JPH0633176A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔Info
- Publication number
- JPH0633176A JPH0633176A JP4212200A JP21220092A JPH0633176A JP H0633176 A JPH0633176 A JP H0633176A JP 4212200 A JP4212200 A JP 4212200A JP 21220092 A JP21220092 A JP 21220092A JP H0633176 A JPH0633176 A JP H0633176A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum foil
- foil
- amount
- etching
- electrolytic capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 Ｃｕ５〜６０ｐｐｍ，Ｓｉ６０ｐｐｍ以下、
Ｆｅ６０ｐｐｍ以下およびＢ３〜２０ｐｐｍを含み、ａ
ｔ％Ｂ／（ａｔ％Ｔｉ＋ａｔ％Ｖ）の比が５以上２５未
満で、Ａｌ純度が９９．９６％以上である。Ｃｕ＋１／
３Ｚｎ＋３Ｇａの量を５０〜１５０ｐｐｍとするとさら
に好ましい。 【効果】 使用電圧が低い領域での静電特性が特に優れ
た電解コンデンサ用アルミニウム箔が得られる。
Ｆｅ６０ｐｐｍ以下およびＢ３〜２０ｐｐｍを含み、ａ
ｔ％Ｂ／（ａｔ％Ｔｉ＋ａｔ％Ｖ）の比が５以上２５未
満で、Ａｌ純度が９９．９６％以上である。Ｃｕ＋１／
３Ｚｎ＋３Ｇａの量を５０〜１５０ｐｐｍとするとさら
に好ましい。 【効果】 使用電圧が低い領域での静電特性が特に優れ
た電解コンデンサ用アルミニウム箔が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電解コンデンサ用アル
ミニウム箔、特に化成電圧の低い低電圧電解コンデンサ
用として好適なアルミニウム箔に関する。
ミニウム箔、特に化成電圧の低い低電圧電解コンデンサ
用として好適なアルミニウム箔に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電解コンデンサ用アルミニウム箔
において、箔中の不純物元素と静電容量等の電解箔特性
との関係については種々検討されており、不純物として
のＴｉ含有量が微量、例えば５ｐｐｍ以下であれば、電
解箔特性に悪影響を及ぼすと考えられていた鉄、珪素、
銅などの不純物元素が箔中に少量存在しても電解箔特性
が低下しないことはよく知られている。また、Ｔｉが５
ｐｐｍより多く存在していても、箔中に所定量のＢを添
加共存させることにより、不純物元素の電解箔特性に及
ぼす悪影響を防止し得ることも公知である（特開昭53-1
07657 号公報) 。さらに、Ｔｉ含有量の許容限界を極微
量に抑えた上でＢを添加することにより一層電解容量の
増大効果を得たもの（特公昭62-8492 号公報) やＦｅ，
Ｓｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｎｉの許容範囲を限定
したアルミニウム陽極箔も開発されている（特開昭62-1
81416 号公報) 。
において、箔中の不純物元素と静電容量等の電解箔特性
との関係については種々検討されており、不純物として
のＴｉ含有量が微量、例えば５ｐｐｍ以下であれば、電
解箔特性に悪影響を及ぼすと考えられていた鉄、珪素、
銅などの不純物元素が箔中に少量存在しても電解箔特性
が低下しないことはよく知られている。また、Ｔｉが５
ｐｐｍより多く存在していても、箔中に所定量のＢを添
加共存させることにより、不純物元素の電解箔特性に及
ぼす悪影響を防止し得ることも公知である（特開昭53-1
07657 号公報) 。さらに、Ｔｉ含有量の許容限界を極微
量に抑えた上でＢを添加することにより一層電解容量の
増大効果を得たもの（特公昭62-8492 号公報) やＦｅ，
Ｓｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｎｉの許容範囲を限定
したアルミニウム陽極箔も開発されている（特開昭62-1
81416 号公報) 。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
電解コンデンサ用アルミニウム箔を基礎として、アルミ
ニウム中の不純物と電解箔特性との関係をさらに検討す
るために、従来検討されているＴｉ，ＢおよびＦｅ，Ｓ
ｉ，Ｃｕ，Ｚｎなどの元素以外にアルミニウム地金中に
不可避的に含まれるＶおよびＧａに着目し、これら元素
の相互作用について究明した結果として開発されたもの
であり、その目的は、特に使用電圧が低い領域において
安定して優れた特性を有する電解コンデンサ用アルミニ
ウム箔を提供することにある。
電解コンデンサ用アルミニウム箔を基礎として、アルミ
ニウム中の不純物と電解箔特性との関係をさらに検討す
るために、従来検討されているＴｉ，ＢおよびＦｅ，Ｓ
ｉ，Ｃｕ，Ｚｎなどの元素以外にアルミニウム地金中に
不可避的に含まれるＶおよびＧａに着目し、これら元素
の相互作用について究明した結果として開発されたもの
であり、その目的は、特に使用電圧が低い領域において
安定して優れた特性を有する電解コンデンサ用アルミニ
ウム箔を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による電解コンデンサ用アルミニウム箔は、
Ｃｕ５〜６０ｐｐｍ、Ｓｉ６０ｐｐｍ以下、Ｆｅ６０ｐ
ｐｍ以下およびＢ３〜２０ｐｐｍを含み、ａｔ％Ｂ／
（ａｔ％Ｔｉ＋ａｔ％Ｖ）の比が５以上２５未満であ
り、Ａｌの純度が９９．９６％以上であることを発明構
成上の特徴とし、さらに、（Ｃｕ＋１／３Ｚｎ＋３Ｇ
ａ）量を５０〜１５０ｐｐｍとすることを好ましい態様
とする。
めの本発明による電解コンデンサ用アルミニウム箔は、
Ｃｕ５〜６０ｐｐｍ、Ｓｉ６０ｐｐｍ以下、Ｆｅ６０ｐ
ｐｍ以下およびＢ３〜２０ｐｐｍを含み、ａｔ％Ｂ／
（ａｔ％Ｔｉ＋ａｔ％Ｖ）の比が５以上２５未満であ
り、Ａｌの純度が９９．９６％以上であることを発明構
成上の特徴とし、さらに、（Ｃｕ＋１／３Ｚｎ＋３Ｇ
ａ）量を５０〜１５０ｐｐｍとすることを好ましい態様
とする。
【０００５】電解コンデンサ用アルミニウム箔は電気化
学的にエッチングを施されて使用されるが、エッチング
の手法は使用電圧領域により異なり、低電圧で使用され
る場合には微細で密なピットが得られるエッチング条件
を選択する必要があるため、一般には交流エッチングが
多用されている。交流エッチングでは、アノ−ド半サイ
クル時にエッチピットが形成され次のカソ−ド半サイク
ルでピットの内壁に皮膜が生成される。さらに次のアノ
−ド半サイクル時には皮膜の欠陥部が起点となって新し
いエッチピットができ、このような過程を繰り返して次
々とエッチピットが形成される。
学的にエッチングを施されて使用されるが、エッチング
の手法は使用電圧領域により異なり、低電圧で使用され
る場合には微細で密なピットが得られるエッチング条件
を選択する必要があるため、一般には交流エッチングが
多用されている。交流エッチングでは、アノ−ド半サイ
クル時にエッチピットが形成され次のカソ−ド半サイク
ルでピットの内壁に皮膜が生成される。さらに次のアノ
−ド半サイクル時には皮膜の欠陥部が起点となって新し
いエッチピットができ、このような過程を繰り返して次
々とエッチピットが形成される。
【０００６】エッチピットは適度に分散して形成される
ことが重要であり、エッチピットの分散間隔が狭過ぎる
とピット同志が合体して有効な表面積の増大が得られ
ず、分散間隔が広過ぎても体積当たりのピット数が減少
し好ましくない。エッチピットの分散度は交流エッチン
グにおける前記カソ−ド半サイクル時に形成される皮膜
の欠陥量により決定される。従って、皮膜の欠陥量を所
定の限界範囲内に制御することができれば表面積の拡大
効果を確実に得ることができる。欠陥量が多過ぎるとエ
ッチピットの分散間隔が狭くなり、欠陥量が少な過ぎる
とピットの間隔が広くなっていずれも表面積の拡大効果
が不十分となる。
ことが重要であり、エッチピットの分散間隔が狭過ぎる
とピット同志が合体して有効な表面積の増大が得られ
ず、分散間隔が広過ぎても体積当たりのピット数が減少
し好ましくない。エッチピットの分散度は交流エッチン
グにおける前記カソ−ド半サイクル時に形成される皮膜
の欠陥量により決定される。従って、皮膜の欠陥量を所
定の限界範囲内に制御することができれば表面積の拡大
効果を確実に得ることができる。欠陥量が多過ぎるとエ
ッチピットの分散間隔が狭くなり、欠陥量が少な過ぎる
とピットの間隔が広くなっていずれも表面積の拡大効果
が不十分となる。
【０００７】前記皮膜の欠陥量はエッチング条件にも影
響されるが、材料の成分や組織によっても左右される。
本発明は、交流エッチングにおける皮膜の欠陥量を所定
の範囲内とするためのアルミニウム材料中の不純物限界
をこれら不純物の相互作用をも検討して総合的に決定し
たものである。
響されるが、材料の成分や組織によっても左右される。
本発明は、交流エッチングにおける皮膜の欠陥量を所定
の範囲内とするためのアルミニウム材料中の不純物限界
をこれら不純物の相互作用をも検討して総合的に決定し
たものである。
【０００８】Ｃｕは皮膜を安定にする作用を有する。５
ｐｐｍ未満では皮膜が不安定となり易く、６０ｐｐｍを
越えるとアルミニウム箔の自己腐食作用が強くなり、エ
ッチング液中で溶解し易くなる。Ｓｉ，Ｆｅは含有量が
多くなり過ぎるとエッチング液との反応が激しくなりア
ルミニウム箔が溶解してしまうおそれがあるから、それ
ぞれ６０ｐｐｍが限度である。ＴｉおよびＶは皮膜の欠
陥を多くする効果を有し、Ｂはその効果を弱める元素で
ある。Ｂは、ＴｉおよびＶとＴｉＢ2 、ＶＢ2 の化合物
を形成するから、これらの元素が原子数でＢ／（Ｔｉ＋
Ｖ）＝２となれば全量化合物となる。実験検討の結果、
原子％（ａｔ％）でＢ／（Ｔｉ＋Ｖ）の比を５〜２５、
好ましくは８〜１６にした場合、交流エッチングのカソ
−ド半サイクル時に形成される皮膜の欠陥量が最適とな
る。Ｂ量が多過ぎるとエッチング後のアルミニウム箔の
表面に筋状の欠陥が生じる。従って、Ｂ量の上限はｗｔ
％では２０ｐｐｍ，ａｔ％ではＢ／（Ｔｉ＋Ｖ）の比で
２５とする。
ｐｐｍ未満では皮膜が不安定となり易く、６０ｐｐｍを
越えるとアルミニウム箔の自己腐食作用が強くなり、エ
ッチング液中で溶解し易くなる。Ｓｉ，Ｆｅは含有量が
多くなり過ぎるとエッチング液との反応が激しくなりア
ルミニウム箔が溶解してしまうおそれがあるから、それ
ぞれ６０ｐｐｍが限度である。ＴｉおよびＶは皮膜の欠
陥を多くする効果を有し、Ｂはその効果を弱める元素で
ある。Ｂは、ＴｉおよびＶとＴｉＢ2 、ＶＢ2 の化合物
を形成するから、これらの元素が原子数でＢ／（Ｔｉ＋
Ｖ）＝２となれば全量化合物となる。実験検討の結果、
原子％（ａｔ％）でＢ／（Ｔｉ＋Ｖ）の比を５〜２５、
好ましくは８〜１６にした場合、交流エッチングのカソ
−ド半サイクル時に形成される皮膜の欠陥量が最適とな
る。Ｂ量が多過ぎるとエッチング後のアルミニウム箔の
表面に筋状の欠陥が生じる。従って、Ｂ量の上限はｗｔ
％では２０ｐｐｍ，ａｔ％ではＢ／（Ｔｉ＋Ｖ）の比で
２５とする。
【０００９】ＺｎおよびＧａは，Ｃｕと組み合わされた
場合、交流エッチングにおいてアノ−ド半サイクル時皮
膜欠陥を起点としてエッチピットを形成するのに効果を
もつ元素である。重量％（ｗｔ％）でＣｕ＋１／３Ｚｎ
＋３Ｇａが総計５０〜１５０ｐｐｍの範囲で最適量のピ
ットが形成される。５０ｐｐｍ未満ではエッチピットの
形成が十分でなく、１５０ｐｐｍを越えると箔材の自己
腐食が強くなりエッチング液中で溶解するおそれがあ
る。Ａｌ純度は純度が低くなるとエッチング液との反応
が生じ易くなるから、不純物量との関連も考慮して９
９．９６％以上、好ましくは９９．９７％以上とする。
場合、交流エッチングにおいてアノ−ド半サイクル時皮
膜欠陥を起点としてエッチピットを形成するのに効果を
もつ元素である。重量％（ｗｔ％）でＣｕ＋１／３Ｚｎ
＋３Ｇａが総計５０〜１５０ｐｐｍの範囲で最適量のピ
ットが形成される。５０ｐｐｍ未満ではエッチピットの
形成が十分でなく、１５０ｐｐｍを越えると箔材の自己
腐食が強くなりエッチング液中で溶解するおそれがあ
る。Ａｌ純度は純度が低くなるとエッチング液との反応
が生じ易くなるから、不純物量との関連も考慮して９
９．９６％以上、好ましくは９９．９７％以上とする。
【００１０】
【作用】本発明においては、Ｔｉ，Ｖ，およびＢの相互
作用により交流エッチングにおけるカソ−ド半サイクル
時形成される皮膜に生じる欠陥の量を所定限界範囲内に
制御し、Ｚｎ，Ｇａ，およびＣｕの組み合わせに基づく
相互効果によりアノ−ド半サイクル時エッチピットを適
量形成して、アルミニウム箔表面の表面積を効果的に増
大させ、電解箔特性を向上させる。
作用により交流エッチングにおけるカソ−ド半サイクル
時形成される皮膜に生じる欠陥の量を所定限界範囲内に
制御し、Ｚｎ，Ｇａ，およびＣｕの組み合わせに基づく
相互効果によりアノ−ド半サイクル時エッチピットを適
量形成して、アルミニウム箔表面の表面積を効果的に増
大させ、電解箔特性を向上させる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と対比して説
明する。 実施例１ 表１に示す組成のアルミニウムを連続鋳造により鋳造
後、常法により均質化処理、熱間圧延、および冷間圧延
して100 μm の箔材とし、300 ℃で2 時間、アルゴン雰
囲気中において最終焼鈍した。得られたアルミニウム箔
材を、5 ｍｏｌ／ｌＨＣｌと0.05ｍｏｌ／ｌＨ2 ＳＯ4
からなる40℃の水溶液中で、25ＨZ の交流を用い100 ｃ
／ｃｍ2 の電解エッチングを行った後、1 ｍｏｌ／ｌア
ジピン酸アンモニウム水溶液中で20Ｖに化成し、同溶液
中で静電容量を測定した。結果は表２に示すようにいず
れも高い値が得られた。
明する。 実施例１ 表１に示す組成のアルミニウムを連続鋳造により鋳造
後、常法により均質化処理、熱間圧延、および冷間圧延
して100 μm の箔材とし、300 ℃で2 時間、アルゴン雰
囲気中において最終焼鈍した。得られたアルミニウム箔
材を、5 ｍｏｌ／ｌＨＣｌと0.05ｍｏｌ／ｌＨ2 ＳＯ4
からなる40℃の水溶液中で、25ＨZ の交流を用い100 ｃ
／ｃｍ2 の電解エッチングを行った後、1 ｍｏｌ／ｌア
ジピン酸アンモニウム水溶液中で20Ｖに化成し、同溶液
中で静電容量を測定した。結果は表２に示すようにいず
れも高い値が得られた。
【００１２】比較例１ 表３に示す組成のアルミニウムを実施例１と同様に処理
し100 μの焼鈍箔とした。表３中本発明の条件を外れて
いる項目には下線を付した。得られた箔材について実施
例１と同じ方法により静電容量を測定した。結果を表４
に示す。
し100 μの焼鈍箔とした。表３中本発明の条件を外れて
いる項目には下線を付した。得られた箔材について実施
例１と同じ方法により静電容量を測定した。結果を表４
に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】
【表３】
【００１６】
【表４】
【００１７】表４にみられるように、ＢとＴｉ，Ｖの原
子％の比が本発明の範囲より小さいＮｏ．１およびＮ
ｏ．２の箔、および当該比が大き過ぎるＮｏ．３は静電
容量が劣る。Ｂ量が２０ｐｐｍを越えるＮｏ．４は皮膜
の欠陥形成が弱まるため表面積増大効果が得られず静電
容量が低い。さらにＮｏ．３，Ｎｏ．４にはエッチング
後の表面に筋状の欠陥が生じた。Ｃｕ＋１／３Ｚｎ＋３
Ｇａの量が所定範囲より小さいＮｏ．５，所定範囲を越
えるＮｏ．６はエッチング処理におけるピットの形成が
不適当なためいずれも静電容量が低い。Ｃｕ量が所定範
囲を外れるＮｏ．７，Ｎｏ．８も適量のピットの形成が
なく特性が劣っている。
子％の比が本発明の範囲より小さいＮｏ．１およびＮ
ｏ．２の箔、および当該比が大き過ぎるＮｏ．３は静電
容量が劣る。Ｂ量が２０ｐｐｍを越えるＮｏ．４は皮膜
の欠陥形成が弱まるため表面積増大効果が得られず静電
容量が低い。さらにＮｏ．３，Ｎｏ．４にはエッチング
後の表面に筋状の欠陥が生じた。Ｃｕ＋１／３Ｚｎ＋３
Ｇａの量が所定範囲より小さいＮｏ．５，所定範囲を越
えるＮｏ．６はエッチング処理におけるピットの形成が
不適当なためいずれも静電容量が低い。Ｃｕ量が所定範
囲を外れるＮｏ．７，Ｎｏ．８も適量のピットの形成が
なく特性が劣っている。
【００１８】
【発明の効果】以上のとおり、本発明に従えば、特に使
用電圧が低い領域において安定して優れた静電特性を有
する電解コンデンサ用アルミニウム箔が提供される。
用電圧が低い領域において安定して優れた静電特性を有
する電解コンデンサ用アルミニウム箔が提供される。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｃｕ５〜６０ｐｐｍ，Ｓｉ６０ｐｐｍ以
下、Ｆｅ６０ｐｐｍ以下およびＢ３〜２０ｐｐｍを含
み、ａｔ％Ｂ／（ａｔ％Ｔｉ＋ａｔ％Ｖ）の比が５以上
２５未満であり、Ａｌの純度が９９．９６％以上である
ことを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔。 - 【請求項２】 （Ｃｕ＋１／３Ｚｎ＋３Ｇａ）量が５０
〜１５０ｐｐｍであることを特徴とする請求項１記載の
電解コンデンサ用アルミニウム箔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4212200A JP2671082B2 (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4212200A JP2671082B2 (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0633176A true JPH0633176A (ja) | 1994-02-08 |
| JP2671082B2 JP2671082B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=16618582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4212200A Expired - Fee Related JP2671082B2 (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2671082B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004250775A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-09-09 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材およびその製造方法並びに電解コンデンサ |
| JP2007146269A (ja) * | 2004-12-21 | 2007-06-14 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ |
| JP2012144809A (ja) * | 2005-05-31 | 2012-08-02 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53125920A (en) * | 1977-04-11 | 1978-11-02 | Mitsubishi Keikinzoku Kogyo | Aluminum anode foil for electrolytic capacitor |
| JPH01104743A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-21 | Nippon Foil Mfg Co Ltd | 電解コンデンサー陽極用アルミニウム合金箔 |
-
1992
- 1992-07-16 JP JP4212200A patent/JP2671082B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53125920A (en) * | 1977-04-11 | 1978-11-02 | Mitsubishi Keikinzoku Kogyo | Aluminum anode foil for electrolytic capacitor |
| JPH01104743A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-21 | Nippon Foil Mfg Co Ltd | 電解コンデンサー陽極用アルミニウム合金箔 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004250775A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-09-09 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材およびその製造方法並びに電解コンデンサ |
| JP2007146269A (ja) * | 2004-12-21 | 2007-06-14 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ |
| JP2012144809A (ja) * | 2005-05-31 | 2012-08-02 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2671082B2 (ja) | 1997-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3480210B2 (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム合金 | |
| JP2671082B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JP2666912B2 (ja) | 電解コンデンサ電極箔用アルミニウム合金 | |
| US4198278A (en) | Method for producing anode aluminum foils for electrolytic condensers | |
| JPH07235457A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びそのエッチング方法 | |
| JP3428035B2 (ja) | 超高圧Ａｌ電解コンデンサの陽極用アルミニウム箔 | |
| JP6619173B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JP2657262B2 (ja) | 電解コンデンサー陽極用アルミニウム合金箔 | |
| JP2793964B2 (ja) | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム箔 | |
| JP2006152394A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JP5117673B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ | |
| JPH08337833A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP3265382B2 (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム合金箔 | |
| JP3473683B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JP2002180170A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP3286968B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔 | |
| JP3244131B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 | |
| JPH0795502B2 (ja) | 電解コンデンサ陽極箔用アルミニウム合金 | |
| JP2878487B2 (ja) | 電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金 | |
| JP3790136B2 (ja) | 電解コンデンサ低圧陽極用アルミニウム箔 | |
| JP5112630B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ | |
| JP2006152402A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JPH06271962A (ja) | エッチング後の強度が高い電解コンデンサ用アルミニウム合金箔 | |
| JP2002173724A (ja) | 陽極電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JPS63290239A (ja) | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |