JPH06309697A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH06309697A JPH06309697A JP5240575A JP24057593A JPH06309697A JP H06309697 A JPH06309697 A JP H06309697A JP 5240575 A JP5240575 A JP 5240575A JP 24057593 A JP24057593 A JP 24057593A JP H06309697 A JPH06309697 A JP H06309697A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 化12の金属錯体を用いて光記録媒体の記録
層とする。 【化12】 Cpはシクロペンタジエンであり、Mは金属原子であ
り、Y、ZはS、Se、NR3 またはOであり、R3 は
Hまたはアルキルもしくはフェニルであり、C−R2 ま
たはNであり、R1 、R2 はアルキル、アリール、シア
ノ、エーテル、エステル、アシル、アルキルチオ、スル
ファモイル、アルキルスルホニル、複素環基、ハロゲ
ン、ニトロで、AがC−R2 のとき、R1 とR2 は互い
に結合して環を形成してもよい。 【効果】 化12の金属錯体は溶解性が良好で塗布工程
が容易となる。しかも、反射率の低下がなく、すぐれた
耐光性を発揮する。また、変調度が大きい。
層とする。 【化12】 Cpはシクロペンタジエンであり、Mは金属原子であ
り、Y、ZはS、Se、NR3 またはOであり、R3 は
Hまたはアルキルもしくはフェニルであり、C−R2 ま
たはNであり、R1 、R2 はアルキル、アリール、シア
ノ、エーテル、エステル、アシル、アルキルチオ、スル
ファモイル、アルキルスルホニル、複素環基、ハロゲ
ン、ニトロで、AがC−R2 のとき、R1 とR2 は互い
に結合して環を形成してもよい。 【効果】 化12の金属錯体は溶解性が良好で塗布工程
が容易となる。しかも、反射率の低下がなく、すぐれた
耐光性を発揮する。また、変調度が大きい。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、色素膜の記録層を有す
る光記録ディスク等の光記録媒体に関する。
る光記録ディスク等の光記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、大容量情報担持媒体として、追記
型や書き換え可能型などの各種光記録ディスクが注目さ
れている。このような光記録ディスクのなかに、色素を
主成分とする色素膜を記録層として用いるものがある。
また、構造的には従来、汎用されている色素膜からなる
記録層上に空気層を設けたいわゆるエアーサンドイッチ
構造のものや、コンパクトディスク(CD)規格に対応
した再生が可能なものとして色素膜からなる記録層に反
射層を密着して設けた構造のものが提案されている(日
経エレクトロニクス1989年1月23日号,No.4
65,P107、社団法人近畿化学協会機能性色素部
会,1989年3月3日,大阪科学技術センター、PROC
EEDINGS SPIE-THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL
ENGINEERINGVOL.1078 PP80-87,"OPTICAL DATA STORAGE
TOPICAL MEETING"17-19,JANUARY 1989 LOS ANGELES
等)。
型や書き換え可能型などの各種光記録ディスクが注目さ
れている。このような光記録ディスクのなかに、色素を
主成分とする色素膜を記録層として用いるものがある。
また、構造的には従来、汎用されている色素膜からなる
記録層上に空気層を設けたいわゆるエアーサンドイッチ
構造のものや、コンパクトディスク(CD)規格に対応
した再生が可能なものとして色素膜からなる記録層に反
射層を密着して設けた構造のものが提案されている(日
経エレクトロニクス1989年1月23日号,No.4
65,P107、社団法人近畿化学協会機能性色素部
会,1989年3月3日,大阪科学技術センター、PROC
EEDINGS SPIE-THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL
ENGINEERINGVOL.1078 PP80-87,"OPTICAL DATA STORAGE
TOPICAL MEETING"17-19,JANUARY 1989 LOS ANGELES
等)。
【0003】このような記録層に用いる色素としては、
耐熱性、耐水性等の点から、インドレニン系シアニン色
素が好ましく用いられている(特開昭59−24692
号等)。
耐熱性、耐水性等の点から、インドレニン系シアニン色
素が好ましく用いられている(特開昭59−24692
号等)。
【0004】しかし、このようなインドレニン系シアニ
ン色素は、再生光の繰り返し照射による再生劣化や明室
保存下での光劣化が生じやすい欠点を有する。このた
め、色素と金属錯体クエンチャーを混合して用いること
が提案され、実用化されている(特開昭59−5979
5号等)。このような金属錯体のうち、特にビス(フェ
ニレンジチオール)系のNi錯体等は、シアニン色素の
再生劣化や光劣化防止の点できわめてすぐれた効果を発
揮する。
ン色素は、再生光の繰り返し照射による再生劣化や明室
保存下での光劣化が生じやすい欠点を有する。このた
め、色素と金属錯体クエンチャーを混合して用いること
が提案され、実用化されている(特開昭59−5979
5号等)。このような金属錯体のうち、特にビス(フェ
ニレンジチオール)系のNi錯体等は、シアニン色素の
再生劣化や光劣化防止の点できわめてすぐれた効果を発
揮する。
【0005】しかし、溶解性の点で不十分であり、メタ
ノール等のアルコール系には1%以下の溶解度しかな
く、これらの溶媒を用いて記録層を塗設することができ
ない。また、吸収波長が700〜1000nmであり、色
素の吸収に影響を与え、結果として反射率が低下し、再
生出力が低い。
ノール等のアルコール系には1%以下の溶解度しかな
く、これらの溶媒を用いて記録層を塗設することができ
ない。また、吸収波長が700〜1000nmであり、色
素の吸収に影響を与え、結果として反射率が低下し、再
生出力が低い。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第1の目的
は、良好な溶解性を示し、記録層の成膜が容易であり、
記録層の反射率の低下がなく、しかも再生劣化や光劣化
の少ない光記録媒体を提供することにある。また、第2
の目的は、上記目的に加えて、変調度の大きい光記録媒
体を提供することにある。
は、良好な溶解性を示し、記録層の成膜が容易であり、
記録層の反射率の低下がなく、しかも再生劣化や光劣化
の少ない光記録媒体を提供することにある。また、第2
の目的は、上記目的に加えて、変調度の大きい光記録媒
体を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(7)の本発明により達成される。 (1)基体上に、色素とクエンチャーとを含有する記録
層を有する光記録媒体において、前記色素とクエンチャ
ーのうち、少なくともクエンチャーが下記化4で表わさ
れる錯体またはその2量体である光記録媒体。
(1)〜(7)の本発明により達成される。 (1)基体上に、色素とクエンチャーとを含有する記録
層を有する光記録媒体において、前記色素とクエンチャ
ーのうち、少なくともクエンチャーが下記化4で表わさ
れる錯体またはその2量体である光記録媒体。
【0008】
【化4】
【0009】〔化4において、Cpはシクロペンタジエ
ンを表わす。Aは、C−R2 またはNを表わす。R1 お
よびR2 は、それぞれ水素原子、アルキル基、アリール
基、シアノ基、エーテル基、エステル基、アシル基、ア
ルキルチオ基、スルファモイル基、アルキルスルホニル
基、複素環基、ハロゲン原子またはニトロ基を表わす。
AがC−R2 であるとき、R1 とR2 は互いに結合して
環を形成してもよい。YおよびZは、それぞれS、S
e、NR3 またはOを表わす。R3 は水素原子、アルキ
ル基またはフェニル基を表わす。Mは金属原子を表わ
す。〕 (2)上記化4において、Cpで表わされるシクロペン
タジエンが、アルキル基、アリール基、エーテル基、エ
ステル基、アシル基およびハロゲン原子から選ばれる少
なくとも1個の置換基を有していてもよい上記(1)の
光記録媒体。 (3)前記クエンチャーが下記化5で表わされる錯体で
ある上記(1)または(2)の光記録媒体。
ンを表わす。Aは、C−R2 またはNを表わす。R1 お
よびR2 は、それぞれ水素原子、アルキル基、アリール
基、シアノ基、エーテル基、エステル基、アシル基、ア
ルキルチオ基、スルファモイル基、アルキルスルホニル
基、複素環基、ハロゲン原子またはニトロ基を表わす。
AがC−R2 であるとき、R1 とR2 は互いに結合して
環を形成してもよい。YおよびZは、それぞれS、S
e、NR3 またはOを表わす。R3 は水素原子、アルキ
ル基またはフェニル基を表わす。Mは金属原子を表わ
す。〕 (2)上記化4において、Cpで表わされるシクロペン
タジエンが、アルキル基、アリール基、エーテル基、エ
ステル基、アシル基およびハロゲン原子から選ばれる少
なくとも1個の置換基を有していてもよい上記(1)の
光記録媒体。 (3)前記クエンチャーが下記化5で表わされる錯体で
ある上記(1)または(2)の光記録媒体。
【0010】
【化5】
【0011】〔化5において、Cpはシクロペンタジエ
ンを表わす。Y1 およびZ1 は、それぞれS、Seまた
はNR3 を表わす。R3 は水素原子、アルキル基または
フェニル基を表わす。R11およびR12は、それぞれ水素
原子またはハメットシグマ(σ)値が0以上の一価の置
換基を表わし、R11とR12は結合して環を形成してもよ
い。M1 はCo、NiまたはRhを表わす。〕 (4)前記色素がシアニン色素である上記(1)ないし
(3)のいずれかの光記録媒体。 (5)前記シアニン色素がインドレニン環を有する上記
(4)の光記録媒体。 (6)前記色素の吸収極大が600〜900nmである上
記(1)ないし(5)のいずれかの光記録媒体。 (7)基体上に、色素を含有する記録層を有する光記録
媒体において、前記色素が上記化4で表わされる錯体ま
たはその2量体である光記録媒体。
ンを表わす。Y1 およびZ1 は、それぞれS、Seまた
はNR3 を表わす。R3 は水素原子、アルキル基または
フェニル基を表わす。R11およびR12は、それぞれ水素
原子またはハメットシグマ(σ)値が0以上の一価の置
換基を表わし、R11とR12は結合して環を形成してもよ
い。M1 はCo、NiまたはRhを表わす。〕 (4)前記色素がシアニン色素である上記(1)ないし
(3)のいずれかの光記録媒体。 (5)前記シアニン色素がインドレニン環を有する上記
(4)の光記録媒体。 (6)前記色素の吸収極大が600〜900nmである上
記(1)ないし(5)のいずれかの光記録媒体。 (7)基体上に、色素を含有する記録層を有する光記録
媒体において、前記色素が上記化4で表わされる錯体ま
たはその2量体である光記録媒体。
【0012】なお、上記化4で表わされる錯体は、杉森
彰,有合化,48,788(1990)、杉森彰,Orga
nometallics News, 1990, No.1, P2、H.Boennemann, B.
Bogdanovic, W.Brijoux, R.Brinkmann, M.Kajitani, R.
Mynott, G.S.Natarajan and M.G.Sanson "Transition-M
etal-Catalyzed Synthesis of Heterocyclic Compounds
" in "Catalysis in Organic Reactions " ed. by J.
R.Kosak, Marcel Dekker, 1984, P31-62 、等に発表さ
れている。しかし、これらの発表では、この錯体が色素
に対し1重項酸素クエンチャーとして機能する旨の示唆
はない。
彰,有合化,48,788(1990)、杉森彰,Orga
nometallics News, 1990, No.1, P2、H.Boennemann, B.
Bogdanovic, W.Brijoux, R.Brinkmann, M.Kajitani, R.
Mynott, G.S.Natarajan and M.G.Sanson "Transition-M
etal-Catalyzed Synthesis of Heterocyclic Compounds
" in "Catalysis in Organic Reactions " ed. by J.
R.Kosak, Marcel Dekker, 1984, P31-62 、等に発表さ
れている。しかし、これらの発表では、この錯体が色素
に対し1重項酸素クエンチャーとして機能する旨の示唆
はない。
【0013】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【0014】本発明の光記録媒体は、色素とクエンチャ
ーとを含有する記録層を有するものである。この場合の
クエンチャーには化4で表わされる錯体クエンチャーを
用いる。このようなクエンチャーは、色素膜形成用の塗
布液を調製する際の溶解性が十分であり、成膜が容易に
なる。このため、耐光性が十分になり、かつ反射率を十
分確保することができる。従って、本発明はコンパクト
ディスク(CD)規格に対応した光記録ディスクに適用
することができる。
ーとを含有する記録層を有するものである。この場合の
クエンチャーには化4で表わされる錯体クエンチャーを
用いる。このようなクエンチャーは、色素膜形成用の塗
布液を調製する際の溶解性が十分であり、成膜が容易に
なる。このため、耐光性が十分になり、かつ反射率を十
分確保することができる。従って、本発明はコンパクト
ディスク(CD)規格に対応した光記録ディスクに適用
することができる。
【0015】また、変調度を高くするためには、化4の
なかでも、例えば化5で表わされる錯体クエンチャーの
ように、中心金属がCoである錯体を用いることが好ま
しい。このような錯体では、例えば後掲の化9や化10
のNi錯体や化9や化10において中心金属がCuであ
るCu錯体に比べ、後述のn(屈折率)が大きくなるか
らである。
なかでも、例えば化5で表わされる錯体クエンチャーの
ように、中心金属がCoである錯体を用いることが好ま
しい。このような錯体では、例えば後掲の化9や化10
のNi錯体や化9や化10において中心金属がCuであ
るCu錯体に比べ、後述のn(屈折率)が大きくなるか
らである。
【0016】まず、化4で表わされる錯体クエンチャー
について説明すると、化4において、Cpはシクロペン
タジエンである。シクロペンタジエンは、置換基を1〜
5個有していてもよく、置換基としては、アルキル基、
アリール基、エーテル基、エステル基、アシル基、ハロ
ゲン原子、シアノ基、アルキルチオ基、スルファモイル
基、アルキルスルホニル基、ニトロ基などが挙げられ
る。
について説明すると、化4において、Cpはシクロペン
タジエンである。シクロペンタジエンは、置換基を1〜
5個有していてもよく、置換基としては、アルキル基、
アリール基、エーテル基、エステル基、アシル基、ハロ
ゲン原子、シアノ基、アルキルチオ基、スルファモイル
基、アルキルスルホニル基、ニトロ基などが挙げられ
る。
【0017】アルキル基としては、置換基を有するもの
であってもよく、炭素原子数1〜4のものが好ましく、
具体的には、−CH3 、−C2 H5 、−CF3 、−C2
F5等が挙げられる。
であってもよく、炭素原子数1〜4のものが好ましく、
具体的には、−CH3 、−C2 H5 、−CF3 、−C2
F5等が挙げられる。
【0018】アリール基としては、置換基を有するもの
であってもよく、炭素原子数6〜10のものが好まし
く、具体的にはフェニル基等が挙げられる。
であってもよく、炭素原子数6〜10のものが好まし
く、具体的にはフェニル基等が挙げられる。
【0019】エーテル基としては置換基を有するもので
あってよく、炭素原子数1〜4のアルキル基を有するも
のが好ましく、具体的には−OCH3 、−OCF3 等が
挙げられる。
あってよく、炭素原子数1〜4のアルキル基を有するも
のが好ましく、具体的には−OCH3 、−OCF3 等が
挙げられる。
【0020】エステル基としては置換基を有するもので
あってもよく、炭素原子数1〜4のアルキル基を有する
ものが好ましく、具体的には−COOCH3 、−COO
C2H5 等が挙げられる。
あってもよく、炭素原子数1〜4のアルキル基を有する
ものが好ましく、具体的には−COOCH3 、−COO
C2H5 等が挙げられる。
【0021】アシル基としては置換基を有するものであ
ってもよく、炭素原子数1〜4のアルキル基を有するも
のが好ましく、具体的には−COCH3 等が挙げられ
る。
ってもよく、炭素原子数1〜4のアルキル基を有するも
のが好ましく、具体的には−COCH3 等が挙げられ
る。
【0022】ハロゲン原子としてはF、Cl、Br、I
等が挙げられる。
等が挙げられる。
【0023】アルキルチオ基としては置換基を有するも
のであってもよく、炭素原子数1〜4のアルキル基を有
するものが好ましく、具体的には−SCH3 、−SCF
3 等が挙げられる。
のであってもよく、炭素原子数1〜4のアルキル基を有
するものが好ましく、具体的には−SCH3 、−SCF
3 等が挙げられる。
【0024】スルファモイル基としては、置換基を有す
るものであってもよく、具体的には−SO2 NH2 等が
挙げられる。
るものであってもよく、具体的には−SO2 NH2 等が
挙げられる。
【0025】アルキルスルホニル基としては、置換基を
有するものであってもよく、炭素原子数1〜4のアルキ
ル基を有するものが好ましく、具体的には−SO2 CH
3 、−SO2 CF3 等が挙げられる。
有するものであってもよく、炭素原子数1〜4のアルキ
ル基を有するものが好ましく、具体的には−SO2 CH
3 、−SO2 CF3 等が挙げられる。
【0026】また、これらの置換基は互いに結合するな
どしてシクロアルカン(シクロペンタン等)等の環を形
成し、シクロペンタジエンに縮合してもよい。
どしてシクロアルカン(シクロペンタン等)等の環を形
成し、シクロペンタジエンに縮合してもよい。
【0027】これらの置換基のなかでも、アルキル基、
アリール基、エーテル基、エステル基、アシル基、ハロ
ゲン原子等が好ましい。
アリール基、エーテル基、エステル基、アシル基、ハロ
ゲン原子等が好ましい。
【0028】また、シクロペンタジエンは非置換のもの
も好ましい。
も好ましい。
【0029】金属原子Mに配位するYおよびZは、互い
に同一でも異なっていてもよく、それぞれS、Se、N
R3 またはOを表わす。これらのうち、Y+Zの組み合
わせとしては、S+S、Se+Se、S+Se、NR3
+NR3 、S+NR3 、S+Oの組み合わせが好まし
い。なお、R3 は、水素原子、アルキル基またはフェニ
ル基を表わす。R3 で表わされるアルキル基は、アリー
ル基、アルコキシ基等の置換基を有していてもよく、炭
素原子数1〜10のものが好ましい。具体的にはメチル
基、エチル基等が挙げられる。R3 で表わされるフェニ
ル基は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基等の置
換基を有していてもよく、炭素原子数6〜10のものが
好ましい。具体的にはフェニル基等が挙げられる。R3
としては水素原子、エチル基、フェニル基等が好まし
い。NR3 +NR3 の組み合わせのときのR3 同志は同
一であっても異なるものであってもよい。
に同一でも異なっていてもよく、それぞれS、Se、N
R3 またはOを表わす。これらのうち、Y+Zの組み合
わせとしては、S+S、Se+Se、S+Se、NR3
+NR3 、S+NR3 、S+Oの組み合わせが好まし
い。なお、R3 は、水素原子、アルキル基またはフェニ
ル基を表わす。R3 で表わされるアルキル基は、アリー
ル基、アルコキシ基等の置換基を有していてもよく、炭
素原子数1〜10のものが好ましい。具体的にはメチル
基、エチル基等が挙げられる。R3 で表わされるフェニ
ル基は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基等の置
換基を有していてもよく、炭素原子数6〜10のものが
好ましい。具体的にはフェニル基等が挙げられる。R3
としては水素原子、エチル基、フェニル基等が好まし
い。NR3 +NR3 の組み合わせのときのR3 同志は同
一であっても異なるものであってもよい。
【0030】M、X、YおよびC−R1 とともに5員環
を形成するAは、C−R2 またはNを表わす。R1 およ
びR2 は、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ
基、エーテル基、エステル基、アシル基、アルキルチオ
基、スルファモイル基、アルキルスルホニル基、複素環
基、ハロゲン原子またはニトロ基を表わす。これらR1
およびR2 は、フッ素、塩素等のハロゲン原子、ニトロ
基、好ましくは炭素原子数1〜4のアルキル基、アリー
ル基、好ましくは炭素原子数1〜4のアルキル基を有す
るアルコキシ基、置換または非置換のアミノ基等でさら
に置換されていてもよい。
を形成するAは、C−R2 またはNを表わす。R1 およ
びR2 は、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ
基、エーテル基、エステル基、アシル基、アルキルチオ
基、スルファモイル基、アルキルスルホニル基、複素環
基、ハロゲン原子またはニトロ基を表わす。これらR1
およびR2 は、フッ素、塩素等のハロゲン原子、ニトロ
基、好ましくは炭素原子数1〜4のアルキル基、アリー
ル基、好ましくは炭素原子数1〜4のアルキル基を有す
るアルコキシ基、置換または非置換のアミノ基等でさら
に置換されていてもよい。
【0031】R1 およびR2 の好ましいものとしては、
水素原子;炭素原子数1〜4のアルキル基(−CH3 、
−C2 H5 、−C3 H7 、−C4 H9 、−CF3 等);
炭素原子数1〜4のアルキル基を有するエーテル基(−
OCH3 、−OCF3 等);炭素原子数1〜4のアルキ
ル基を有するエステル基(−COOCH3 、−COOC
2 H5 等);炭素原子数1〜4のアルキル基を有するア
シル基(−COCH3等);炭素原子数1〜4のアルキ
ル基を有するアルキルチオ基(−SCH3 、−SCF3
等);スルファモイル基(−SO2 NH2 等);炭素原
子数1〜4のアルキル基を有するアルキルスルホニル
基、(−SO2 CH3 、−SO2 CF3 等);NO2 ;
CN;炭素原子数6〜12のアリール基(フェニル基、
p−ニトロフェニル基、p−アミノフェニル基等);縮
合環を有してもよい、5もしくは6員の複素環基(2−
ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基等);ハ
ロゲン原子(F、Cl、Br等)などが挙げられる。
水素原子;炭素原子数1〜4のアルキル基(−CH3 、
−C2 H5 、−C3 H7 、−C4 H9 、−CF3 等);
炭素原子数1〜4のアルキル基を有するエーテル基(−
OCH3 、−OCF3 等);炭素原子数1〜4のアルキ
ル基を有するエステル基(−COOCH3 、−COOC
2 H5 等);炭素原子数1〜4のアルキル基を有するア
シル基(−COCH3等);炭素原子数1〜4のアルキ
ル基を有するアルキルチオ基(−SCH3 、−SCF3
等);スルファモイル基(−SO2 NH2 等);炭素原
子数1〜4のアルキル基を有するアルキルスルホニル
基、(−SO2 CH3 、−SO2 CF3 等);NO2 ;
CN;炭素原子数6〜12のアリール基(フェニル基、
p−ニトロフェニル基、p−アミノフェニル基等);縮
合環を有してもよい、5もしくは6員の複素環基(2−
ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基等);ハ
ロゲン原子(F、Cl、Br等)などが挙げられる。
【0032】R1 およびR2 は通常同一であるが、互い
に異なるものであってもよい。またR1 およびR2 は互
いに結合して環、例えばベンゼン環、ナフタレン環等の
芳香族環を形成してもよい。なお、この環には、さら
に、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、置換また
は非置換のアミノ基、アルコキシ基、ニトロ基等の置換
基が結合していてもよい。
に異なるものであってもよい。またR1 およびR2 は互
いに結合して環、例えばベンゼン環、ナフタレン環等の
芳香族環を形成してもよい。なお、この環には、さら
に、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、置換また
は非置換のアミノ基、アルコキシ基、ニトロ基等の置換
基が結合していてもよい。
【0033】さらに、Mは、金属原子、例えばCo、N
i、Pt、Zn、Cu、Rh等を表わす。なお、化4の
錯体は、化6で示されるような2量体であってもよい。
i、Pt、Zn、Cu、Rh等を表わす。なお、化4の
錯体は、化6で示されるような2量体であってもよい。
【0034】
【化6】
【0035】化6において、Cp、Y、Z、R1 は化4
におけるものと同義である。
におけるものと同義である。
【0036】化4の錯体クエンチャーのなかでも化5で
表わされる錯体クエンチャーが好ましい。化5の錯体ク
エンチャーについて説明する。
表わされる錯体クエンチャーが好ましい。化5の錯体ク
エンチャーについて説明する。
【0037】化5において、Cpは化4と同様にシクロ
ペンタジエンを表わし、化4のものと同義である。シク
ロペンタジエンが置換基を有する場合の置換基として
は、化4と同様のものが挙げられ、好ましいものも同様
である。具体的には、置換もしくは非置換の炭素原子数
1〜4のアルキル基(−CH3 、−C2 H5 、−CF3
等)、置換もしくは非置換の炭素原子数1〜4のアルキ
ル基を有するエステル基(−COOCH3 等)、置換も
しくは非置換の炭素原子数1〜4のアルキル基を有する
アシル基(−COCH3 等)、置換もしくは非置換の炭
素原子数1〜4のアルキル基を有するアルコキシ基(−
OCH3 、−OCF3 等)、ハロゲン原子(F等)など
が挙げられる。
ペンタジエンを表わし、化4のものと同義である。シク
ロペンタジエンが置換基を有する場合の置換基として
は、化4と同様のものが挙げられ、好ましいものも同様
である。具体的には、置換もしくは非置換の炭素原子数
1〜4のアルキル基(−CH3 、−C2 H5 、−CF3
等)、置換もしくは非置換の炭素原子数1〜4のアルキ
ル基を有するエステル基(−COOCH3 等)、置換も
しくは非置換の炭素原子数1〜4のアルキル基を有する
アシル基(−COCH3 等)、置換もしくは非置換の炭
素原子数1〜4のアルキル基を有するアルコキシ基(−
OCH3 、−OCF3 等)、ハロゲン原子(F等)など
が挙げられる。
【0038】M1 はCo、NiまたはRhを表わし、特
にCoであることが好ましい。
にCoであることが好ましい。
【0039】Y1 およびZ1 は、それぞれS、Seまた
はNR3 を表わし、同一でも異なっていてもよい。Y1
+Z1 の組み合わせとしては、S+S、Se+Se、S
+Se、NR3 +NR3 、S+NR3 の組み合わせが好
ましい。なお、R3 は前記と同義であり、好ましいもの
も同様である。
はNR3 を表わし、同一でも異なっていてもよい。Y1
+Z1 の組み合わせとしては、S+S、Se+Se、S
+Se、NR3 +NR3 、S+NR3 の組み合わせが好
ましい。なお、R3 は前記と同義であり、好ましいもの
も同様である。
【0040】R11およびR12は、それぞれ水素原子また
はハメットシグマ(σ)値が0以上の一価の置換基を表
わす。具体的には、化4のR1 、R2 で表わされるもの
のうち、ハメットシグマ(σ)値が0以上のものを表わ
し、−CF3 、−CN、−OCF3 、−COOCH3 、
−COOC2 H5 、−SCF3 、−NO2 、−SO2N
H2 、−SO2 CH3 、ハロゲン原子、水素原子などが
好ましい。また、R11とR12とが結合して環を形成して
もよい。この場合の環は、前記のR1 とR2 とで形成さ
れるものと同様であり、環に縮合する置換基も同様のも
のが挙げられる。また、好ましいものも同様である。
はハメットシグマ(σ)値が0以上の一価の置換基を表
わす。具体的には、化4のR1 、R2 で表わされるもの
のうち、ハメットシグマ(σ)値が0以上のものを表わ
し、−CF3 、−CN、−OCF3 、−COOCH3 、
−COOC2 H5 、−SCF3 、−NO2 、−SO2N
H2 、−SO2 CH3 、ハロゲン原子、水素原子などが
好ましい。また、R11とR12とが結合して環を形成して
もよい。この場合の環は、前記のR1 とR2 とで形成さ
れるものと同様であり、環に縮合する置換基も同様のも
のが挙げられる。また、好ましいものも同様である。
【0041】化4の錯体クエンチャーのなかで、化5の
ものも含め、好ましいものは、M、Y、Z、C、A(化
5ではM1 、Y1 、Z1 、C、C)で形成される環が芳
香性を有するものである。これらによって形成される環
が芳香性を有することは、13CNMRによるシクロペン
タジエンの13Cのケミカルシフト(δ)値、ポーラログ
ラムの還元半波電位(Er 1/2)値などから確認される。
ものも含め、好ましいものは、M、Y、Z、C、A(化
5ではM1 、Y1 、Z1 、C、C)で形成される環が芳
香性を有するものである。これらによって形成される環
が芳香性を有することは、13CNMRによるシクロペン
タジエンの13Cのケミカルシフト(δ)値、ポーラログ
ラムの還元半波電位(Er 1/2)値などから確認される。
【0042】例えばY(あるいはY1 )、Z(あるいは
Z1 )がともにSのジチオール環では、Er 1/2値が−
1.8〜OV であり、13Cのδ値は75〜90ppm であ
る。また、Er 1/2値に対してδ値をプロットした場合直
線関係を示し、その傾き△(δ/Er 1/2)は、2.0〜
15.0(ppm/V)の範囲となる。なお、Er 1/2は、アセ
トニトリル中で支持電解質としてテトラエチルアンモニ
ウムパークロレイト(TEAP)を用いて参照電極(A
g|0.1mol dm-3AgClO4 )に対する電位を25
℃にて測定して求めたものである。
Z1 )がともにSのジチオール環では、Er 1/2値が−
1.8〜OV であり、13Cのδ値は75〜90ppm であ
る。また、Er 1/2値に対してδ値をプロットした場合直
線関係を示し、その傾き△(δ/Er 1/2)は、2.0〜
15.0(ppm/V)の範囲となる。なお、Er 1/2は、アセ
トニトリル中で支持電解質としてテトラエチルアンモニ
ウムパークロレイト(TEAP)を用いて参照電極(A
g|0.1mol dm-3AgClO4 )に対する電位を25
℃にて測定して求めたものである。
【0043】また、耐光性の点では、Cpが置換されて
いる場合の置換基としてはハメットシグマ(σ)値が0
以上のものが好ましく、さらにR1 (あるいはR11)、
R2(あるいはR12)もハメットシグマ(σ)値が0以
上のものが好ましい。
いる場合の置換基としてはハメットシグマ(σ)値が0
以上のものが好ましく、さらにR1 (あるいはR11)、
R2(あるいはR12)もハメットシグマ(σ)値が0以
上のものが好ましい。
【0044】以下に、化4の錯体クエンチャーの具体例
を示す。
を示す。
【0045】
【表1】
【0046】
【表2】
【0047】
【表3】
【0048】
【表4】
【0049】
【表5】
【0050】
【表6】
【0051】
【表7】
【0052】
【表8】
【0053】
【表9】
【0054】
【表10】
【0055】
【表11】
【0056】
【表12】
【0057】
【表13】
【0058】
【表14】
【0059】
【表15】
【0060】このような化4の金属錯体は、前掲の報文
に従い、あるいはそれに準じて容易に合成することがで
きる。すなわち、金属シクロペンタジエニルを合成した
のち、これにエチレンジチオール等を酸化させればよ
い。
に従い、あるいはそれに準じて容易に合成することがで
きる。すなわち、金属シクロペンタジエニルを合成した
のち、これにエチレンジチオール等を酸化させればよ
い。
【0061】例えば、例示化合物のなかの錯体No. 4
は、化7に示すスキームに従い、以下のようにして合成
する。
は、化7に示すスキームに従い、以下のようにして合成
する。
【0062】
【化7】
【0063】オクタカルボニルコバルト〔Co2 (C
O)8 〕等のCo錯体とシクロペンタジエン(C5 H
6 )を1:3のモル比でベンゼン等の溶媒中で混合し、
室温で1.5時間程度、さらに50℃程度の温度で1
7.5時間程度反応させる。反応後、濾過するなどし、
減圧蒸留などにより反応生成物のCpCo(CO)2 を
分離する。このものは赤かっ色の液体である。次に、A
r等の不活性ガス雰囲気中でCpCo(CO)2 とI2
とを同モルずつ無水エーテルに溶解し攪拌する。この溶
解物を1時間程度放置し、その後30分程度氷冷する。
これにより黒色粉末であるCpCoI2 (CO)が得ら
れる。さらに、Ar等の不活性ガス雰囲気中でCpCo
I2 (CO)とNa2 S2 C2 (CN)2 を同モルずつ
アセトン−メタノール混合溶媒のような溶媒中で混合
し、5時間程度攪拌して反応させた後、分離、精製する
などし、黒茶色粉末である目的物を得る。
O)8 〕等のCo錯体とシクロペンタジエン(C5 H
6 )を1:3のモル比でベンゼン等の溶媒中で混合し、
室温で1.5時間程度、さらに50℃程度の温度で1
7.5時間程度反応させる。反応後、濾過するなどし、
減圧蒸留などにより反応生成物のCpCo(CO)2 を
分離する。このものは赤かっ色の液体である。次に、A
r等の不活性ガス雰囲気中でCpCo(CO)2 とI2
とを同モルずつ無水エーテルに溶解し攪拌する。この溶
解物を1時間程度放置し、その後30分程度氷冷する。
これにより黒色粉末であるCpCoI2 (CO)が得ら
れる。さらに、Ar等の不活性ガス雰囲気中でCpCo
I2 (CO)とNa2 S2 C2 (CN)2 を同モルずつ
アセトン−メタノール混合溶媒のような溶媒中で混合
し、5時間程度攪拌して反応させた後、分離、精製する
などし、黒茶色粉末である目的物を得る。
【0064】錯体No. 79や錯体No. 91は、上記と同
様にしてCpCoI2 (CO)を得たのち、化8に示す
ように、CpCoI2 (CO)と(NH2 )2 C2 (C
N)2 または1,2−ジアミノ−4−ニトロベンゼンと
を上記に準じてそれぞれ反応させることによって得られ
る。この反応の際トリエチルアミン等の塩基を存在させ
ることが好ましい。
様にしてCpCoI2 (CO)を得たのち、化8に示す
ように、CpCoI2 (CO)と(NH2 )2 C2 (C
N)2 または1,2−ジアミノ−4−ニトロベンゼンと
を上記に準じてそれぞれ反応させることによって得られ
る。この反応の際トリエチルアミン等の塩基を存在させ
ることが好ましい。
【0065】
【化8】
【0066】このほかの化合物も上記に準じて合成する
ことができる。
ことができる。
【0067】これらの化合物は、核磁気共鳴スペクトル
やマススペクトルによって同定することができる。
やマススペクトルによって同定することができる。
【0068】化4の錯体をクエンチャーとするときの吸
収極大は600nm以下、特に400〜600nmが好まし
く、本発明において好ましく用いられる色素の吸収特性
に対し影響がない。従って、反射率の低下がなく、再生
出力の低下がない。
収極大は600nm以下、特に400〜600nmが好まし
く、本発明において好ましく用いられる色素の吸収特性
に対し影響がない。従って、反射率の低下がなく、再生
出力の低下がない。
【0069】記録層に用いる光吸収性の色素としては、
吸収極大が600〜900nm、より好ましくは600〜
800nm、さらに好ましくは650〜750nmであるこ
とが好ましい。例えばシアニン系、フタロシアニン系、
ナフタロシアニン系、アントラキノン系、アゾ系、トリ
フェニルメタン系、ピリリウムないしチアピリリウム塩
系、スクワリリウム系、クロコニウム系、金属錯体色素
系等から1種ないし2種以上を目的に応じて適宜選択す
ればよい。シアニン系色素としては、芳香族縮合環を有
してもよいインドレニン環、特にベンゾインドレニン環
を有するシアニン色素が好ましい。この際、2つのイン
ドレニン環はその縮合状態が異なるものであってもよ
い。
吸収極大が600〜900nm、より好ましくは600〜
800nm、さらに好ましくは650〜750nmであるこ
とが好ましい。例えばシアニン系、フタロシアニン系、
ナフタロシアニン系、アントラキノン系、アゾ系、トリ
フェニルメタン系、ピリリウムないしチアピリリウム塩
系、スクワリリウム系、クロコニウム系、金属錯体色素
系等から1種ないし2種以上を目的に応じて適宜選択す
ればよい。シアニン系色素としては、芳香族縮合環を有
してもよいインドレニン環、特にベンゾインドレニン環
を有するシアニン色素が好ましい。この際、2つのイン
ドレニン環はその縮合状態が異なるものであってもよ
い。
【0070】記録層に用いる好ましい色素については、
例えば、特開昭59−24692号、同59−5579
4号、同59−55795号、同59−81194号、
同59−83695号、同60−18387号、同60
−19586号、同60−19587号、同60−35
054号、同60−36190号、同60−36191
号、同60−44554号、同60−44555号、同
60−44389号、同60−44390号、同60−
47069号、同60−20991号、同60−712
94号、同60−54892号、同60−71295
号、同60−71296号、同60−73891号、同
60−73892号、同60−73893号、同60−
83892号、同60−85449号、同60−928
93号、同60−159087号、同60−16269
1号、同60−203488号、同60−201988
号、同60−234886号、同60−234892
号、同61−16894号、同61−11292号、同
61−11294号、同61−16891号、同61−
8384号、同61−14988号、同61−1632
43号、同61−210539号、特願昭60−540
13号、特開昭62−30088号、同62−3213
2号、同62−31792号、CMC出版刊「機能性色
素の化学」P74〜76等に記載されている。
例えば、特開昭59−24692号、同59−5579
4号、同59−55795号、同59−81194号、
同59−83695号、同60−18387号、同60
−19586号、同60−19587号、同60−35
054号、同60−36190号、同60−36191
号、同60−44554号、同60−44555号、同
60−44389号、同60−44390号、同60−
47069号、同60−20991号、同60−712
94号、同60−54892号、同60−71295
号、同60−71296号、同60−73891号、同
60−73892号、同60−73893号、同60−
83892号、同60−85449号、同60−928
93号、同60−159087号、同60−16269
1号、同60−203488号、同60−201988
号、同60−234886号、同60−234892
号、同61−16894号、同61−11292号、同
61−11294号、同61−16891号、同61−
8384号、同61−14988号、同61−1632
43号、同61−210539号、特願昭60−540
13号、特開昭62−30088号、同62−3213
2号、同62−31792号、CMC出版刊「機能性色
素の化学」P74〜76等に記載されている。
【0071】これらの色素1モルに対し、化4で表わさ
れる錯体クエンチャーは通常0.1〜10モル用いられ
る。なお、必要に応じ化4のクエンチャーに加え、公知
の他のクエンチャーを併用してもよい。
れる錯体クエンチャーは通常0.1〜10モル用いられ
る。なお、必要に応じ化4のクエンチャーに加え、公知
の他のクエンチャーを併用してもよい。
【0072】記録層は、色素、クエンチャーおよび有機
溶剤を含有する塗布液を用い、この塗布液を回転する基
板上に展開塗布するスピンコート法により形成されるこ
とが好ましい。記録形成のための塗布液に用いる有機溶
剤としては、アルコール系、ケトン系、エステル系、エ
ーテル系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系等から、用
いる色素に応じて適宜選択すればよい。特に、本発明に
よれば、クエンチャーは3%以上のアルコール溶解度を
もつので、アルコール系の使用が可能である。スピンコ
ート後、必要に応じて塗膜を乾燥させる。このようにし
て形成される記録層の厚さは、目的とする反射率などに
応じて適宜設定されるものであるが、通常、1000〜
3000A 程度である。
溶剤を含有する塗布液を用い、この塗布液を回転する基
板上に展開塗布するスピンコート法により形成されるこ
とが好ましい。記録形成のための塗布液に用いる有機溶
剤としては、アルコール系、ケトン系、エステル系、エ
ーテル系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系等から、用
いる色素に応じて適宜選択すればよい。特に、本発明に
よれば、クエンチャーは3%以上のアルコール溶解度を
もつので、アルコール系の使用が可能である。スピンコ
ート後、必要に応じて塗膜を乾燥させる。このようにし
て形成される記録層の厚さは、目的とする反射率などに
応じて適宜設定されるものであるが、通常、1000〜
3000A 程度である。
【0073】なお、塗布液における色素の含有量は、2
〜15wt% 、好ましくは2〜10wt% とすればよく、ま
た、クエンチャーの含有量は0.5〜10wt% 、好まし
くは1〜8wt% とする。なお、塗布液には適宜バインダ
ー、分散剤、安定剤等を含有させてもよい。
〜15wt% 、好ましくは2〜10wt% とすればよく、ま
た、クエンチャーの含有量は0.5〜10wt% 、好まし
くは1〜8wt% とする。なお、塗布液には適宜バインダ
ー、分散剤、安定剤等を含有させてもよい。
【0074】本発明において、化4の錯体を色素として
用いてもよく、この場合、化4の錯体は色素とクエンチ
ャーとの機能を併せもつことになる。このようなものと
しては、例示化合物の中の錯体No. 20〜No. 23、N
o. 28、No. 79〜No. 91などが挙げられる。色素
として使用する場合の塗布液における含有量は、2〜1
5wt% 、好ましくは2〜10wt% とすればよい。
用いてもよく、この場合、化4の錯体は色素とクエンチ
ャーとの機能を併せもつことになる。このようなものと
しては、例示化合物の中の錯体No. 20〜No. 23、N
o. 28、No. 79〜No. 91などが挙げられる。色素
として使用する場合の塗布液における含有量は、2〜1
5wt% 、好ましくは2〜10wt% とすればよい。
【0075】上記のような色素膜を記録層として基体で
ある基板上に有する光記録ディスクとして、図1には、
その一構成例が示されている。図1は、部分断面図であ
る。図1に示される光記録ディスク1は、記録層上に反
射層を密着して有するCD規格に対応した再生が可能な
密着型光記録ディスクである。図示のように、光記録デ
ィスク1は、基板2表面に前記のような色素を主成分と
する記録層3を有し、記録層3に密着して、反射層4、
保護膜5を有する。
ある基板上に有する光記録ディスクとして、図1には、
その一構成例が示されている。図1は、部分断面図であ
る。図1に示される光記録ディスク1は、記録層上に反
射層を密着して有するCD規格に対応した再生が可能な
密着型光記録ディスクである。図示のように、光記録デ
ィスク1は、基板2表面に前記のような色素を主成分と
する記録層3を有し、記録層3に密着して、反射層4、
保護膜5を有する。
【0076】基板2は、ディスク状のものであり、基板
2の裏面側からの記録および再生を可能とするために、
記録光および再生光(波長600〜900nm程度、特に
波長770〜900nm程度の半導体レーザー光、特に7
80nm)に対し、実質的に透明(好ましくは透過率88
%以上)な樹脂あるいはガラスを用いて形成するのがよ
い。また、大きさは、直径64〜200mm程度、厚さ
1.2mm程度のものとする。
2の裏面側からの記録および再生を可能とするために、
記録光および再生光(波長600〜900nm程度、特に
波長770〜900nm程度の半導体レーザー光、特に7
80nm)に対し、実質的に透明(好ましくは透過率88
%以上)な樹脂あるいはガラスを用いて形成するのがよ
い。また、大きさは、直径64〜200mm程度、厚さ
1.2mm程度のものとする。
【0077】基板2の記録層3形成面には、図1に示す
ように、トラッキング用のグルーブ23が形成される。
グルーブ23は、スパイラル状の連続型グルーブである
ことが好ましく、深さは0.1〜0.25μm 、幅は
0.35〜0.50μm 、グルーブピッチは1.5〜
1.7μm であることが好ましい。グルーブをこのよう
な構成とすることにより、グルーブ部の反射レベルを下
げることなく、良好なトラッキング信号を得ることがで
きる。特にグルーブ幅を0.35〜0.50μm に規制
することは重要であり、グルーブ幅を0.35μm 未満
とすると、十分な大きさのトラッキング信号が得られに
くく、記録時のトラッキングのわずかなオフセットによ
って、ジッターが大きくなりやすい。また0.50μm
をこえると、再生信号の波形歪みが生じやすく、クロス
トロークの増大の原因となる。
ように、トラッキング用のグルーブ23が形成される。
グルーブ23は、スパイラル状の連続型グルーブである
ことが好ましく、深さは0.1〜0.25μm 、幅は
0.35〜0.50μm 、グルーブピッチは1.5〜
1.7μm であることが好ましい。グルーブをこのよう
な構成とすることにより、グルーブ部の反射レベルを下
げることなく、良好なトラッキング信号を得ることがで
きる。特にグルーブ幅を0.35〜0.50μm に規制
することは重要であり、グルーブ幅を0.35μm 未満
とすると、十分な大きさのトラッキング信号が得られに
くく、記録時のトラッキングのわずかなオフセットによ
って、ジッターが大きくなりやすい。また0.50μm
をこえると、再生信号の波形歪みが生じやすく、クロス
トロークの増大の原因となる。
【0078】基板2は、材質的には、樹脂を用いること
が好ましく、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ア
モルファスポリオレフィン、TPX、ポリスチレン系樹
脂等の各種熱可塑性樹脂が好適である。そして、このよ
うな樹脂を用いて射出成形等の公知の方法に従って製造
することができる。グルーブ23は、基板2の成形時に
形成することが好ましい。なお、基板2製造後に2P法
等によりグルーブ23を有する樹脂層を形成してもよ
い。また、場合によってはガラス基板を用いてもよい。
が好ましく、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ア
モルファスポリオレフィン、TPX、ポリスチレン系樹
脂等の各種熱可塑性樹脂が好適である。そして、このよ
うな樹脂を用いて射出成形等の公知の方法に従って製造
することができる。グルーブ23は、基板2の成形時に
形成することが好ましい。なお、基板2製造後に2P法
等によりグルーブ23を有する樹脂層を形成してもよ
い。また、場合によってはガラス基板を用いてもよい。
【0079】図1に示されるように、基板2に設層され
る記録層3は、前記の色素含有塗布液を用い、前記のよ
うに、好ましくはスピンコート法により形成されたもの
である。スピンコートは通常の条件に従い、内周から外
周にかけて、回転数を500〜5000rpm の間で調整
するなどして行なえばよい。
る記録層3は、前記の色素含有塗布液を用い、前記のよ
うに、好ましくはスピンコート法により形成されたもの
である。スピンコートは通常の条件に従い、内周から外
周にかけて、回転数を500〜5000rpm の間で調整
するなどして行なえばよい。
【0080】このようにして形成される記録層3の厚さ
は、乾燥膜厚で、500〜3000A (50〜300n
m)とすることが好ましい。この範囲外では反射率が低
下して、CD規格に対応した再生を行なうことが難しく
なる。この際、グルーブ23内の記録トラック内の記録
層3の膜厚を1000A (100nm)以上、特に150
0〜3000A (150〜300nm)とすると、変調度
がきわめて大きくなる。
は、乾燥膜厚で、500〜3000A (50〜300n
m)とすることが好ましい。この範囲外では反射率が低
下して、CD規格に対応した再生を行なうことが難しく
なる。この際、グルーブ23内の記録トラック内の記録
層3の膜厚を1000A (100nm)以上、特に150
0〜3000A (150〜300nm)とすると、変調度
がきわめて大きくなる。
【0081】このようにして形成される記録層3は、C
D信号を記録する場合、その記録光および再生光波長に
おける消衰係数(複素屈折率の虚部)kは、0.02〜
0.05であることが好ましい。kが0.02未満とな
ると記録層の吸収率が低下し、通常の記録パワーで記録
を行なうことが困難である。また、kが0.05を超え
ると、反射率が70%を下回ってしまい、CD規格によ
る再生を行なうことが困難である。また、記録層3の屈
折率(複素屈折率の実部)nは、2.0〜2.6とな
る。n<2.0では反射率が低下し、また再生信号が小
さくなり、CD規格による再生が困難となる傾向にあ
る。
D信号を記録する場合、その記録光および再生光波長に
おける消衰係数(複素屈折率の虚部)kは、0.02〜
0.05であることが好ましい。kが0.02未満とな
ると記録層の吸収率が低下し、通常の記録パワーで記録
を行なうことが困難である。また、kが0.05を超え
ると、反射率が70%を下回ってしまい、CD規格によ
る再生を行なうことが困難である。また、記録層3の屈
折率(複素屈折率の実部)nは、2.0〜2.6とな
る。n<2.0では反射率が低下し、また再生信号が小
さくなり、CD規格による再生が困難となる傾向にあ
る。
【0082】図1に示されるように、記録層3上には、
直接密着して反射層4が設層される。反射層4として
は、Au、Cu等の高反射率金属ないし合金を用いるの
がよい。反射層4の厚さは500A 以上であることが好
ましく、蒸着、スパッタ等により設層すればよい。ま
た、厚さの上限に特に制限はないが、コスト、生産作業
時間等を考慮すると、1200A 程度以下であることが
好ましい。これにより、反射層4単独での反射率は、9
0%以上、媒体の未記録部の基板を通しての反射率は、
60%以上、特に70%以上が得られる。
直接密着して反射層4が設層される。反射層4として
は、Au、Cu等の高反射率金属ないし合金を用いるの
がよい。反射層4の厚さは500A 以上であることが好
ましく、蒸着、スパッタ等により設層すればよい。ま
た、厚さの上限に特に制限はないが、コスト、生産作業
時間等を考慮すると、1200A 程度以下であることが
好ましい。これにより、反射層4単独での反射率は、9
0%以上、媒体の未記録部の基板を通しての反射率は、
60%以上、特に70%以上が得られる。
【0083】図1に示されるように、反射層4上には、
保護膜5が設層される。保護膜5は、例えば紫外線硬化
樹脂等の各種樹脂材質から、通常は、0.5〜100μ
m 程度の厚さに設層すればよい。保護膜5は、層状であ
ってもシート状であってもよい。保護膜5は、スピンコ
ート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等
の通常の方法により形成すればよい。
保護膜5が設層される。保護膜5は、例えば紫外線硬化
樹脂等の各種樹脂材質から、通常は、0.5〜100μ
m 程度の厚さに設層すればよい。保護膜5は、層状であ
ってもシート状であってもよい。保護膜5は、スピンコ
ート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等
の通常の方法により形成すればよい。
【0084】本発明の光記録ディスクは、図示例のよう
な密着型の光記録ディスクに限らず、色素を含有する記
録層を有するものであれば、いずれであってもよい。こ
のようなものとしては、エアーサンドイッチ構造のピッ
ト形成型光記録ディスク等が挙げられ、本発明を適用す
ることによって、同様の効果が得られる。
な密着型の光記録ディスクに限らず、色素を含有する記
録層を有するものであれば、いずれであってもよい。こ
のようなものとしては、エアーサンドイッチ構造のピッ
ト形成型光記録ディスク等が挙げられ、本発明を適用す
ることによって、同様の効果が得られる。
【0085】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【0086】実施例1 まず、前記表1〜15の金属錯体のうち、表16に示さ
れる錯体のメタノールに対する25℃での溶解度を調べ
た。結果を化9、化10の比較錯体の結果とともに表1
6に示す。
れる錯体のメタノールに対する25℃での溶解度を調べ
た。結果を化9、化10の比較錯体の結果とともに表1
6に示す。
【0087】
【化9】
【0088】
【化10】
【0089】
【表16】
【0090】次に、図1に示される構成の光記録ディス
クサンプルを作製した。まず、直径120mm、厚さ1.
2mmのアモルファスポリオレフィン基板上に、スピンコ
ート法により色素を含有する記録層を形成した。この記
録層上に、反射層を形成し、さらに、保護膜を形成し
た。
クサンプルを作製した。まず、直径120mm、厚さ1.
2mmのアモルファスポリオレフィン基板上に、スピンコ
ート法により色素を含有する記録層を形成した。この記
録層上に、反射層を形成し、さらに、保護膜を形成し
た。
【0091】記録層3形成に用いた塗布液は、色素、ク
エンチャー錯体および有機溶剤を含有するものであり、
色素としては、下記化11のインドレニンシアニン色素
を用いた。色素の含有量は4wt% 、錯体含有量は2wt%
とした。
エンチャー錯体および有機溶剤を含有するものであり、
色素としては、下記化11のインドレニンシアニン色素
を用いた。色素の含有量は4wt% 、錯体含有量は2wt%
とした。
【0092】
【化11】
【0093】有機溶剤としては、シクロヘキサノンを用
いた。また、記録層の厚さは200nmとした。反射層は
Auとし、スパッタ法により厚さ85nmに形成した。そ
して、この上に紫外線硬化型のアクリル樹脂の保護膜
(膜厚5μm )を形成した。
いた。また、記録層の厚さは200nmとした。反射層は
Auとし、スパッタ法により厚さ85nmに形成した。そ
して、この上に紫外線硬化型のアクリル樹脂の保護膜
(膜厚5μm )を形成した。
【0094】上記各サンプルについて、780nmでの反
射率を測定した。結果を表16に併記する。表16か
ら、本発明のクエンチャーでは反射率の低下がないこと
がわかる。これは、化8、化9のクエンチャーで吸収極
大900nm、950nmであるのに対し、例えば錯体No.
5、No. 4で550nm、560nmと吸収極大が短波長で
あることによる。
射率を測定した。結果を表16に併記する。表16か
ら、本発明のクエンチャーでは反射率の低下がないこと
がわかる。これは、化8、化9のクエンチャーで吸収極
大900nm、950nmであるのに対し、例えば錯体No.
5、No. 4で550nm、560nmと吸収極大が短波長で
あることによる。
【0095】さらに、反射層を設けないサンプルを作製
し、その初期透過率T0 を測定し、8万ルックスのキセ
ノンランプを10時間照射した。照射後の透過率Tを測
定し、(100−T)×100/(100−T0 )にて
色素残存率を算出した。クエンチャーを用いないサンプ
ルでは色素残存率が35%であったのに対し、サンプル
No. 1〜5および11、12ではいずれも80%以上で
あり、従来のクエンチャーと同等のクエンチャー特性を
もつことが確認された。
し、その初期透過率T0 を測定し、8万ルックスのキセ
ノンランプを10時間照射した。照射後の透過率Tを測
定し、(100−T)×100/(100−T0 )にて
色素残存率を算出した。クエンチャーを用いないサンプ
ルでは色素残存率が35%であったのに対し、サンプル
No. 1〜5および11、12ではいずれも80%以上で
あり、従来のクエンチャーと同等のクエンチャー特性を
もつことが確認された。
【0096】実施例2 実施例1の媒体サンプルにおいて、基板材質をポリカー
ボネートとし、記録層3に用いた錯体クエンチャーを錯
体No. 5、No. 37、No. 38、No. 7、No.73にそ
れぞれかえるほかは同様にして媒体サンプルNo. 21〜
25を作製した(表17)。ただし、記録層形成用塗布
液の溶媒としてジアセトンアルコールを用い、色素と錯
体クエンチャーの合計含有量を6wt% 、錯体クエンチャ
ーの含有量を1.8wt% とした。
ボネートとし、記録層3に用いた錯体クエンチャーを錯
体No. 5、No. 37、No. 38、No. 7、No.73にそ
れぞれかえるほかは同様にして媒体サンプルNo. 21〜
25を作製した(表17)。ただし、記録層形成用塗布
液の溶媒としてジアセトンアルコールを用い、色素と錯
体クエンチャーの合計含有量を6wt% 、錯体クエンチャ
ーの含有量を1.8wt% とした。
【0097】また、実施例1の化9の錯体クエンチャー
において、中心金属をCuとした錯体と塩形成した結合
体色素を記録層に用いて媒体No. 14を作製した。
において、中心金属をCuとした錯体と塩形成した結合
体色素を記録層に用いて媒体No. 14を作製した。
【0098】なお、錯体No. 37、No. 38、No. 7、
No. 73の吸収極大は、すべて600nm以下であり、メ
タノールに対する溶解度も良好であった。
No. 73の吸収極大は、すべて600nm以下であり、メ
タノールに対する溶解度も良好であった。
【0099】これらの媒体サンプルNo. 21〜25、N
o. 14について、780nmでの反射率を測定した。ま
た、キセノンランプの照射時間を50時間とするほかは
実施例1と同様にして色素残存率を求めた。さらに、最
適記録パワーで記録したときの変調度を求めた。
o. 14について、780nmでの反射率を測定した。ま
た、キセノンランプの照射時間を50時間とするほかは
実施例1と同様にして色素残存率を求めた。さらに、最
適記録パワーで記録したときの変調度を求めた。
【0100】これらの結果を表17に示す。表17に
は、実施例1のサンプルNo. 12、No. 13の結果を併
記する。
は、実施例1のサンプルNo. 12、No. 13の結果を併
記する。
【0101】
【表17】
【0102】表17から、本発明の錯体クエンチャーを
用いることにより耐光性が良好で、十分な反射率が得ら
れることがわかる。また、変調度が大きい。
用いることにより耐光性が良好で、十分な反射率が得ら
れることがわかる。また、変調度が大きい。
【0103】実施例3 実施例2の媒体サンプルにおいて、記録層3に用いた錯
体クエンチャーを錯体No. 20、No. 79、No. 80に
それぞれかえるほかは同様にして媒体サンプルNo. 31
〜33を作製した(表18)。このとき、実施例2と同
様に、記録層形成用塗布液の溶媒はジアセトンアルコー
ルとし、色素と錯体クエンチャーの合計含有量は6wt%
、錯体クエンチャーの含有量は1.8wt% とした。
体クエンチャーを錯体No. 20、No. 79、No. 80に
それぞれかえるほかは同様にして媒体サンプルNo. 31
〜33を作製した(表18)。このとき、実施例2と同
様に、記録層形成用塗布液の溶媒はジアセトンアルコー
ルとし、色素と錯体クエンチャーの合計含有量は6wt%
、錯体クエンチャーの含有量は1.8wt% とした。
【0104】これらの媒体サンプルNo. 31〜33につ
いて、780nmでの反射率を測定した。また、キセノン
ランプの照射時間を50時間として、実施例1、2と同
様にして色素残存率を求めた。またメタノールに対する
溶解度(25℃)および最適記録パワーで記録したとき
の変調度を求めた。
いて、780nmでの反射率を測定した。また、キセノン
ランプの照射時間を50時間として、実施例1、2と同
様にして色素残存率を求めた。またメタノールに対する
溶解度(25℃)および最適記録パワーで記録したとき
の変調度を求めた。
【0105】これらの結果を表18に示す。表18には
実施例1のサンプルNo. 12、No.13の結果を併記す
る。
実施例1のサンプルNo. 12、No.13の結果を併記す
る。
【0106】
【表18】
【0107】表18から、本発明の錯体は溶解度が高い
ことがわかる。また、本発明の錯体クエンチャーを用い
ることにより耐光性が良好で、十分な反射率が得られ、
変調度が大きいことがわかる。
ことがわかる。また、本発明の錯体クエンチャーを用い
ることにより耐光性が良好で、十分な反射率が得られ、
変調度が大きいことがわかる。
【0108】実施例4 実施例1の媒体サンプルにおいて、記録層3に色素とし
て錯体No. 22を用いるほかは同様にして媒体サンプル
No. 41を作製した。ただし、記録層形成用塗布液の溶
媒としてシクロヘキサノンを用い、錯体色素含有量を6
wt% とした。
て錯体No. 22を用いるほかは同様にして媒体サンプル
No. 41を作製した。ただし、記録層形成用塗布液の溶
媒としてシクロヘキサノンを用い、錯体色素含有量を6
wt% とした。
【0109】この媒体サンプルNo. 41について、78
0nmでの反射率を測定し、照射時間を10時間として、
実施例1と同様に色素残存率を求めたところ、実施例1
の本発明の媒体サンプルと同等の良好な結果を示した。
0nmでの反射率を測定し、照射時間を10時間として、
実施例1と同様に色素残存率を求めたところ、実施例1
の本発明の媒体サンプルと同等の良好な結果を示した。
【0110】
【発明の効果】本発明によれば、従来と同等の再生劣化
や光劣化防止効果を示し、その上でクエンチャー溶解性
が向上するので、塗布工程が容易となり、しかも反射率
の低下が防止される。また、変調度を高くすることがで
きる。また、色素を兼ねる形での使用も可能である。
や光劣化防止効果を示し、その上でクエンチャー溶解性
が向上するので、塗布工程が容易となり、しかも反射率
の低下が防止される。また、変調度を高くすることがで
きる。また、色素を兼ねる形での使用も可能である。
【図1】本発明の光記録ディスクの一例を示す部分断面
図である。
図である。
1 光記録ディスク 2 基板 23 グルーブ 3 記録層 4 反射層 5 保護膜
Claims (7)
- 【請求項1】 基体上に、色素とクエンチャーとを含有
する記録層を有する光記録媒体において、 前記色素とクエンチャーのうち、少なくともクエンチャ
ーが下記化1で表わされる錯体またはその2量体である
光記録媒体。 【化1】 〔化1において、Cpはシクロペンタジエンを表わす。
Aは、C−R2 またはNを表わす。R1 およびR2 は、
それぞれ水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ
基、エーテル基、エステル基、アシル基、アルキルチオ
基、スルファモイル基、アルキルスルホニル基、複素環
基、ハロゲン原子またはニトロ基を表わす。AがC−R
2 であるとき、R1 とR2 は互いに結合して環を形成し
てもよい。YおよびZは、それぞれS、Se、NR3 ま
たはOを表わす。R3 は水素原子、アルキル基またはフ
ェニル基を表わす。Mは金属原子を表わす。〕 - 【請求項2】 上記化1において、Cpで表わされるシ
クロペンタジエンが、アルキル基、アリール基、エーテ
ル基、エステル基、アシル基およびハロゲン原子から選
ばれる少なくとも1個の置換基を有していてもよい請求
項1の光記録媒体。 - 【請求項3】 前記クエンチャーが下記化2で表わされ
る錯体である請求項1または2の光記録媒体。 【化2】 〔化2において、Cpはシクロペンタジエンを表わす。
Y1 およびZ1 は、それぞれS、SeまたはNR3 を表
わす。R3 は水素原子、アルキル基またはフェニル基を
表わす。R11およびR12は、それぞれ水素原子またはハ
メットシグマ(σ)値が0以上の一価の置換基を表わ
し、R11とR12は結合して環を形成してもよい。M1 は
Co、NiまたはRhを表わす。〕 - 【請求項4】 前記色素がシアニン色素である請求項1
ないし3のいずれかの光記録媒体。 - 【請求項5】 前記シアニン色素がインドレニン環を有
する請求項4の光記録媒体。 - 【請求項6】 前記色素の吸収極大が600〜900nm
である請求項1ないし5のいずれかの光記録媒体。 - 【請求項7】 基体上に、色素を含有する記録層を有す
る光記録媒体において、前記色素が下記化3で表わされ
る錯体またはその2量体である光記録媒体。 【化3】 〔化3において、Cpはシクロペンタジエンを表わす。
Aは、C−R2 またはNを表わす。R1 およびR2 は、
それぞれ水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ
基、エーテル基、エステル基、アシル基、アルキルチオ
基、スルファモイル基、アルキルスルホニル基、複素環
基、ハロゲン原子またはニトロ基を表わす。AがC−R
2 であるとき、R1 とR2 は互いに結合して環を形成し
てもよい。YおよびZは、それぞれS、Se、NR3 ま
たはOを表わす。R3 は水素原子、アルキル基またはフ
ェニル基を表わす。Mは金属原子を表わす。〕
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05240575A JP3130191B2 (ja) | 1992-09-11 | 1993-09-01 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26944692 | 1992-09-11 | ||
JP4-269446 | 1993-02-25 | ||
JP5-60890 | 1993-02-25 | ||
JP6089093 | 1993-02-25 | ||
JP05240575A JP3130191B2 (ja) | 1992-09-11 | 1993-09-01 | 光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06309697A true JPH06309697A (ja) | 1994-11-04 |
JP3130191B2 JP3130191B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=27297326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05240575A Expired - Fee Related JP3130191B2 (ja) | 1992-09-11 | 1993-09-01 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3130191B2 (ja) |
-
1993
- 1993-09-01 JP JP05240575A patent/JP3130191B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3130191B2 (ja) | 2001-01-31 |
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Legal Events
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