JPH05128428A

JPH05128428A - 磁気ヘツドの製造方法

Info

Publication number: JPH05128428A
Application number: JP31016091A
Authority: JP
Inventors: Tsuyoshi Sakata; 強坂田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1991-10-30
Filing date: 1991-10-30
Publication date: 1993-05-25

Abstract

(57)【要約】【目的】フロントギャップを補強するためのガラス材
によるギャップスペーサの浸食を抑えて、ギャップ長の
変動を防止する。【構成】ガラス材の融点以上の温度Ｔ₁まで加熱し
て、当該ガラス材を完全に溶融させた状態でバックギャ
ップｇ₂のギャップ接合を行った後、このギャップ接合
時に使用したガラス材と同じ材質のガラス棒をフロント
ギャップ側の巻線溝４内のデプスエンドへ挿入し、上記
温度Ｔ₁よりも低い温度Ｔ₂でガラス融着を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＶＴＲ（ビデオテープ
レコーダ）等の磁気記録再生装置又はフロッピーディス
ク駆動装置或いはハードディスク駆動装置等に搭載され
る磁気ヘッドの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＶＴＲ（ビデオテープレコー
ダ）等の磁気記録再生装置又はフロッピーディスク駆動
装置或いはハードディスク駆動装置等に搭載される磁気
ヘッドは、少なくとも一方に巻線溝が設けられたＭｎ−
Ｚｎフェライト等からなる一対の磁気コア半体が突き合
わされ接合一体化された構成とされている。

【０００３】これら磁気コア半体同士の接合には、従来
より化学的に安定で且つ高い接合強度が得られることか
ら高融点の融着ガラスが使用されている。従って、磁気
ギャップ部は、前記融着ガラスを融点以上の温度まで加
熱・溶融し、上記磁気コア半体間にガラス融着すること
により接合一体化がなされている。

【０００４】これに対して、高記録密度化に伴いギャッ
プ長が狭められるにつれて、ギャップ長の精度の向上が
一層強く要求される。そこで、上記磁気コア半体の動作
ギャップ形成面に、例えばスパッタ等によるＳｉＯ₂膜
等からなるギャップスペーサを挟み込み突き合わせるこ
とにより磁気ギャップを形成する磁気ヘッドが知られて
いる。

【０００５】この種の磁気ヘッドは、上記一対の磁気コ
ア半体の磁気ギャップ形成部（フロントギャップ部）に
上記ギャップスペーサを挟み込み突き合わせてギャップ
接合した後、このギャップスペーサの膜厚と略等しい厚
みの隙間を有するバックギャップ部に融着ガラスを溶融
充填してガラス融着により接合一体化させることにより
作製される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な磁気ヘッドにおいては、上記フロントギャップ部の接
合強度を向上させる目的から、上記フロントギャップ近
傍の巻線溝内にガラス材が充填され補強される構造とし
ている。この場合、上記フロントギャップの接合を補強
するためのガラス材は、通常上記バックギャップのギャ
ップ接合に用いられる融着ガラスと同じものが使用さ
れ、このガラス材の上記フロントギャップ近傍の巻線溝
内への充填は、上記ガラス融着と同時に行われる。

【０００７】ところが、この際に、上記ガラス材（融着
ガラス）をその融点以上の温度まで加熱・溶融して、当
該ガラス材を上記巻線溝のデプスエンドに流し込もうと
すると、このガラス材が上記フロントギャップ部に介在
した上記ＳｉＯ₂膜間に浸食してしまう。このために、
ギャップ長の変動が起こり、磁気ヘッドの信頼性が著し
く低下するという問題が起こる。

【０００８】そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、ギャップスペーサがフロント
ギャップを補強するためのガラス材により浸食されるの
を防止し、ギャップ長の変動を低減することが可能な磁
気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意研究の結果、フロントギャップ
の補強するためのガラス材を上記フロントギャップ近傍
の巻線溝内へ充填する工程と、バックギャップのギャッ
プ接合を別々に行い、上記ガラス材による補強材の形成
を上記ギャップ接合に使用する融着ガラスの融点よりも
低温で行うことにより、上記ガラス材によって上記フロ
ントギャップのギャップスペーサが浸食されるのを防止
できることを見出し、本発明を完成するに到った。

【００１０】即ち、本発明は、ＳｉＯ₂膜をフロントギ
ャップのギャップスペーサとする磁気ヘッドの製造方法
において、バックギャップ側をガラス材により所定の温
度Ｔ₁でガラス融着した後、上記フロントギャップ近傍
の巻線溝内に上記ガラス材と同様なガラス材を挿入して
前記温度Ｔ₁よりも低い温度Ｔ₂でガラス融着すること
を特徴とするものである。

【００１１】

【作用】フロントギャップを補強するためのガラス材
は、前記フロントギャップ近傍の巻線溝内に流し込めば
良いので、完全に溶融した状態で充填する必要はなく、
従って必ずしもこのガラス材の融点以上の温度まで加熱
する必要はない。

【００１２】これに対して、バックギャップのギャップ
接合に使用される融着ガラスは、前記バックギャップの
微小な隙間に充填する必要があり、上記融着ガラスは完
全な溶融状態になければならない。本発明においては、
上記バックギャップのギャップ接合は、上記融着ガラス
の融点以上の温度Ｔ₁まで加熱することにより行ってい
るので、ガラス材がバックギャップの隙間に十分に流れ
込み、接合強度が確保される。一方、フロントギャップ
側のデプスエンドへのガラス材の流し込みは、上記温度
Ｔ₁よりも低い温度Ｔ₂で行っているので、溶融された
ガラス材によるＳｉＯ₂膜（ギャップスペーサ）の浸食
が抑制される。

【００１３】

【実施例】以下、本発明を適用した磁気ヘッドを具体的
な実施例に基づき説明する。本実施例の製造方法によっ
て磁気ヘッドを作製するには、先ず、図１に示すよう
に、Ｍｎ−Ｚｎフェライト又はＮｉ−Ｚｎフェライト等
の酸化物磁性材料よりなる長方形状のヘッドコアブロッ
ク１を用意し、このヘッドコアブロック１を長さ方向で
略２等分する中央位置より各端面１ａ，１ｂまでの領域
を第１の領域Ｘ₁及び第２の領域Ｘ₂として、当該ヘッ
ドコアブロック１の一主面１ｃに断面矩形状のガラス溝
３を形成する。

【００１４】この結果、上記第１の領域Ｘ₁の長さ方向
略中央部に幅方向全域に亘って上記ガラス溝３が形成さ
れる。このガラス溝３は、上記第２の領域Ｘ₂寄りの側
壁面が上記ヘッドコアブロック１の一主面１ｃに対して
所定の角度をなした傾斜面３ａとなっており、この傾斜
面３ａ側から後述するバックギャップｇ₂部に融着ガラ
スが充填される。

【００１５】なお、上記ヘッドコアブロック１として
は、通常磁気コア材として使用されるものであれば如何
なるものも使用可能である。

【００１６】次に、上記第１の領域Ｘ₁に上記ガラス溝
３と平行で且つこのガラス溝３よりも上記ヘッドコアブ
ロック１の内方側に断面矩形状のコイル巻線溝４を形成
する。この結果、上記第１の領域Ｘ₁の全幅に亘って上
記コイル巻線溝４が形成される。このコイル巻線溝４
は、上記ガラス溝３と同様に上記第２の領域Ｘ₂寄りの
側壁面が傾斜面４ａとなっており、この傾斜面４ａによ
り後述するフロントギャップｇ₁のデプスを規制してい
る。ここで、このコイル巻線溝４と上記ガラス溝３に挟
まれた上記ヘッドコアブロック１の平坦な主面１ｃが上
記バックギャップｇ₂形成面２に相当する。

【００１７】次に、図２に示すように、上記ヘッドコア
ブロック１の第１の領域Ｘ₁と第２の領域Ｘ₂の境界に
上記ガラス溝３及びコイル巻線溝４と平行な分断溝を入
れ、当該ヘッドコアブロック１を分断する。この結果、
上記ガラス溝３、コイル巻線溝４が形成された第１の磁
気コア１Ａと、この第１の磁気コア１Ａと略同一サイズ
の第２の磁気コア１Ｂとが形成される。

【００１８】続いて、所定のパターンを有するマスクを
用いてスパッタリングを行い、上記バックギャップｇ₂
形成面２を除く上記第１の磁気コア１Ａの主面上と、上
記第２の磁気コア１Ｂの各端面から所定の位置までの領
域上にＳｉＯ₂膜５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄをそれぞれ被
着形成する。この時、当該ＳｉＯ₂膜５ｂとＳｉＯ₂膜
５ｃ、及びＳｉＯ₂膜５ａとＳｉＯ₂膜５ｄの幅がそれ
ぞれ略等しくなるように形成し、上記第１の磁気コア１
Ａと第２の磁気コア１Ｂを突き合わせた時に、上記Ｓｉ
Ｏ₂膜５ｂとＳｉＯ₂膜５ｃとが、またＳｉＯ₂膜５ａ
とＳｉＯ₂膜５ｄとがそれぞれ対向して接合されるよう
に形成する。

【００１９】これらＳｉＯ₂膜５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ
の膜厚ｔは、後述のガラス融着時に上記第１及び第２の
磁気コア１Ａ，１Ｂが酸化されて磁気特性が劣化するこ
とを防ぐために、少なくとも５０Å以上とされることが
望ましい。但し、この膜厚ｔの上限は、得られる磁気ヘ
ッドの上記フロントギャップｇ₁のギャップ長Ｌ₁の１
／２以下とすることは言うまでもない。

【００２０】また、上記ＳｉＯ₂膜５ａ，５ｂ，５ｃ，
５ｄの成膜方法として、本実施例ではスパッタリングを
用いたが、特にこれに限定されるものではなく、この他
真空蒸着法、イオンプレーティング法、クラスター・イ
オンビーム法等に代表される真空薄膜形成技術が挙げら
れる。

【００２１】そして、図３に示すように、上記第１の磁
気コア１Ａと第２の磁気コア１Ｂを外形基準で突き合わ
せる。この結果、上記ＳｉＯ₂膜５ｂとＳｉＯ₂膜５
ｃ、及びＳｉＯ₂膜５ａとＳｉＯ₂膜５ｄの位置がそれ
ぞれ一致し、これらを当接面として各磁気コア１Ａ，１
Ｂ同士の接合一体化がなされる。そして、上記ＳｉＯ₂
膜５ｂとＳｉＯ₂膜５ｃを介して対向配置される上記第
１の磁気コア１Ａと第２の磁気コア１Ｂ間にフロントギ
ャップｇ₁が形成される。従って、上記ＳｉＯ₂膜５
ｂ，５ｃは、上記フロントギャップｇ₁のギャップスペ
ーサとされる。このフロントギャップｇ₁のギャップ長
Ｌ₁は、上記ＳｉＯ₂膜５ｂとＳｉＯ₂膜５ｃの膜厚の
和に応じて規定され、トラック幅は各磁気コア１Ａ，１
Ｂの接合体の一側面Ｘ、即ちこれら第１の磁気コア１Ａ
及び第２の磁気コア１Ｂから構成される磁気ヘッドの磁
気記録媒体との摺動面の幅とされる。

【００２２】そして、上記ガラス溝３内にガラス棒６を
配置した後、高温の炉内にて当該ガラス棒６を温度Ｔ₁
で加熱溶融してガラス融着を行う。この結果、図４に示
すように、上記バックギャップｇ₂形成面２と上記第２
の磁気コア１Ｂの主面に挟まれた隙間にガラス７が充填
され、上記上記第１の磁気コア１Ａと第２の磁気コア１
Ｂが合体される。そして、上記フロントギャップｇ₁に
介在する上記ＳｉＯ₂膜５ｂとＳｉＯ₂膜５ｃの膜厚の
和に相当したギャップ長Ｌ₂（＝Ｌ₁）を有するバック
ギャップｇ₂が形成される。

【００２３】この時、上記隙間の厚みは非常に薄いの
で、この隙間に均一に上記ガラス７を充填するために
は、上記ガラス棒６が完全な溶融状態となるまで加熱す
る必要がある。従って、上記温度Ｔ₁は、上記ガラス棒
６を構成するガラス材の融点以上の温度とする。これに
より、上記ガラス棒６が完全に溶融されて上記バックギ
ャップｇ₂の隙間に十分に流れ込み、高い接合強度を得
ることができる。この温度Ｔ₁は、使用するガラス材の
種類に応じて適宜設定されることが望ましい。

【００２４】このようなギャップ接合に用いられる上記
ガラス材としては、その軟化温度が４００℃以上のもの
が接合強度の観点からは好ましい。例えば、軟化温度が
４００℃以上のガラス材としては、ＳｉＯ₂：１５〜４
０重量％、Ｎａ₂Ｏ：０〜２０重量％、Ｂ₂Ｏ₃：１０
〜２０重量％、Ａｌ₂Ｏ₃：５〜２０重量％、ＺｎＯ：
０〜２０重量％、ＰｂＯ：０〜４０重量％程度の組成を
有するケイ素−ナトリウム系ガラス（軟化温度５００〜
７００℃）や、ＰｂＯ：５０〜８０重量％、Ｂ₂Ｏ₃：
１０〜２０重量％、ＺｎＯ：０〜１０重量％、Ｂｉ
Ｏ₂：０〜２０重量％、Ａｌ₂Ｏ₃：０〜１５重量％、
ＳｉＯ₂：０〜１０重量％、Ｎａ₂Ｏ：０〜１０重量％
程度の組成を有する鉛−ホウ素系ガラス（軟化温度３５
０〜５００℃）が挙げられる。

【００２５】また、上述のガラス融着は、不活性ガス雰
囲気中、或いは所定量の酸素を含む不活性ガス雰囲気中
で温度を上昇させて行うことが望ましい。ここで、上記
酸素の導入量は、１０〜５００ｐｐｍの範囲内に制御す
ることが好ましい。上記導入量が１０ｐｐｍ以下ではガ
ラス泡の制御が難しく、逆に５００ｐｐｍ以上では上記
バックギャップｇ₂以外で上記第１及び第２の磁気コア
１Ａ，１Ｂが露出する部分のダメージ（酸化等）が顕著
となり、電磁変換特性の劣化をもたらす。

【００２６】また、上記不活性ガスとしては、窒素ガ
ス、Ａｒガス等が使用可能である。このように不活性ガ
ス中に酸素を混合させることにより、温度上昇時に発生
する有機物を炭化させずに燃焼できるので、上記溶融さ
れたガラスと炭化物との反応に起因するガラス泡の発生
が防止できる。

【００２７】次に、上述のギャップ接合に使用したガラ
ス材と同じものからなるガラス棒８を上記フロントギャ
ップｇ₁近傍のコイル巻線溝４内に配置した後、このガ
ラス棒８を温度Ｔ₂で加熱溶融してガラス融着を行う。
この結果、図６に示すように、上記コイル巻線溝４の上
記フロントギャップｇ₁側のデプスエンド部に溶融され
たガラス９が流れ込み、上記フロントギャップｇ₁のギ
ャップ接合が補強される。

【００２８】上記温度Ｔ₂は、上記温度Ｔ₁よりも低い
温度に設定する。このように、上記バックギャップｇ₂
におけるガラス融着と上記フロントギャップｇ₁部の接
合強度を補強するためのガラス融着とを別々に行い、そ
の際に後者のガラス融着時の処理温度を前者のそれより
も低い温度に設定することにより、上記バックギャップ
ｇ₂の隙間に確実にガラス材を充填できるとともに、上
記溶融されたガラス９が上記フロントギャップｇ₁部に
介在する上記ＳｉＯ₂膜５ｂとＳｉＯ₂膜５ｃ間に侵入
する（図７）ことなく、上記コイル巻線溝４の上記フロ
ントギャップｇ₁側のデプスエンド部に埋め込むことが
できる。この結果、上記溶融されたガラス９の浸食によ
る上記ギャップ長Ｌ₁の変動が抑えられる。

【００２９】従って、上記温度Ｔ₂は、より低い温度と
されるほど、上記ＳｉＯ₂膜５ｂとＳｉＯ₂膜５ｃ間へ
の浸食を抑えることができるが、少なくとも上記コイル
巻線溝４のフロントギャップ側のデプスエンドに流し込
める程度に溶融される必要がある。このような条件か
ら、この温度Ｔ₂は、上記温度Ｔ₁よりも２０〜３０℃
低い温度に設定されることが望ましい。本実施例では、
上記温度Ｔ₁は６８０〜６９０℃程度とされることが好
ましく、より好ましくは６８０℃とされる。

【００３０】また、このようなガラス融着によって既に
ガラス融着された上記バックギャップｇ₂部がアニール
処理されるので、このバックギャップｇ₂部に発生した
気泡が減少される。続いて、図５に示すように、上記第
１及び第２の磁気コア１Ａ，１Ｂよりなる接合体の磁気
記録媒体との対接面と反対の面側より平面研磨を行って
上記バックギャップｇ₂のデプスが所定値となるように
して磁気ヘッドを得る。

【００３１】なお、このようにして製造される磁気ヘッ
ドにおいては、上記ＳｉＯ₂膜５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ
を成膜する前に、上記第２の磁気コア１Ｂ上の前記Ｓｉ
Ｏ₂膜５ｂ，５ｃが形成される領域に金属磁性薄膜が被
着形成しても良い。即ち、図１０に示すように、上記第
１の磁気コア１Ａの上記フロントギャップｇ₁が形成さ
れる面に上記ＳｉＯ₂膜５ｂ，５ｃを介して突き合わさ
れる上記第２の磁気コア１Ｂの表面、及び上記第１の磁
気コア１Ａと上記ＳｉＯ₂膜５ａ，５ｄを介して突き合
わされる上記第２の磁気コア１Ｂの表面に金属磁性薄膜
１０ａ，１０ｂがそれぞれ形成される。従って、上記第
１の磁気コア１Ａと第２の磁気コア１Ｂを接合一体化す
ることで、これら磁気コア１Ａ，１Ｂと金属磁性薄膜１
０ａ，１０ｂにより閉磁路が構成される。

【００３２】上記金属磁性薄膜１０ａ，１０ｂには、高
い飽和磁束密度を有し且つ軟磁気特性に優れた強磁性材
料が使用されるが、かかる強磁性材料としては、従来よ
り公知のものがいずれも使用でき、結晶質、非結晶質を
問わない。例示するならば、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金、
Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｎ
ｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｇｅ
系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−
Ａｌ系合金等の強磁性金属材料、或いはＦｅ−Ｇａ−Ｓ
ｉ系合金、更には前記Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金の耐蝕性
や耐摩耗性の一層の向上を図るために、Ｆｅ，Ｇａ，Ｃ
ｏ（Ｆｅの一部をＣｏで置換したものを含む）、Ｓｉを
基本組成とする合金に、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｅ，
Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｈｆ，Ｖの少なくとも１種を添加し
たものであってもよい。また、強磁性非結晶質金属合
金、いわゆるアモルファス合金（例えば、Ｆｅ，Ｎｉ，
Ｃｏの１つ以上の元素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉの１つ以上の
元素とからなる合金、またはこれを主成分としＡｌ，Ｇ
ｅ，Ｂｅ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，
Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ等を含んだ合金等のメタル−メタロイ
ド系アモルファス合金、或いはＣｏ，Ｈｆ，Ｚｒ等の遷
移元素や希土類元素等を主成分とするメタル−メタル系
アモルファス合金）等も使用される。

【００３３】これら金属磁性薄膜１０ａ，１０ｂの成膜
方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
プレーティング法、クラスター・イオンビーム法等に代
表される真空薄膜形成技術が採用される。

【００３４】ここで、上記第２の磁気コア１Ｂの上記第
１の磁気コア１Ａとの接合面に上記金属磁性薄膜が形成
された磁気ヘッドにおいて、上記バックギャップｇ₂の
ギャップ接合時の処理温度Ｔ₁及び上記フロントギャッ
プｇ₁部の接合強度を補強するためのガラス融着時の処
理温度Ｔ₂を下記の表１に示すように変化させた場合の
上記フロントギャップｇ₁のギャップ長Ｌ₁の変化量、
バックギャップｇ₂のガラス充填率、及び上記金属磁性
薄膜の浸食の状態を調べた。この結果を下記の表１に示
す。

【００３５】なお、上記ガラス棒６，８としては、Ｓｉ
Ｏ₂：Ｎａ₂Ｏ：Ｂ₂Ｏ₃：ＢａＯ：Ｆｅ₂Ｏ₃：Ｚｎ
Ｏ＝４６：１４：１６：１０：７．８：６．２（重量
％）なる組成を有する直径０．２１５ｍｍのケイ素−ナ
トリウム系ガラス棒（ソニー・マグネ・プロダクツ社
製，商品名ＨＳ−２００，転移点５５０℃、屈服点６０
０℃、作業温度Ｔ₁６７０〜７５０℃）を使用した。

【００３６】また、上述の２回に亘るガラス融着の温度
プロファイルを図９に示す。即ち、先ず、５℃／分の昇
温速度にて上記ガラス材の転移点付近（ここでは５００
℃とした。）まで加熱した後、６０分間この温度を保持
し、更に昇温速度を２．５℃／分として徐々に温度Ｔ₁
とされる７１０℃まで加熱し、この温度Ｔ₁で６０分間
保温して上記バックギャップｇ₂のギャップ接合を行っ
た。その後、冷却速度を５℃／分に保って室温付近まで
温度を下げた。

【００３７】その後、再び昇温速度５℃／分として５０
０℃まで加熱し、この温度で６０分間保持した後、昇温
速度２．５℃／分として上記温度Ｔ₂とされる６８０℃
まで加熱し、この温度Ｔ₂で６０分間保温して上記コイ
ル巻線溝４の上記フロントギャップｇ₁側のデプスエン
ド部におけるガラス融着を行った。そして、一定の冷却
速度で徐々に冷却した。

【００３８】表１中、上記フロントギャップｇ₁のギャ
ップ長Ｌ₁の変化量は、上記コイル巻線溝４の上記フロ
ントギャップｇ₁側のデプスエンドから上記フロントギ
ャップｇ₁の５μｍ内方側の位置ｑにおけるテーパ量に
より表した。

【００３９】

【表１】

【００４０】表１に示すように、処理温度Ｔ₁，Ｔ₂を
高くすると、バックギャップｇ₂部へのガラス充填率は
十分に確保することができるが、上記フロントギャップ
ｇ₁のギャップ長の変化が大きくなると同時に、金属磁
性薄膜の浸食も顕著となった。また、処理温度Ｔ₁が低
すぎると、バックギャップｇ₂部へガラス材を十分に充
填することができなくなり、信頼性が著しく低下した。
このことから、上記バックギャップｇ₂部におけるガラ
ス融着時の処理温度Ｔ₁は、７１０℃以上とされること
が必要であると言える。

【００４１】これに対して、本実施例のように、上記処
理温度Ｔ₂を処理温度Ｔ₁よりも低く設定した場合に
は、ガラス融着によるギャップ接合を良好に行うことが
できるとともに、上記フロントギャップｇ₁のギャップ
長の変化が小さく、金属磁性薄膜の浸食も抑えられるこ
とが判った。

【００４２】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では、バックギャップ部のギャップ接合とフロントギ
ャップ側の巻線溝のデプスエンド部におけるガラス融着
を２回の作業にすることで上記デプスエンド部における
ガラス融着を低温で行うことができるので、融着ガラス
により上記フロントギャップ部のギャップスペーサとし
て使用されるＳｉＯ₂膜が浸食されるのを防止すること
ができる。従って、フロントギャップのギャップ長の変
動が抑えられ、信頼性に優れた磁気ヘッドを得ることが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した製造方法の一例を示すもの
で、ガラス溝及びコイル巻線溝形成工程を示す正面図で
ある。

【図２】ＳｉＯ₂膜形成工程を示す斜視図である。

【図３】１対の磁気コア同士のガラス融着工程を示す正
面図である。

【図４】フロントギャップの接合を補強するためのガラ
ス融着工程を示す正面図である。

【図５】本発明を適用した製造方法によって作製される
磁気ヘッドの構成を示す斜視図である。

【図６】フロントギャップ側のコイル巻線溝内にデプス
エンドを補強するためのガラス融着が施された状態を示
す模式図である。

【図７】フロントギャップに介在されるＳｉＯ₂膜間に
融着ガラスが浸食した状態を示す模式図である。

【図８】フロントギャップのギャップ長の変化量の定義
を説明するための要部拡大図面である。

【図９】バックギャップのガラス融着工程及びフロント
ギャップ側の巻線溝のデプスエンド部におけるガラス融
着工程の温度プロファイルである。

【図１０】磁気コア同士がＳｉＯ₂膜を介して突き合わ
される接合面に金属磁性薄膜が成膜された磁気ヘッドの
構成を示す断面図である。

【符号の説明】

１・・・ヘッドコアブロック３・・・ガラス溝４・・・コイル巻線溝５ａ〜ｄ・・・ＳｉＯ₂ ６，８・・・ガラス棒７，９・・・ガラスｇ₁・・・フロントギャップｇ₂・・・バックギャップ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＳｉＯ₂膜をフロントギャップのギャッ
プスペーサとする磁気ヘッドの製造方法において、バックギャップ側をガラス材により所定の温度Ｔ₁でガ
ラス融着した後、上記フロントギャップ近傍の巻線溝内に上記ガラス材と
同様なガラス材を挿入して前記温度Ｔ₁よりも低い温度
Ｔ₂でガラス融着することを特徴とする磁気ヘッドの製
造方法。