JPH06314733A - 自己診断機能付き半導体製造装置及びその自己診断方法 - Google Patents
自己診断機能付き半導体製造装置及びその自己診断方法Info
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- JPH06314733A JPH06314733A JP10423393A JP10423393A JPH06314733A JP H06314733 A JPH06314733 A JP H06314733A JP 10423393 A JP10423393 A JP 10423393A JP 10423393 A JP10423393 A JP 10423393A JP H06314733 A JPH06314733 A JP H06314733A
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
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- G05B19/02—Programme-control systems electric
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- G05B19/401—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by control arrangements for measuring, e.g. calibration and initialisation, measuring workpiece for machining purposes
- G05B19/4015—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by control arrangements for measuring, e.g. calibration and initialisation, measuring workpiece for machining purposes going to a reference at the beginning of machine cycle, e.g. for calibration
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造装置に生じた小さな精度低下を自
己診断して精度の低下を回復させ、加工製品の品質を長
期的に安定させる。 【構成】 ファインアラメイント部18は、精度点検用
標準ウエハ30をアライメント状態に位置決めした状態
で、カッティングテーブル11を規則的パターン32
A、34Aの則的な間隔分送り操作した時の規則的パタ
ーン32A、34Aの位置を検出する。そして、点検手
段19はファインアラメイント部18の検出値に基づい
て半導体装置の位置決め精度を点検する。また、ファイ
ンアラメイント部18は、精度点検用標準ウエハ30を
アライメント状態に位置決めした状態で、カッティング
テーブル11を不規則的パターン32B、32C、34
B、34Cの不規則的な間隔分送り操作した時の不規則
的パターン32B、32C、34B、34Cの位置を検
出する。そして、点検手段19はファインアラメイント
部18の検出値に基づいて半導体製造装置の機械精度を
点検する。
己診断して精度の低下を回復させ、加工製品の品質を長
期的に安定させる。 【構成】 ファインアラメイント部18は、精度点検用
標準ウエハ30をアライメント状態に位置決めした状態
で、カッティングテーブル11を規則的パターン32
A、34Aの則的な間隔分送り操作した時の規則的パタ
ーン32A、34Aの位置を検出する。そして、点検手
段19はファインアラメイント部18の検出値に基づい
て半導体装置の位置決め精度を点検する。また、ファイ
ンアラメイント部18は、精度点検用標準ウエハ30を
アライメント状態に位置決めした状態で、カッティング
テーブル11を不規則的パターン32B、32C、34
B、34Cの不規則的な間隔分送り操作した時の不規則
的パターン32B、32C、34B、34Cの位置を検
出する。そして、点検手段19はファインアラメイント
部18の検出値に基づいて半導体製造装置の機械精度を
点検する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は自己診断機能付き半導
体製造装置及びその自己診断方法に係り、特にダイシン
グ装置等の半導体製造装置の位置決め精度、機械精度、
及び回転精度等を点検する自己診断機能付き半導体製造
装置及びその自己診断方法に関する。
体製造装置及びその自己診断方法に係り、特にダイシン
グ装置等の半導体製造装置の位置決め精度、機械精度、
及び回転精度等を点検する自己診断機能付き半導体製造
装置及びその自己診断方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造装置は、X、Y、Z軸の3軸
方向の移動機構やそれぞれの軸を中心とする回転機構等
を備えているものが多い。例えばダイシング装置でウエ
ハをアライメントする場合、ウエハが載置されたウエハ
テーブルをX、Y軸方向に移動すると共に、ウエハテー
ブルの中心を軸として回転してウエハをアライメントす
る。
方向の移動機構やそれぞれの軸を中心とする回転機構等
を備えているものが多い。例えばダイシング装置でウエ
ハをアライメントする場合、ウエハが載置されたウエハ
テーブルをX、Y軸方向に移動すると共に、ウエハテー
ブルの中心を軸として回転してウエハをアライメントす
る。
【0003】一方、近年半導体チップの微小化が図られ
ていて、この微小半導体チップを製造するために高精度
の半導体製造装置が要求される。しかしながら、製作当
初高精度に製作された半導体製造装置も、使用するにつ
れて経時的に精度が低下する。従って、半導体製造装置
の精度を点検する必要があり、点検を行うものとして精
度点検用標準ウエハが知られている。精度点検用標準ウ
エハの表面には規則的な間隔で点検パターンが形成され
ている。この精度点検用標準ウエハを例えばダイシング
装置で使用する場合、精度点検用標準ウエハをX、Y軸
方向へ移動した時の規則的パターンの検出位置に基づい
てダイシング装置の精度が点検される。
ていて、この微小半導体チップを製造するために高精度
の半導体製造装置が要求される。しかしながら、製作当
初高精度に製作された半導体製造装置も、使用するにつ
れて経時的に精度が低下する。従って、半導体製造装置
の精度を点検する必要があり、点検を行うものとして精
度点検用標準ウエハが知られている。精度点検用標準ウ
エハの表面には規則的な間隔で点検パターンが形成され
ている。この精度点検用標準ウエハを例えばダイシング
装置で使用する場合、精度点検用標準ウエハをX、Y軸
方向へ移動した時の規則的パターンの検出位置に基づい
てダイシング装置の精度が点検される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
精度点検用標準ウエハの点検用パターンは規則的に一定
間隔をおいて形成されているので、一定間隔移動時の精
度を点検することができるが、ランダム(不規則)な間
隔で移動した際の精度を点検することができない。そし
て、実際にダイシング装置でウエハを加工する場合、ダ
イシング装置はランダム間隔で移動される。従って、従
来の精度点検用標準ウエハで一定間隔移動時の精度を点
検しても、ダイシング装置を現実に稼動した際の加工精
度を点検したことにはならない。
精度点検用標準ウエハの点検用パターンは規則的に一定
間隔をおいて形成されているので、一定間隔移動時の精
度を点検することができるが、ランダム(不規則)な間
隔で移動した際の精度を点検することができない。そし
て、実際にダイシング装置でウエハを加工する場合、ダ
イシング装置はランダム間隔で移動される。従って、従
来の精度点検用標準ウエハで一定間隔移動時の精度を点
検しても、ダイシング装置を現実に稼動した際の加工精
度を点検したことにはならない。
【0005】すなわち、従来の精度点検用標準ウエハで
は、機械的部分の摩耗やねじの僅かの弛み等から徐々に
低下した半導体製造装置の精度を点検することができな
い。従って、使用者は半導体製造装置の精度が大きく低
下して加工製品が規定精度を満たしていない状態になる
まで精度の低下に気がつかない。これにより、半導体製
造装置で加工された製品への影響が大きく、また半導体
製造装置の精度回復に多大のコストと作業時間を必要と
するという問題がある。
は、機械的部分の摩耗やねじの僅かの弛み等から徐々に
低下した半導体製造装置の精度を点検することができな
い。従って、使用者は半導体製造装置の精度が大きく低
下して加工製品が規定精度を満たしていない状態になる
まで精度の低下に気がつかない。これにより、半導体製
造装置で加工された製品への影響が大きく、また半導体
製造装置の精度回復に多大のコストと作業時間を必要と
するという問題がある。
【0006】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、自己診断で半導体製造装置の精度低下を点検し
て、半導体製造装置に生じた小さな精度低下を回復させ
ることにより、半導体製造装置で加工された製品の品質
を長期的に安定させることができる自己診断機能付き半
導体製造装置及びその自己診断方法を提供することを目
的とする。
もので、自己診断で半導体製造装置の精度低下を点検し
て、半導体製造装置に生じた小さな精度低下を回復させ
ることにより、半導体製造装置で加工された製品の品質
を長期的に安定させることができる自己診断機能付き半
導体製造装置及びその自己診断方法を提供することを目
的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成する為に、少なくともX、Y、Z軸方向のいずれか1
軸方向に移動可能な移動機構手段が備えられた自己診断
機能付き半導体製造装置において、規則的な間隔をおい
て位置決め精度点検パターンが形成されると共に該位置
決め精度点検パターンに平行に不規則な間隔をおいて機
械精度点検パターンが形成された精度点検用標準ウエハ
と、該精度点検用標準ウエハを格納する格納部と、該格
納部から取り出した前記精度点検用標準ウエハを該精度
点検用標準ウエハのアライメント位置まで搬送可能であ
って、前記アライメント位置から前記格納部に格納可能
な搬送手段と、前記アライメント位置まで搬送された前
記精度点検用標準ウエハのパターン方向と前記移動機構
手段の移動軸方向とを一致させ、前記移動機構手段を前
記規則的な間隔分送り操作した時の前記位置決め精度点
検パターン位置を検出し、かつ、前記移動機構手段を前
記不規則的な間隔分送り操作した時の前記機械精度点検
パターン位置を検出するアライメント手段と、該アライ
メント手段が検出した前記位置決め精度点検パターン位
置の検出値と前記規則的な間隔に基づいて前記移動機構
手段の位置決め精度を点検し、かつ、前記アライメント
手段が検出した前記機械精度点検パターン位置の検出値
と前記不規則的な間隔に基づいて前記移動機構手段の機
械精度を点検する点検手段と、を備えたことを特徴とす
る。
成する為に、少なくともX、Y、Z軸方向のいずれか1
軸方向に移動可能な移動機構手段が備えられた自己診断
機能付き半導体製造装置において、規則的な間隔をおい
て位置決め精度点検パターンが形成されると共に該位置
決め精度点検パターンに平行に不規則な間隔をおいて機
械精度点検パターンが形成された精度点検用標準ウエハ
と、該精度点検用標準ウエハを格納する格納部と、該格
納部から取り出した前記精度点検用標準ウエハを該精度
点検用標準ウエハのアライメント位置まで搬送可能であ
って、前記アライメント位置から前記格納部に格納可能
な搬送手段と、前記アライメント位置まで搬送された前
記精度点検用標準ウエハのパターン方向と前記移動機構
手段の移動軸方向とを一致させ、前記移動機構手段を前
記規則的な間隔分送り操作した時の前記位置決め精度点
検パターン位置を検出し、かつ、前記移動機構手段を前
記不規則的な間隔分送り操作した時の前記機械精度点検
パターン位置を検出するアライメント手段と、該アライ
メント手段が検出した前記位置決め精度点検パターン位
置の検出値と前記規則的な間隔に基づいて前記移動機構
手段の位置決め精度を点検し、かつ、前記アライメント
手段が検出した前記機械精度点検パターン位置の検出値
と前記不規則的な間隔に基づいて前記移動機構手段の機
械精度を点検する点検手段と、を備えたことを特徴とす
る。
【0008】
【作用】本発明によれば、規則的な間隔をおいて位置決
め精度点検パターンが形成されると共に該位置決め精度
点検パターンに平行に不規則な間隔をおいて機械精度点
検パターンが形成された精度点検用標準ウエハを備えて
いて、この精度点検用標準ウエハは格納部に格納され
る。搬送手段は、格納部から取り出した精度点検用標準
ウエハをアライメント位置まで搬送し、かつ、アライメ
ント位置から格納部に格納する。
め精度点検パターンが形成されると共に該位置決め精度
点検パターンに平行に不規則な間隔をおいて機械精度点
検パターンが形成された精度点検用標準ウエハを備えて
いて、この精度点検用標準ウエハは格納部に格納され
る。搬送手段は、格納部から取り出した精度点検用標準
ウエハをアライメント位置まで搬送し、かつ、アライメ
ント位置から格納部に格納する。
【0009】アライメント手段は、アライメント位置ま
で搬送された精度点検用標準ウエハのパターン方向と移
動機構手段の移動軸方向とを一致させ、移動機構手段を
規則的な間隔分送り操作した時の位置決め精度点検パタ
ーン位置を検出し、かつ、移動機構手段を前記不規則的
な間隔分送り操作した時の機械精度点検パターン位置を
検出する。また、点検手段は、アライメント手段が検出
した位置決め精度点検パターン位置の検出値と規則的な
間隔に基づいて移動機構手段の位置決め精度を点検し、
かつ、アライメント手段が検出した機械精度点検パター
ン位置の検出値と不規則的な間隔に基づいて移動機構手
段の機械精度を点検する。
で搬送された精度点検用標準ウエハのパターン方向と移
動機構手段の移動軸方向とを一致させ、移動機構手段を
規則的な間隔分送り操作した時の位置決め精度点検パタ
ーン位置を検出し、かつ、移動機構手段を前記不規則的
な間隔分送り操作した時の機械精度点検パターン位置を
検出する。また、点検手段は、アライメント手段が検出
した位置決め精度点検パターン位置の検出値と規則的な
間隔に基づいて移動機構手段の位置決め精度を点検し、
かつ、アライメント手段が検出した機械精度点検パター
ン位置の検出値と不規則的な間隔に基づいて移動機構手
段の機械精度を点検する。
【0010】
【実施例】以下添付図面に従って本発明に係る自己診断
機能付き半導体製造装置及びその自己診断方法について
詳説する。図1は本発明に係る自己診断機能付き半導体
製造装置の斜視図であり、図2はその動作説明図であ
る。同図に示すように自己診断機能付き半導体製造装置
(以下、ダイシング装置として説明する。)は、カセッ
ト10からウエハWが供給され、そのウエハWをプリア
ライメントするプリアライメントステージ(すなわち、
第1の位置)P1、ウエハWをカッティングテーブル1
1にロード及びアンロードする第2の位置P2、切断さ
れたウエハWを洗浄する第3の位置P3、及び洗浄され
たウエハWがアンローディングされる第4の位置(図示
せず)を有している。
機能付き半導体製造装置及びその自己診断方法について
詳説する。図1は本発明に係る自己診断機能付き半導体
製造装置の斜視図であり、図2はその動作説明図であ
る。同図に示すように自己診断機能付き半導体製造装置
(以下、ダイシング装置として説明する。)は、カセッ
ト10からウエハWが供給され、そのウエハWをプリア
ライメントするプリアライメントステージ(すなわち、
第1の位置)P1、ウエハWをカッティングテーブル1
1にロード及びアンロードする第2の位置P2、切断さ
れたウエハWを洗浄する第3の位置P3、及び洗浄され
たウエハWがアンローディングされる第4の位置(図示
せず)を有している。
【0011】また、ダイシング装置は、第2の位置P2
でカッティングテーブル11(図2参照)にローディン
グされたウエハWを、カッティングテーブル11ごと移
動してファインアラメイント部18でファインアラメイ
ントする。すなわち、ファインアラメイント部18は画
像取り込み部を有していて、画像取り込み部で取り込ん
だ画像をパターンマッチング処理してウエハWをファイ
ンアラメイントする。ファインアラメイント部18には
後述する点検手段19が接続されている。
でカッティングテーブル11(図2参照)にローディン
グされたウエハWを、カッティングテーブル11ごと移
動してファインアラメイント部18でファインアラメイ
ントする。すなわち、ファインアラメイント部18は画
像取り込み部を有していて、画像取り込み部で取り込ん
だ画像をパターンマッチング処理してウエハWをファイ
ンアラメイントする。ファインアラメイント部18には
後述する点検手段19が接続されている。
【0012】ファインアラメイントされたウエハWは、
その後切断部14のダイヤモンドカッタ16によって所
要の半導体チップに切断され、又このようにして切断さ
れたウエハWは第3の位置P3に搬送されて洗浄部20
で洗浄される。洗浄部20で洗浄されたウエハWは、そ
の後第4の位置に搬送され、ここからカセット10に収
納される。
その後切断部14のダイヤモンドカッタ16によって所
要の半導体チップに切断され、又このようにして切断さ
れたウエハWは第3の位置P3に搬送されて洗浄部20
で洗浄される。洗浄部20で洗浄されたウエハWは、そ
の後第4の位置に搬送され、ここからカセット10に収
納される。
【0013】尚、前記第1乃至第4の位置は、それぞれ
正方形の各頂点位置となる関係で配置されており、これ
らの位置に於けるウエハWの搬送は、前記正方形の中心
に回転軸22を有し、この回転軸22から隣接する2つ
の位置に向かってV字状に延出するアーム部24で行わ
れる。また、図1上で26、27はウエハWを着脱する
チャック部である。
正方形の各頂点位置となる関係で配置されており、これ
らの位置に於けるウエハWの搬送は、前記正方形の中心
に回転軸22を有し、この回転軸22から隣接する2つ
の位置に向かってV字状に延出するアーム部24で行わ
れる。また、図1上で26、27はウエハWを着脱する
チャック部である。
【0014】図3は本発明に係るダイシング装置に使用
される精度点検用標準ウエハの平面図である。同図に示
すように精度点検用標準ウエハ30は一般的な加工用ウ
エハと同様に円板状に形成されていて、表面には位置決
め用のパターン群32、34、36が形成されている。
パターン群32はX軸方向の移動精度を点検するために
使用され、パターン群34はY軸方向の移動精度を点検
するために使用される。また、パターン群36は回転精
度を点検するために使用される。パターン群32は規則
的パターン32A、32A…、第1不規則的パターン3
2B、32B…、及び第2不規則的パターン32C、3
2C…を有している。
される精度点検用標準ウエハの平面図である。同図に示
すように精度点検用標準ウエハ30は一般的な加工用ウ
エハと同様に円板状に形成されていて、表面には位置決
め用のパターン群32、34、36が形成されている。
パターン群32はX軸方向の移動精度を点検するために
使用され、パターン群34はY軸方向の移動精度を点検
するために使用される。また、パターン群36は回転精
度を点検するために使用される。パターン群32は規則
的パターン32A、32A…、第1不規則的パターン3
2B、32B…、及び第2不規則的パターン32C、3
2C…を有している。
【0015】規則的パターン32A、32A…は規則的
に一定の間隔をおいて形成されている。第1不規則的パ
ターン32B、32B…は乱数に基づいたランダムな間
隔(例えば、間隔の比を1、3、5、7、11、13)
をおいて形成されている。また、第2不規則的パターン
32C、32C…は、第1不規則的パターン32B、3
2B…と反対向き(対称)に形成されている。
に一定の間隔をおいて形成されている。第1不規則的パ
ターン32B、32B…は乱数に基づいたランダムな間
隔(例えば、間隔の比を1、3、5、7、11、13)
をおいて形成されている。また、第2不規則的パターン
32C、32C…は、第1不規則的パターン32B、3
2B…と反対向き(対称)に形成されている。
【0016】このように、第1不規則的パターン32
B、32B…と第2不規則的パターン32C、32C…
とを対称に形成することにより、例えば第1不規則的パ
ターン32B、32B間が比較的大きくなる間隔
(L1 )を、第2不規則的パターン32C、32C間の
比較的小さな間隔(L2 )で補うようにして、パターン
が形成されている全範囲(L)で機械的精度を点検する
ことができる。
B、32B…と第2不規則的パターン32C、32C…
とを対称に形成することにより、例えば第1不規則的パ
ターン32B、32B間が比較的大きくなる間隔
(L1 )を、第2不規則的パターン32C、32C間の
比較的小さな間隔(L2 )で補うようにして、パターン
が形成されている全範囲(L)で機械的精度を点検する
ことができる。
【0017】そして、パターン群34はパターン群32
を90°回転した状態に形成されている。すなわち、規
則的パターン34A、34A…は規則的に一定の間隔を
おいて形成されていて、第1不規則的パターン34B、
34B…は乱数に基づいたランダムな間隔をおいて形成
されている。また、第2不規則的パターン34C、34
C…は、第1不規則的パターン34B、34B…と反対
向きに形成されている。このように、X軸方向のパター
ン群32及びY軸方向のパターン群34を形成すること
によりX、Y軸方向の位置決め精度、及び機械的精度を
点検することができる。さらに、X軸、Y軸方向のパタ
ーン群32、34を直交させて形成することにより、ダ
イシング装置の移動機構のX軸、Y軸方向の真直性を点
検することができる。
を90°回転した状態に形成されている。すなわち、規
則的パターン34A、34A…は規則的に一定の間隔を
おいて形成されていて、第1不規則的パターン34B、
34B…は乱数に基づいたランダムな間隔をおいて形成
されている。また、第2不規則的パターン34C、34
C…は、第1不規則的パターン34B、34B…と反対
向きに形成されている。このように、X軸方向のパター
ン群32及びY軸方向のパターン群34を形成すること
によりX、Y軸方向の位置決め精度、及び機械的精度を
点検することができる。さらに、X軸、Y軸方向のパタ
ーン群32、34を直交させて形成することにより、ダ
イシング装置の移動機構のX軸、Y軸方向の真直性を点
検することができる。
【0018】パターン群36は精度点検用標準ウエハ3
0の同一円弧上に等角度の間隔(すなわち、90°の間
隔)をおいて4箇所に形成されていて、それぞれのパタ
ーン群36には第1の回転精度点検パターン36A、3
6A…、第2の回転精度点検パターン36B、36B
…、第3の回転精度点検パターン36C、36C…、及
び第4の回転精度点検パターン36D、36D…が形成
されている。そして、精度点検用標準ウエハ30が中心
点30Aを中心にして90°回転した場合、第1の回転
精度点検パターン36Aが第2の回転精度点検パターン
36Bと同一位置に位置決めされ、第2の回転精度点検
パターン36Bが第3の回転精度点検パターン36Cと
同一位置に位置決めされ、第3の回転精度点検パターン
36Cが第4の回転点検パターン36Dと同一位置に位
置決めされ、第4の回転点検パターン36Dが第1の回
転精度点検パターン36Aと同一位置に位置決めされ
る。このように、回転精度点検用のパターン群36を形
成することにより回転精度を点検することができる。
0の同一円弧上に等角度の間隔(すなわち、90°の間
隔)をおいて4箇所に形成されていて、それぞれのパタ
ーン群36には第1の回転精度点検パターン36A、3
6A…、第2の回転精度点検パターン36B、36B
…、第3の回転精度点検パターン36C、36C…、及
び第4の回転精度点検パターン36D、36D…が形成
されている。そして、精度点検用標準ウエハ30が中心
点30Aを中心にして90°回転した場合、第1の回転
精度点検パターン36Aが第2の回転精度点検パターン
36Bと同一位置に位置決めされ、第2の回転精度点検
パターン36Bが第3の回転精度点検パターン36Cと
同一位置に位置決めされ、第3の回転精度点検パターン
36Cが第4の回転点検パターン36Dと同一位置に位
置決めされ、第4の回転点検パターン36Dが第1の回
転精度点検パターン36Aと同一位置に位置決めされ
る。このように、回転精度点検用のパターン群36を形
成することにより回転精度を点検することができる。
【0019】尚、パターン群32、34、36に使用さ
れたパターンの形状は図3に示すように十字型とした。
この十字型パターンは画像処理(パターンマッチング)
で位置検出精度が高いことが一般に知られている。ま
た、精度点検用標準ウエハ30にはパターン群32、3
4、36に沿って、X軸方向及びY軸方向のそれぞれの
振動点検用パターン40、42(図4参照)が複数個形
成されている。このX軸方向の振動点検用パターン40
及びY軸方向の振動点検用パターン42は、画像処理を
行う際に画像取り込み時間(例えば1/30秒)の間の
画像振れを検出する場合の信頼性が高い。このように、
X軸方向の振動点検用パターン40及びY軸方向の振動
点検用パターン42を加えることによりX軸及びY軸方
向の振動を点検することができる。さらに、振動点検用
パターン40、42のいずれかのパターンをパターン群
36に沿って形成することにより、90°回転時の振動
を点検することができる。
れたパターンの形状は図3に示すように十字型とした。
この十字型パターンは画像処理(パターンマッチング)
で位置検出精度が高いことが一般に知られている。ま
た、精度点検用標準ウエハ30にはパターン群32、3
4、36に沿って、X軸方向及びY軸方向のそれぞれの
振動点検用パターン40、42(図4参照)が複数個形
成されている。このX軸方向の振動点検用パターン40
及びY軸方向の振動点検用パターン42は、画像処理を
行う際に画像取り込み時間(例えば1/30秒)の間の
画像振れを検出する場合の信頼性が高い。このように、
X軸方向の振動点検用パターン40及びY軸方向の振動
点検用パターン42を加えることによりX軸及びY軸方
向の振動を点検することができる。さらに、振動点検用
パターン40、42のいずれかのパターンをパターン群
36に沿って形成することにより、90°回転時の振動
を点検することができる。
【0020】前記の如く構成されたダイシング装置の作
用を図2の動作説明図及び図5のフローチャートに基づ
いて説明する。先ず、精度点検用標準ウエハ30をカセ
ット10に収納して、カセット10をダイシング装置の
エレベータ部に載置する。次に、ダイシング装置を操作
してカセット10から精度点検用標準ウエハ30を取り
出し、取り出した精度点検用標準ウエハ30を第1の位
置、すなわちプリアライメントステージP1まで搬送す
る。次いで、プリアライメントステージP1まで搬送さ
れた精度点検用標準ウエハ30をアーム部24で図1に
示す切断部14のカッティングテーブル11まで搬送す
る(ステップ100)。
用を図2の動作説明図及び図5のフローチャートに基づ
いて説明する。先ず、精度点検用標準ウエハ30をカセ
ット10に収納して、カセット10をダイシング装置の
エレベータ部に載置する。次に、ダイシング装置を操作
してカセット10から精度点検用標準ウエハ30を取り
出し、取り出した精度点検用標準ウエハ30を第1の位
置、すなわちプリアライメントステージP1まで搬送す
る。次いで、プリアライメントステージP1まで搬送さ
れた精度点検用標準ウエハ30をアーム部24で図1に
示す切断部14のカッティングテーブル11まで搬送す
る(ステップ100)。
【0021】ステップ100の工程完了後、X軸方向の
位置決め精度、及び機械的精度を点検する(ステップ1
02)。すなわち、カッティングテーブル11をX、Y
軸方向に移動して、カッティングテーブルに載置した精
度点検用標準ウエハ30を、ファインアラメイント部1
8でパターン群32の規則的パターン32Aが検出でき
る位置に位置決めする。次に、カッティングテーブル1
1ごとダイシング装置の精度点検用標準ウエハ30をX
軸方向に規則的パターン32A、32A…と同一間隔分
移動して、ファインアラメイント部18で規則的パター
ン32Aの位置を検出する。この工程を複数の規則的パ
ターン32Aについて行う。そして、前述した点検手段
19は、検出された位置の精度に基づいてX軸方向の位
置決め精度を点検する。また、検出されたパターン32
Aの位置精度はウエハ加工時の累積補正のデータとして
使用することができる。
位置決め精度、及び機械的精度を点検する(ステップ1
02)。すなわち、カッティングテーブル11をX、Y
軸方向に移動して、カッティングテーブルに載置した精
度点検用標準ウエハ30を、ファインアラメイント部1
8でパターン群32の規則的パターン32Aが検出でき
る位置に位置決めする。次に、カッティングテーブル1
1ごとダイシング装置の精度点検用標準ウエハ30をX
軸方向に規則的パターン32A、32A…と同一間隔分
移動して、ファインアラメイント部18で規則的パター
ン32Aの位置を検出する。この工程を複数の規則的パ
ターン32Aについて行う。そして、前述した点検手段
19は、検出された位置の精度に基づいてX軸方向の位
置決め精度を点検する。また、検出されたパターン32
Aの位置精度はウエハ加工時の累積補正のデータとして
使用することができる。
【0022】次いで、ファインアラメイント部18で第
1不規則的パターン32Bが検出できる位置に精度点検
用標準ウエハ30を位置決めする。次に、カッティング
テーブル11ごとX軸方向に第1不規則的パターン32
B、32B…と同一間隔分移動して、ファインアラメイ
ント部18で第1不規則的パターン32Bの位置を検出
する。この工程を複数の規則的パターン32Bについて
行う。続いて、ファインアラメイント部18で第2不規
則的パターン32Cが検出できる位置に精度点検用標準
ウエハ30を位置決めする。次に、カッティングテーブ
ル11ごとX軸方向に第2不規則的パターン32C、3
2C…と同一間隔分移動して、ファインアラメイント部
18で第2不規則的パターン32Cの位置を検出する。
この工程を複数の規則的パターン32Cについて行う。
そして、点検手段は、検出された複数のパターン32
B、32Cの位置精度に基づいてX軸方向の機械的精度
を点検する。これにより、ステップ102の工程が完了
する。
1不規則的パターン32Bが検出できる位置に精度点検
用標準ウエハ30を位置決めする。次に、カッティング
テーブル11ごとX軸方向に第1不規則的パターン32
B、32B…と同一間隔分移動して、ファインアラメイ
ント部18で第1不規則的パターン32Bの位置を検出
する。この工程を複数の規則的パターン32Bについて
行う。続いて、ファインアラメイント部18で第2不規
則的パターン32Cが検出できる位置に精度点検用標準
ウエハ30を位置決めする。次に、カッティングテーブ
ル11ごとX軸方向に第2不規則的パターン32C、3
2C…と同一間隔分移動して、ファインアラメイント部
18で第2不規則的パターン32Cの位置を検出する。
この工程を複数の規則的パターン32Cについて行う。
そして、点検手段は、検出された複数のパターン32
B、32Cの位置精度に基づいてX軸方向の機械的精度
を点検する。これにより、ステップ102の工程が完了
する。
【0023】続いて、カッティングテーブル11を移動
して、ファインアラメイント部18で振動点検用パター
ン40が検出できる位置に精度点検用標準ウエハ30を
位置決めする。次に、カッティングテーブル11ごと精
度点検用標準ウエハ30をX軸方向に一定間隔移動した
後停止する。この場合、停止時にX軸方向に機械的振動
が生じると振動点検用パターン40が振れるので、ファ
インアラメイント部18で振動点検用パターン40を測
定することにより、振動点検用パターン40の振幅が検
出される。この検出値に基づいて、点検手段はX軸方向
の機械的振動を点検する(ステップ104)。
して、ファインアラメイント部18で振動点検用パター
ン40が検出できる位置に精度点検用標準ウエハ30を
位置決めする。次に、カッティングテーブル11ごと精
度点検用標準ウエハ30をX軸方向に一定間隔移動した
後停止する。この場合、停止時にX軸方向に機械的振動
が生じると振動点検用パターン40が振れるので、ファ
インアラメイント部18で振動点検用パターン40を測
定することにより、振動点検用パターン40の振幅が検
出される。この検出値に基づいて、点検手段はX軸方向
の機械的振動を点検する(ステップ104)。
【0024】尚、ステップ104における、移動にとも
なう振動は移動後のディレイタイム(delay time)に依
存するので、ディレイタイムを変数としてそれぞれのデ
ィレイタイムで多数回測定して振動の大きさと統計的ば
らつきを求める。次に、Y軸方向の位置決め精度、及び
機械的精度を点検する(ステップ106)。ここで、X
軸方向の位置決め精度、及び機械的精度の点検にはパタ
ーン群32を使用したが、Y軸方向の位置決め精度、及
び機械的精度の点検にはパターン群34を使用する。そ
れ以外の精度点検の手順はX軸方向の場合と同一なので
説明を省略するが、パターン群34の規則的パターン3
4AでY軸方向の位置決め精度が点検される。また、検
出されたパターン34Aの位置精度はウエハ加工時の累
積補正のデータとして使用される。さらに、パターン群
34の第1、第2不規則的パターン34B、34CでY
軸方向の機械的精度が点検される。これにより、ステッ
プ106の工程が完了する。
なう振動は移動後のディレイタイム(delay time)に依
存するので、ディレイタイムを変数としてそれぞれのデ
ィレイタイムで多数回測定して振動の大きさと統計的ば
らつきを求める。次に、Y軸方向の位置決め精度、及び
機械的精度を点検する(ステップ106)。ここで、X
軸方向の位置決め精度、及び機械的精度の点検にはパタ
ーン群32を使用したが、Y軸方向の位置決め精度、及
び機械的精度の点検にはパターン群34を使用する。そ
れ以外の精度点検の手順はX軸方向の場合と同一なので
説明を省略するが、パターン群34の規則的パターン3
4AでY軸方向の位置決め精度が点検される。また、検
出されたパターン34Aの位置精度はウエハ加工時の累
積補正のデータとして使用される。さらに、パターン群
34の第1、第2不規則的パターン34B、34CでY
軸方向の機械的精度が点検される。これにより、ステッ
プ106の工程が完了する。
【0025】次いで、カッティングテーブル11を移動
して、ファインアラメイント部18で振動点検用パター
ン42が検出できる位置に精度点検用標準ウエハ30を
位置決めする。次に、カッティングテーブル11ごと精
度点検用標準ウエハ30をY軸方向に一定間隔移動した
後停止する。この場合、停止時にY軸方向に機械的振動
が生じると振動点検用パターン42が振れるので、振動
点検用パターン42の振幅が検出される。この検出値に
基づいて、点検手段はY軸方向の機械的振動を検出する
(ステップ108)。
して、ファインアラメイント部18で振動点検用パター
ン42が検出できる位置に精度点検用標準ウエハ30を
位置決めする。次に、カッティングテーブル11ごと精
度点検用標準ウエハ30をY軸方向に一定間隔移動した
後停止する。この場合、停止時にY軸方向に機械的振動
が生じると振動点検用パターン42が振れるので、振動
点検用パターン42の振幅が検出される。この検出値に
基づいて、点検手段はY軸方向の機械的振動を検出する
(ステップ108)。
【0026】尚、ステップ108はステップ104と同
様に、移動にともなう振動は移動後のディレイタイムに
依存するので、ディレイタイムを変数としてそれぞれの
ディレイタイムで多数回測定して振動の大きさと統計的
ばらつきを求める。ステップ108の工程完了後、X
軸、Y軸方向の真直性、及び回転精度を点検する(ステ
ップ110)。先ず、X軸方向のパターン群32及びY
軸方向のパターン群34を使用して、カッティングテー
ブル11がX軸方向及びY軸方向に移動した場合の真直
性を点検する。続いて、カッティングテーブル11を
X、Y軸方向に移動して、カッティングテーブル11に
載置した精度点検用標準ウエハ30を、ファインアラメ
イント部18でパターン群36の第1のパターン36A
が検出できる位置に位置決めする。次に、カッティング
テーブル11を操作して精度点検用標準ウエハ30を時
計回り方向に90°の回転し、ファインアラメイント部
18で第2のパターン36Bの位置を検出する。この工
程を複数のパターン36A、36Bについて行う。そし
て、検出された位置の精度に基づいて、点検手段は、カ
ッティングテーブル11が90°回転した場合の回転精
度を点検する。尚、この場合、複数個のパターン36
A、36Bを使用することにより、回転中心位置を検出
することができる。これにより、ステップ110の工程
が完了する。
様に、移動にともなう振動は移動後のディレイタイムに
依存するので、ディレイタイムを変数としてそれぞれの
ディレイタイムで多数回測定して振動の大きさと統計的
ばらつきを求める。ステップ108の工程完了後、X
軸、Y軸方向の真直性、及び回転精度を点検する(ステ
ップ110)。先ず、X軸方向のパターン群32及びY
軸方向のパターン群34を使用して、カッティングテー
ブル11がX軸方向及びY軸方向に移動した場合の真直
性を点検する。続いて、カッティングテーブル11を
X、Y軸方向に移動して、カッティングテーブル11に
載置した精度点検用標準ウエハ30を、ファインアラメ
イント部18でパターン群36の第1のパターン36A
が検出できる位置に位置決めする。次に、カッティング
テーブル11を操作して精度点検用標準ウエハ30を時
計回り方向に90°の回転し、ファインアラメイント部
18で第2のパターン36Bの位置を検出する。この工
程を複数のパターン36A、36Bについて行う。そし
て、検出された位置の精度に基づいて、点検手段は、カ
ッティングテーブル11が90°回転した場合の回転精
度を点検する。尚、この場合、複数個のパターン36
A、36Bを使用することにより、回転中心位置を検出
することができる。これにより、ステップ110の工程
が完了する。
【0027】次に、カッティングテーブル11を、予め
設定されている所定位置から精度点検用標準ウエハ30
の厚み寸法分、Z軸方向に移動させる。そして、カッテ
ィングテーブル11が精度点検用標準ウエハ30の厚み
寸法分移動したとき、精度点検用標準ウエハ30に形成
されているパターンの鮮明度を検出する。この検出結果
に基づいて、点検手段はZ軸方向の精度を点検する(ス
テップ112)。尚、この場合、カッティングテーブル
11の停止時にパターンの振幅を検査することにより、
Z軸方向の振動を点検することも可能である(ステップ
113)。
設定されている所定位置から精度点検用標準ウエハ30
の厚み寸法分、Z軸方向に移動させる。そして、カッテ
ィングテーブル11が精度点検用標準ウエハ30の厚み
寸法分移動したとき、精度点検用標準ウエハ30に形成
されているパターンの鮮明度を検出する。この検出結果
に基づいて、点検手段はZ軸方向の精度を点検する(ス
テップ112)。尚、この場合、カッティングテーブル
11の停止時にパターンの振幅を検査することにより、
Z軸方向の振動を点検することも可能である(ステップ
113)。
【0028】ステップ113完了後、上述した工程で得
た点検データを、予めハードディスク等に記憶されてい
る出荷前の測定データと比較して、各軸の精度が仕様値
を満たしているか否かを判定する(ステップ114)。
尚、出荷前の測定データは、上述したステップ100〜
ステップ113の工程をダイシング装置の出荷前に順次
繰り返して得た点検データをハードディスク等に記憶し
たものである。そして、ステップ114判定した結果を
診断結果として出力して、自己診断が完了する(ステッ
プ116)。
た点検データを、予めハードディスク等に記憶されてい
る出荷前の測定データと比較して、各軸の精度が仕様値
を満たしているか否かを判定する(ステップ114)。
尚、出荷前の測定データは、上述したステップ100〜
ステップ113の工程をダイシング装置の出荷前に順次
繰り返して得た点検データをハードディスク等に記憶し
たものである。そして、ステップ114判定した結果を
診断結果として出力して、自己診断が完了する(ステッ
プ116)。
【0029】自己診断の完了後、カッティングテーブル
11に載置されている精度点検用標準ウエハ30を第2
の位置P2まで搬送し、第2の位置P2まで搬送された
精度点検用標準ウエハ30は第1の位置のプリアライメ
ントステージP1に搬送される。そして、プリアライメ
ントステージP1に搬送された精度点検用標準ウエハ3
0は、ここからカセット10にもどされる。これによ
り、精度点検用標準ウエハ30のアンロードが完了する
(ステップ118)。
11に載置されている精度点検用標準ウエハ30を第2
の位置P2まで搬送し、第2の位置P2まで搬送された
精度点検用標準ウエハ30は第1の位置のプリアライメ
ントステージP1に搬送される。そして、プリアライメ
ントステージP1に搬送された精度点検用標準ウエハ3
0は、ここからカセット10にもどされる。これによ
り、精度点検用標準ウエハ30のアンロードが完了する
(ステップ118)。
【0030】前記実施例では精度点検用標準ウエハ30
を加工用ウエハWを格納するカセット10に格納してダ
イシング装置の自己診断を実施する場合、すなわち、精
度点検用標準ウエハ30を格納するための専用カセット
がダイシング装置に備えられていない場合について説明
したが、これに限らず、精度点検用標準ウエハ30を格
納するための専用カセットをダイシング装置に備えるこ
とも可能である。以下図6に基づいて、精度点検用標準
ウエハ30を格納するための専用カセットをダイシング
装置に備えた場合の第2実施例を説明する。尚、図6上
で図2の構成部材と同一類似部材については同一符号を
付して説明を省略する。
を加工用ウエハWを格納するカセット10に格納してダ
イシング装置の自己診断を実施する場合、すなわち、精
度点検用標準ウエハ30を格納するための専用カセット
がダイシング装置に備えられていない場合について説明
したが、これに限らず、精度点検用標準ウエハ30を格
納するための専用カセットをダイシング装置に備えるこ
とも可能である。以下図6に基づいて、精度点検用標準
ウエハ30を格納するための専用カセットをダイシング
装置に備えた場合の第2実施例を説明する。尚、図6上
で図2の構成部材と同一類似部材については同一符号を
付して説明を省略する。
【0031】同図に示すようにダイシング装置のプリア
ライメントステージP1の下方にはカセット50が設け
られている。カセット50には加工用ウエハが格納さ
れ、カセット50に格納された加工用ウエハはプリアラ
イメントステージP1に搬送される。そして、プリアラ
イメントステージP1に搬送された加工用ウエハは、実
施例1と同様に第2の位置のカッティングテーブル11
に搬送され、以下実施例1と同様の手順で加工されてカ
セット50にもどされる。この場合、加工された加工用
ウエハはプリアライメントステージP1を介してカセッ
ト50にもどされてもよく、また、プリアライメントス
テージP1を介さずに直接カセット50にもどされても
よい。
ライメントステージP1の下方にはカセット50が設け
られている。カセット50には加工用ウエハが格納さ
れ、カセット50に格納された加工用ウエハはプリアラ
イメントステージP1に搬送される。そして、プリアラ
イメントステージP1に搬送された加工用ウエハは、実
施例1と同様に第2の位置のカッティングテーブル11
に搬送され、以下実施例1と同様の手順で加工されてカ
セット50にもどされる。この場合、加工された加工用
ウエハはプリアライメントステージP1を介してカセッ
ト50にもどされてもよく、また、プリアライメントス
テージP1を介さずに直接カセット50にもどされても
よい。
【0032】カセット50の下方には専用カセット52
が設けられていて、専用カセット52には精度点検用標
準ウエハ30が格納されている。専用カセット52に格
納された精度点検用標準ウエハ30はプリアライメント
ステージP1に搬送される。そして、プリアライメント
ステージP1に搬送された精度点検用標準ウエハ30
は、実施例1と同様に第2の位置のカッティングテーブ
ル11に搬送され、以下実施例1と同様の手順で点検工
程が実行され、自己診断完了後専用カセット52にもど
される。そして、点検工程が完了後の精度点検用標準ウ
エハ30はプリアライメントステージP1を介して専用
カセット52にもどされてもよく、また、プリアライメ
ントステージP1を介さずに直接専用カセット52にも
どされてもよい。
が設けられていて、専用カセット52には精度点検用標
準ウエハ30が格納されている。専用カセット52に格
納された精度点検用標準ウエハ30はプリアライメント
ステージP1に搬送される。そして、プリアライメント
ステージP1に搬送された精度点検用標準ウエハ30
は、実施例1と同様に第2の位置のカッティングテーブ
ル11に搬送され、以下実施例1と同様の手順で点検工
程が実行され、自己診断完了後専用カセット52にもど
される。そして、点検工程が完了後の精度点検用標準ウ
エハ30はプリアライメントステージP1を介して専用
カセット52にもどされてもよく、また、プリアライメ
ントステージP1を介さずに直接専用カセット52にも
どされてもよい。
【0033】前記実施例1、2ではX、Y、Z軸の3軸
の位置決め精度及び機械的精度を点検する場合について
説明したが、これに限らず、X、Y、Z軸のいずれか1
軸又は2軸の位置決め精度及び機械的精度を点検するこ
とも可能である。前記実施例1、2では精度点検用標準
ウエハ30でダイシン装置の精度等を自己診断する場合
について説明したが、これに限らず、例えばプロービン
グマシーン、メモリーリペアシステム等のその他の半導
体製造装置の精度等を自己診断することも可能である。
の位置決め精度及び機械的精度を点検する場合について
説明したが、これに限らず、X、Y、Z軸のいずれか1
軸又は2軸の位置決め精度及び機械的精度を点検するこ
とも可能である。前記実施例1、2では精度点検用標準
ウエハ30でダイシン装置の精度等を自己診断する場合
について説明したが、これに限らず、例えばプロービン
グマシーン、メモリーリペアシステム等のその他の半導
体製造装置の精度等を自己診断することも可能である。
【0034】前記実施例では精度点検用標準ウエハ30
の第1、第2不規則的パターンを乱数に基づいて不規則
な間隔に設定したが、これに限らず、乱数以外のその他
の方法で第1、第2不規則的パターンを不規則な間隔に
設定してもよい。前記実施例では精度点検用標準ウエハ
30の回転精度用のパターン群36を4箇所に形成した
が、これに限らず、少なくとも2箇所に形成してもよ
い。
の第1、第2不規則的パターンを乱数に基づいて不規則
な間隔に設定したが、これに限らず、乱数以外のその他
の方法で第1、第2不規則的パターンを不規則な間隔に
設定してもよい。前記実施例では精度点検用標準ウエハ
30の回転精度用のパターン群36を4箇所に形成した
が、これに限らず、少なくとも2箇所に形成してもよ
い。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る自己診
断機能付き半導体製造装置及びその自己診断方法によれ
ば、 アライメント手段は、アライメント位置まで搬送
された精度点検用標準ウエハのパターン方向と移動機構
手段の移動軸方向とを一致させ、移動機構手段を規則的
な間隔分送り操作した時の位置決め精度点検パターン位
置を検出し、かつ、移動機構手段を前記不規則的な間隔
分送り操作した時の機械精度点検パターン位置を検出す
る。また、点検手段は、アライメント手段が検出した位
置決め精度点検パターン位置の検出値と規則的な間隔に
基づいて移動機構手段の位置決め精度を点検し、かつ、
アライメント手段が検出した機械精度点検パターン位置
の検出値と不規則的な間隔に基づいて移動機構手段の機
械精度を点検する。
断機能付き半導体製造装置及びその自己診断方法によれ
ば、 アライメント手段は、アライメント位置まで搬送
された精度点検用標準ウエハのパターン方向と移動機構
手段の移動軸方向とを一致させ、移動機構手段を規則的
な間隔分送り操作した時の位置決め精度点検パターン位
置を検出し、かつ、移動機構手段を前記不規則的な間隔
分送り操作した時の機械精度点検パターン位置を検出す
る。また、点検手段は、アライメント手段が検出した位
置決め精度点検パターン位置の検出値と規則的な間隔に
基づいて移動機構手段の位置決め精度を点検し、かつ、
アライメント手段が検出した機械精度点検パターン位置
の検出値と不規則的な間隔に基づいて移動機構手段の機
械精度を点検する。
【0036】従って、現実に加工用ウエハを加工する場
合の加工精度や、加工用ウエハを検査する場合の検査精
度を点検することができる。このように、自己診断で半
導体製造装置の精度低下を点検することにより、半導体
製造装置に生じた小さな精度低下を回復させることが可
能になるので、半導体製造装置で加工された製品の品質
を長期的に安定させることができる。また、本発明に係
る半導体製造装置の精度点検用標準ウエハのパターン配
置を規格化することにより、以下の特徴を得ることがで
きる。
合の加工精度や、加工用ウエハを検査する場合の検査精
度を点検することができる。このように、自己診断で半
導体製造装置の精度低下を点検することにより、半導体
製造装置に生じた小さな精度低下を回復させることが可
能になるので、半導体製造装置で加工された製品の品質
を長期的に安定させることができる。また、本発明に係
る半導体製造装置の精度点検用標準ウエハのパターン配
置を規格化することにより、以下の特徴を得ることがで
きる。
【0037】(1)工場出荷時に自己診断機能付き半導
体製造装置の精度保証のための点検作業の効率が向上す
る。 (2)実際に使用している自己診断機能付き半導体製造
装置の精度を製作時の精度と比較することができる。 (3)自己診断機能付き半導体製造装置間の互いの精度
比較を容易に行うことができる。
体製造装置の精度保証のための点検作業の効率が向上す
る。 (2)実際に使用している自己診断機能付き半導体製造
装置の精度を製作時の精度と比較することができる。 (3)自己診断機能付き半導体製造装置間の互いの精度
比較を容易に行うことができる。
【0038】(4)特別の熟練を必要とせずに自己診断
機能付き半導体製造装置の精度を点検することができ
る。 (5)自己診断機能付き半導体製造装置の精度が低下し
た場合に、精度の低下原因を特定しやしくなる。 (6)自己診断機能付き半導体製造装置の自己診断結果
に基づいて、自己補正が可能になる。
機能付き半導体製造装置の精度を点検することができ
る。 (5)自己診断機能付き半導体製造装置の精度が低下し
た場合に、精度の低下原因を特定しやしくなる。 (6)自己診断機能付き半導体製造装置の自己診断結果
に基づいて、自己補正が可能になる。
【図1】本発明に係る自己診断機能付き半導体製造装置
の斜視図
の斜視図
【図2】本発明に係る自己診断機能付き半導体製造装置
の動作を説明した説明図
の動作を説明した説明図
【図3】本発明に係る自己診断機能付き半導体製造装置
に使用される精度点検用標準ウエハの平面図
に使用される精度点検用標準ウエハの平面図
【図4】図3に示す精度点検用標準ウエハに形成された
振動点検用パターンを説明した平面図
振動点検用パターンを説明した平面図
【図5】本発明に係る自己診断機能付き半導体製造装置
の動作を説明したフローチャート
の動作を説明したフローチャート
【図6】本発明に係る自己診断機能付き半導体製造装置
の実施例2の動作を説明した説明図
の実施例2の動作を説明した説明図
【符号の説明】 10、52…カセット(格納部) 11…カッティングテーブル(移動機構手段) 18…ファインアラメイント部(アライメント手段) 19…点検手段 24…アーム(搬送手段) 30…精度点検用標準ウエハ 32A、34A…規則的パターン(位置決め精度点検パ
ターン) 32B、32C、34B、34C…不規則的パターン
(機械精度点検パターン) 36A、36B…パターン(回転精度点検パターン) 40、42…振動点検用パターン(振動点検パターン)
ターン) 32B、32C、34B、34C…不規則的パターン
(機械精度点検パターン) 36A、36B…パターン(回転精度点検パターン) 40、42…振動点検用パターン(振動点検パターン)
Claims (2)
- 【請求項1】 少なくともX、Y、Z軸方向のいずれか
1軸方向に移動可能な移動機構手段が備えられた自己診
断機能付き半導体製造装置において、 規則的な間隔をおいて位置決め精度点検パターンが形成
されると共に該位置決め精度点検パターンに平行に不規
則な間隔をおいて機械精度点検パターンが形成された精
度点検用標準ウエハと、 該精度点検用標準ウエハを格納する格納部と、 該格納部から取り出した前記精度点検用標準ウエハを該
精度点検用標準ウエハのアライメント位置まで搬送可能
であって、前記アライメント位置から前記格納部に格納
可能な搬送手段と、 前記アライメント位置まで搬送された前記精度点検用標
準ウエハのパターン方向と前記移動機構手段の移動軸方
向とを一致させ、前記移動機構手段を前記規則的な間隔
分送り操作した時の前記位置決め精度点検パターン位置
を検出し、かつ、前記移動機構手段を前記不規則的な間
隔分送り操作した時の前記機械精度点検パターン位置を
検出するアライメント手段と、 該アライメント手段が検出した前記位置決め精度点検パ
ターン位置の検出値と前記規則的な間隔に基づいて前記
移動機構手段の位置決め精度を点検し、かつ、前記アラ
イメント手段が検出した前記機械精度点検パターン位置
の検出値と前記不規則的な間隔に基づいて前記移動機構
手段の機械精度を点検する点検手段と、 を備えたことを特徴とする自己診断機能付き半導体製造
装置。 - 【請求項2】 少なくともX、Y、Z軸方向のいずれか
1軸方向に移動可能な移動機構手段が備えられた自己診
断機能付き半導体製造装置の自己診断方法において、 規則的な間隔をおいて位置決め精度点検パターンが形成
されると共に該位置決め精度点検パターンに平行に不規
則な間隔をおいて機械精度点検パターンが形成された精
度点検用標準ウエハを格納部から取り出して、精度点検
用標準ウエハのアライメント位置まで搬送する工程と、 該アライメント位置まで搬送された前記精度点検用標準
ウエハのパターン形成方向と前記移動機構手段の移動軸
方向とを一致させる工程と、 前記移動機構手段を前記規則的な間隔分送り操作した時
の前記位置決め精度点検パターン位置を検出して、該検
出値及び前記規則的な間隔に基づいて前記移動機構手段
の位置決め精度を点検する工程と、 前記移動機構手段を前記不規則的な間隔分送り操作した
時の前記機械精度点検パターン位置を検出して、該検出
値及び前記不規則的な間隔に基づいて前記移動機構手段
の機械精度を点検する工程と、 前記精度点検用標準ウエハを前記アライメント位置から
前記格納部に格納する工程と、 を備えたことを特徴とする自己診断機能付き半導体製造
装置の自己診断方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10423393A JP2848185B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 自己診断機能付き半導体製造装置及びその自己診断方法 |
US08/231,760 US5550634A (en) | 1993-04-30 | 1994-04-25 | Semiconductor manufacturing system with self-diagnosing function and self-diagnosing method thereof |
EP94106691A EP0628988B1 (en) | 1993-04-30 | 1994-04-28 | Semiconductor manufacturing system with self-diagnosing function and self-diagnosing method thereof |
DE69429841T DE69429841T2 (de) | 1993-04-30 | 1994-04-28 | Halbleiterherstellungssystem mit Selbstdiagnosefunktion und Selbstdiagnoseverfahren dazu |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10423393A JP2848185B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 自己診断機能付き半導体製造装置及びその自己診断方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06314733A true JPH06314733A (ja) | 1994-11-08 |
JP2848185B2 JP2848185B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=14375248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10423393A Expired - Fee Related JP2848185B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 自己診断機能付き半導体製造装置及びその自己診断方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5550634A (ja) |
EP (1) | EP0628988B1 (ja) |
JP (1) | JP2848185B2 (ja) |
DE (1) | DE69429841T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5721435A (en) * | 1996-04-09 | 1998-02-24 | Hewlett Packard Company | Methods and apparatus for measuring optical properties of biological and chemical substances |
US6331891B1 (en) * | 1998-04-07 | 2001-12-18 | Fujitsu Limited | Apparatus and method for assembling semiconductor device and semiconductor device thus fabricated |
US6230068B1 (en) * | 1998-04-21 | 2001-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Visualizing methods for dispatch and diagnosis of finite machines for semiconductor's manufacturing |
JP4128811B2 (ja) * | 2001-08-10 | 2008-07-30 | 株式会社トプコン | 表面検査装置 |
US8825444B1 (en) | 2005-05-19 | 2014-09-02 | Nanometrics Incorporated | Automated system check for metrology unit |
US9304160B1 (en) | 2012-05-08 | 2016-04-05 | Kla-Tencor Corporation | Defect inspection apparatus, system, and method |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3174795D1 (en) * | 1980-04-02 | 1986-07-17 | Gen Signal Corp | Method and apparatus for positioning a wafer on a flat bed |
JPS6380529A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Canon Inc | 半導体焼付け装置 |
NL9000503A (nl) * | 1990-03-05 | 1991-10-01 | Asm Lithography Bv | Apparaat en werkwijze voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
JPH04158540A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-06-01 | Nec Kyushu Ltd | ウェハープローバ |
JP3104802B2 (ja) * | 1991-07-17 | 2000-10-30 | 株式会社ディスコ | 検査用規準ウェーハ |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP10423393A patent/JP2848185B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-04-25 US US08/231,760 patent/US5550634A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-04-28 EP EP94106691A patent/EP0628988B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-28 DE DE69429841T patent/DE69429841T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69429841T2 (de) | 2002-11-07 |
EP0628988A1 (en) | 1994-12-14 |
US5550634A (en) | 1996-08-27 |
JP2848185B2 (ja) | 1999-01-20 |
DE69429841D1 (de) | 2002-03-21 |
EP0628988B1 (en) | 2002-02-13 |
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