DE69429841T2

DE69429841T2 - Halbleiterherstellungssystem mit Selbstdiagnosefunktion und Selbstdiagnoseverfahren dazu

Info

Publication number: DE69429841T2
Application number: DE69429841T
Authority: DE
Inventors: Masaharu Nakamura
Original assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Current assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date: 1993-04-30
Filing date: 1994-04-28
Publication date: 2002-11-07
Anticipated expiration: 2014-04-29
Also published as: EP0628988A1; US5550634A; JP2848185B2; DE69429841D1; JPH06314733A; EP0628988B1

Description

Die Erfindung befaßt sich mit einem Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion und einem Selbstdiagnoseverfahren hierfür, und insbesondere mit einem Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion und einem Selbstdiagnoseverfahren hierfür zum Überprüfen der Positioniergenauigkeit, der mechanischen Genauigkeit, der Drehgenauigkeit und dergleichen von einem Halbleiterherstellungssystem, wie einer Stanzmaschine.
In JP-A-63-080529 ist ein Halbleiterherstellungssystem beschrieben, bei dem die Abstände I&sub1;-I&sub4; and I'&sub1;-I'&sub4; zwischen einer Ausrichtmarkierung RM auf einem Gradnetz und einer Ausrichtmarkierung WM auf einem Wafer gemessen werden, um einen Positionierfehler in der X-Y-Ebene zu bestimmen.
Es gibt viele Halbleiterherstellungssysteme, welche eine Bewegungseinrichtung für drei Achsen, wie die X-, Y- und Z-Achsen, und eine Dreheinrichtung usw. zum Ausführen einer Drehbewegung um diese Achsen haben.
Wenn beispielsweise ein Wafer mittels einer Stanzmaschine ausgerichtet wird, wird ein darauf vorgesehener Wafertisch in Richtung der X- und Y- Achsen bewegt, und der Wafertisch wird um seinen Mittelpunkt gedreht, so daß der Wafer ausgerichtet werden kann.
In jüngster Zeit erfolgte eine Miniaturisierung eines Halbleiterchips, und hierfür ist ein Halbleiterherstellungssystem mit hoher Genauigkeit zur Herstellung dieser miniaturisierten Halbleiterchips erforderlich. Selbst wenn dieses Halbleiterherstellungssystem zu Beginn mit hoher Genauigkeit gefertigt hat, wird diese im Laufe der Betriebszeit jedoch infolge von mechanischem Verschleiß, einem leichten Lösen von Schrauben und dergleichen, schlechter. Daher ist es erforderlich, daß das Halbleiterherstellungssystem pro jeweils vorbestimmter Betriebsperiode geprüft wird und zur Prüfung der Genauigkeit des Systems wird beispielsweise ein Bezugswafer eingesetzt. Auf der Oberfläche des Bezugswafers sind Muster zur Prüfung in regelmäßigen Intervallen ausgebildet. Wenn dieser Bezugswafer beispielsweise bei einer Stanzmaschine zum Einsatz kommt, wird der Bezugswafer in Richtung der X- und Y-Achsen bewegt, um die regelmäßigen Muster zu detektieren, und die so detektierte Position wird mit einem Intervall zwischen den Mustern verglichen, um hierdurch die Genauigkeit der Stanzmaschine als ein Herstellungssystem zu prüfen.
Bei einem üblichen Bezugswafer sind die Muster in regelmäßigen Intervallen ausgebildet. Folglich läßt sich die Genauigkeit der Stanzmaschine zum Zeitpunkt der Bewegung um ein vorbestimmtes Intervall prüfen, aber die Genauigkeit der Stanzmaschine zum Zeitpunkt der Bewegung um ein beliebiges Intervall läßt sich nicht prüfen. Wenn jedoch ein Wafer tatsächlich mittels der Stanzmaschine bearbeitet wird, wird die Stanzmaschine um ein beliebiges Intervall bewegt. Selbst wenn daher die Genauigkeit der Stanzmaschine zum Zeitpunkt der Bewegung um ein vorbestimmtes Intervall mittels des üblichen Bezugswafers geprüft wird, bedeutet dies nicht, daß die Bearbeitungsgenauigkeit der Stanzmaschine tatsächlich im Betrieb geprüft wird.
Somit läßt sich mit Hilfe des üblichen Bezugswafers die Genauigkeit der Stanzmaschine nicht prüfen, wenn diese infolge von Verschleiß von mechanischen Teilen, einem leichten Lösen von Schrauben und dergleichen, schlechter wird. Bis zu einem Zustand, bei dem sich ergibt, daß die Genauigkeit der Stanzmaschine sehr stark schlechter geworden ist, können daher die bearbeiteten Erzeugnisse nicht die erforderlichen Genauigkeitsanforderungen erfüllen, und eine Bedienungsperson erkennt ein Schlechterwerden der Genauigkeit der Stanzmaschine nicht. Selbst wenn die Bedienungsperson das Schlechterwerden der Genauigkeit der Stanzmaschine durch die übliche Überprüfung nicht feststellt, hat sich dennoch die Genauigkeit der Stanzmaschine tatsächlich verschlechtert. Daher erfüllen die mittels der Stanzmaschine während dieser Zeit bearbeiteten Erzeugnisse nicht die Qualitätsanforderungen. Wenn ferner die Wartung hinaus geschoben wird, bis die Genauigkeit sehr viel schlechter geworden ist, ist der Verschleiß der mechanischen Teile größer geworden, und die Schrauben und dergleichen haben sich stärker gelöst. Daher ist ein großer Aufwand zur Wiederherstellung der Genauigkeit der Stanzmaschine erforderlich, und diese Schwierigkeit vergrößert den für die Wartung benötigten Zeitaufwand.
Die Erfindung zielt daher hauptsächlich darauf ab, unter Überwindung der zuvorgeschilderten Schwierigkeiten ein Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion und ein Selbstdiagnoseverfahren hierfür bereitzustellen, welche die Prüfung einer schlechter werdenden Genauigkeit eines Halbleiterherstellungssystems, wie einer Stanzmaschine, mittels einer Selbstdiagnose gestatten, das geringfügige Schlechterwerden der Genauigkeit bei dem Halbleiterherstellungssystem wieder ausgeglichen werden kann, und somit die Qualität der mittels des Halbleiterherstellungssystems bearbeiteten Erzeugnisse über einen langen Zeitraum hinweg stabil eingehalten werden kann.
Nach der Erfindung wird ein Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion nach Anspruch 1 sowie ein entsprechendes Verfahren nach Anspruch 11 bereitgestellt.
Die Muster zur Prüfung der Positioniergenauigkeit des Systems sind in regelmäßigen Intervallen auf dem Bezugswafer vorgesehen, und die Muster zum Prüfen der mechanischen Genauigkeit des Systems sind parallel zu den Mustern zum Prüfen der Positioniergenauigkeit und mit unregelmäßigen Intervallen angeordnet. Dieser Bezugswafer ist in einem Aufnahmeteil aufgenommen, und der Bezugswafer in dem Aufnahmeteil wird von dem Aufnahmeteil mittels einer Fördereinrichtung weiter transportiert. Die Fördereinrichtung befördert den Bezugswafer von dem Aufnahmeteil zu einer Ausrichtposition und befördert den Bezugswafer von der Ausrichtposition zu dem Aufnahmeteil.
Ferner bringt die Ausrichteinrichtung die Erstreckungsrichtung der Muster zum Prüfen der Positioniergenauigkeit des Bezugswafers, welcher zu der Ausrichtposition befördert worden ist, in Übereinstimmung mit der Bewegungsrichtung der Bewegungseinrichtung, welche an dem Halbleiterherstellungssystem vorgesehen ist. Ferner detektiert die Ausrichteinrichtung die Position wenigstens eines Musters zum Prüfen der Genauigkeit des Systems, wenn die Bewegungseinrichtung und das Intervall zwischen den regelmäßigen Mustern weiter bewegt worden ist, und detektiert die Musterposition zum Prüfen der mechanischen Genauigkeit, wenn die Bewegungseinrichtung um ein Intervall zwischen den unregelmäßigen Mustern weiter bewegt worden ist. Die Prüfeinrichtung detektiert die Positioniergenauigkeit der Bewegungseinrichtung basierend auf dem detektierten Wert, welcher mit Hilfe der Ausrichteinrichtung detektiert worden ist, sowie auf der Basis des Intervallwertes zwischen den regelmäßigen Mustern zum Prüfen der Positioniergenauigkeit, und sie detektiert die mechanische Genauigkeit der Bewegungseinrichtung basierend auf dem detektierten Wert für die Position, welche durch die Ausrichteinrichtung detektiert worden ist, sowie auf der Basis des Intervalls zwischen den unregelmäßigen Mustern.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachstehenden Beschreibung von bevorzugten Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung, in welcher gleiche oder ähnliche Teile mit denselben Bezugszeichen in den Figuren der Zeichnung versehen sind. Darin gilt:
Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht zur Verdeutlichung eines Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion nach der Erfindung,
Fig. 2 ist eine schematische Ansicht zur Verdeutlichung der Arbeitsweise des Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion nach der Erfindung,
Fig. 3 ist eine Draufsicht zur Verdeutlichung des Bezugswafers zum Prüfen der Genauigkeit im Einsatzzustand in einem Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion nach der Erfindung,
Fig. 4 (A) ist eine Draufsicht zur Verdeutlichung der Muster für die Prüfung der Vibrationen in Richtung der X-Achse, welche auf dem Bezugswafer zum Prüfen der Genauigkeit nach Fig. 3 vorgesehen sind,
Fig. 4(B) ist eine Draufsicht zur Verdeutlichung der Muster für die Prüfung der Schwingungen in Richtung der Y-Achse, welche auf dem Bezugswafer zum Prüfen der Genauigkeit nach Fig. 3 vorgesehen sind,
Fig. 5 ist ein Flußdiagramm zur Verdeutlichung der Arbeitsweise des Halbleiterherstellungssystems mit einer Selbstdiagnosefunktion gemäß der Erfindung, und
Fig. 6 ist eine schematische Ansicht zur Verdeutlichung der Arbeitsweise einer zweiten bevorzugten Ausführungsform des Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion nach der Erfindung.
Nachstehend erfolgt eine nähere Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen eines Halbleiterherstellungssystems mit einer Selbstdiagnosefunktion nach der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung.
Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht zur Verdeutlichung eines Halbleiterherstellungssystems mit einer Selbstdiagnosefunktion nach der Erfindung.
Fig. 2 ist eine schematische Ansicht zur Verdeutlichung der Arbeitsweise dieses Systems. Wie in der Zeichnung gezeigt ist, wird dem Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion (welches nachstehend als eine Stanzmaschine bezeichnet wird) ein Wafer W aus einer Kassette 10 zugeführt, und das System umfaßt eine Vorausrichtposition P1 zum Vorausrichten des Wafers W, eine Aufgabe/Abgabeposition P2 zum Aufgeben des Wafers auf einen Schneidtisch 11 und zum Abgeben des Wafers W von dem Schneidtisch 11, eine Waschposition P3 zum Waschen des geschnittenen Wafers W, und eine Abgabeposition (nicht gezeigt) zum Abgeben eines gewaschenen Wafers W.
Ferner bewegt die Stanzmaschine den Wafer W, welcher auf den Schneidtisch 11 gelegt worden ist (siehe Fig. 2), und zwar an der Aufgabe/- Abgabeposition P2 zusammen mit dem Schneidtisch 11 und einer Feinausrichtung des Wafers W an einem Feinausrichtungsteil 18. Das Feinausrichtungsteil 18 umfaßt ein Bildaufnahmeteil, in welchem eine aufgenommene Abbildung durch Mustervergleich bearbeitet und der Wafer W feinausgerichtet wird. Eine Prüfeinrichtung 19, welche nachstehend noch näher beschrieben wird, ist mit dem Feinausrichtteil 18 verbunden.
Anschließend wird ein feinausgerichteter Wafer W zu einer erforderlichen Anzahl von Halbleiterchips mittels einer Diamantschneideinrichtung 16 eines Schneidteils 14 bearbeitet. Der abgeschnittene Wafer W wird zu dem Waschteil 20 weiter transportiert, in welchem der abgeschnittene Wafer W gewaschen wird. Der in dem Waschteil 20 gewaschene Wafer W wird dann anschließend zu der Abgabeposition befördert und in einer Kassette 10 ausgehend von dieser Position aufgenommen.
Die vorstehend beschriebene Vorausrichtposition P1, die Aufgabe/Abgabeposition P2, die Waschposition P3 und die Ausgabeposition sind in einem jeweiligen Zuordnungsverhältnis angeordnet, wobei die vorstehend genannten Positionen in den Ecken eines Quadrats angeordnet sind, und die Förderbewegung des Wafers W zu diesen Positionen mittels eines Armteils 24 erfolgt, welches eine Drehwelle 22 im Mittelpunkt des Quadrats hat und in Form eines V in Richtung der beiden angrenzenden Positionen von der Drehwelle 12 verlängert ist. In Fig. 1 sind mit 26 und 27 Futterteile zum Anbringen und Lösen des Wafers W bezeichnet.
Fig. 3 ist eine Draufsicht zur Verdeutlichung des Bezugswafers zum Prüfen der Genauigkeit einer Stanzmaschine nach der Erfindung. Wie in Fig. 3 gezeigt ist, ist ein Bezugswafer 30 zum Prüfen der Genauigkeit in Form einer Scheibe, ähnlich eines üblichen zu bearbeitenden Wafers, ausgelegt, und es sind Gruppen von Mustern 32, 34 und 36 zur Positionierung auf der Oberfläche ausgebildet. Die Gruppe von Mustern 32 wird zum Prüfen der Bewegungsgenauigkeit in Richtung der X-Achse eingesetzt, und die Gruppe von Mustern 34 wird zur Prüfung der Bewegungsgenauigkeit in Richtung der Y-Achse eingesetzt. Die Gruppe von Mustern 32 umfaßt regelmäßige Muster 32A, 32A, ..., · erste unregelmäßige Muster 32B, 32B, ..., und zweite unregelmäßige Muster 32C, 32C, ....
Die regelmäßigen Muster 32A, 32A, ..., sind in regelmäßigen Intervallen angeordnet. Die ersten unregelmäßigen Muster 32B, 32B, ... sind in beliebigen Intervallen basierend auf einem Tabelle mit beliebigen Ziffern angeordnet (beispielsweise machen die Verhältnisse zwischen den Intervallen 1, 3, 5, 7, 11 und 13 aus). Ferner sind die zweiten unregelmäßigen Muster 32C, 32C, ... in einer Gegenrichtung (symmetrisch) zu den ersten unregelmäßigen Mustern 32B, 32B, .... ausgebildet.
Durch die Ausbildung der ersten unregelmäßigen Muster 32B, 32B, ..., und der zweiten unregelmäßigen Muster 32C, 32C, ..., in symmetrischer Zuordnung zueinander gemäß der voranstehenden Beschreibung erhält man beispielsweise vergleichsweise größere Intervalle (L1) zwischen den ersten unregelmäßigen Mustern 32B, 32B, ..., und diese lassen sich durch vergleichsweise kleinere Intervalle (L2) zwischen den zweiten unregelmäßigen Mustern kompensieren, so daß die mechanische Genauigkeit über den gesamten Bereich (L) hinweg geprüft werden kann, auf dem die Muster ausgebildet sind.
Die Gruppe von Mustern 34 ist in einem Zustand ausgebildet, in welchem die Gruppe von Mustern 32 um 90º gedreht werden kann. Die regelmäßigen Muster 34A, 34A, ..., sind in regelmäßigen Intervallen angeordnet, und die ersten unregelmäßigen Muster 34B, 34B, ..., sind in beliebigen Intervallen basierend auf der Tabelle von beliebigen Ziffern (Zahlen) angeordnet. Ferner sind die zweiten unregelmäßigen Muster 34C, 34C, ..., in Gegenrichtung zu den ersten unregelmäßigen Mustern 34B, 34B, ..., angeordnet. Wenn man die Gruppen von Mustern 32 in Richtung der X-Achse und die Gruppe von Mustern 34 in Richtung der Y-Achse gemäß der voranstehenden Beschreibung ausbildet, lassen sich die Positioniergenauigkeit und die mechanische Genauigkeit in den Richtungen der X-Achse und der Y-Achse prüfen. Wenn man ferner die Gruppen von Mustern 32 und 34 in die Richtungen der X-Achse und der Y-Achse derart ausbildet, daß sie sich einander schneiden, so läßt sich die Geradlinigkeit der Bewegungseinrichtung an der Stanzmaschine in Richtung der X-Achse und der Y-Achse prüfen.
Die Gruppe von Mustern 36 ist gleichwinklig ausgebildet (d. h. mit Intervallen von 90º) an vier Positionen auf ein und demselben Kreisbogen des Bezugswafers 30 zum Prüfen der Genauigkeit, und bei der Gruppe von Mustern 36 sind erste Muster 36A, 36A, ..., zum Prüfen der Drehgenauigkeit, zweite Muster 36B, 36B, ..., zum Prüfen der Drehgenauigkeit, dritte Muster 36C, 36C, ..., zum Prüfen der Drehgenauigkeit und vierte Muster 36D, 36D, ..., zum Prüfen der Drehgenauigkeit ausgebildet. Wenn dann der Bezugswafer 30 zum Prüfen der Genauigkeit um den Mittelpunkt 30A um 90º gedreht wird, wird das erste Muster 36A zum Prüfen der Drehgenauigkeit in derselben Position wie das zweite Muster 36B zum Prüfen der Drehgenauigkeit angeordnet, das zweite Muster 36B zum Prüfen der Drehgenauigkeit wird in derselben Position wie das dritte Muster 36C zum Prüfen der Drehgenauigkeit angeordnet, das dritte Muster 36C zum Prüfen der Drehgenauigkeit wird in derselben Position wie das vierte Muster 36D zum Prüfen der Drehgenauigkeit angeordnet, und das vierte Muster 36D zum Prüfen der Drehgenauigkeit wird in derselben Position wie das erste Muster 36A zum Prüfen der Drehgenauigkeit angeordnet. Durch die Ausbildung der Gruppe von Mustern 36 zum Prüfen der Drehgenauigkeit gemäß der voranstehenden Beschreibung läßt sich die Drehgenauigkeit der Stanzmaschine prüfen.
Die Formen der Muster bei den Gruppen von Mustern 32, 34 und 36 sind tatsächlich nach Fig. 3 in Form von Kreuzen ausgelegt. Es ist allgemein bekannt, daß eine Musterübereinstimmung unter Einsatz dieses kreuzförmigen Musters zu einer hohen Genauigkeit bei der Positionsbestimmung führt.
Ferner ist eine Mehrzahl von Mustern 40 und 42 zum Prüfen der Schwingungen in Richtung der X-Achse und der Y-Achse (siehe Fig. 4) zusammen mit den Gruppen von Mustern 32, 34 und 36 auf dem Bezugswafer 30 zum Prüfen der Genauigkeit ausgebildet.
Die Muster 40 für die Prüfung auf Schwingungen in Richtung der X-Achse und die Muster 42 zum Prüfen auf Schwingungen in Richtung der Y-Achse nach Fig. 4 lassen mit hoher Zuverlässigkeit eine Aussage zu, wenn eine Bilderschütterung während der Bildaufnahmezeit bei der Musterprüfung festgestellt wird. Die Aufnahmezeit beläuft sich beispielsweise auf 1/30 s. Durch das zusätzliche Vorsehen des Musters 42 für die Prüfung der Schwingungen in Richtung der Y-Achse zu dem Muster 40 zur Prüfung der Schwingungen in Richtung der X-Achse gemäß der voranstehenden Beschreibung lassen sich Schwingungen in Richtung der X-Achse und Y- Achse prüfen. Wenn man ferner entweder eines der Muster 40 und 42 zum Prüfen auf Schwingungen zusammen mit der Gruppe von Mustern 36 vorsieht, lassen sich Schwingungen zum Zeitpunkt bei einer Verdrehung um 90º prüfen.
Die Wirkung der Stanzmaschine mit der zuvor beschriebenen Auslegung wird nachstehend an Hand der schematischen Ansicht zur Verdeutlichung der Arbeitsweise nach Fig. 2 und in Verbindung mit dem Flußdiagramm nach Fig. 5 erläutert.
Zuerst ist der Bezugswafer 30 zur Prüfung der Genauigkeit in der Kassette 10 aufgenommen, und die Kassette 10 ist an einem Hubteil der Stanzmaschine angebracht. Dann wird die Stanzmaschine in Betrieb gesetzt, um den Bezugswafer 30 zur Prüfung der Genauigkeit aus der Kassette 10 zu entnehmen, und dann wird der Bezugswafer 30, welcher entnommen worden ist, zur Prüfung der Genauigkeit zu der Vorausrichtposition P1 transportiert. Anschließend wird der Bezugswafer 30 zur Prüfung der Genauigkeit, welcher zu der Vorausrichtposition P1 transportiert worden ist, zu dem Schneidtisch 11 des Schneidteils 14 nach Fig. 1 mit Hilfe des Armteils 24 transportiert (Schritt 100).
Bei der Beendigung des Schritts 100 werden die Positioniergenauigkeit und die mechanische Genauigkeit in Richtung der X-Achse geprüft (Schritt 102). Der Schneidtisch 11 wird in Richtung der X-Achse und Y-Achse bewegt, wodurch der Bezugswafer 30 zum Prüfen der Genauigkeit, welcher auf dem Schneidtisch 11 vorgesehen ist, in einer Position positioniert wird, in welcher das gleichmäßige Muster 32A der Gruppe von Mustern 32 in dem Feinausrichtteil 18 detektiert werden kann. Dann wird der Bezugswafer 30 zum Prüfen der Genauigkeit der Stanzmaschine zusammen mit dem Schneidtisch in Richtung der X-Achse um das gleiche Intervall wie die regelmäßigen Muster 32A, 32A, ..., bewegt, wodurch die Position des regelmäßigen Musters 32A in dem Feinausrichtteil 18 detektiert wird. Diese Vorgehensweise wird in Verbindung mit der Mehrzahl von regelmäßigen Mustern 32A durchgeführt. Die Prüfeinrichtung 19 prüft die Positioniergenauigkeit in Richtung der X- Achse auf der Basis der detektierten Positioniergenauigkeit. Ferner wird die detektierte Positioniergenauigkeit der Muster 32A als Daten für die kummulative Korrekturen während der Bearbeitung des Wafers genutzt.
Anschließend wird der Bezugswafer 30 zum Prüfen der Genauigkeit in einer Position positioniert, in welcher das erste unregelmäßige Muster 32B in dem Feinausrichtteil 18 geprüft werden kann. Dann wird der Bezugswafer 30 zum Prüfen der Genauigkeit zusammen mit dem Schneidtisch 11 in Richtung der X-Achse um das gleiche Intervall wie die ersten unregelmäßigen Muster 32B, 32B, ..., bewegt, wodurch die Position des ersten unregelmäßigen Musters 32B in dem Feinausrichtteil 18 detektiert wird. Diese Vorgehensweise wird für die Mehrzahl von ersten unregelmäßigen Mustern 32B durchgeführt. Anschließend wird der Bezugswafer 30 zum Prüfen der Genauigkeit in einer Position positioniert, in welcher das zweite unregelmäßige Muster 32C in dem Feinausrichtteil 18 detektiert werden kann. Dann wird der Bezugswafer 30 zur Prüfung der Genauigkeit zusammen mit dem Schneidtisch 11 in Richtung der X-Achse um das gleiche Intervall wie die zweiten unregelmäßigen Muster 32C, 32C, ..., bewegt, wodurch die Position des zweiten unregelmäßigen Musters 32C in dem Feinausrichtteil 18 detektiert wird. Diese Vorgehensweise wird für die Mehrzahl von unregelmäßigen Mustern 32C durchgeführt. Dann prüft die Prüfeinrichtung die mechanische Genauigkeit in Richtung der X- Achse auf der Basis der detektierten Positioniergenauigkeit der Mehrzahl von Mustern 32B und 32C. Eine Bearbeitungsweise gemäß dem Schritt 102 ist dann abgeschlossen.
Anschließend wird der Schneidtisch 11 bewegt, wodurch der Bezugswafer 30 zur Prüfung der Genauigkeit in einer Position positioniert wird, in welcher das Muster 40 zur Prüfung auf Schwingungen in dem Feinausrichtteil 18 detektiert werden kann. Dann wird der Bezugswafer 30 zum Prüfen der Genauigkeit zusammen mit dem Schneidtisch 11 in Richtung der X-Achse um ein vorbestimmtes Intervall bewegt und angehalten. Wenn in diesem Fall mechanische Schwingungen in Richtung der X-Achse zum Zeitpunkt des Anhaltens auftreten, zittert das Muster 40 zur Prüfung der Schwingungen, und das Muster 40 zum Prüfen der Schwingungen wird in dem Feinausrichtungsteil 18 vermessen, so daß sich die Amplitude des Musters 40 zum Prüfen von Schwingungen detektieren läßt. Die Prüfeinrichtung prüft die mechanischen Schwingungen in Richtung der X-Achse auf der Basis des detektierten Wertes (Schritt 104).
Da Schwingungen infolge der Bewegung im Schritt 104 auf einer Zeitverzögerung nach der Bewegung zurückgehen, werden viele Messungen unter Einsatz von entsprechenden Verzögerungszeiten als Parameter durchgeführt, um hierdurch die Stärke der Schwingungen und die statistischen Änderungen zu erfassen.
Anschließend werden die Positioniergenauigkeit und die mechanische Genauigkeit in Richtung der Y-Achse geprüft (Schritt 106). Für die Prüfung der Positioniergenauigkeit und der mechanischen Genauigkeit in Richtung der X-Achse wurde die Gruppe von Mustern 32 eingesetzt. Für die Prüfung der Positioniergenauigkeit und der mechanischen Genauigkeit in Richtung der Y- Achse wird die Gruppe von Mustern 34 eingesetzt. Die Vorgehensweise zur Prüfung der Genauigkeit in Richtung der Y-Achse umfaßt die Prüfung der Positioniergenauigkeit in Richtung der Y-Achse durch das regelmäßige Muster 34A der Gruppe von Mustern 34 ähnlich wie die zuvor beschriebene Prüfung der Genauigkeit in Richtung der X-Achse, und die detektierte Positioniergenauigkeit des Musters 34A dient als Daten für die kummulative Korrektur während der Bearbeitung von Wafern. Die mechanische Genauigkeit in Richtung der Y-Achse wird durch die zweiten unregelmäßigen Muster 34B und 34C der Gruppe von Mustern 34 geprüft. Nach dieser Verarbeitung ist dann der Schritt 106 abgeschlossen.
Anschließend wird der Schneidtisch 11 bewegt, wodurch der Bezugswafer 30 zum Prüfen der Genauigkeit in einer Position positioniert ist, in welcher das Muster 42 zum Prüfen der Schwingungen in dem Feinausrichtteil 18 detektiert werden kann. Dann wird der Bezugswafer 30 zum Prüfen der Genauigkeit zusammen mit dem Schneidtisch 11 in Richtung der Y-Achse um ein vorbestimmtes Intervall bewegt und angehalten. Wenn in diesem Fall mechanische Schwingungen in Richtung der Y-Achse zum Zeitpunkt des Anhaltens auftreten, zittert das Muster 42 zur Prüfung der Schwingungen, wodurch sich die Amplitude des Musters 42 zum Prüfen der Schwingungen detektieren läßt. Die Prüfeinrichtung detektiert die mechanischen Schwingungen in Richtung der Y-Achse auf der Basis des detektierten Wertes (Schritt 108).
Ähnlich wie bei dem Schritt 104 wird bei dem Schritt 108 die Schwingung infolge der Bewegung unter Bezugnahme auf eine Verzögerungszeit nach der Bewegung untersucht, und es werden viele Messungen unter Einsatz der zugeordneten Verzögerungszeiten als Parameter durchgeführt, um hierdurch die Stärke der Schwingungen und die statistischen Veränderungen zu erfassen.
Nach der Beendigung der Verarbeitungsweise gemäß dem Schritt 108 werden die Geradlinigkeit und die Drehgenauigkeit in Richtung der X-Achse und der Y-Achse geprüft (Schritt 110). Im Schritt 110 werden zuerst die Gruppe von Mustern 32 in Richtung der X-Achse und die Gruppe von Mustern 34 in Richtung der Y-Achse genommen, wodurch die Geradlinigkeit geprüft wird, wenn der Schneidtisch 11 in Richtung der X-Achse und der Y-Achse bewegt wird. Anschließend wird der Schneidtisch 11 in Richtung der X-Achse und der Y-Achse bewegt, wodurch der Bezugswafer 30 zum Prüfen der Genauigkeit, welcher auf dem Schneidtisch 11 angebracht ist, in einer Position positioniert wird, in welcher das erste Muster 36A der Gruppe von Mustern 36 in dem Feinausrichtungsteil 18 detektiert werden kann. Dann wird der Schneidtisch 11 derart betrieben, daß der Bezugswafer 30 zum Prüfen der Genauigkeit um 90º in Uhrzeigerrichtung gedreht wird, wodurch die Position des zweiten Musters 36B in dem Feinausrichtungsteil 18 detektiert wird. Diese Vorgehensweise wird für die Mehrzahl von Mustern 36A und 36B durchgeführt. Dann detektiert die Prüfeinrichtung die Drehgenauigkeit des Schneidtisches 11, wenn dieser um 90º verdreht ist, auf der Basis der detektierten Positioniergenauigkeit. In diesem Fall wird die Position des Drehmittelpunktes unter Einsatz der Mehrzahl von Mustern 36A und 36B detektiert, und dann ist die Verarbeitungsweise im Schritt 110 abgeschlossen.
Anschließend wird der Schneidtisch 11 um die Dicke des Bezugswafers 30 zum Prüfen der Genauigkeit ausgehend von einer Vorgabeposition in Richtung der Z-Achse bewegt. Wenn dann der Schneidtisch 11 um die Dicke des Bezugswafers 30 zur Prüfung der Genauigkeit bewegt worden ist, wird die Definition der Muster, welche auf dem Bezugswafer 30 zur Prüfung der Genauigkeit ausgebildet sind, detektiert. Die Prüfeinrichtung prüft die Genauigkeit in Richtung der Z-Achse auf der Basis des detektierten Ergebnisses (Schritt 112). In diesem Fall kann die Amplitude der Muster zu dem Zeitpunkt geprüft werden, wenn der Schneidtisch 11 aufhört sich zu bewegen, so daß die Schwingungen in Richtung der Z-Achse geprüft werden können (Schritt 113).
Nach der Beendigung des Schritts 113 werden die in der vorstehend beschriebenen Verarbeitungsweise erhaltenen Prüfdaten mit zuvor auf einer Diskette oder dergleichen gespeicherten Vorgabedaten verglichen, die vor dem Transport erstellt worden sind, wodurch sich bestimmen läßt, ob die entsprechenden Achsen die spezifischen Werte hinsichtlich der Genauigkeit einhalten oder nicht (Schritt 114). Die Meßdaten vor dem Transport sind in Wirklichkeit die Prüfdaten, die man bei der Stanzmaschine durch wiederholte Ausführung der zuvor beschriebenen Verarbeitungen nach den Schritten 110 bis 113 vor dem Transport der Stanzmaschine erhalten hat und diese sind auf einer Diskette oder dergleichen gespeichert. Das im Schritt 114 erhaltene Resultat wird dann als Ergebnis der Diagnose ausgegeben, wodurch die Selbstdiagnose abgeschlossen ist (Schritt 116). Bei Beendigung der Selbstdiagnose wird der Bezugswafer 30 zur Prüfung der Genauigkeit, welcher auf dem Schneidtisch 11 angeordnet ist, zu der zweiten Position P2 transportiert, und der Bezugswafer 30 für die Prüfung der Genauigkeit, welcher zu der zweiten Position P2 weiter transportiert worden ist, wird zu der zweiten Position, d. h. der Vorausrichtposition P1, transportiert. Dann wird der Bezugswafer 30 für die Prüfung der Genauigkeit, welcher zu der Vorausrichtposition P1 transportiert worden ist, in die Kassette 10 zurück gebracht. Dann ist die Abgabe des Bezugswafers 30 für die Prüfung der Genauigkeit im Schritt 118 abgeschlossen.
Bei der vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungsform wurde der Fall angenommen, bei dem der Bezugswafer 30 zur Prüfung der Genauigkeit in der Kassette 10 aufgenommen ist, in welcher der zu bearbeitende Wafer W ebenfalls aufgenommen ist. Die Erfindung ist jedoch hierauf nicht beschränkt. Es kann eine Kassette speziell zur Aufnahme des Bezugswafers 30 für die Prüfung der Genauigkeit bei der Stanzmaschine vorgesehen sein. Nachstehend erfolgt die Beschreibung einer zweiten bevorzugten Ausführungsform, bei der eine spezielle Kassette zur Aufnahme des Bezugswafers 30 zur Prüfung der Genauigkeit an der Stanzmaschine vorgesehen ist. Diese Beschreibung nimmt auf Fig. 6 Bezug. In Fig. 6 sind gleiche oder ähnliche Teile mit denselben Bezugszeichen wie in Fig. 2 versehen, so daß eine detaillierte Beschreibung der übereinstimmenden Teile entfallen kann. Wie in Fig. 6 gezeigt ist, ist eine Kassette 50 im unteren Bereich von der Vorausrichtposition P1 der Stanzmaschine vorgesehen. Ein zu bearbeitender Wafer ist in der Kassette 50 aufgenommen, und der zu bearbeitende Wafer, welcher in der Kassette 50 aufgenommen ist, wird zu der Vorausrichtposition P1 transportiert. Der zu bearbeitende Wafer, welcher zu der Vorausrichtposition transportiert worden ist, wird zu dem Schneidtisch 11 in die Aufgabe/Abgabeposition P2, ähnlich wie bei der ersten bevorzugten Ausführungsform, transportiert. Der zu bearbeitende Wafer, welcher zu dem Schneidtisch 11 transportiert worden ist, wird auf dieselbe Weise wie bei der ersten bevorzugten Ausführungsform bearbeitet und in die Kassette 50 zurück gelegt. In diesem Fall kann der zu bearbeitende Wafer, welcher bearbeitet worden ist, zu der Kassette 50 über die Vorausrichtposition P1 zurückgebracht, oder zu der Kassette 50 nicht über die Vorausrichtposition P1 zurück gebracht werden.
Unterhalb von der Kassette 50 ist eine spezielle Kassette 52 vorgesehen, in welcher der Bezugswafer 30 für die Prüfung der Genauigkeit aufgenommen ist. Der Bezugswafer 30 für die Prüfung der Genauigkeit, welcher in der speziellen Kassette 52 aufgenommen ist, wird zu dem Schneidtisch 11 in die Aufgabe/Abgabeposition P2 über die Vorausrichtposition P1 ähnlich wie der zu bearbeitende Wafer transportiert. Die spezielle Kassette 52 enthält den bezugswafer 30, welcher zu dem Schneidtisch 11 transportiert wird, es wird ein Prüfverfahren mit einer ähnlichen Prozedur wie bei der ersten bevorzugten Ausführungsformdurchgeführt, und dann wird der Wafer wieder zu der speziellen Kassette 52 nach der Beendigung der Selbstdiagnose zurückgelegt. Nach der Beendigung des Prüfverfahrens kann der Bezugswafer 30 zur Prüfung der Genauigkeit zu der speziellen Kassette 52 über die Vorausrichtposition P1 zurückgebracht werden, oder er kann direkt zu der speziellen Kassette 52 ohne einen Durchgang durch die Ausrichtposition P1 zurückgebracht werden.
Bei den ersten und zweiten bevorzugten Ausführungsformen wurde bei der Beschreibung auf den Fall Bezug genommen, bei dem die Positioniergenauigkeit und die mechanische Genauigkeit der drei Achsen einschließlich der X-, Y- und der Z-Achse geprüft wurden. Die Erfindung ist jedoch nicht notwendigerweise hierauf beschränkt. Es ist möglich, die Positioniergenauigkeit und die mechanische Genauigkeit einer oder zwei Achsen umfassend die X-, Y- und Z-Achse zu prüfen.
Ferner wurde bei den ersten und zweiten bevorzugten Ausführungsformen hinsichtlich der Beschreibung auf den Fall Bezug genommen, bei dem die Genauigkeit und dergleichen der Stanzmaschine durch den Bezugswafer zur Prüfung der Genauigkeit in Form einer Selbstdiagnose überprüft wurde. Die Erfindung ist jedoch hierauf nicht beschränkt. Es läßt sich hiermit auch in Form einer Selbstdiagnose die Genauigkeit und dergleichen eines Halbleiterherstellungssystems, wie einer Prüfmaschine, prüfen, oder es läßt sich ein Speicherreparatursystem oder dergleichen unter Einsatz des Bezugswafers 30 auf Genauigkeit prüfen.
Bei den zuvor angegebenen bevorzugten Ausführungsformen sind die ersten und die zweiten unregelmäßigen Muster des Bezugswafers 30 zur Prüfung der Genauigkeit mit unregelmäßigen Intervallen auf der Basis einer Tabelle von beliebigen Zahlen (Ziffern) angeordnet. Die Erfindung ist jedoch hierauf nicht beschränkt, und die ersten und die zweiten unregelmäßigen Muster können in unregelmäßigen Intervallen gemäß einer anderen Methode als unter dem Einsatz einer Tabelle mit beliebigen Zahlen (Ziffern) angeordnet werden.
Bei den vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen ist die Gruppe von Mustern 36 für die Prüfung der Drehgenauigkeit des Bezugswafers 30 zum Prüfen der Genauigkeit an vier Positionen angeordnet. Die Erfindung ist jedoch hierauf nicht beschränkt, und sie können beispielsweise auch nur an wenigstens zwei Positionen angeordnet sein.
Wie sich aus der voranstehenden Beschreibung ergibt, bringt bei dem Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion und dem Verfahren mit Selbstdiagnosefunktion gemäß der Erfindung die Ausrichteinrichtung die Richtung der Muster des Bezugswafers zum Prüfen der Genauigkeit, welcher in die Ausrichtposition bewegt worden ist, in Übereinstimmung mit der Bewegungsrichtung der Spindel der Bewegungseinrichtung, welche bei dem Halbleiterherstellungssystem vorgesehen ist. Ferner detektiert die Ausrichteinrichtung die Position des Musters für die Prüfung der Positioniergenauigkeit, wenn die Bewegungseinrichtung um das regelmäßige Intervall weiterbewegt wird, und sie detektiert die Position des Musters zur Prüfung der mechanischen Genauigkeit, wenn die Bewegungseinrichtung um das vorstehend angegebene unregelmäßige Intervall weiter bewegt wird. Die Prüfeinrichtung detektiert die Positioniergenauigkeit der Bewegungseinrichtung auf der Basis des detektierten Wertes, welcher mit der Ausrichteinrichtung detektiert worden ist, sowie auf der Basis des regelmäßigen Intervalls des Musters zum Prüfen der Positioniergenauigkeit, und sie detektiert die mechanische Genauigkeit der Bewegungseinrichtung auf der Basis des detektierten Wertes, welcher mittels der Ausrichteinrichtung detektiert worden ist, und auf der Basis des unregelmäßigen Intervalls des Musters zur Prüfung der mechanischen Genauigkeit.
Die Bearbeitungsgenauigkeit zu dem Zeitpunkt, wenn der zu bearbeitende Wafer tatsächlich mit Hilfe des Halbleiterherstellungssystems bearbeitet wird, und die Prüfgenauigkeit zu dem Zeitpunkt, wenn der zu bearbeitende Wafer von dem Halbleiterherstellungssystem geprüft wird, lassen sich prüfen. In dieser Auslegung läßt sich ein geringfügiges Schlechterwerden hinsichtlich der Genauigkeit bei dem Arbeiten des Halbleiterherstellungssystems mit Hilfe der Selbstdiagnose erfassen, so daß die detektierte Verschlechterung der Genauigkeit wiederum auf die gewünschten Werte zurückgeführt werden kann, so daß sich die Qualität der mittels des Halbleiterherstellungssystems hergestellten Erzeugnisse über einen langen Zeitraum hinweg stabil halten läßt.
Wenn man ferner die Musteranordnung des Bezugswafers zur Prüfung der Genauigkeit des Halbleiterherstellungssystems nach der Erfindung normiert oder standardisiert, so erhält man die folgenden charakteristischen Einzelheiten.
(1) Die Effizienz der Prüfarbeiten für die Sicherstellung der Genauigkeit des Halbleiterherstellungssystems nach der Erfindung läßt sich zum Zeitpunkt des Transport aus der Herstellungsstätte verbessern.
(2) Die Genauigkeit des Halbleiterherstellungssystems mit einer Selbstdiagnosefunktion, welches zum tatsächlichen Einsatz kommt, läßt sich im Vergleich zu der Genauigkeit zum Zeitpunkt der Herstellung einstellen.
(3) Das Halbleiterherstellungssystem mit Selbstdiagnosefunktion kann leicht einen Genauigkeitsvergleich vornehmen.
(4) Die Genauigkeit des Halbleiterherstellungssystem läßt sich mit einer Selbstdiagnosefunktion ohne besondere Erfahrung prüfen.
(5) Wenn die Genauigkeit des Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion schlechter geworden ist, läßt sich die Ursache für die Verschlechterung auf einfache Weise herausfinden.
(6) Die Selbstkorrektur läßt sich auf der Basis des Ergebnisses der Selbstdiagnose des Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion vornehmen.
Es ist noch zu erwähnen, daß die Erfindung nicht auf die speziellen Einzelheiten der beschriebenen, bevorzugten Ausführungsformen beschränkt ist, sondern daß zahlreiche Abänderungen und Modifikationen sowie Äquivalente erfaßt werden, welche in den Schutzumfang der Erfindung fallen.

Claims

1. Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnose funktion, welches folgendes aufweist:

einen Bezugswafer (30) zum Prüfen wenigstens der Positionsgenauigkeit und der mechanischen Genauigkeit des Systems, wobei der Bezugswafer (30) wenigstens eine Gruppe (32, 34, 36) von Mustern zum Prüfen der Positionsgenauigkeit des Systems hat, welche Muster (32A, 34A) umfaßt, die regelmäßig voneinander beabstandet sind, und eine Gruppe (32, 34, 36) von Mustern zum Prüfen der mechanischen Genauigkeit des Systems hat, welche Muster (32B, 32C, 34B, 34C) aufweist, die unregelmäßig in Abständen voneinander und parallel zu der Gruppe der Muster zum Prüfen der Positionsgenauigkeit des Systems angeordnet sind;

ein Aufnahmeteil (10, 50) zum Aufnehmen des Bezugswafers (30);

eine Fördereinrichtung (24), welche den Bezugswafer (30) von dem Aufnahmeteil (10, 50) zu einer Ausrichtposition (P1) und von der Ausrichtposition (P1) zu dem Aufnahmeteil (10, 50) transportiert;

eine Bewegungseinrichtung, welche den Bezugswafer (30) wenigstens in eine axiale X-Richtung und eine axiale Y-Richtung bewegt;

eine Übereinstimmungs-Detektiereinrichtung (18), welche in Erstreckungsrichtung der jeweiligen Gruppen (32, 34, 36) von Mustern des Bezugswafers (30), welcher zu der Ausrichtposition (P1) befördert worden ist, in Übereinstimmung mit der Bewegungsrichtung der Bewegungseinrichtung bringt, und eine Position wenigstens eines Musters (32A, 34A) jeder Gruppe (32, 34, 36) von Mustern zum Prüfen der Positionsgenauigkeit des Systems detektiert, wenn die Bewegungseinrichtung um ein Intervall zwischen den regelmäßigen Mustern weiter bewegt worden ist, und um eine Musterposition der jeweiligen Gruppe von Mustern zum Prüfen der mechanischen Genauigkeit des Systems zu detektieren, wenn die Bewegungseinrichtung um ein Intervall zwischen den unregelmäßigen Mustern (32B, 32C, 34B, 34C) weiter bewegt worden ist; und

eine Prüfeinrichtung (19) zum Prüfen der Positionsgenauigkeit der Bewegungseinrichtung basierend auf dem detektierten Wert der Musterposition der Gruppe (32, 34, 36) von Mustern zum Prüfen der Positionsgenauigkeit, welcher mit Hilfe der Übereinstimmungs- und Detektiereinrichtung (18) und dem Intervall zwischen den regelmäßigen Mustern (32A, 34A) detektiert worden, ist und zum Prüfen der mechanischen Genauigkeit der Bewegungseinrichtung basierend auf dem detektierten Wert der Position des Musters der Gruppe (32, 34, 36) von Mustern zum Prüfen der mechanischen Genauigkeit, welcher mittels der Übereinstimmungs- und Detektiereinrichtung (18) und dem Intervall zwischen den unregelmäßigen Mustern (32B, 32C, 34b, 34C) detektiert worden ist.

2. Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion nach Anspruch 1, bei dem das Aufnahmeteil (50) ein Gehäuseteil ist, welches speziell für den Bezugswafer (30) bestimmt ist.

3. Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion nach Anspruch 1, bei dem das Aufnahmeteil (10) kombiniert mit einem Aufnahmeteil als Gehäuse für den Wafer (30) und für einen zu bearbeitenden Wafer ausgelegt ist.

4. Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Gruppen (32) von Mustern zum Prüfen der Genauigkeit des Systems auf dem Bezugswafer (30) in einer Richtung verlaufen.

5. Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Gruppen (32, 34) der Muster zum Prüfen der Genauigkeit des Systems auf dem Bezugswafers (30) in eine erste Richtung und in eine zweite Richtung verlaufen, die die erste Richtung senkrecht schneidet.

6. Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Gruppen (32, 34) von Mustern, die auf dem Bezugswafer (30) vorgesehen sind, ein Muster (40, 42) zur Prüfung auf Schwingungen in wenigstens einer axialen X-Richtung umfassen.

7. Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Bewegungseinrichtung eine Einrichtung zum Drehen des Bezugswafers (30) umfaßt und die Gruppen von Mustern (36), welche auf dem Bezugswafer (30) ausgebildet sind, ein Muster (36A, 36B, 36C, 36D) zum Prüfen der Drehgenauigkeit der Bewegungseinrichtung umfassen.

8. Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion nach Anspruch 7, bei dem das Muster (36A, 36B, 36C, 36D) für die Prüfung der Drehgenauigkeit ein kreuzförmig ausgebildetes Muster ist.

9. Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Übereinstimmungs- und Detektionseinrichtung (18) ein Bildverarbeitungsteil zum Detektieren der Musterposition der jeweiligen Gruppen (32, 34, 36) von Mustern zur Prüfung der Genauigkeit der Bewegungseinrichtung durch Musterüberdeckung hat.

10. Halbleiterherstellungssystem mit einer Selbstdiagnosefunktion nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Gruppe (32, 34) von Mustern zum Prüfen der mechanischen Genauigkeit erste unregelmäßige Muster (32B, 32C) und zweite unregelmäßige Muster (34B, 34C) aufweist, welche in einem beliebigen Intervall voneinander basierend auf einer Tabelle von beliebigen Ziffern beabstandet sind, und die zweiten unregelmäßigen Muster (34B, 34C) zu den ersten unregelmäßigen Mustern (32B, 32C) verschoben und parallel aber entgegengesetzt symmetrisch sind.

11. Selbstdiagnoseverfahren eines Halbleiterherstellungssystems mit einer Selbstdiagnosefunktion, welches folgendes aufweist:

einen Schritt zum Entnehmen eines Bezugswafers (30) zum Prüfen der Systemgenauigkeit aus einem Aufnahmeteil (10, 50), wobei der Bezugswafer (30) eine Gruppe (32, 34) von Mustern zum Prüfen der Positionsgenauigkeit hat, welche Muster (32A, 34A) in regelmäßigen Abständen voneinander aufweisen, und eine Gruppe (32, 34) von Mustern zum Prüfen der mechanischen Genauigkeit hat, welche Muster (32B, 32C, 34B, 34C) aufweisen, die parallel zu der Gruppe von Mustern (32A, 34A) zum Prüfen der Positionsgenauigkeit und in unregelmäßigen Abständen voneinander angeordnet sind, und wobei bei diesem Schritt der Bezugswafer (30) zu einer Ausrichtposition (P1) transportiert wird;

einen Schritt zum Inübereinstimmungbringen einer Erstreckungsrichtung jeder Gruppe (32, 34, 36) von Mustern des Bezugswafers (30), welcher zu der Ausrichtposition (P1) transportiert worden ist, mit der Bewegungsrichtung einer Bewegungseinrichtung zur Ausrichtung;

einen Schritt zum Detektieren einer Position irgendeines Musters der Gruppe (32, 34) von Mustern zum Prüfen der Positionsgenauigkeit, wenn die Bewegungseinrichtung um ein Intervall zwischen den regelmäßigen Mustern (32a, 34A) der Gruppe (32, 34, 36) von Mustern zum Prüfen der Positionsgenauigkeit weiter transportiert worden ist, und zum Prüfen der Positionsgenauigkeit der Bewegungseinrichtung basierend auf der detektierten Position und dem Intervall zwischen den regelmäßigen Mustern (32A, 34A);

einen Schritt zum Detektieren einer Position irgendeines Musters der Gruppe (32, 34) von Mustern zum Prüfen der mechanischen Genauigkeit, wenn die Bewegungseinrichtung um ein Intervall zwischen den unregelmäßigen Mustern (32B, 32C, 34B, 34C) der Gruppe (32, 34, 36) von Mustern weiter bewegt worden ist, und zum Prüfen der mechanischen Genauigkeit der Bewegungseinrichtung basierend auf der detektierten Position und dem Intervall zwischen den unregelmäßigen Mustern (32B, 32C, 34B, 34C); und

einen Schritt zum Aufnehmen des Bezugswafers (30) für die Prüfung der Systemgenauigkeit aus der Ausrichtposition (P1) in dem Aufnahmeteil (10, 50).

12. Selbstdiagnoseverfahren eines Halbleiterherstellungssystems mit einer Selbstdiagnosefunktion nach Anspruch 11, bei dem das Aufnahmeteil (50) ein speziell für den Bezugswafer (30) vorgesehenes Aufnahmeteil ist.

13. Selbstdiagnoseverfahren eines Halbleiterherstellungssystems mit einer Selbstdiagnosefunktion nach Anspruch 11, bei dem das Aufnahmeteil (10) ein kombiniertes Aufnahmeteil zur Aufnahme des Bezugswafers (30) und eines zu bearbeitenden Wafers ist.

14. Selbstdiagnoseverfahren eines Halbleiterherstellungssystems mit einer Selbstdiagnosefunktion nach einem der Ansprüche 11 bis 13, bei dem die Erstreckungsrichtung der jeweiligen Gruppen (32, 34) von Mustern in einer Richtung ausgerichtet ist.

15. Selbstdiagnoseverfahren eines Halbleiterherstellungssystems mit einer Selbstdiagnosefunktion nach einem der Ansprüche 11 bis 13, bei dem die Erstreckungsrichtung der jeweiligen Gruppen (32, 34) von Mustern eine erste Richtung und eine zweite Richtung umfaßt, welche die erste Richtung senkrecht schneidet, und bei dem das Selbstdiagnoseverfahren eines Halbleiterherstellungssystems mit einer Selbstdiagnosefunktion einen Schritt zum Inübereinstimmungbringen der ersten Richtung' mit einer Bewegungsrichtung längs einer X-Achse der Bewegungsrichtung und zum Inübereinstimmungbringen der die erste Richtung senkrecht schneidenden Richtung mit der Bewegungsrichtung längs einer Y-Achse der Bewegungseinrichtung aufweist.

16. Selbstdiagnoseverfahren eines Halbleiterherstellungssystems mit einer Selbstdiagnosefunktion nach einem der Ansprüche 11 bis 15, welches folgendes aufweist:

einen Schritt zum Detektieren von mechanischen Schwingungen der jeweiligen Gruppen von Mustern (40, 42) und zum Prüfen der mechanischen Schwingungen zum Zeitpunkt des Stillstands des Bezugswafers (30) nach dem Weitertransport um ein Intervall zwischen den jeweiligen Mustern (40, 42).

17. Selbstdiagnoseverfahren eines Halbleiterherstellungssystems mit einer Selbstdiagnosefunktion nach einem der Ansprüche 11 bis 16, welches folgendes aufweist:

einen Schritt zum Inübereinstimmungbringen eines Mittelpunkts (30A) des Bezugswafers (30), welcher zu der Ausrichtposition (P1) transportiert worden ist, mit einem Drehmittelpunkt der Bewegungseinrichtung zur Ausrichtung; und

einen Schritt zum Drehen des Bezugswafers (30) um einen vorbestimmten Winkel durch die Bewegungseinrichtung und zum Prüfen der Drehgenauigkeit der Bewegungseinrichtung basierend auf einem Drehgenauigkeitsprüfmuster (36A, 36B, 36C, 36D), welches auf dem Bezugswafer (30) ausgebildet ist.

18. Selbstdiagnoseverfahren eines Halbleiterherstellungssystems mit einer Selbstdiagnosefunktion nach Anspruch 17, bei dem das Drehgenauigkeitsprüfmuster (36A, 36B, 36C, 36D) ein kreuzförmiges Muster ist.

19. Selbstdiagnoseverfahren eines Halbleiterherstellungssystems mit einer Selbstdiagnosefunktion nach einem der Ansprüche 11 bis 16, bei dem eine Übereinstimmungs- und Detektiereinrichtung (18) eine Position durch Prüfen der Mehrzahl von Mustern (36A, 36B, 36C, 36D) durch Mustervergleich unter Einsatz einer Bildverarbeitung ermittelt.