JPH06310413A - レジスト塗布装置及び塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布装置及び塗布方法Info
- Publication number
- JPH06310413A JPH06310413A JP9758793A JP9758793A JPH06310413A JP H06310413 A JPH06310413 A JP H06310413A JP 9758793 A JP9758793 A JP 9758793A JP 9758793 A JP9758793 A JP 9758793A JP H06310413 A JPH06310413 A JP H06310413A
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- substrate
- flat plate
- adhere
- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 非常に微量で基板全面にレジスト薄膜を形成
することができるレジスト塗布方法を提供する。 【構成】 シリコン基板１上に１ｃｃ以下のごく微量の
レジスト２を滴下する。次に、表面をレジスト２が付着
しないよう処理された平板５を基板に押し当てる。これ
により、レジスト２は、数〜数十μmの膜厚で基板全面
に広がる。その後、平板５を基板１から取り外す。この
とき、平板表面はレジストが付着しないよう処理されて
いるため、レジストは平板表面に付着しない。最後に基
板１を回転させ、均一なレジスト薄膜を形成する。 【効果】 たとえ大口径の基板であってもレジスト薄膜
をごく微量で形成することができる。
することができるレジスト塗布方法を提供する。 【構成】 シリコン基板１上に１ｃｃ以下のごく微量の
レジスト２を滴下する。次に、表面をレジスト２が付着
しないよう処理された平板５を基板に押し当てる。これ
により、レジスト２は、数〜数十μmの膜厚で基板全面
に広がる。その後、平板５を基板１から取り外す。この
とき、平板表面はレジストが付着しないよう処理されて
いるため、レジストは平板表面に付着しない。最後に基
板１を回転させ、均一なレジスト薄膜を形成する。 【効果】 たとえ大口径の基板であってもレジスト薄膜
をごく微量で形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子等を製造する
ときに用いられるレジスト塗布装置および方法で、レジ
スト滴下量が微量でかつ大口径基板でも均一な膜厚にレ
ジスト塗布することができる装置および方法に関するも
のである。
ときに用いられるレジスト塗布装置および方法で、レジ
スト滴下量が微量でかつ大口径基板でも均一な膜厚にレ
ジスト塗布することができる装置および方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来のレジスト塗布方法は、図２ａ,ｂ
に示したように真空チャック３で保持された基板１上
に、主にノズル６を用いてレジスト２を１〜４ｃｃ滴下
し、基板１を回転させて行っている。この方法におい
て、レジストを均一な膜厚で形成するためカップ４の形
状を工夫したり、温湿調の機能を付加した構造のものが
ある。これらにより現在では、８インチまでの基板であ
れば均一にレジスト薄膜を形成することができている。
に示したように真空チャック３で保持された基板１上
に、主にノズル６を用いてレジスト２を１〜４ｃｃ滴下
し、基板１を回転させて行っている。この方法におい
て、レジストを均一な膜厚で形成するためカップ４の形
状を工夫したり、温湿調の機能を付加した構造のものが
ある。これらにより現在では、８インチまでの基板であ
れば均一にレジスト薄膜を形成することができている。
【０００３】その他としては、レジストをスプレー状に
して基板に吹き付けたり、有機ＣＶＤを用いて基板上に
レジスト薄膜を形成する方法等があるが、現実にはほと
んど使用されていない。
して基板に吹き付けたり、有機ＣＶＤを用いて基板上に
レジスト薄膜を形成する方法等があるが、現実にはほと
んど使用されていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな方法では、以下に示す様な問題点を有していた。
うな方法では、以下に示す様な問題点を有していた。
【０００５】従来の方法では、レジスト滴下量が薄膜と
して必要な量よりもはるかに多くなっていることであ
る。例えば、いま基板を６インチ、レジスト滴下量を３
ｃｃ、レジスト膜厚を１μｍとすると、レジスト滴下量
に対する薄膜として必要な量の割合は、わずか０．６％
である。つまり、滴下したレジストの９９．４％は捨て
ていることになり、非常にムダがある。これは、基板全
面にレジストを広げ均一な膜厚のレジスト薄膜を形成す
るためには必要であり、大口径になればレジストを基板
全面に広げるためだけでさらに多くのレジストが必要と
なる。
して必要な量よりもはるかに多くなっていることであ
る。例えば、いま基板を６インチ、レジスト滴下量を３
ｃｃ、レジスト膜厚を１μｍとすると、レジスト滴下量
に対する薄膜として必要な量の割合は、わずか０．６％
である。つまり、滴下したレジストの９９．４％は捨て
ていることになり、非常にムダがある。これは、基板全
面にレジストを広げ均一な膜厚のレジスト薄膜を形成す
るためには必要であり、大口径になればレジストを基板
全面に広げるためだけでさらに多くのレジストが必要と
なる。
【０００６】本発明は上記問題点に鑑み、レジスト滴下
量が微量でかつ大口径基板でも均一な膜厚にレジスト塗
布することができる装置および方法を提供するものであ
る。
量が微量でかつ大口径基板でも均一な膜厚にレジスト塗
布することができる装置および方法を提供するものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明のレジスト塗布装置は、基板を保持する支持
台と、前記基板と支持台を回転させる回転装置と、それ
らを覆う容器と、レジストが付着しないよう表面を加工
された平板を有した構造を備えたレジスト塗布装置であ
る。
めに本発明のレジスト塗布装置は、基板を保持する支持
台と、前記基板と支持台を回転させる回転装置と、それ
らを覆う容器と、レジストが付着しないよう表面を加工
された平板を有した構造を備えたレジスト塗布装置であ
る。
【０００８】また発明のレジスト塗布方法は、基板上に
レジストを滴下する工程と、レジストが付着しないよう
表面を加工された平板を前記基板に押し当て前記レジス
トを基板表面に広げる工程と、前記平板を基板表面から
取り外す工程と、基板を回転させる工程を備えたもので
ある。
レジストを滴下する工程と、レジストが付着しないよう
表面を加工された平板を前記基板に押し当て前記レジス
トを基板表面に広げる工程と、前記平板を基板表面から
取り外す工程と、基板を回転させる工程を備えたもので
ある。
【０００９】
【作用】本発明は上記した方法によって、まず、基板上
に１ｃｃ以下のごく微量のレジストを滴下する。次に、
表面を例えば化学吸着法でレジストが付着しないよう処
理された平板を基板に押し当てる。このときレジストが
ムラなく広がるため、例えば平板が基板中心より徐々に
基板周辺に接触するようにしたり、基板の一方の端から
接触するようにする。当然、平板表面は平坦であればあ
るほど良い。これにより、レジストは、数〜数十μｍの
膜厚で基板全面に広がる。その後、平板を基板から取り
外す。このとき、平板表面はレジストが付着しないよう
処理されているため、レジストは平板表面に付着しな
い。最後に基板を回転させ、均一なレジスト薄膜を形成
する。
に１ｃｃ以下のごく微量のレジストを滴下する。次に、
表面を例えば化学吸着法でレジストが付着しないよう処
理された平板を基板に押し当てる。このときレジストが
ムラなく広がるため、例えば平板が基板中心より徐々に
基板周辺に接触するようにしたり、基板の一方の端から
接触するようにする。当然、平板表面は平坦であればあ
るほど良い。これにより、レジストは、数〜数十μｍの
膜厚で基板全面に広がる。その後、平板を基板から取り
外す。このとき、平板表面はレジストが付着しないよう
処理されているため、レジストは平板表面に付着しな
い。最後に基板を回転させ、均一なレジスト薄膜を形成
する。
【００１０】これにより、大口径の基板であってもレジ
スト滴下量が微量で基板面内均一な膜厚のレジスト薄膜
を形成することができる。
スト滴下量が微量で基板面内均一な膜厚のレジスト薄膜
を形成することができる。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例のレジスト塗布装置及
び方法について、図面を参照しながら説明する。
び方法について、図面を参照しながら説明する。
【００１２】（実施例１）図１は本発明の実施例におけ
るレジスト塗布装置および方法の断面構造図を示すもの
である。１はシリコン基板、２はレジスト、３は真空チ
ャック、４はカップ、５はレジストが付着しないよう処
理された平板、６はノズルを示している。
るレジスト塗布装置および方法の断面構造図を示すもの
である。１はシリコン基板、２はレジスト、３は真空チ
ャック、４はカップ、５はレジストが付着しないよう処
理された平板、６はノズルを示している。
【００１３】以上のように構成されたレジスト塗布装置
および方法について、以下図１を用いてその動作を説明
する。
および方法について、以下図１を用いてその動作を説明
する。
【００１４】まず図１ａでは、６インチのシリコン基板
１上にレジスト２をノズル６より０．８ｃｃ滴下し、ノ
ズル６を平板５と接触しないようにカップ４より外に出
す。
１上にレジスト２をノズル６より０．８ｃｃ滴下し、ノ
ズル６を平板５と接触しないようにカップ４より外に出
す。
【００１５】次に図１ｂでは、平板５をシリコン基板１
に押し当てる。このとき平板５はシリコン基板１中央よ
り接触するように若干反らしてあり、レジスト２がシリ
コン基板１全面に広がると同時にシリコン基板１と平行
になるようにしてある。また、平板５表面は化学吸着法
で処理されておりレジストが表面に付着しないようにし
てある。
に押し当てる。このとき平板５はシリコン基板１中央よ
り接触するように若干反らしてあり、レジスト２がシリ
コン基板１全面に広がると同時にシリコン基板１と平行
になるようにしてある。また、平板５表面は化学吸着法
で処理されておりレジストが表面に付着しないようにし
てある。
【００１６】図１ｃでは、レジスト２がシリコン基板１
全面に広がった後、平板５をシリコン基板１から放す。
このとき平板５は接触するときとは逆に、シリコン基板
１周辺より離れるようになっており、平板を取り外して
もレジスト２表面にはほとんどムラが見られなかった。
その後、シリコン基板１を回転させることにより、ウエ
ハ内ばらつきが１０ｎｍ以下の均一な膜厚のレジスト薄
膜形成ができた。
全面に広がった後、平板５をシリコン基板１から放す。
このとき平板５は接触するときとは逆に、シリコン基板
１周辺より離れるようになっており、平板を取り外して
もレジスト２表面にはほとんどムラが見られなかった。
その後、シリコン基板１を回転させることにより、ウエ
ハ内ばらつきが１０ｎｍ以下の均一な膜厚のレジスト薄
膜形成ができた。
【００１７】以上のように本実施例によれば、微量のレ
ジスト滴下量において本発明が有効であることが証明さ
れた。また、シリコン基板１を回転させているときの平
板５とシリコン基板１との距離を変えることにより、カ
ップ４内の気流の状態を変え膜厚均一性をコントロール
することができた。
ジスト滴下量において本発明が有効であることが証明さ
れた。また、シリコン基板１を回転させているときの平
板５とシリコン基板１との距離を変えることにより、カ
ップ４内の気流の状態を変え膜厚均一性をコントロール
することができた。
【００１８】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
ついてその動作を説明する。
ついてその動作を説明する。
【００１９】構造は実施例１と同様で、カップ４の表面
も化学吸着法で処理しレジストが付着しないようにし
た。塗布シーケンスも実施例１と同じで行った。
も化学吸着法で処理しレジストが付着しないようにし
た。塗布シーケンスも実施例１と同じで行った。
【００２０】その結果、第１の実施例と同様に、微量の
レジスト滴下量で均一な膜厚のレジスト薄膜形成ができ
た。
レジスト滴下量で均一な膜厚のレジスト薄膜形成ができ
た。
【００２１】また、２５回連続でシリコン基板にレジス
トを塗布したが、平板５とカップ４の表面にはレジスト
が付着していなかった。
トを塗布したが、平板５とカップ４の表面にはレジスト
が付着していなかった。
【００２２】（実施例３）以下本発明の第３の実施例に
ついて図３を用いてその動作を説明する。
ついて図３を用いてその動作を説明する。
【００２３】構造は実施例１と同様で、実施例１の塗布
シーケンスでシリコン基板１を回転させる際、回転の最
初は平板５を取り外さず、回転途中で徐々に放していっ
た。
シーケンスでシリコン基板１を回転させる際、回転の最
初は平板５を取り外さず、回転途中で徐々に放していっ
た。
【００２４】その結果、第１の実施例と同様に、微量の
レジスト滴下量で均一な膜厚のレジスト薄膜形成ができ
た。
レジスト滴下量で均一な膜厚のレジスト薄膜形成ができ
た。
【００２５】（実施例４）以下本発明の第４の実施例に
ついて図４を用いてその動作を説明する。
ついて図４を用いてその動作を説明する。
【００２６】構造は実施例１と同様で、実施例１の塗布
シーケンスでシリコン基板１を回転させる際、回転の最
初は平板５を取り外さずまた平板５も回転させ、回転途
中で徐々に放していった。
シーケンスでシリコン基板１を回転させる際、回転の最
初は平板５を取り外さずまた平板５も回転させ、回転途
中で徐々に放していった。
【００２７】その結果、第１の実施例と同様に、微量の
レジスト滴下量で均一な膜厚のレジスト薄膜形成ができ
た。
レジスト滴下量で均一な膜厚のレジスト薄膜形成ができ
た。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明は、基板を保持する
支持台と、前記基板と支持台を回転させる回転装置と、
それらを覆う容器と、レジストが付着しないよう表面を
加工された平板を有した構造を備えたレジスト塗布装置
で、基板上にレジストを滴下する工程と、レジストが付
着しないよう表面を加工された平板を前記基板に押し当
て前記レジストを基板表面に広げる工程と、前記平板を
基板表面から取り外す工程と、基板を回転させる工程に
より、たとえ大口径の基板であってもレジスト滴下量が
微量で基板面内均一な膜厚のレジスト薄膜を形成するこ
とができる。
支持台と、前記基板と支持台を回転させる回転装置と、
それらを覆う容器と、レジストが付着しないよう表面を
加工された平板を有した構造を備えたレジスト塗布装置
で、基板上にレジストを滴下する工程と、レジストが付
着しないよう表面を加工された平板を前記基板に押し当
て前記レジストを基板表面に広げる工程と、前記平板を
基板表面から取り外す工程と、基板を回転させる工程に
より、たとえ大口径の基板であってもレジスト滴下量が
微量で基板面内均一な膜厚のレジスト薄膜を形成するこ
とができる。
【図１】本発明の第１の実施例の方法における断面工程
図
図
【図２】従来のレジスト塗布方法の一例を示した断面工
程図
程図
【図３】本発明の第３の実施例の方法における断面工程
図
図
【図４】本発明の第４の実施例の方法における断面工程
図
図
１ シリコン基板 ２ レジスト ３ 真空チャック ４ カップ ５ レジストが付着しないよう処理された平板 ６ ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 美濃 規央 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】基板を保持する支持台と、前記基板と支持
台を回転させる回転装置と、それらを覆う容器と、レジ
ストが付着しないよう表面を加工された平板とを有した
レジスト塗布装置。 - 【請求項２】請求項１記載の容器表面をレジストが付着
しないよう加工してあることを特徴とするレジスト塗布
装置。 - 【請求項３】請求項１記載のレジストが付着しないよう
表面を加工された平板が、支持台上部に設置もしくは移
動でき基板表面に接触できる構造であることを特徴とす
るレジスト塗布装置。 - 【請求項４】請求項１記載のレジストが付着しないよう
表面を加工された平板が、回転できる構造を有している
ことを特徴とするレジスト塗布装置。 - 【請求項５】請求項１は２記載のレジストが付着しない
表面加工法が、すくなくとも化学吸着法を用いているこ
とを特徴とするレジスト塗布装置。 - 【請求項６】請求項１に記載のレジスト塗布装置を用い
てレジストを塗布する工程において、基板上にレジスト
を滴下する工程と、レジストが付着しないよう表面を加
工された平板を前記基板に押し当て前記レジストを基板
表面に広げる工程と、前記平板を基板表面から取り外す
工程と、基板を回転させる工程とを備えたレジスト塗布
方法。 - 【請求項７】請求項６記載の平板を基板表面から取り外
す際、前記基板が回転していることを特徴とするレジス
ト塗布方法。 - 【請求項８】請求項６記載の平板を基板表面から取り外
す際、前記基板と前記平板が回転していることを特徴と
するレジスト塗布方法。 - 【請求項９】請求項６記載の平板を基板表面から取り外
す際、前記平板のみが回転していることを特徴とするレ
ジスト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9758793A JPH06310413A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | レジスト塗布装置及び塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9758793A JPH06310413A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | レジスト塗布装置及び塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310413A true JPH06310413A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14196376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9758793A Pending JPH06310413A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | レジスト塗布装置及び塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310413A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1080794A2 (en) * | 1999-08-31 | 2001-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Coating film, and method and apparatus for producing the same |
| JP2015176897A (ja) * | 2014-03-13 | 2015-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理装置、成膜処理方法及び記録媒体 |
| JP2015178221A (ja) * | 2014-03-19 | 2015-10-08 | 大日本印刷株式会社 | テンプレート基板の製造方法、および、ナノインプリント用テンプレートの製造方法 |
| JP2019012853A (ja) * | 2018-10-16 | 2019-01-24 | 大日本印刷株式会社 | テンプレート基板の製造方法、および、ナノインプリント用テンプレートの製造方法 |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP9758793A patent/JPH06310413A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1080794A2 (en) * | 1999-08-31 | 2001-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Coating film, and method and apparatus for producing the same |
| EP1080794A3 (en) * | 1999-08-31 | 2001-06-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Coating film, and method and apparatus for producing the same |
| US6485785B1 (en) | 1999-08-31 | 2002-11-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Coating film, and method and apparatus for producing the same |
| JP2015176897A (ja) * | 2014-03-13 | 2015-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理装置、成膜処理方法及び記録媒体 |
| JP2015178221A (ja) * | 2014-03-19 | 2015-10-08 | 大日本印刷株式会社 | テンプレート基板の製造方法、および、ナノインプリント用テンプレートの製造方法 |
| JP2019012853A (ja) * | 2018-10-16 | 2019-01-24 | 大日本印刷株式会社 | テンプレート基板の製造方法、および、ナノインプリント用テンプレートの製造方法 |
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