JPH06310621A - 半導体パッケージ及びその製造方法 - Google Patents
半導体パッケージ及びその製造方法Info
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- JPH06310621A JPH06310621A JP12352193A JP12352193A JPH06310621A JP H06310621 A JPH06310621 A JP H06310621A JP 12352193 A JP12352193 A JP 12352193A JP 12352193 A JP12352193 A JP 12352193A JP H06310621 A JPH06310621 A JP H06310621A
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- semiconductor package
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放熱性、ハンドリング性共に優れた半導体パ
ッケージ及びその製造方法を提供する。 【構成】 絶縁性・可撓性を有するフィルム基材２と、
このフィルム基材２にパターンが形成されているリード
１とからなるフィルムキャリア２０において、デバイス
ホール１３の内側に突出しているインナーリード１ａに
半導体素子３がバンプ４を介して接続されている。この
半導体素子３の裏面に接着剤８を用いて放熱板９が接着
されている。そして、フィルム基材２の各リード１を支
持するリング状のサポートリング部２ａからの外周部は
第一の樹脂で樹脂封止され、第一の樹脂部３０が形成さ
れ、この第一の樹脂部３０より内側の部分は第二の樹脂
で樹脂封止され、第二の樹脂部４０が形成されている。
ッケージ及びその製造方法を提供する。 【構成】 絶縁性・可撓性を有するフィルム基材２と、
このフィルム基材２にパターンが形成されているリード
１とからなるフィルムキャリア２０において、デバイス
ホール１３の内側に突出しているインナーリード１ａに
半導体素子３がバンプ４を介して接続されている。この
半導体素子３の裏面に接着剤８を用いて放熱板９が接着
されている。そして、フィルム基材２の各リード１を支
持するリング状のサポートリング部２ａからの外周部は
第一の樹脂で樹脂封止され、第一の樹脂部３０が形成さ
れ、この第一の樹脂部３０より内側の部分は第二の樹脂
で樹脂封止され、第二の樹脂部４０が形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂によりモールドさ
れる樹脂封止型のフィルムキャリアに用いられる半導体
パッケージに関する。
れる樹脂封止型のフィルムキャリアに用いられる半導体
パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】ウェハから切り出された半導体素子、例
えばＩＣチップの実装技術として、ＴＡＢ（Tape Autom
ated Bonding）方式が知られている。このＴＡＢ方式
は、ポリイミド樹脂等からなる可撓性かつ絶縁性を有す
るフレキシブルなテープ上に銅箔等の導電性金属材料か
らなる複数のリードを形成してなるフィルムキャリアを
用い、それら各リードと半導体素子に形成された複数の
電極とをバンプを介して接合する方式である。
えばＩＣチップの実装技術として、ＴＡＢ（Tape Autom
ated Bonding）方式が知られている。このＴＡＢ方式
は、ポリイミド樹脂等からなる可撓性かつ絶縁性を有す
るフレキシブルなテープ上に銅箔等の導電性金属材料か
らなる複数のリードを形成してなるフィルムキャリアを
用い、それら各リードと半導体素子に形成された複数の
電極とをバンプを介して接合する方式である。
【０００３】パターンが形成されているリードとフィル
ム基材とから成るフィルムキャリアにおけるデバイス孔
の内側に突出しているインナーリードに半導体素子がバ
ンプを介して接続されており、かつ、後に説明するポッ
ティング方式あるいはトランスファーモールド方式によ
り半導体素子及びその近傍が樹脂により封止されてい
る。
ム基材とから成るフィルムキャリアにおけるデバイス孔
の内側に突出しているインナーリードに半導体素子がバ
ンプを介して接続されており、かつ、後に説明するポッ
ティング方式あるいはトランスファーモールド方式によ
り半導体素子及びその近傍が樹脂により封止されてい
る。
【０００４】なお、フレキシブルなテープには、半導体
素子が位置されるデバイス孔の他に、各リードが架橋さ
れるリード孔が形成され、また、各リードを支持するサ
ポートリングと、フィルムキャリアの外枠を構成する外
周枠部とが残存されている。
素子が位置されるデバイス孔の他に、各リードが架橋さ
れるリード孔が形成され、また、各リードを支持するサ
ポートリングと、フィルムキャリアの外枠を構成する外
周枠部とが残存されている。
【０００５】そして、一般に、ＴＡＢ方式における半導
体素子の保護を図るために樹脂封止が行われる。従来よ
り、この樹脂封止方法としていわゆるポッティング方式
あるいはトランスファーモールド方式が知られている。
体素子の保護を図るために樹脂封止が行われる。従来よ
り、この樹脂封止方法としていわゆるポッティング方式
あるいはトランスファーモールド方式が知られている。
【０００６】このポッティング方式では、リードが形成
されている面のサポートリング上にソルダレジストを塗
布したフィルムキャリアに半導体素子を接合した後、デ
ィスペンサーを用いて熱硬化型の液状樹脂を滴下し、半
導体素子乃至インナーリード部の周辺に滴下された液状
樹脂を硬化することにより樹脂封止が行われる。
されている面のサポートリング上にソルダレジストを塗
布したフィルムキャリアに半導体素子を接合した後、デ
ィスペンサーを用いて熱硬化型の液状樹脂を滴下し、半
導体素子乃至インナーリード部の周辺に滴下された液状
樹脂を硬化することにより樹脂封止が行われる。
【０００７】またトランスファーモールド方式では、半
導体素子が搭載されたフィルムキャリアを上型と下型と
からなる封止用金型により挟持し、加熱溶融した樹脂を
加圧しながら上型及び下型のキャビティ内に注入して硬
化させ、樹脂モールドを成型する方法である。
導体素子が搭載されたフィルムキャリアを上型と下型と
からなる封止用金型により挟持し、加熱溶融した樹脂を
加圧しながら上型及び下型のキャビティ内に注入して硬
化させ、樹脂モールドを成型する方法である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のポ
ッティング法により樹脂封止した半導体パッケージは、
放熱性は良いが、ハンドリング性が悪く、パッケージサ
イズが大きくなると、フィルム基材の歪みが発生し、基
板への実装が困難になるという問題があった。
ッティング法により樹脂封止した半導体パッケージは、
放熱性は良いが、ハンドリング性が悪く、パッケージサ
イズが大きくなると、フィルム基材の歪みが発生し、基
板への実装が困難になるという問題があった。
【０００９】一方、トランスファーモールド法により樹
脂封止した半導体パッケージは、上述したポッティング
法とは逆に、ハンドリング性は良いが、放熱性が悪く、
また、製造工程の樹脂を注入する際には、その注入の圧
力により、フィルム基材に接続された半導体素子が金型
内で上下に動いて保持されないという問題があった。
脂封止した半導体パッケージは、上述したポッティング
法とは逆に、ハンドリング性は良いが、放熱性が悪く、
また、製造工程の樹脂を注入する際には、その注入の圧
力により、フィルム基材に接続された半導体素子が金型
内で上下に動いて保持されないという問題があった。
【００１０】そこで、本発明は、放熱性、ハンドリング
性共に優れた半導体パッケージ及びその製造方法を提供
することを目的とする。
性共に優れた半導体パッケージ及びその製造方法を提供
することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、フィルム基材と、このフィルム基材上に
形成された複数のリードと、前記フィルム基材に搭載さ
れた半導体素子とを有し、樹脂で封止された半導体パッ
ケージにおいて、前記フィルム基材の前記リードを固定
するためのサポートリング部を第一の樹脂で封止した第
一の樹脂部と、前記第一の樹脂部の内側を第二の樹脂で
封止した第二の樹脂部と、前記半導体素子に接着部材を
用いて接着された放熱部材と、を有するものである。
に、本発明は、フィルム基材と、このフィルム基材上に
形成された複数のリードと、前記フィルム基材に搭載さ
れた半導体素子とを有し、樹脂で封止された半導体パッ
ケージにおいて、前記フィルム基材の前記リードを固定
するためのサポートリング部を第一の樹脂で封止した第
一の樹脂部と、前記第一の樹脂部の内側を第二の樹脂で
封止した第二の樹脂部と、前記半導体素子に接着部材を
用いて接着された放熱部材と、を有するものである。
【００１２】また、本発明は、フィルム基材と、このフ
ィルム基材上に形成された複数のリードと、前記フィル
ム基材に搭載された半導体素子とを有し、樹脂で封止さ
れた半導体パッケージの製造方法において、前記フィル
ム基材に、前記半導体素子を搭載する第一の工程と、前
記フィルム基材の前記リードを固定するためのサポート
リング部を第一の樹脂で封止し、第一の樹脂部を形成す
る第二の工程と、前記半導体素子の裏面に接着部材を用
いて、放熱部材を接着する第三の工程と、前記第一の樹
脂部の内側を第二の樹脂で封止し、第二の樹脂部を形成
する第四の工程と、を有するものである。
ィルム基材上に形成された複数のリードと、前記フィル
ム基材に搭載された半導体素子とを有し、樹脂で封止さ
れた半導体パッケージの製造方法において、前記フィル
ム基材に、前記半導体素子を搭載する第一の工程と、前
記フィルム基材の前記リードを固定するためのサポート
リング部を第一の樹脂で封止し、第一の樹脂部を形成す
る第二の工程と、前記半導体素子の裏面に接着部材を用
いて、放熱部材を接着する第三の工程と、前記第一の樹
脂部の内側を第二の樹脂で封止し、第二の樹脂部を形成
する第四の工程と、を有するものである。
【００１３】さらに、本発明は、フィルム基材と、この
フィルム基材上に形成された複数のリードと、前記フィ
ルム基材に搭載された半導体素子とを有し、樹脂で封止
された半導体パッケージの製造方法において、前記フィ
ルム基材の前記リードを固定するためのサポートリング
部を第一の樹脂で封止し、第一の樹脂部を形成する第一
の工程と、前記フィルム基材に、前記半導体素子を搭載
する第二の工程と、前記半導体素子の裏面に接着部材を
用いて、放熱部材を接着する第三の工程と、前記第一の
樹脂部の内側を第二の樹脂で封止し、第二の樹脂部を形
成する第四の工程と、を有するものである。
フィルム基材上に形成された複数のリードと、前記フィ
ルム基材に搭載された半導体素子とを有し、樹脂で封止
された半導体パッケージの製造方法において、前記フィ
ルム基材の前記リードを固定するためのサポートリング
部を第一の樹脂で封止し、第一の樹脂部を形成する第一
の工程と、前記フィルム基材に、前記半導体素子を搭載
する第二の工程と、前記半導体素子の裏面に接着部材を
用いて、放熱部材を接着する第三の工程と、前記第一の
樹脂部の内側を第二の樹脂で封止し、第二の樹脂部を形
成する第四の工程と、を有するものである。
【００１４】
【作用】本発明の上記の構成によれば、第一の樹脂部と
第二の樹脂部とによって最終的にはサポートリング部と
半導体素子との全体が封止されているので、半導体パッ
ケージを実装する等のハンドリング性が向上し、半導体
素子の裏面に放熱部材を設けたことにより、半導体素子
が発生する熱を外部へ放熱する放熱性が向上する。ま
た、本発明では、半導体素子は第二の樹脂部により封止
されるので、半導体素子が樹脂封止時の樹脂注入による
圧力を受けず、半導体素子とリードとの接合部にストレ
スをかけることなく半導体素子を保持できる。
第二の樹脂部とによって最終的にはサポートリング部と
半導体素子との全体が封止されているので、半導体パッ
ケージを実装する等のハンドリング性が向上し、半導体
素子の裏面に放熱部材を設けたことにより、半導体素子
が発生する熱を外部へ放熱する放熱性が向上する。ま
た、本発明では、半導体素子は第二の樹脂部により封止
されるので、半導体素子が樹脂封止時の樹脂注入による
圧力を受けず、半導体素子とリードとの接合部にストレ
スをかけることなく半導体素子を保持できる。
【００１５】
【実施例】本発明の第一実施例を図１〜図３を参照して
説明する。図１は、本発明の第一実施例である半導体パ
ッケージの断面図である。また、図２は、本発明の半導
体パッケージの第一の製造方法を示した図であり、図３
は、本発明の半導体パッケージの第二の製造方法を示し
た図である。
説明する。図１は、本発明の第一実施例である半導体パ
ッケージの断面図である。また、図２は、本発明の半導
体パッケージの第一の製造方法を示した図であり、図３
は、本発明の半導体パッケージの第二の製造方法を示し
た図である。
【００１６】図１に示すように、第一実施例である半導
体パッケージ５０は、絶縁性・可撓性を有するフィルム
基材２と、このフィルム基材２にパターンが形成されて
いるリード１とからなるフィルムキャリア２０におい
て、デバイスホール１３の内側に突出しているインナー
リード１ａに、半導体素子３がバンプ４を介して接続さ
れている。
体パッケージ５０は、絶縁性・可撓性を有するフィルム
基材２と、このフィルム基材２にパターンが形成されて
いるリード１とからなるフィルムキャリア２０におい
て、デバイスホール１３の内側に突出しているインナー
リード１ａに、半導体素子３がバンプ４を介して接続さ
れている。
【００１７】この半導体素子３の裏面に、接着剤８を用
いて放熱板９が接着されている。なお、この放熱板９
は、半導体素子３よりも大きい面積を有しており、銅や
アルミニウム等の熱伝導性の良い金属板であるのが望ま
しい。
いて放熱板９が接着されている。なお、この放熱板９
は、半導体素子３よりも大きい面積を有しており、銅や
アルミニウム等の熱伝導性の良い金属板であるのが望ま
しい。
【００１８】そして、フィルム基材２の各リード１を支
持するリング状のサポートリング部２ａからの外周部が
第一の樹脂で樹脂封止され、第一の樹脂部３０が形成さ
れており、この第一の樹脂部３０より内側の部分は第二
の樹脂で樹脂封止され、第二の樹脂部４０が形成されて
いる。
持するリング状のサポートリング部２ａからの外周部が
第一の樹脂で樹脂封止され、第一の樹脂部３０が形成さ
れており、この第一の樹脂部３０より内側の部分は第二
の樹脂で樹脂封止され、第二の樹脂部４０が形成されて
いる。
【００１９】以上より、トランスファーモールド法によ
り第一の樹脂部３０でフィルムキャリア２０のサポート
リング部２ａを樹脂封止した後、放熱板９をフィルムキ
ャリア２０の底面に接着させ、第一の樹脂部３０より内
側の部分をポッティング法により樹脂部４０で形成した
ことにより、ハンドリング性、放熱性共に優れた半導体
パッケージ５０が得られる。
り第一の樹脂部３０でフィルムキャリア２０のサポート
リング部２ａを樹脂封止した後、放熱板９をフィルムキ
ャリア２０の底面に接着させ、第一の樹脂部３０より内
側の部分をポッティング法により樹脂部４０で形成した
ことにより、ハンドリング性、放熱性共に優れた半導体
パッケージ５０が得られる。
【００２０】次に、本実施例の第一の製造方法につい
て、図２を参照して説明する。
て、図２を参照して説明する。
【００２１】まず、図２（ａ）に示すように、フィルム
基材２に形成されているリード１のインナーリード１ａ
と半導体素子３とがバンプ４を介して、熱圧着等により
ボンディングされ、フィルムキャリア２０が得られる。
このフィルムキャリア２０を上型と下型とからなる金型
（図示せず）で挟持して、図２（ｂ）に示すように、ト
ランスファーモールド成型し、第一の樹脂部３０を形成
する。この時、フィルムキャリア２０のサポートリング
部２ａからの外周部のみをトランスファーモールドする
ので、この第一の樹脂部３０より内側の部分には樹脂が
注入されないように金型に凸部あるいは仕切が設けられ
ている。なお、金型内部の構造については上記の構造に
限定することはなく、サポートリング部２ａからの外周
部を樹脂封止できる構造であれば良い。
基材２に形成されているリード１のインナーリード１ａ
と半導体素子３とがバンプ４を介して、熱圧着等により
ボンディングされ、フィルムキャリア２０が得られる。
このフィルムキャリア２０を上型と下型とからなる金型
（図示せず）で挟持して、図２（ｂ）に示すように、ト
ランスファーモールド成型し、第一の樹脂部３０を形成
する。この時、フィルムキャリア２０のサポートリング
部２ａからの外周部のみをトランスファーモールドする
ので、この第一の樹脂部３０より内側の部分には樹脂が
注入されないように金型に凸部あるいは仕切が設けられ
ている。なお、金型内部の構造については上記の構造に
限定することはなく、サポートリング部２ａからの外周
部を樹脂封止できる構造であれば良い。
【００２２】次に、図２（ｃ）に示すように、熱伝導性
の良い接着剤８を用いて、半導体素子３の裏面に放熱板
９を接着する。この時、フィルムキャリア２０の裏面側
の開口部１０を覆うことのできる面積を有する放熱板９
を用いる。万が一、放熱板９の大きさが小さい場合、開
口部１０に隙間が生じ、後の工程で行うポッティングの
際に液状樹脂が漏れてしまう。そして、第一の樹脂部３
０と放熱板９との間にも隙間を生じさせないように、接
着剤８にて放熱板９を第一の樹脂部３０にも固着させ
る。なお、放熱板９は銅やアルミニウム等の金属板であ
ることが望ましい。
の良い接着剤８を用いて、半導体素子３の裏面に放熱板
９を接着する。この時、フィルムキャリア２０の裏面側
の開口部１０を覆うことのできる面積を有する放熱板９
を用いる。万が一、放熱板９の大きさが小さい場合、開
口部１０に隙間が生じ、後の工程で行うポッティングの
際に液状樹脂が漏れてしまう。そして、第一の樹脂部３
０と放熱板９との間にも隙間を生じさせないように、接
着剤８にて放熱板９を第一の樹脂部３０にも固着させ
る。なお、放熱板９は銅やアルミニウム等の金属板であ
ることが望ましい。
【００２３】最後に、トランスファーモールド法により
樹脂封止が行われなかった第一の樹脂部３０より内側の
部分について、ポッティング法により樹脂封止が行われ
る。液状樹脂が、第一の樹脂部３０より内側の部分のフ
ィルムキャリア２０の開口部１０に滴下され、この樹脂
が硬化し、図２（ｄ）に示すように、第二の樹脂部４０
が形成され、半導体パッケージ５０が得られる。
樹脂封止が行われなかった第一の樹脂部３０より内側の
部分について、ポッティング法により樹脂封止が行われ
る。液状樹脂が、第一の樹脂部３０より内側の部分のフ
ィルムキャリア２０の開口部１０に滴下され、この樹脂
が硬化し、図２（ｄ）に示すように、第二の樹脂部４０
が形成され、半導体パッケージ５０が得られる。
【００２４】以上より、トランスファーモールド法によ
り第一の樹脂部３０でフィルムキャリア２０のサポート
リング部２ａを樹脂封止した後、放熱板９をフィルムキ
ャリア２０の底面に接着させ、第一の樹脂部３０より内
側の部分をポッティング法により第二の樹脂部４０で形
成したことにより、ハンドリング性、放熱性共に優れた
半導体パッケージ５０が得られる。
り第一の樹脂部３０でフィルムキャリア２０のサポート
リング部２ａを樹脂封止した後、放熱板９をフィルムキ
ャリア２０の底面に接着させ、第一の樹脂部３０より内
側の部分をポッティング法により第二の樹脂部４０で形
成したことにより、ハンドリング性、放熱性共に優れた
半導体パッケージ５０が得られる。
【００２５】次に、本実施例の第二の製造方法につい
て、図３を参照して説明する。
て、図３を参照して説明する。
【００２６】第二の製造方法では、まず、フィルム基材
２と半導体素子３とをボンディングする前に、図３
（ａ）に示すように、第一の樹脂部３０を形成する。第
一の製造方法の時と同様に、フィルム基材２を上下金型
（図示せず）で挟持し、サポートリング部２ａからの外
周部をトランスファーモールド成型し、第一の樹脂部３
０を形成する。
２と半導体素子３とをボンディングする前に、図３
（ａ）に示すように、第一の樹脂部３０を形成する。第
一の製造方法の時と同様に、フィルム基材２を上下金型
（図示せず）で挟持し、サポートリング部２ａからの外
周部をトランスファーモールド成型し、第一の樹脂部３
０を形成する。
【００２７】次に、図３（ｂ）に示すように、第一の樹
脂部３０を形成したフィルム基材２上のインナーリード
１ａと半導体素子３とをバンプ４を介してボンディング
する。そして、上述した第一の製造方法と同様に、図３
（ｃ）のように放熱板９を接着させ、図３（ｄ）のよう
にポッティング法により、第一の樹脂部３０より内側の
部分を樹脂封止し、第二の樹脂部４０を形成して、第一
実施例である半導体パッケージ５０が得られる。
脂部３０を形成したフィルム基材２上のインナーリード
１ａと半導体素子３とをバンプ４を介してボンディング
する。そして、上述した第一の製造方法と同様に、図３
（ｃ）のように放熱板９を接着させ、図３（ｄ）のよう
にポッティング法により、第一の樹脂部３０より内側の
部分を樹脂封止し、第二の樹脂部４０を形成して、第一
実施例である半導体パッケージ５０が得られる。
【００２８】以上より、トランスファーモールド法によ
り第一の樹脂部３０でフィルムキャリア２０のサポート
リング部２ａを樹脂封止した後、放熱板９をフィルムキ
ャリア２０の底面に接着させ、第一の樹脂部３０より内
側の部分をポッティング法により第二の樹脂部４０で形
成したことにより、ハンドリング性、放熱性共に優れた
半導体パッケージ５０が得られる。
り第一の樹脂部３０でフィルムキャリア２０のサポート
リング部２ａを樹脂封止した後、放熱板９をフィルムキ
ャリア２０の底面に接着させ、第一の樹脂部３０より内
側の部分をポッティング法により第二の樹脂部４０で形
成したことにより、ハンドリング性、放熱性共に優れた
半導体パッケージ５０が得られる。
【００２９】次に、本発明である半導体パッケージの第
二実施例について、図４を参照して説明する。図４は、
第二実施例である半導体パッケージの断面図である。な
お、本発明の第一実施例と同一の機能を有するものにつ
いては同一の符号を付することによりその詳細な説明を
省略する。
二実施例について、図４を参照して説明する。図４は、
第二実施例である半導体パッケージの断面図である。な
お、本発明の第一実施例と同一の機能を有するものにつ
いては同一の符号を付することによりその詳細な説明を
省略する。
【００３０】第二実施例が第一実施例と異なる点は、半
導体パッケージ５０の放熱板９に熱伝導性の良い接着剤
８を用いて放熱フィン１１を接着させたことである。な
お、放熱フィン１１は、銅やアルミニウム等の熱伝導性
の良い金属からできていることが望ましい。
導体パッケージ５０の放熱板９に熱伝導性の良い接着剤
８を用いて放熱フィン１１を接着させたことである。な
お、放熱フィン１１は、銅やアルミニウム等の熱伝導性
の良い金属からできていることが望ましい。
【００３１】以上のように、トランスファーモールド法
により第一の樹脂部３０でフィルムキャリア２０のサポ
ートリング部２ａからの外周部を樹脂封止した後、放熱
板９をフィルムキャリア２０の底面に接着させ、第一の
樹脂部３０より内側の部分をポッティング法により第二
の樹脂部４０で形成したことにより、ハンドリング性、
放熱性共に優れた半導体パッケージ５０が得られる。さ
らに、放熱フィン１１を設けることにより、放熱性をさ
らに向上させることができる。
により第一の樹脂部３０でフィルムキャリア２０のサポ
ートリング部２ａからの外周部を樹脂封止した後、放熱
板９をフィルムキャリア２０の底面に接着させ、第一の
樹脂部３０より内側の部分をポッティング法により第二
の樹脂部４０で形成したことにより、ハンドリング性、
放熱性共に優れた半導体パッケージ５０が得られる。さ
らに、放熱フィン１１を設けることにより、放熱性をさ
らに向上させることができる。
【００３２】また、第二実施例の半導体パッケージの製
造方法については、上述した第一実施例と同様に、第一
の製造方法または第二の製造方法によって成型した後、
放熱フィン１１を熱伝導性の良い接着剤８を用いて接着
する。このように、トランスファーモールド法により第
一の樹脂部３０でフィルムキャリア２０のサポートリン
グ部２ａからの外周部を樹脂封止した後、放熱板９をフ
ィルムキャリア２０の底面に接着させ、第一の樹脂部３
０より内側の部分をポッティング法により第二の樹脂部
４０で形成したことにより、ハンドリング性、放熱性共
に優れた半導体パッケージ５０が得られる。さらに、放
熱フィン１１を設けることにより、放熱性をさらに向上
させることができる。
造方法については、上述した第一実施例と同様に、第一
の製造方法または第二の製造方法によって成型した後、
放熱フィン１１を熱伝導性の良い接着剤８を用いて接着
する。このように、トランスファーモールド法により第
一の樹脂部３０でフィルムキャリア２０のサポートリン
グ部２ａからの外周部を樹脂封止した後、放熱板９をフ
ィルムキャリア２０の底面に接着させ、第一の樹脂部３
０より内側の部分をポッティング法により第二の樹脂部
４０で形成したことにより、ハンドリング性、放熱性共
に優れた半導体パッケージ５０が得られる。さらに、放
熱フィン１１を設けることにより、放熱性をさらに向上
させることができる。
【００３３】なお、上記実施例に用いられている樹脂封
止方法に限定されることはなく、例えば第一の樹脂部の
成型にはインジェクション法等を用いても良い。また、
フィルム基材とリードの位置関係について、上記実施例
に限定することはなく、例えば本実施例と逆であっても
良い。さらに、上記実施例では放熱部材に放熱板を用い
ていたが、これに限定されることはなく、各種の形状、
材質に変形可能である。
止方法に限定されることはなく、例えば第一の樹脂部の
成型にはインジェクション法等を用いても良い。また、
フィルム基材とリードの位置関係について、上記実施例
に限定することはなく、例えば本実施例と逆であっても
良い。さらに、上記実施例では放熱部材に放熱板を用い
ていたが、これに限定されることはなく、各種の形状、
材質に変形可能である。
【００３４】
【発明の効果】本発明は、上記の説明により、半導体パ
ッケージを実装する等のハンドリング性が向上し、半導
体素子の裏面に放熱部材を設けたことにより、半導体素
子が発生する熱を外部へ放熱する放熱性が向上する。ま
た、本発明では、半導体素子が樹脂封止時の樹脂注入に
よる圧力の影響を受けず、半導体素子とリードとの接合
部にストレスをかけることなく半導体素子を保持でき
る。
ッケージを実装する等のハンドリング性が向上し、半導
体素子の裏面に放熱部材を設けたことにより、半導体素
子が発生する熱を外部へ放熱する放熱性が向上する。ま
た、本発明では、半導体素子が樹脂封止時の樹脂注入に
よる圧力の影響を受けず、半導体素子とリードとの接合
部にストレスをかけることなく半導体素子を保持でき
る。
【図１】本発明の第一実施例である半導体パッケージの
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の半導体パッケージの第一の製造方法を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明の半導体パッケージの第二の製造方法を
示す図である。
示す図である。
【図４】本発明の第二実施例である半導体パッケージの
断面図である。
断面図である。
１ リード ２ フィルム基材 ２ａ サポートリング部 ３ 半導体素子 ９ 放熱板 １１ 放熱フィン ２０ フィルムキャリア ３０ 第一の樹脂部 ４０ 第二の樹脂部 ５０ 半導体パッケージ
Claims (12)
- 【請求項１】 フィルム基材と、このフィルム基材上に
形成された複数のリードと、前記フィルム基材に搭載さ
れた半導体素子とを有し、樹脂で封止された半導体パッ
ケージにおいて、 前記フィルム基材の前記リードを固定するためのサポー
トリング部を第一の樹脂で封止した第一の樹脂部と、 前記第一の樹脂部の内側を第二の樹脂で封止した第二の
樹脂部と、 前記半導体素子に接着部材を用いて接着された放熱部材
と、 を有することを特徴とする半導体パッケージ。 - 【請求項２】 前記放熱部材は、金属板よりなることを
特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。 - 【請求項３】 前記第一の樹脂部は、トランスファーモ
ールド法により形成されたことを特徴とする請求項１記
載の半導体パッケージ。 - 【請求項４】 前記第二の樹脂部は、ポッティング法に
より形成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体
パッケージ。 - 【請求項５】 フィルム基材と、このフィルム基材上に
形成された複数のリードと、前記フィルム基材に搭載さ
れた半導体素子とを有し、樹脂で封止された半導体パッ
ケージの製造方法において、 前記フィルム基材に、前記半導体素子を搭載する第一の
工程と、 前記フィルム基材の前記リードを固定するためのサポー
トリング部を第一の樹脂で封止し、第一の樹脂部を形成
する第二の工程と、 前記半導体素子の裏面に接着部材を用いて、放熱部材を
接着する第三の工程と、 前記第一の樹脂部の内側を第二の樹脂で封止し、第二の
樹脂部を形成する第四の工程と、 を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方
法。 - 【請求項６】 前記放熱部材は、金属板であることを特
徴とする請求項５記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項７】 前記第二の工程において、トランスファ
ーモールド法を用いて第一の樹脂で封止することを特徴
とする請求項５記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項８】 前記第四の工程において、ポッティング
法を用いて第二の樹脂で封止することを特徴とする請求
項５記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項９】 フィルム基材と、このフィルム基材上に
形成された複数のリードと、前記フィルム基材に搭載さ
れた半導体素子とを有し、樹脂で封止された半導体パッ
ケージの製造方法において、 前記フィルム基材の前記リードを固定するためのサポー
トリング部を第一の樹脂で封止し、第一の樹脂部を形成
する第一の工程と、 前記フィルム基材に、前記半導体素子を搭載する第二の
工程と、 前記半導体素子の裏面に接着部材を用いて、放熱部材を
接着する第三の工程と、 前記第一の樹脂部の内側を第二の樹脂で封止し、第二の
樹脂部を形成する第四の工程と、 を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方
法。 - 【請求項１０】 前記放熱部材は、金属板であることを
特徴とする請求項９記載の半導体パッケージの製造方
法。 - 【請求項１１】 前記第一の工程において、トランスフ
ァーモールド法を用いて第一の樹脂で封止することを特
徴とする請求項９記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項１２】 前記第四の工程において、ポッティン
グ法を用いて第二の樹脂で封止することを特徴とする請
求項９記載の半導体パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12352193A JPH06310621A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12352193A JPH06310621A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310621A true JPH06310621A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14862677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12352193A Withdrawn JPH06310621A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310621A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7911050B2 (en) | 2007-04-19 | 2011-03-22 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP12352193A patent/JPH06310621A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7911050B2 (en) | 2007-04-19 | 2011-03-22 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |