JPH06318663A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH06318663A
JPH06318663A JP5105788A JP10578893A JPH06318663A JP H06318663 A JPH06318663 A JP H06318663A JP 5105788 A JP5105788 A JP 5105788A JP 10578893 A JP10578893 A JP 10578893A JP H06318663 A JPH06318663 A JP H06318663A
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健 深町
Keiko Sonoda
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Abstract

(57)【要約】 【目的】樹脂封止型半導体装置において侵入した水分に
よる電極パッドの腐触及び封止樹脂のクラックを防ぐこ
とを目的とする。 【構成】内部リード３または吊りピン５または金線に撥
水性めっき８を施し、封止樹脂との界面から毛細菅現象
に依って水分が侵入することを防ぐ。また、アイランド
２の裏面に撥水性めっきを施し、ＩＲリフロー等の加熱
で水分が膨張し、封止樹脂にクラックが入ることを防
ぐ。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、特にリードフレーム及び金線に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置は図６
（ａ）に示すように半導体チップ１を搭載するアイラン
ド２と、外部との電気的導通をとるための外部リード４
及び内部リード３を有している。またアイランド２を支
持する吊りピン５を有している。さらに、図６（ｂ）に
示すように半導体チップ１と内部リード３との電気的導
通をとるための金線６を有している。
【０００３】この従来の樹脂封止型半導体装置は、樹脂
封止と内部リード３もしくは吊りピン５との界面からの
水分の侵入を防ぐための内部リード３の形状を直線では
なくジグザグ形状にしたり、吊りピン５にハーフエッチ
を設けたりしている。また、封止樹脂内の水分を逃がす
ために、アイランド２よりつながるウイングリードを設
けたりしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止型
半導体装置では、水分が封止樹脂と内部リード及び封止
樹脂と吊りピン及び封止樹脂と金線の界面から、毛細菅
現象により侵入し、半導体チップの電極パッドを腐触す
るという問題点があった。
【０００５】さらに、侵入した水分がアイランド裏面に
回り込み、その水分がＩＲリフロー等で加熱されて水分
が膨張し、封止樹脂にクラックが入るという問題点があ
った。
【０００６】本発明の目的は、侵入した水分による電極
パッドの腐触及び封止樹脂のクラックを防ぐことが出来
る封止樹脂型半導体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、ニッケルとフッ素系ポリマー粒子を共析させ
た撥水性めっきを配線もしくは配線周囲の金属部分に施
している。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の樹脂封止型半導体装置に
使用されるリードフレームの平面図である。図において
半導体チップ１がアイランド２に搭載され、外部との電
気的導通をとるための外部リード４及び内部リード３を
有し、アイランド２を支持するための吊りピン５を有し
ているのは図６の従来例と同じである。しかし本実施例
では、内部リード３の全域に撥水性めっき８を施してい
る。この撥水性めっき８はニッケルとフッ素系ポリマー
粒子が均一に混ざった構造になっている。その作製方法
は、まずポリテトラフルオロエチレンと呼ばれるフッ素
系ポリマーにフッ素ガスを加え、フッ素をさらに含む直
径４μｍのポリマー粒子を作る。これをニッケルのめっ
き液中に混合し、超音波振動で均一に分散させる。この
中で電気めっきすると、めっきされる物質の上にフッ素
系ポリマー粒子とニッケルが一定の割合で同時に析出
し、ニッケルの中に１０％程度のテトラフルオロエチレ
ンが含まれる撥水性めっき８が作られる。このめっきの
接触角は１７３度に達する事より、内部リード３の界面
より水分が侵入し、半導体チップ１の電極パッドが腐触
される事が防止される。
【０００９】図２は本発明の実施例２に関する樹脂封止
型半導体装置に使用されるリードフレームの平面図であ
る。図において内部リード３の一部に前記撥水性めっき
８を施している。これにより内部リード３の界面から水
分が侵入する事が防止され、かつ前記撥水性めっきが一
部分であるため封止樹脂と内部リード３の密着強度の低
下が防止される。
【００１０】図３は本発明の実施例３に関する樹脂封止
型半導体装置に使用されるリードフレームの平面図であ
る。図において吊りリード５に前記撥水性めっきを施し
ている。これにより吊りリード５の界面から水分が侵入
する事が防止される。
【００１１】図４は本発明の実施例４に関する樹脂封止
型半導体装置の断面図である。図において金線６も前記
撥水性めっきを施している。これにより金線６の界面か
ら水分が侵入し、半導体チップ１の電極パッドが腐触さ
れることが防止される。
【００１２】図５は本発明に関する樹脂封止型半導体装
置の断面図である。図においてアイランド２裏面に前記
撥水性めっき８を施している。これにより水分がアイラ
ンド２の裏面に回り込み、ＩＲリフロー等で加熱され水
分が膨張し、封止樹脂にクラックが入ることが防止され
る。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、樹脂封止
型半導体装置において、ニッケルとフッ素系ポリマー粒
子を共析させた撥水性めっきを配線もしくは配線周囲の
金属部分に施したので、封止樹脂と内部リード及び封止
樹脂と吊りピン及び封止樹脂と金線の界面から水分が侵
入することを防止するという結果を有する。
【００１４】また侵入した水分がアイランド裏面に回り
込み、ＩＲリフロー等の加熱で水分が膨張し、封止樹脂
にクラックが入ることを防止できるという結果を有す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に使用されるリードフレーム
の平面図である。
【図２】本発明の実施例２に使用されるリードフレーム
の平面図である。
【図３】本発明の実施例３に使用されるリードフレーム
の平面図である。
【図４】本発明の実施例４の断面図である。
【図５】本発明の実施例５の断面図である。
【図６】従来技術を説明するためのリードフレームの平
面図及び樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ ２ アイランド ３ 内部リード ４ 外部リード ５ 吊りピン ６ 金線 ７ 封止樹脂 ８ 撥水性めっき
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 元秋 熊本県熊本市八幡町100番地九州日本電気 株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 樹脂封止型半導体において、ニッケルと
    フッ素系ポリマー粒子を共析させた撥水性めっきを、配
    線もしくは配線周囲の金属部分に施した事を特徴とする
    樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記撥水性めっきが内部リード全域もし
    くはその一部に施されていることを特徴とする請求項１
    記載の樹脂封止型半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記撥水性めっきが吊りリード全域もし
    くはその一部に施されていることを特徴とする請求項１
    記載の樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記撥水性めっきがアイランド裏面全域
    もしくはその一部に施されていることを特徴とする請求
    項１記載の樹脂封止型半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記撥水性めっきが金線に施されている
    ことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装
    置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006303371A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法

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JP4624170B2 (ja) * 2005-04-25 2011-02-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法

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