌを所要寸法に加工することができないという
不都合があった。
また斯る従来の複合磁気ヘッドにおいては、融着ガラ
ス（５）の熱膨脹係数が小さいためクラックが生じ易い
という不都合があった。この場合、融着ガラス（５）に
おけるPbO、SiO2及びB2O3の配合量を変えることによっ
てこの融着ガラス（５）の熱膨脹係数を高めることがで
きるが、この様にすると耐水性が低くなり、研磨工程時
に研磨液によって融着ガラス（５）が溶出してしまうと
いう不都合があると共に硬度も弱くなり、このため研磨
工程時にクラックが生じてしまうという不都合もあっ
た。
ス（５）の熱膨脹係数が小さいためクラックが生じ易い
という不都合があった。この場合、融着ガラス（５）に
おけるPbO、SiO2及びB2O3の配合量を変えることによっ
てこの融着ガラス（５）の熱膨脹係数を高めることがで
きるが、この様にすると耐水性が低くなり、研磨工程時
に研磨液によって融着ガラス（５）が溶出してしまうと
いう不都合があると共に硬度も弱くなり、このため研磨
工程時にクラックが生じてしまうという不都合もあっ
た。
本発明は上述不都合を解消することを目的とする。
本発明による複合磁気ヘッドは、例えば第１図に示す
様に、基板（20A），（20B）上に金属磁性薄膜（21
A），（21B）が形成された磁気コア半体対（22A），（2
2B）をガラス融着により一体化し、金属磁性薄膜（21
A），（21B）により作動ギャップ（24）が構成されてな
る複合磁気ヘッドに於いて、融着ガラス（23）がPbO40
〜62重量％、SiO2 11〜25重量％、B2O3 5〜９重量％、B
i2O3 4〜９重量％、Na2O 0〜11重量％（但し０重量％は
含まず）、Fe2O3及びZnOの合計10〜18重量％なる組成を
有しているものである。
様に、基板（20A），（20B）上に金属磁性薄膜（21
A），（21B）が形成された磁気コア半体対（22A），（2
2B）をガラス融着により一体化し、金属磁性薄膜（21
A），（21B）により作動ギャップ（24）が構成されてな
る複合磁気ヘッドに於いて、融着ガラス（23）がPbO40
〜62重量％、SiO2 11〜25重量％、B2O3 5〜９重量％、B
i2O3 4〜９重量％、Na2O 0〜11重量％（但し０重量％は
含まず）、Fe2O3及びZnOの合計10〜18重量％なる組成を
有しているものである。
斯る本発明によれば、融着ガラス（23）は、その転移
点が390℃〜430℃、屈状点が430℃〜460℃となるので、
作業温度として530℃〜630℃を設定することができ、金
属磁性薄膜（21A），（21B）の磁気特性に影響を与えな
い650℃以下の温度下で融着作業を行うことができる。
点が390℃〜430℃、屈状点が430℃〜460℃となるので、
作業温度として530℃〜630℃を設定することができ、金
属磁性薄膜（21A），（21B）の磁気特性に影響を与えな
い650℃以下の温度下で融着作業を行うことができる。
また本発明によれば、融着ガラス（23）は、熱膨脹係
数が85×10-7〜125×10-7℃-1となるので、金属磁性薄
膜（21A），（21B）の熱膨脹係数との整合を図ることが
でき、融着作業時におけるガラス（23）のクラックの発
生を抑制することができる。
数が85×10-7〜125×10-7℃-1となるので、金属磁性薄
膜（21A），（21B）の熱膨脹係数との整合を図ることが
でき、融着作業時におけるガラス（23）のクラックの発
生を抑制することができる。
また本発明によれば、融着ガラス（23）は、耐水性及
び硬度に優れたものとなるので、研磨加工時におけるガ
ラス（23）の研磨液への溶出及びクラックの発生を抑制
することができる。
び硬度に優れたものとなるので、研磨加工時におけるガ
ラス（23）の研磨液への溶出及びクラックの発生を抑制
することができる。
また本発明によれば、金属磁性薄膜（21A），（21B）
をなす金属の融着ガラス（23）中への拡散が抑制される
ので、デプスの目視が可能となり、このため、デプスを
所要寸法に加工することができると共に融着ガラス（2
3）の変質による割れを防止することができる。
をなす金属の融着ガラス（23）中への拡散が抑制される
ので、デプスの目視が可能となり、このため、デプスを
所要寸法に加工することができると共に融着ガラス（2
3）の変質による割れを防止することができる。
以下、第１図〜第４図を参照して本発明複合磁気ヘッ
ドの一実施例につき説明しよう。
ドの一実施例につき説明しよう。
本例の複合磁気ヘッドは、ギャップ幅規制溝（25A）
（25A），（25B）（25B）を形成したMn−Znフェライト
からなる基板（20A），（20B）に金属磁性薄膜をなすFe
−Si−Ga−Ru合金薄膜（21A），（21B）を形成してなる
磁気コア半体（22A），（22B）をFe−Si−Ga−Ru合金薄
膜（21A），（21B）同士を対向させる様に突き合わせ、
これら磁気コア半体（22A），（22B）を融着ガラス（2
3），（23）によって融着一体化して構成されており、
作動ギャップ（24）はFe−Si−Ga−Ru合金薄膜（21
A），（21B）間に形成されている。ここにFe−Si−Ga−
Ru合金薄膜（21A），（21B）のギャップ形成面には第２
図に示す様にギャップスペーサをなすSiO2膜（26A），
（26B）が形成されており、また融着ガラス（23）はそ
の組成をPbOを44.7重量％、SiO2を20.6重量％、 B2O3を6.9重量％、Bi2O3を6.9重量％、Na2Oを6.9重量
％、Fe2O3を7.8重量％、ZnOを6.2重量％とするのものが
使用されている。尚、（27）は巻き線穴である。
（25A），（25B）（25B）を形成したMn−Znフェライト
からなる基板（20A），（20B）に金属磁性薄膜をなすFe
−Si−Ga−Ru合金薄膜（21A），（21B）を形成してなる
磁気コア半体（22A），（22B）をFe−Si−Ga−Ru合金薄
膜（21A），（21B）同士を対向させる様に突き合わせ、
これら磁気コア半体（22A），（22B）を融着ガラス（2
3），（23）によって融着一体化して構成されており、
作動ギャップ（24）はFe−Si−Ga−Ru合金薄膜（21
A），（21B）間に形成されている。ここにFe−Si−Ga−
Ru合金薄膜（21A），（21B）のギャップ形成面には第２
図に示す様にギャップスペーサをなすSiO2膜（26A），
（26B）が形成されており、また融着ガラス（23）はそ
の組成をPbOを44.7重量％、SiO2を20.6重量％、 B2O3を6.9重量％、Bi2O3を6.9重量％、Na2Oを6.9重量
％、Fe2O3を7.8重量％、ZnOを6.2重量％とするのものが
使用されている。尚、（27）は巻き線穴である。
ここに斯る複合磁気ヘッドは次の様にして製造するこ
とができる。
とができる。
即ち先ず第３図Ａに示す様に同一形状の一対の基板形
成用ブロック（28A），（28B）を用意し、一方の基板形
成用ブロック（28A）の一面にトラック幅規制溝（25A）
を形成した後、この面全面にFe−Si−Ga−Ru合金薄膜
（21A）及びSiO2膜（26A）をスパッタリングによって順
次に形成し、一方の磁気コア半体形成用ブロック（29
A）を構成する。
成用ブロック（28A），（28B）を用意し、一方の基板形
成用ブロック（28A）の一面にトラック幅規制溝（25A）
を形成した後、この面全面にFe−Si−Ga−Ru合金薄膜
（21A）及びSiO2膜（26A）をスパッタリングによって順
次に形成し、一方の磁気コア半体形成用ブロック（29
A）を構成する。
次に他方の基板形成用ブロック（28B）の一面にギャ
ップ幅規制溝（25B）、巻き線穴形成溝（30）及びバッ
ク溝（31）を形成した後、この面全面にFe−Si−Ga−Ru
合金薄膜（21B）及びSiO2膜（26B）をスパッタリングに
よって順次に形成し、他方の磁気コア半体形成用ブロッ
ク（29B）を構成する。
ップ幅規制溝（25B）、巻き線穴形成溝（30）及びバッ
ク溝（31）を形成した後、この面全面にFe−Si−Ga−Ru
合金薄膜（21B）及びSiO2膜（26B）をスパッタリングに
よって順次に形成し、他方の磁気コア半体形成用ブロッ
ク（29B）を構成する。
次にこれら一方の磁気コア半体形成用ブロック（29
A）と他方の磁気コア半体形成用ブロック（29B）とを第
３図Ｂに示す様に突き合わせ、巻き線穴形成溝（30）及
びバック溝（31）にガラス棒を挿入し、このガラス棒を
熔融することによってトラック幅規制溝（25A），（25
B）、巻き線穴形成溝（30）及びバック溝（31）に融着
用のガラス（23）を充填し、このガラス（23）によって
一方の磁気コア半体形成用ブロック（29A）と他方の磁
気コア半体形成用ブロック（29B）とを接合し、合体ブ
ロック（32）となす。そして、その後、この合体ブロッ
ク（32）を第３図Ｂに示す２点鎖線に沿って切断し、フ
ロント面を円筒面状に研磨する。この様にして本例の複
合磁気ヘッドを得ることができる。
A）と他方の磁気コア半体形成用ブロック（29B）とを第
３図Ｂに示す様に突き合わせ、巻き線穴形成溝（30）及
びバック溝（31）にガラス棒を挿入し、このガラス棒を
熔融することによってトラック幅規制溝（25A），（25
B）、巻き線穴形成溝（30）及びバック溝（31）に融着
用のガラス（23）を充填し、このガラス（23）によって
一方の磁気コア半体形成用ブロック（29A）と他方の磁
気コア半体形成用ブロック（29B）とを接合し、合体ブ
ロック（32）となす。そして、その後、この合体ブロッ
ク（32）を第３図Ｂに示す２点鎖線に沿って切断し、フ
ロント面を円筒面状に研磨する。この様にして本例の複
合磁気ヘッドを得ることができる。
斯る本実施例によれば、融着ガラス（23）はその転移
点が410℃、屈状点が450℃となるので、作業温度として
530℃を設定することができ、Fe−Si−Ga−Ru合金薄膜
（21A），（21B）の磁気特性に影響を与えない650℃以
下の温度下で融着作業を行うことができる。
点が410℃、屈状点が450℃となるので、作業温度として
530℃を設定することができ、Fe−Si−Ga−Ru合金薄膜
（21A），（21B）の磁気特性に影響を与えない650℃以
下の温度下で融着作業を行うことができる。
また本実施例によれば、ガラス（23）は、その熱膨脹
係数が110×10-7℃-1となるので、Fe−Si−Ga−Ru合金
薄膜（21A），（21B）の熱膨脹係数（150×10-7〜160×
10-7℃-1）及びMn−Znフェライトブロック（28A），（2
8B）の熱膨脹係数（120×10-7〜130×10-7℃-1）との整
合が良好となり、融着作業時に融着ガラス（23）にクラ
ックが発生するのを抑制することができる。
係数が110×10-7℃-1となるので、Fe−Si−Ga−Ru合金
薄膜（21A），（21B）の熱膨脹係数（150×10-7〜160×
10-7℃-1）及びMn−Znフェライトブロック（28A），（2
8B）の熱膨脹係数（120×10-7〜130×10-7℃-1）との整
合が良好となり、融着作業時に融着ガラス（23）にクラ
ックが発生するのを抑制することができる。
また本実施例によれば、融着ガラス（23）は、耐水性
及び硬度に優れたものとなるので、研磨加工時における
融着ガラス（23）の研磨液への溶出及びクラックの発生
を抑制することができる。
及び硬度に優れたものとなるので、研磨加工時における
融着ガラス（23）の研磨液への溶出及びクラックの発生
を抑制することができる。
また本実施例に依れば、第２図に示す様にFe−Si−Ga
−Ru合金の融着ガラス（23）中への拡散が抑制されるの
で、融着ガラス（23）の変質による融着ガラス（23）の
割れを防止できると共に第４図に示す様に巻き線穴（2
7）の頂点Ｐを観察することができるので、デプスを容
易に所要寸法に加工することができる。
−Ru合金の融着ガラス（23）中への拡散が抑制されるの
で、融着ガラス（23）の変質による融着ガラス（23）の
割れを防止できると共に第４図に示す様に巻き線穴（2
7）の頂点Ｐを観察することができるので、デプスを容
易に所要寸法に加工することができる。
尚、上述実施例においては、融着ガラス（23）の組成
をPbO 44.7重量％SiO2 20.6重量％、B2O3 6.9重量％、B
i2O3 6.9重量％、Na2O 6.9重量％、Fe2O3 7.8重量％、Z
nO 6.2重量％とした場合につき述べたが、融着ガラス
（23）はその組成をPbO 40〜62重量％、SiO2 11〜25重
量％、B2O3 5〜９重量％、Bi2O3 4〜９重量％、Na2O 0
〜11重量％（但し、０重量％は含まず）、Fe2O3及びZnO
の合計10〜18重量％の範囲で任意に選択することがで
き、この範囲内であれば、融着ガラスの転移温度の適正
化を図り、Fe−Si−Ga−Ru合金薄膜の磁気特性に影響を
与えない温度条件で融着作業を行うことができ、また融
着ガラスの熱膨脹係数の適正化と硬度の向上を図り、融
着作業時及び研磨作業時、融着ガラスにクラックが発生
しない様にでき、また融着ガラスの耐水性の向上を図
り、研磨作業時、融着ガラスが研磨液に溶出しない様に
でき、またFe−Si−Ga−Ru合金の融着ガラス中への拡散
の抑制を図り、デプスを目視できる様にし、所要寸法の
デプスを容易に形成できると共に融着ガラスの変質によ
る割れを防止することができる。
をPbO 44.7重量％SiO2 20.6重量％、B2O3 6.9重量％、B
i2O3 6.9重量％、Na2O 6.9重量％、Fe2O3 7.8重量％、Z
nO 6.2重量％とした場合につき述べたが、融着ガラス
（23）はその組成をPbO 40〜62重量％、SiO2 11〜25重
量％、B2O3 5〜９重量％、Bi2O3 4〜９重量％、Na2O 0
〜11重量％（但し、０重量％は含まず）、Fe2O3及びZnO
の合計10〜18重量％の範囲で任意に選択することがで
き、この範囲内であれば、融着ガラスの転移温度の適正
化を図り、Fe−Si−Ga−Ru合金薄膜の磁気特性に影響を
与えない温度条件で融着作業を行うことができ、また融
着ガラスの熱膨脹係数の適正化と硬度の向上を図り、融
着作業時及び研磨作業時、融着ガラスにクラックが発生
しない様にでき、また融着ガラスの耐水性の向上を図
り、研磨作業時、融着ガラスが研磨液に溶出しない様に
でき、またFe−Si−Ga−Ru合金の融着ガラス中への拡散
の抑制を図り、デプスを目視できる様にし、所要寸法の
デプスを容易に形成できると共に融着ガラスの変質によ
る割れを防止することができる。
ここにPbO＜40重量％のときは、転移点が430℃を越え
てしまい、作業温度として650℃以上を設定しなければ
ならなくなる。作業温度が650℃以上になると、Fe−Si
−Ga−Ru合金薄膜（21A），（21B）の磁気特性が劣化す
るのみならず、Fe−Si−Ga−Ru合金薄膜（21A），（21
B）が剥離し易くなる。またPbO＞62重量％のときは、析
出物が発生し易くなり、ヌレ性の劣化、線引し易さの劣
化、ガラス質の不均一化が生じる。
てしまい、作業温度として650℃以上を設定しなければ
ならなくなる。作業温度が650℃以上になると、Fe−Si
−Ga−Ru合金薄膜（21A），（21B）の磁気特性が劣化す
るのみならず、Fe−Si−Ga−Ru合金薄膜（21A），（21
B）が剥離し易くなる。またPbO＞62重量％のときは、析
出物が発生し易くなり、ヌレ性の劣化、線引し易さの劣
化、ガラス質の不均一化が生じる。
またSiO2＜11重量％のときは、転移点が390℃未満、
作業温度が500℃未満となり、耐水性、耐摩耗性、硬度
が劣化する。またSiO2＞25重量％のときは作業温度が60
0℃を越え、ヌレ性が劣化する。
作業温度が500℃未満となり、耐水性、耐摩耗性、硬度
が劣化する。またSiO2＞25重量％のときは作業温度が60
0℃を越え、ヌレ性が劣化する。
またB2O3＜５重量％のときは、結晶化により線引が難
しくなり、ヌレ性も劣化する。またB2O3＞９重量％とき
は、ヌレ性が良くなりすぎ、ギャップスペーサとしてSi
O2膜を使用するときは、このSiO2膜を侵食する。
しくなり、ヌレ性も劣化する。またB2O3＞９重量％とき
は、ヌレ性が良くなりすぎ、ギャップスペーサとしてSi
O2膜を使用するときは、このSiO2膜を侵食する。
またBi2O3＜４重量％のときは、耐水性が劣化する。
またBi2O3＞９重量％ときは析出物が発生し易くなる。
またBi2O3＞９重量％ときは析出物が発生し易くなる。
またNa2O＝０重量％のときは、熱膨脹係数が85×10-7
℃-1未満となると共にFe−Si−Ga−Ru合金薄膜（21
A），（21B）との被着が悪くなる。またNa2O＞11重量％
のときは、熱膨脹係数が125×10-7℃-1を越えてしまう
と共に耐水性が劣化し、また析出物も発生し易くなる。
またヌレ性も良くなりすぎ、ギャップスペーサをなすSi
O2膜（26A），（26B）を侵食する。
℃-1未満となると共にFe−Si−Ga−Ru合金薄膜（21
A），（21B）との被着が悪くなる。またNa2O＞11重量％
のときは、熱膨脹係数が125×10-7℃-1を越えてしまう
と共に耐水性が劣化し、また析出物も発生し易くなる。
またヌレ性も良くなりすぎ、ギャップスペーサをなすSi
O2膜（26A），（26B）を侵食する。
またFe2O3及びZnOの合計＜10重量％のときは、Fe−Si
−Ga−Ru合金の拡散を抑制することができない。またFe
2O3及びZnOの合計＞18重量％のときは、茶色の濃度が濃
すぎて、デプスを見ることが不可能となり、また析出物
が発生し易くなる。
−Ga−Ru合金の拡散を抑制することができない。またFe
2O3及びZnOの合計＞18重量％のときは、茶色の濃度が濃
すぎて、デプスを見ることが不可能となり、また析出物
が発生し易くなる。
また上述実施例においては、金属磁性薄膜としてFe−
Si−Ga−Ru合金を形成した場合につき述べたが、この代
わりに、Fe−Al−Ge系合金、Fe−Ga−Ge系合金、Fe−Si
−Ge系合金、Fe−Si−Al系合金、Fe−Si系合金、Fe−Si
−Ru系合金、Fe−Co−Si系合金、Fe−Co−Si−Al系合金
等、種々の金属磁気性薄膜を形成することができ、この
場合にも上述同様の作用効果を得ることができる。
Si−Ga−Ru合金を形成した場合につき述べたが、この代
わりに、Fe−Al−Ge系合金、Fe−Ga−Ge系合金、Fe−Si
−Ge系合金、Fe−Si−Al系合金、Fe−Si系合金、Fe−Si
−Ru系合金、Fe−Co−Si系合金、Fe−Co−Si−Al系合金
等、種々の金属磁気性薄膜を形成することができ、この
場合にも上述同様の作用効果を得ることができる。
また上述実施例においては、基板をMn−Znフェライト
で形成した場合につき述べたが、この代わりにNi−Znフ
ェライト等、種々の酸化物磁性材を使用することがで
き、この場合にも、上述同様の作用効果を得ることがで
きる。
で形成した場合につき述べたが、この代わりにNi−Znフ
ェライト等、種々の酸化物磁性材を使用することがで
き、この場合にも、上述同様の作用効果を得ることがで
きる。
また本発明は上述実施例に限らず、本発明の要旨を逸
脱することなく、その他種々の構成が取り得ることは勿
論である。
脱することなく、その他種々の構成が取り得ることは勿
論である。
本発明によれば、融着ガラスの転移温度の適正化が図
られているので、金属磁性薄膜の磁気特性を劣化させな
い温度条件で融着作業を行うことができるという利益が
ある。
られているので、金属磁性薄膜の磁気特性を劣化させな
い温度条件で融着作業を行うことができるという利益が
ある。
また融着ガラスの熱膨脹係数の適正化と硬度の向上と
が図られているので、融着作業時及び研磨作業時、融着
ガラスにクラックが発生しないという利益がある。
が図られているので、融着作業時及び研磨作業時、融着
ガラスにクラックが発生しないという利益がある。
また融着ガラスの耐水性の向上が図られているので、
研磨作業時、融着ガラスが研磨液に溶出しないという利
益がある。
研磨作業時、融着ガラスが研磨液に溶出しないという利
益がある。
また金属磁性薄膜をなす金属の融着ガラス中への拡散
の抑制が図られているので、デプスを目視でき、所要寸
法のデスプを容易に形成できると共に融着ガラスの変質
による割れを防止することができるという利益がある。
の抑制が図られているので、デプスを目視でき、所要寸
法のデスプを容易に形成できると共に融着ガラスの変質
による割れを防止することができるという利益がある。
第１図及び第２図は夫々本発明複合磁気ヘッドの一実施
例を示す斜視図及び部分拡大平面図、第３図は第１図例
の複合磁気ヘッドの製造工程例を示す線図、第４図は第
１図例の説明に供する線図、第５図及び第６図は夫々従
来の複合磁気ヘッドの一例を示す斜視図及び部分拡大平
面図、第７図は第５図例の複合磁気ヘッドの製造工程例
を示す線図、第８図は第５図例の説明に供する線図であ
る。 （20A）及び（20B）は夫々基板、（21A）及び（21B）は
夫々Fe−Si−Ga−Ru合金薄膜、（22A）及び（22B）は夫
々磁気コア半体、（23）は融着ガラス、（24）は作動ギ
ャップである。
例を示す斜視図及び部分拡大平面図、第３図は第１図例
の複合磁気ヘッドの製造工程例を示す線図、第４図は第
１図例の説明に供する線図、第５図及び第６図は夫々従
来の複合磁気ヘッドの一例を示す斜視図及び部分拡大平
面図、第７図は第５図例の複合磁気ヘッドの製造工程例
を示す線図、第８図は第５図例の説明に供する線図であ
る。 （20A）及び（20B）は夫々基板、（21A）及び（21B）は
夫々Fe−Si−Ga−Ru合金薄膜、（22A）及び（22B）は夫
々磁気コア半体、（23）は融着ガラス、（24）は作動ギ
ャップである。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に金属磁性薄膜が形成された磁気コ
ア半体対をガラス融着により一体化し、前記金属磁性薄
膜により作動ギャップを構成してなる複合磁気ヘッドに
於いて、前記融着ガラスがPbO 40〜62重量％、SiO2 11
〜25重量％、B2O3 5〜９重量％、Bi2O3 4〜９重量％、N
a2O 0〜11重量％（但し０重量％は含まず）、Fe2O3及び
ZnOの合計10〜18重量％なる組成を有していることを特
徴とする複合磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62182055A JP2551014B2 (ja) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | 複合磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62182055A JP2551014B2 (ja) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | 複合磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6428248A JPS6428248A (en) | 1989-01-30 |
| JP2551014B2 true JP2551014B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=16111552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62182055A Expired - Fee Related JP2551014B2 (ja) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | 複合磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2551014B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2573013B2 (ja) * | 1988-02-03 | 1997-01-16 | 三洋電機株式会社 | 複合型磁気ヘッドのコア接合用ガラス |
| JPH0487005A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘッド |
| KR100242036B1 (ko) * | 1991-01-08 | 2000-02-01 | 다카노 야스아키 | 자기 헤드 |
| GB2268309B (en) * | 1992-06-16 | 1996-09-11 | Samsung Electro Mech | Composite magnetic head |
| WO1999060281A1 (fr) * | 1998-05-20 | 1999-11-25 | Nsk Ltd. | Coussinet a lubrification solide |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4931284A (ja) * | 1972-07-21 | 1974-03-20 | ||
| JPS49103200A (ja) * | 1973-02-06 | 1974-09-30 | ||
| JPS6228909A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-06 | Hitachi Metals Ltd | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-07-21 JP JP62182055A patent/JP2551014B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6428248A (en) | 1989-01-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |